JPH02139900A - プラズマ装置 - Google Patents
プラズマ装置Info
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- JPH02139900A JPH02139900A JP63293041A JP29304188A JPH02139900A JP H02139900 A JPH02139900 A JP H02139900A JP 63293041 A JP63293041 A JP 63293041A JP 29304188 A JP29304188 A JP 29304188A JP H02139900 A JPH02139900 A JP H02139900A
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- Japan
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- plasma
- circularly polarized
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- generation chamber
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はプラズマ生成室内にて電子サイクロトロン共鳴
（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅ５ｏ
ｎａｎｃｅ。
（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅ５ｏ
ｎａｎｃｅ。
ＥＣＲ）励起により生成したＥＣＲプラズマを利用する
ＣＶＤ装置、ドライエツチング装置等のプラズマ装置に
関するものである。
ＣＶＤ装置、ドライエツチング装置等のプラズマ装置に
関するものである。
前記ＥＣＲ励起によりプラグ”７を生成する装置は、低
ガス圧で活性度が高いプラズマを生成できること、イオ
ンエネルギ及びイオン流の大きさを広範囲に選択できる
こと、またイオン流の指向性、均一性に優れていること
等多くの利点があり、半導体基板上に所望の物質の薄膜
を形成せしめるためのＣＶＤ装置、半導体基板上に微細
な回路パターンを形成せしめるためのドライエツチング
装置等、半導体集積回路の製造への通用が進められてい
る。
ガス圧で活性度が高いプラズマを生成できること、イオ
ンエネルギ及びイオン流の大きさを広範囲に選択できる
こと、またイオン流の指向性、均一性に優れていること
等多くの利点があり、半導体基板上に所望の物質の薄膜
を形成せしめるためのＣＶＤ装置、半導体基板上に微細
な回路パターンを形成せしめるためのドライエツチング
装置等、半導体集積回路の製造への通用が進められてい
る。
第４図はＥＣＲプラズマを利用した従来のＣＶＤ装置の
縦断面模式図であり、３１はプラズマ生成室を示す。プ
ラズマ生成室３１は周囲壁を２重構造にして冷却水の通
流路３１ａを備え、また−側壁中央には石英ガラス板３
１ｂにて封止したマイクロ波ｍ入口３１ｃを、更にマイ
クロ波導入口３１ｃと対向する他側壁中央にはプラズマ
引出窓３１ｄを夫々備えており、このプラズマ引出窓３
１ｄに臨ませて試料室３４が配設される。マイクロ波導
入口３１ｃには他端をマイクロ波発振器３３に接続した
マイクロ波導波管３２の一端が接続され、プラズマ生成
室３１及びこれに接続した導波管３２の一端部にわたっ
てこれらを囲むように励磁コイル３５が同心状に配設さ
れる。
縦断面模式図であり、３１はプラズマ生成室を示す。プ
ラズマ生成室３１は周囲壁を２重構造にして冷却水の通
流路３１ａを備え、また−側壁中央には石英ガラス板３
１ｂにて封止したマイクロ波ｍ入口３１ｃを、更にマイ
クロ波導入口３１ｃと対向する他側壁中央にはプラズマ
引出窓３１ｄを夫々備えており、このプラズマ引出窓３
１ｄに臨ませて試料室３４が配設される。マイクロ波導
入口３１ｃには他端をマイクロ波発振器３３に接続した
マイクロ波導波管３２の一端が接続され、プラズマ生成
室３１及びこれに接続した導波管３２の一端部にわたっ
てこれらを囲むように励磁コイル３５が同心状に配設さ
れる。
反応室３４内にはウェーハ等の試料Ｓを装着する試料台
３６が前記プラズマ引出窓３１ｄと対向させて配設され
ており、その後面側に位置す、る試料室３４の後壁には
図示しない排気装置に連なる排気口３７が開口される。
３６が前記プラズマ引出窓３１ｄと対向させて配設され
ており、その後面側に位置す、る試料室３４の後壁には
図示しない排気装置に連なる排気口３７が開口される。
このようなＣＶＤ装置においてＥＣＲプラズマは以下の
如き過程で生成される。プラズマ生成室３１及び試料室
３４を所要の真空度に設定した後、プラズマ生成室３１
に原料ガスを供給し、励磁コイル３５にて磁界を形成さ
せると共に、マイクロ波発振器３３から発振されるマイ
クロ波をマイクロ波導波管３２゜マイクロ波導入窓３１
ｃを通じてプラズマ生成室３１内へ導入する。そうする
と磁場中の電子がサイクロトロン共鳴によりプラズマ生
成室３１内へ伝送されたマイクロ波のエネルギを吸収し
、前記ガスの分子と衝突して、これをイオン化させ、プ
ラズマ生成室３１内にプラズマが生成される。生成され
たプラズマは励（ｄコイル３５にて形成される発散磁界
によって試料室３４内に導入され、試料Ｓ上に投射され
て、試料Ｓの表面に所望の物質の薄膜が形成される。
如き過程で生成される。プラズマ生成室３１及び試料室
３４を所要の真空度に設定した後、プラズマ生成室３１
に原料ガスを供給し、励磁コイル３５にて磁界を形成さ
せると共に、マイクロ波発振器３３から発振されるマイ
クロ波をマイクロ波導波管３２゜マイクロ波導入窓３１
ｃを通じてプラズマ生成室３１内へ導入する。そうする
と磁場中の電子がサイクロトロン共鳴によりプラズマ生
成室３１内へ伝送されたマイクロ波のエネルギを吸収し
、前記ガスの分子と衝突して、これをイオン化させ、プ
ラズマ生成室３１内にプラズマが生成される。生成され
たプラズマは励（ｄコイル３５にて形成される発散磁界
によって試料室３４内に導入され、試料Ｓ上に投射され
て、試料Ｓの表面に所望の物質の薄膜が形成される。
上述した様にＥＣＲプラズマ装置においてマイクロ波を
用いてプラズマを生成し、試料に成膜、エツチング等の
処理を施す場合、プラズマ生成効率を上げ、成膜、エツ
チング等の処理能力を向上させるためにマイクロ波及び
マイクロ波導波管に着目したプラズマ装置の改良が行わ
れている。
用いてプラズマを生成し、試料に成膜、エツチング等の
処理を施す場合、プラズマ生成効率を上げ、成膜、エツ
チング等の処理能力を向上させるためにマイクロ波及び
マイクロ波導波管に着目したプラズマ装置の改良が行わ
れている。
例えば、特公昭６２−５３９２０号公報においては、マ
イクロ波をプラズマ生成室へ導入するマイクロ波導波管
の断面上の電界強度の不均一を排除させるために、マイ
クロ波導波管に円偏波発生器を接続させて、プラズマを
均一に生成させる装置について開示されている。
イクロ波をプラズマ生成室へ導入するマイクロ波導波管
の断面上の電界強度の不均一を排除させるために、マイ
クロ波導波管に円偏波発生器を接続させて、プラズマを
均一に生成させる装置について開示されている。
ところで、マイクロ波をプラズマ生成室へ導入するため
の導波管として円形導波管を用いた場合、以下に述べる
ような問題点がある。即ち、マクスウェルの方程式によ
り磁性体で満たされた円形導波管中を伝播する電波は円
偏波モードでのみ存在す゛ることか知られており （Ｓ
ｕｈｌ、 Ｗａ！ｋｅｒ ： Ｂｌ：ＬＬＳｙｓｔ、Ｔ
ｅｃｈ、Ｊ、、３３．（１９５４）Ｐ５７９） 、磁気
プラズマの誘電率のテンソルは、電波の透磁率のテンソ
ルと同形なので、同様にマクスウェルの方程式により従
来のεＣｌ？プラズマ装置の円形導波管が磁気プラズマ
で満たされた場合にも、プラグ゛７を伝播するマイクロ
波は円偏波モードでのみ存在するといえる。プラズマを
伝播する円偏波モードのマイクロ波は右回り円偏波（Ｒ
波）及び左回り円偏波（Ｌ波）の２つの波に分離して存
在する。
の導波管として円形導波管を用いた場合、以下に述べる
ような問題点がある。即ち、マクスウェルの方程式によ
り磁性体で満たされた円形導波管中を伝播する電波は円
偏波モードでのみ存在す゛ることか知られており （Ｓ
ｕｈｌ、 Ｗａ！ｋｅｒ ： Ｂｌ：ＬＬＳｙｓｔ、Ｔ
ｅｃｈ、Ｊ、、３３．（１９５４）Ｐ５７９） 、磁気
プラズマの誘電率のテンソルは、電波の透磁率のテンソ
ルと同形なので、同様にマクスウェルの方程式により従
来のεＣｌ？プラズマ装置の円形導波管が磁気プラズマ
で満たされた場合にも、プラグ゛７を伝播するマイクロ
波は円偏波モードでのみ存在するといえる。プラズマを
伝播する円偏波モードのマイクロ波は右回り円偏波（Ｒ
波）及び左回り円偏波（Ｌ波）の２つの波に分離して存
在する。
第３図は横軸にＲ波及びＬ波のωＣ／ω（ω。
：サイクロトロン周波数、ω；マイクロ波周波数）をと
り、立て軸にマイクロ波の屈折率ｎをとり、Ｒ波及びＬ
波の屈折率の磁場依存性を示したグラフである。ωｐ／
ω（ωｐ ：プラズマ周波数）＝０．５．Ｋｏｒｏ−３
，０（Ｋｏ ：真空中の波数、ｒｏ：円筒磁気プラズ
マの半径）の条件において、Ｒ波及びＬ波をプラズマ生
成室内に導入したところ、ω。
り、立て軸にマイクロ波の屈折率ｎをとり、Ｒ波及びＬ
波の屈折率の磁場依存性を示したグラフである。ωｐ／
ω（ωｐ ：プラズマ周波数）＝０．５．Ｋｏｒｏ−３
，０（Ｋｏ ：真空中の波数、ｒｏ：円筒磁気プラズ
マの半径）の条件において、Ｒ波及びＬ波をプラズマ生
成室内に導入したところ、ω。
／ωが１，０前後では、ωＣ／ωの低下とともにＲ波の
屈折率ｎは急激に増大しており、ＥＣＲ効果が現れてい
ることを裏付けている。一方、Ｌ波の屈折率ｎはωＣ／
ωの値に依存しない。すなわちＥＣＲの効果を示さない
。
屈折率ｎは急激に増大しており、ＥＣＲ効果が現れてい
ることを裏付けている。一方、Ｌ波の屈折率ｎはωＣ／
ωの値に依存しない。すなわちＥＣＲの効果を示さない
。
このことからもわかるように、ＥＣ［ｌ励起によりエネ
ルギを吸収しプラズマを生ぜしめろために有用なのはＲ
波のみであり、Ｌ波は十分吸収されず、反射し、エネル
ギー的に損失するのみである。従って、円形４波管を用
いてプラズマ生成室にマイクロ波を導入した場合、上述
した様にマイクロ波にはＲ波、Ｌ波の両方が存在するが
、プラズマ生成室におけるＥＣＲ励起によるマイクロ波
の吸収にＬ波は関与しないため、効率の良いプラズマの
生成が行えないという問題があった。
ルギを吸収しプラズマを生ぜしめろために有用なのはＲ
波のみであり、Ｌ波は十分吸収されず、反射し、エネル
ギー的に損失するのみである。従って、円形４波管を用
いてプラズマ生成室にマイクロ波を導入した場合、上述
した様にマイクロ波にはＲ波、Ｌ波の両方が存在するが
、プラズマ生成室におけるＥＣＲ励起によるマイクロ波
の吸収にＬ波は関与しないため、効率の良いプラズマの
生成が行えないという問題があった。
本発明はかかる事情に濫みなされたものであり、磁性体
でみたされた円形導波管中を伝播する円偏波モード、即
ちＴＥ、、、 ＴＭ、。（ｍ、ｎ：整数、ｎ≠０）モー
ドのマイクロ波をＲ波に変換し、Ｒ波のみをプラズマ生
成室へ導入させ、Ｌ波によるエネルギー損失を防いでＥ
ＣＲプラズマ装置におけるマイクロ波の吸収効率を向上
させる装置を提供することを目的とする。
でみたされた円形導波管中を伝播する円偏波モード、即
ちＴＥ、、、 ＴＭ、。（ｍ、ｎ：整数、ｎ≠０）モー
ドのマイクロ波をＲ波に変換し、Ｒ波のみをプラズマ生
成室へ導入させ、Ｌ波によるエネルギー損失を防いでＥ
ＣＲプラズマ装置におけるマイクロ波の吸収効率を向上
させる装置を提供することを目的とする。
本発明に係るプラズマ装置は、プラズマ生成室にマイク
ロ波を導入すると共に、磁界を印加し、電子サイクロト
ロン共鳴励起によりプラズマを生成させるプラズマ装置
において、マイクロ波発振器から発振されたマイクロ波
をプラズマ生成室へ導入する導波管に、ＴＥｍｎ＋ Ｔ
Ｍｍｎ （ｍ、 ｎ ：整数。
ロ波を導入すると共に、磁界を印加し、電子サイクロト
ロン共鳴励起によりプラズマを生成させるプラズマ装置
において、マイクロ波発振器から発振されたマイクロ波
をプラズマ生成室へ導入する導波管に、ＴＥｍｎ＋ Ｔ
Ｍｍｎ （ｍ、 ｎ ：整数。
ｎ≠０）モードのマイクロ波を右回り円偏波に変換させ
る円偏波発生器を設けたことを特徴とする。
る円偏波発生器を設けたことを特徴とする。
マイクロ波発振器から発振されたマイクロ波をプラズマ
生成室へ導入する導波管に設けられた円偏波発生器にＴ
Ｅｓ＋ｎ＋ ＴＭｍｎ （ｍ、 ｎ ：整数、ｎ≠Ｏ
）モードのマイクロ波が伝送されると、マイクロ波は右
回り円偏波に変換される。この右回り円偏波はプラズマ
生成室へ尋人され、ＥＣＲ励起により効率良く吸収され
る。
生成室へ導入する導波管に設けられた円偏波発生器にＴ
Ｅｓ＋ｎ＋ ＴＭｍｎ （ｍ、 ｎ ：整数、ｎ≠Ｏ
）モードのマイクロ波が伝送されると、マイクロ波は右
回り円偏波に変換される。この右回り円偏波はプラズマ
生成室へ尋人され、ＥＣＲ励起により効率良く吸収され
る。
以下本発明をＣＶＤ装置として構成した実施例について
図面に基づき具体的に説明する。第１図は本発明に係る
プラズマ装置の縦断面模式図であり、前記第４図の従来
装置と同様に、プラズマ生成室３１は周囲壁を２重構造
にして冷却水の通流路３１ａを備え、また−側壁中央に
は石英ガラス板３１ｂにて封止したマイクロ波導入口３
１ｃを、更にマイクロ波導入口３１ｃと対向する他側壁
中央にはプラズマ引出窓３１ｄを夫々備えており、この
プラズマ引出窓３１ｄに臨ませて試料室３４が配設され
る。マイクロ波導入口３１ｃには他端をマイクロ波発振
器３３に接続したマイクロ波導波管３２ａ、 ３２ｂ、
３２ｃ、 ３２ｄの一端が接続され、プラズマ生成室
３１及びこれに接続した導波管３２ａ、 ３２ｂ、 ３
２ｃ、 ３２ｄの一端部にわたってこれらを囲むように
励磁コイル３５が同心状に配設される。
図面に基づき具体的に説明する。第１図は本発明に係る
プラズマ装置の縦断面模式図であり、前記第４図の従来
装置と同様に、プラズマ生成室３１は周囲壁を２重構造
にして冷却水の通流路３１ａを備え、また−側壁中央に
は石英ガラス板３１ｂにて封止したマイクロ波導入口３
１ｃを、更にマイクロ波導入口３１ｃと対向する他側壁
中央にはプラズマ引出窓３１ｄを夫々備えており、この
プラズマ引出窓３１ｄに臨ませて試料室３４が配設され
る。マイクロ波導入口３１ｃには他端をマイクロ波発振
器３３に接続したマイクロ波導波管３２ａ、 ３２ｂ、
３２ｃ、 ３２ｄの一端が接続され、プラズマ生成室
３１及びこれに接続した導波管３２ａ、 ３２ｂ、 ３
２ｃ、 ３２ｄの一端部にわたってこれらを囲むように
励磁コイル３５が同心状に配設される。
反応室３４内にはウェーハ等の試料Ｓを装置する試料台
３６が前記プラズマ引出窓３１ｄと対向させて配設され
ており、その後面側に位置する試料室３４の後壁には図
示しない排気装置に連なる排気口３７が開口される。
３６が前記プラズマ引出窓３１ｄと対向させて配設され
ており、その後面側に位置する試料室３４の後壁には図
示しない排気装置に連なる排気口３７が開口される。
マイクロ波発振器３３から発振されたマイクロ波は矩形
導波管３２ａに伝送された後、・ＴＥ、。モードのマイ
クロ波として矩形・円形変換器３２ｂに伝送され、円形
ＴＥ、モードのマイクロ波に変換される。
導波管３２ａに伝送された後、・ＴＥ、。モードのマイ
クロ波として矩形・円形変換器３２ｂに伝送され、円形
ＴＥ、モードのマイクロ波に変換される。
更にこのＴＥｚモードのマイクロ波は円偏波発生器３２
ｃへ伝送され、ＥＣＲによりプラズマを生成せしめるた
めに有用なＲ波に変換される。
ｃへ伝送され、ＥＣＲによりプラズマを生成せしめるた
めに有用なＲ波に変換される。
第２図は円偏波発生器３２ｃの横断面図であり、基本モ
ードがＴＥ、モードである円形導波管の壁面部に例えば
アルミニウム等の金属板Ｃ１及びＣ２が入射電界に対し
て４５°の位置に対向させて取り付けられている。これ
により入射波に位相差が生じ、Ｒ波のみが円形導波管３
２ｄへ伝送される。更にこのＲ波は石英ガラス仮３１ｂ
、マイクロ波導入口３１ｃを通じてプラズマ生成室３１
内に導入され、ＥＣＲ励起により吸収され、プラズマを
生成せしめる。
ードがＴＥ、モードである円形導波管の壁面部に例えば
アルミニウム等の金属板Ｃ１及びＣ２が入射電界に対し
て４５°の位置に対向させて取り付けられている。これ
により入射波に位相差が生じ、Ｒ波のみが円形導波管３
２ｄへ伝送される。更にこのＲ波は石英ガラス仮３１ｂ
、マイクロ波導入口３１ｃを通じてプラズマ生成室３１
内に導入され、ＥＣＲ励起により吸収され、プラズマを
生成せしめる。
上述した本発明のプラズマ装置及び従来のプラズマ装置
において、マイクロ波の周波数を２．４５ＧＨｚ 。
において、マイクロ波の周波数を２．４５ＧＨｚ 。
矩形導波管３２ａは縦１０９．２２鶴、横５４．６１鶴
、長さ２００龍、矩形・円形変換器３２ｂは４ｊｉ８１
．１３ ａｍ、横６７．８２龍、長さ４６．６６ ａｍ
、円偏波発生器３２ｃは内径８４＋ｅｍ、長さ１６５．
７１軌対向する金属板の距離７２龍、円形導波管３２ｄ
は内径８４ｍ＋＋、長さ１００龍、プラズマ生成室３１
は内径８４龍、長さ１００ｎとし、図示しないガス供給
系よりプラズマ生成室３１内にガス圧力３．５ Ｘ １
０”ＴｏｒｒのＮ２ガスを３０ｓｅｃｍ供給し、励磁コ
イル３５にて８７５Ｇａｕｓｓの磁界を形成し゛、マイ
クロ波入射電力２．０ｋＷによりプラズマを生成した。
、長さ２００龍、矩形・円形変換器３２ｂは４ｊｉ８１
．１３ ａｍ、横６７．８２龍、長さ４６．６６ ａｍ
、円偏波発生器３２ｃは内径８４＋ｅｍ、長さ１６５．
７１軌対向する金属板の距離７２龍、円形導波管３２ｄ
は内径８４ｍ＋＋、長さ１００龍、プラズマ生成室３１
は内径８４龍、長さ１００ｎとし、図示しないガス供給
系よりプラズマ生成室３１内にガス圧力３．５ Ｘ １
０”ＴｏｒｒのＮ２ガスを３０ｓｅｃｍ供給し、励磁コ
イル３５にて８７５Ｇａｕｓｓの磁界を形成し゛、マイ
クロ波入射電力２．０ｋＷによりプラズマを生成した。
その際、プラズマ生成室３１内にラングミューアブロー
ブを設けて、反射電力及びプラズマ密度を測定したとこ
ろ、本発明装置においては、反射電力０．１ｋＷ、プラ
ズマ密度１．６Ｘ１０”ｃｍ−’であった。
ブを設けて、反射電力及びプラズマ密度を測定したとこ
ろ、本発明装置においては、反射電力０．１ｋＷ、プラ
ズマ密度１．６Ｘ１０”ｃｍ−’であった。
一方導波管に円偏波発生器を設けない従来のプラズマ装
置にて上記と同条件でプラズマを生成した場合の反射電
力は０．７ｋＷ、プラズマ密度は８Ｘ１０１０ｃｍ −
’であった。
置にて上記と同条件でプラズマを生成した場合の反射電
力は０．７ｋＷ、プラズマ密度は８Ｘ１０１０ｃｍ −
’であった。
これにより明らかなように、本発明装置においては、従
来のものと比べてプラズマ生成室内の反射電力が減少し
、プラズマ密度が大きくなり、マイクロ波のプラズマに
よる吸収効率が向上し、効率良くプラズマが生成される
。
来のものと比べてプラズマ生成室内の反射電力が減少し
、プラズマ密度が大きくなり、マイクロ波のプラズマに
よる吸収効率が向上し、効率良くプラズマが生成される
。
なお、本実施例においてはＴＥ、、モードのマイクロ波
を円偏波発生器により右回り円偏波に変換させたが、円
偏波発生器の内径、または長さ、金属板の形状等を変化
させることにより、ＴＥ、、、 ＴＭｆｆｉ。
を円偏波発生器により右回り円偏波に変換させたが、円
偏波発生器の内径、または長さ、金属板の形状等を変化
させることにより、ＴＥ、、、 ＴＭｆｆｉ。
（ｍ、ｎ：整数、ｎ≠０）モードのマイクロ波であれば
どのようなマイクロ波でも右回り円偏波に変換させるこ
とができ、上述と同様の効果が得られる。
どのようなマイクロ波でも右回り円偏波に変換させるこ
とができ、上述と同様の効果が得られる。
また、上記実施例では、原料ガスをプラズマ生成室に導
入する例を示したが、原料ガスは試料室に導入してもよ
い。導入された原料ガスはプラズマ生成室に拡散するの
で、プラズマ生成室に導入した場合と同様な効果が得ら
れる。
入する例を示したが、原料ガスは試料室に導入してもよ
い。導入された原料ガスはプラズマ生成室に拡散するの
で、プラズマ生成室に導入した場合と同様な効果が得ら
れる。
以上詳述した如く、本発明装置においては、ＴＥ□。
ＴＭ、ｌＩｎ （ｍ、 ｒｌ ：整数、ｎ≠０）モー
ドのマイクロ波を右回りの円偏波に変換させた後にプラ
ズマ生成室へ導入するので、プラズマ生成室内の反射が
減少しＥＣＲ励起によるマイクロ波の吸収効率が向上し
、効率の良いプラズマの生成が行われる。
ドのマイクロ波を右回りの円偏波に変換させた後にプラ
ズマ生成室へ導入するので、プラズマ生成室内の反射が
減少しＥＣＲ励起によるマイクロ波の吸収効率が向上し
、効率の良いプラズマの生成が行われる。
第１図は本発明に係るプラズマ装置の縦断面模式図、第
２図は本発明に係るプラズマ装置に用いる円偏波発生器
の横断面模式図、第３図はＲ彼及びＬ波の屈折率の磁場
依存性を示すグラフ、第・１図は従来のプラズマ装置の
縦断面模式図である。 ３１・・・プラズマ生成室 ３２（、・・・円偏波発生
器３３・・・マイクロ波発振器 ３５・・・励Ｃコ）コ
イル特 許 出願人 住友金属工業目：武会社代理人
弁理士 河 野 登 夫２ａ 図 図 第 ・Ｚ （βＣ，／ヮ 酩 Ｖ
２図は本発明に係るプラズマ装置に用いる円偏波発生器
の横断面模式図、第３図はＲ彼及びＬ波の屈折率の磁場
依存性を示すグラフ、第・１図は従来のプラズマ装置の
縦断面模式図である。 ３１・・・プラズマ生成室 ３２（、・・・円偏波発生
器３３・・・マイクロ波発振器 ３５・・・励Ｃコ）コ
イル特 許 出願人 住友金属工業目：武会社代理人
弁理士 河 野 登 夫２ａ 図 図 第 ・Ｚ （βＣ，／ヮ 酩 Ｖ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、プラズマ生成室にマイクロ波を導入すると共に、磁
界を印加し、電子サイクロトロン共鳴励起によりプラズ
マを生成させるプラズマ装置において、 マイクロ波発振器から発振されたマイクロ 波をプラズマ生成室へ導入する導波管に、ＴＥ＿ｍ＿ｎ
ＴＭ＿ｍ＿ｎ（ｍ、ｎ：整数、ｎ≠０）モードのマイク
ロ波を右回り円偏波に変換させる円偏波発生器を設けた
ことを特徴とするプラズマ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63293041A JPH02139900A (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | プラズマ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63293041A JPH02139900A (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | プラズマ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02139900A true JPH02139900A (ja) | 1990-05-29 |
Family
ID=17789721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63293041A Pending JPH02139900A (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | プラズマ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02139900A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0725164A3 (en) * | 1992-01-30 | 1996-10-09 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for generating plasma and semiconductor processing methods |
-
1988
- 1988-11-18 JP JP63293041A patent/JPH02139900A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0725164A3 (en) * | 1992-01-30 | 1996-10-09 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for generating plasma and semiconductor processing methods |
| US5646489A (en) * | 1992-01-30 | 1997-07-08 | Hitachi, Ltd. | Plasma generator with mode restricting means |
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