JPH02139925A - エッチング終点検出装置 - Google Patents
エッチング終点検出装置Info
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- JPH02139925A JPH02139925A JP29318688A JP29318688A JPH02139925A JP H02139925 A JPH02139925 A JP H02139925A JP 29318688 A JP29318688 A JP 29318688A JP 29318688 A JP29318688 A JP 29318688A JP H02139925 A JPH02139925 A JP H02139925A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ドライエツチング工程に用いるエツチング終点検出装置
に関し、 多層の被エツチング膜が精度良くエツチング終点検出で
きるようにすることを目的とし、被エツチング膜を構成
する複数膜の合計膜数をＮＮ、検出する発光強度電圧の
微分極大値をＭＡＸ（Ｔ）９発光強度電圧の微分極大値
Ｍ Ａ Ｘ （Ｔ）よりやや後方にずれて補正する補正
値を１／Ｋ（Ｎ）。
に関し、 多層の被エツチング膜が精度良くエツチング終点検出で
きるようにすることを目的とし、被エツチング膜を構成
する複数膜の合計膜数をＮＮ、検出する発光強度電圧の
微分極大値をＭＡＸ（Ｔ）９発光強度電圧の微分極大値
Ｍ Ａ Ｘ （Ｔ）よりやや後方にずれて補正する補正
値を１／Ｋ（Ｎ）。
エツチング終点検出時点に相当する微分値をＦＬＡＧ（
Ｔ）＝ＭＡＸ（Ｔ）／Ｋ（Ｎ）として、任意時間Ｔにお
ける電圧値ＳＩＧ（Ｔ）を読み取って該電圧値の微分値
Ｄ Ｉ Ｆ Ｆ （Ｔ）を計算し、該微分値Ｄ Ｉ Ｆ
Ｆ （Ｔ）と微分極大値Ｍ Ａ Ｘ （Ｔ）を比較し
、更に、終点検出微分値Ｆ Ｌ Ａ Ｇ （Ｎ）と前記
微分値Ｄ Ｉ Ｆ Ｆ （Ｔ）と比較しながら、１番目
からＮＮ番目までの膜の各々のエツチング終点を順次に
検出し、 かくして、上記の計算処理を繰り返しながらＮＮ番目の
エツチング終点を検出するようにしたことを特徴とする
。
Ｔ）＝ＭＡＸ（Ｔ）／Ｋ（Ｎ）として、任意時間Ｔにお
ける電圧値ＳＩＧ（Ｔ）を読み取って該電圧値の微分値
Ｄ Ｉ Ｆ Ｆ （Ｔ）を計算し、該微分値Ｄ Ｉ Ｆ
Ｆ （Ｔ）と微分極大値Ｍ Ａ Ｘ （Ｔ）を比較し
、更に、終点検出微分値Ｆ Ｌ Ａ Ｇ （Ｎ）と前記
微分値Ｄ Ｉ Ｆ Ｆ （Ｔ）と比較しながら、１番目
からＮＮ番目までの膜の各々のエツチング終点を順次に
検出し、 かくして、上記の計算処理を繰り返しながらＮＮ番目の
エツチング終点を検出するようにしたことを特徴とする
。
本発明は半導体装置などの電子部品の製造方法において
ドライエツチング工程に用いるエツチング終点検出装置
に関する。
ドライエツチング工程に用いるエツチング終点検出装置
に関する。
〔従来の技術と発明が解決しようとする課題〕例えば、
半導体基板上に形成された酸化シリコン（ＳｉＯ□）膜
をドライエツチングする場合、エツチング終点検出装置
を用いているが、その概要を説明すると、第３図は単層
の被エツチング膜をエツチングする場合のエツチング終
点検出原理を説明する図である。それは、エツチング時
に発生する発光強度の波形の傾斜によって終点を検出す
る方法で、第３図（ａ）はエツチング時間に対する発光
強度曲線、第３図（ｂ）はその発光強度曲線の微分波形
を示しており、図中の時間Ｔ０が発光強度が減少する時
点、即ち、微分値がマイナスになる時点における発光強
度曲線の傾斜の最大値を示す点で、この時間Ｔ０を検出
してエツチング終点とする方法である。
半導体基板上に形成された酸化シリコン（ＳｉＯ□）膜
をドライエツチングする場合、エツチング終点検出装置
を用いているが、その概要を説明すると、第３図は単層
の被エツチング膜をエツチングする場合のエツチング終
点検出原理を説明する図である。それは、エツチング時
に発生する発光強度の波形の傾斜によって終点を検出す
る方法で、第３図（ａ）はエツチング時間に対する発光
強度曲線、第３図（ｂ）はその発光強度曲線の微分波形
を示しており、図中の時間Ｔ０が発光強度が減少する時
点、即ち、微分値がマイナスになる時点における発光強
度曲線の傾斜の最大値を示す点で、この時間Ｔ０を検出
してエツチング終点とする方法である。
第４図はそのようなエツチング終点検出装置のブロック
ダイヤグラム図を示しており、１１はエツチングチャン
バ、 １２はディテクタ、１３は検出器。
ダイヤグラム図を示しており、１１はエツチングチャン
バ、 １２はディテクタ、１３は検出器。
１４は演算回路計算装置、１５は制御装置、 １７はパ
ワーサプライで、終点検出装置１６は検出器１３．演算
回路計算装置１４．制御装置１５の総称である。動作概
要はエツチングチャンバ１１の内部におけるエツチング
状態を示す発光強度をディテクタ１２で受光し、その発
光強度の電圧値を検出器１３で電気信号に変換して演算
回路計算装置１４に送る。演算回路計算装置１４では増
幅・ノイズ除去・微分計算をし、必要な制御信号を出力
する。その微分計算を上記の原理に基づいておこなうの
であるが、出力した制御信号を制御装置１５に送り、制
御装置１５はこれを評価・判断してパワーサプライ１７
に電力の支給停止を指示してエツチングを中止する。
ワーサプライで、終点検出装置１６は検出器１３．演算
回路計算装置１４．制御装置１５の総称である。動作概
要はエツチングチャンバ１１の内部におけるエツチング
状態を示す発光強度をディテクタ１２で受光し、その発
光強度の電圧値を検出器１３で電気信号に変換して演算
回路計算装置１４に送る。演算回路計算装置１４では増
幅・ノイズ除去・微分計算をし、必要な制御信号を出力
する。その微分計算を上記の原理に基づいておこなうの
であるが、出力した制御信号を制御装置１５に送り、制
御装置１５はこれを評価・判断してパワーサプライ１７
に電力の支給停止を指示してエツチングを中止する。
ところが、最近、半導体装置の高集積化に伴って半導体
装置の被エツチング膜が多種類からなる多層膜に構成さ
れ、それを連続してエツチングする処理工程が増えてき
た。第５図はそのような多層膜のエツチング例を示して
おり、本例はシリコン基板１上に形成されたＳｉ０ｇ膜
と燐シリケートガラス（Ｐ Ｓ Ｇ）膜とからなる２層
膜をレジスト膜パターン４をマスクにして同時にエツチ
ングして窓あけする例である。
装置の被エツチング膜が多種類からなる多層膜に構成さ
れ、それを連続してエツチングする処理工程が増えてき
た。第５図はそのような多層膜のエツチング例を示して
おり、本例はシリコン基板１上に形成されたＳｉ０ｇ膜
と燐シリケートガラス（Ｐ Ｓ Ｇ）膜とからなる２層
膜をレジスト膜パターン４をマスクにして同時にエツチ
ングして窓あけする例である。
しかし、このような多層の被エツチング膜をエツチング
する場合は単層の被エツチング膜をエツチングする場合
に比べてエツチング終点検出の検出精度が落ち、検出ミ
スによるオーバーエツチングをおこなうことが多い、第
６図は多層の被エツチング膜をエツチングする場合（本
例では２層の被エツチング膜をエツチングする場合）の
第２図に対応したエツチング終点検出原理の説明図で、
その問題点を同図によって説明すると、第６図は第３図
と同じくエツチング時に生じる発光強度の波形の傾斜に
よって終点を検出する方法で、第６図（ａ）はエツチン
グ時間に対する発光強度曲線、第６図中）はその発光強
度曲線の微分波形を示している。この第６図では第３図
のエツチング終点の時間Ｔ０に対応する点がＴ、とＴ２
との２箇所にあり、多層の被エツチング膜を同時にエツ
チングする場合は時間Ｔ１をエツチング終点とせず、時
間Ｔ２をエツチング終点にする必要があるが、そのまま
では時間Ｔ１が最初に検出されるために時間ＴＩを検出
してエツチング終点になる。そのため、時間の制限など
の他の条件を加えて時間Ｔ、を見過ごして時間Ｔ！を検
出するように図っているが、エツチングレートのばらつ
き等の不安定要因のためにエツチング終点検出に失敗す
ることが多くなっている。
する場合は単層の被エツチング膜をエツチングする場合
に比べてエツチング終点検出の検出精度が落ち、検出ミ
スによるオーバーエツチングをおこなうことが多い、第
６図は多層の被エツチング膜をエツチングする場合（本
例では２層の被エツチング膜をエツチングする場合）の
第２図に対応したエツチング終点検出原理の説明図で、
その問題点を同図によって説明すると、第６図は第３図
と同じくエツチング時に生じる発光強度の波形の傾斜に
よって終点を検出する方法で、第６図（ａ）はエツチン
グ時間に対する発光強度曲線、第６図中）はその発光強
度曲線の微分波形を示している。この第６図では第３図
のエツチング終点の時間Ｔ０に対応する点がＴ、とＴ２
との２箇所にあり、多層の被エツチング膜を同時にエツ
チングする場合は時間Ｔ１をエツチング終点とせず、時
間Ｔ２をエツチング終点にする必要があるが、そのまま
では時間Ｔ１が最初に検出されるために時間ＴＩを検出
してエツチング終点になる。そのため、時間の制限など
の他の条件を加えて時間Ｔ、を見過ごして時間Ｔ！を検
出するように図っているが、エツチングレートのばらつ
き等の不安定要因のためにエツチング終点検出に失敗す
ることが多くなっている。
本発明はこのような問題点を解消させ、多層からなる被
エツチング膜が精度高くエツチング終点検出できるよう
にしたエツチング終点検出装置を提案するものである。
エツチング膜が精度高くエツチング終点検出できるよう
にしたエツチング終点検出装置を提案するものである。
その課題は、被エツチング膜を構成する複数膜の合計膜
数をＮＮ、検出する発光強度電圧の微分極大値をＭＡＸ
（Ｔ）、発光強度電圧の微分極大値ＭＡ Ｘ （Ｔ）よ
りやや後方にずれて補正する補正値を１／Ｋ（Ｎ）、エ
ツチング終点検出時点に相当する微分値をＦＬＡＧ（Ｔ
）＝ＭＡＸ（Ｔ）／Ｋ（Ｎ）として、任意時間Ｔにおけ
る電圧値ＳＩＧ（Ｔ）を読み取って該電圧値の微分値Ｄ
ＩＦＦ（Ｔ）を計算し、該微分値ＤＩＦＦ（Ｔ）と微分
極大値Ｍ Ａ Ｘ （Ｔ）を比較し、更に、終点検出微
分値Ｆ Ｌ Ａ Ｇ （Ｎ）と前記微分値ＤＩＦＦ（Ｔ
）と比較しながら、１番目からＮＮ番目までの膜の各々
のエツチング終点を順次に検出し、かくして、上記の計
算処理を繰り返しながらＮＮ番目のエツチング終点を検
出するようにしたエツチング終点検出装置によって解決
される。
数をＮＮ、検出する発光強度電圧の微分極大値をＭＡＸ
（Ｔ）、発光強度電圧の微分極大値ＭＡ Ｘ （Ｔ）よ
りやや後方にずれて補正する補正値を１／Ｋ（Ｎ）、エ
ツチング終点検出時点に相当する微分値をＦＬＡＧ（Ｔ
）＝ＭＡＸ（Ｔ）／Ｋ（Ｎ）として、任意時間Ｔにおけ
る電圧値ＳＩＧ（Ｔ）を読み取って該電圧値の微分値Ｄ
ＩＦＦ（Ｔ）を計算し、該微分値ＤＩＦＦ（Ｔ）と微分
極大値Ｍ Ａ Ｘ （Ｔ）を比較し、更に、終点検出微
分値Ｆ Ｌ Ａ Ｇ （Ｎ）と前記微分値ＤＩＦＦ（Ｔ
）と比較しながら、１番目からＮＮ番目までの膜の各々
のエツチング終点を順次に検出し、かくして、上記の計
算処理を繰り返しながらＮＮ番目のエツチング終点を検
出するようにしたエツチング終点検出装置によって解決
される。
即ち、本発明は１番目の膜のエツチング終点を検出した
微分極大値Ｍ Ａ Ｘ （Ｔ）を補正値Ｋ （Ｎ）で補
正しながらエツチング終点検出時点に相当する微分値Ｆ
ＬＡＧ（Ｔ）＝ＭＡＸ（Ｔ）／Ｋ（Ｎ）を検出し、そう
して、順次にＮ番目までの膜のエツチング終点を補正し
つつ検出して、多層膜の合計膜数ＮＮにおけるＮＮ番目
のエツチング終点を補正して検出し、これをエツチング
の最終検出時点にする。
微分極大値Ｍ Ａ Ｘ （Ｔ）を補正値Ｋ （Ｎ）で補
正しながらエツチング終点検出時点に相当する微分値Ｆ
ＬＡＧ（Ｔ）＝ＭＡＸ（Ｔ）／Ｋ（Ｎ）を検出し、そう
して、順次にＮ番目までの膜のエツチング終点を補正し
つつ検出して、多層膜の合計膜数ＮＮにおけるＮＮ番目
のエツチング終点を補正して検出し、これをエツチング
の最終検出時点にする。
そうすれば、エラーなく正確にエツチング終点が検出で
きて、しかも、精度良くエツチングできる。
きて、しかも、精度良くエツチングできる。
ここに、補正値Ｋ （Ｎ）を加えるのは不完全なエツチ
ング部分をなくするためである。
ング部分をなくするためである。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明に適用するエツチング終点検出装置のブロックダ
イヤグラムは第４図と同様である。
イヤグラムは第４図と同様である。
最初に、第１図に示す２１！ｌｉ膜の被エツチング膜の
エツチング終点を検出する本発明の原理図によって本発
明の詳細な説明する。第１図は第６図と同じ図で、同図
（ａ）はエツチング時間に対する発光強度曲線、同図（
ｂｌはその発光強度曲線の微分波形である。まず、第１
図（ｂ）におけるプラス側に突出した微分波形Ａはパワ
ー投入時のもので、これはエツチング判断の開始時刻を
設定し、このＡ点をそれ以前としてキャンセルして除去
する。計算処理には、常に発光強度の時間微分計算をお
こなって第１図（ｂｌに示す微分波形を検出するのであ
るが、マイナス側に突出した微分波形Ｂに近ずくと微分
値が増大して時間Ｔ１で極大になる。この微分極大値を
Ｍ Ａ Ｘ （１）とし、更に時間が進む（エツチング
が進行する）と微分値は減少するが、この時に補正値１
／Ｋ（１）を設定して、ＭＡＸ（１）／Ｋ（１）（但し
Ｋ（１）は正数）をエツチング終点にする。同様にして
、次の微分波形Ｃに近ずくと微分値が増大して時間Ｔ２
で極大になり、この微分極大値をＭ Ａ Ｘ （２）と
し、更に時間が進んで微分値が減少してＭＡＸ（２）／
Ｋ（２）（但しＫ（２）は正数）となった時を２層目の
膜のエツチング終点として、このＭＡＸ（２）／Ｋ（２
）を検出してエツチングを中止する。この時のｌ／Ｋ（
１）、１／Ｋ（２）が補正値で、これはＭＡＸ（１）、
ＭＡＸ（２）の時点で被エツチング膜の大部分のエツチ
ングが完了しているが、パターンコーナーなどに未だ部
分的に残存していることがあるために更に余分のエツチ
ングをおこなう補正である。
エツチング終点を検出する本発明の原理図によって本発
明の詳細な説明する。第１図は第６図と同じ図で、同図
（ａ）はエツチング時間に対する発光強度曲線、同図（
ｂｌはその発光強度曲線の微分波形である。まず、第１
図（ｂ）におけるプラス側に突出した微分波形Ａはパワ
ー投入時のもので、これはエツチング判断の開始時刻を
設定し、このＡ点をそれ以前としてキャンセルして除去
する。計算処理には、常に発光強度の時間微分計算をお
こなって第１図（ｂｌに示す微分波形を検出するのであ
るが、マイナス側に突出した微分波形Ｂに近ずくと微分
値が増大して時間Ｔ１で極大になる。この微分極大値を
Ｍ Ａ Ｘ （１）とし、更に時間が進む（エツチング
が進行する）と微分値は減少するが、この時に補正値１
／Ｋ（１）を設定して、ＭＡＸ（１）／Ｋ（１）（但し
Ｋ（１）は正数）をエツチング終点にする。同様にして
、次の微分波形Ｃに近ずくと微分値が増大して時間Ｔ２
で極大になり、この微分極大値をＭ Ａ Ｘ （２）と
し、更に時間が進んで微分値が減少してＭＡＸ（２）／
Ｋ（２）（但しＫ（２）は正数）となった時を２層目の
膜のエツチング終点として、このＭＡＸ（２）／Ｋ（２
）を検出してエツチングを中止する。この時のｌ／Ｋ（
１）、１／Ｋ（２）が補正値で、これはＭＡＸ（１）、
ＭＡＸ（２）の時点で被エツチング膜の大部分のエツチ
ングが完了しているが、パターンコーナーなどに未だ部
分的に残存していることがあるために更に余分のエツチ
ングをおこなう補正である。
次に、ＮＮ膜からなる多層膜をエツチングしてエツチン
グ終点を検出する計算処理を第２図に示すフローチャー
ト図に従って説明する。
グ終点を検出する計算処理を第２図に示すフローチャー
ト図に従って説明する。
フローチャートの記号については、
Ｎ：エツチングするための多層膜のうちのＮ番目の膜
ＮＮ：エツチングするための多層膜の合計膜数ＴＯ：エ
ッチング開始設定時刻 Ｋ（Ｎ）：Ｎ番目のピークの微分極大値の１／Ｋ（Ｎ）
になった時刻をそのＮ番目の膜のエツチング終点とし、
Ｋ （Ｎ）は正の固定した補正係数 ＳＩＧ（Ｔ）：時刻Ｔにおける発光強度を電気信号号に
変換した電圧値 ＤＩＦＦ（Ｔ）？時刻ＴにおけるＳＩＧの微分値ＭＡＸ
（Ｎ）：Ｎ番目のピークの黴分極大値ＦＬＡＧ（Ｎ）
：ＭＡＸ（Ｎ）／Ｋ（Ｎ）とする。
ッチング開始設定時刻 Ｋ（Ｎ）：Ｎ番目のピークの微分極大値の１／Ｋ（Ｎ）
になった時刻をそのＮ番目の膜のエツチング終点とし、
Ｋ （Ｎ）は正の固定した補正係数 ＳＩＧ（Ｔ）：時刻Ｔにおける発光強度を電気信号号に
変換した電圧値 ＤＩＦＦ（Ｔ）？時刻ＴにおけるＳＩＧの微分値ＭＡＸ
（Ｎ）：Ｎ番目のピークの黴分極大値ＦＬＡＧ（Ｎ）
：ＭＡＸ（Ｎ）／Ｋ（Ｎ）とする。
まず、エツチング開始（２１） （この数字は第２図に
対応した記号である）すると、その時刻Ｔを読んで（２
２）時刻Ｔを時刻ＴＯと比較してＴ＜Ｔｏ までは無
視し、Ｔ≧ＴＯになる（２３）と、ＩＮ目の膜（Ｎ＝
１ （２４））のエツチング終点を追跡してゆ（が、始
めには初期化してＭＡＸ（Ｎ）＝０（２５）としておき
、ＳＩＧ（Ｔ）を読み（２６）、Ｄ Ｉ Ｆ Ｆ （Ｔ
）を計算して（２７）、Ｍ Ａ Ｘ （Ｎ）とＤＩＦＦ
（Ｔ）を比較する（２８）。Ｍ Ａ Ｘ （Ｎ）≦Ｄ
Ｉ Ｆ Ｆ （Ｔ）ならばＭＡＸ（Ｎ）＝ＤＩＦＦ（Ｔ
）としく２９）、また、Ｍ Ａ Ｘ （Ｎ）＞ＤＩＦＦ
（Ｔ）であればＦＬＡＧ（Ｎ）＝ＭＡＸ（Ｎ）／Ｋ（Ｎ
）を計算する（３０）。このＦ Ｌ Ａ Ｇ （Ｎ）は
Ｎ番目の膜のエツチング終点に関係する値である。
対応した記号である）すると、その時刻Ｔを読んで（２
２）時刻Ｔを時刻ＴＯと比較してＴ＜Ｔｏ までは無
視し、Ｔ≧ＴＯになる（２３）と、ＩＮ目の膜（Ｎ＝
１ （２４））のエツチング終点を追跡してゆ（が、始
めには初期化してＭＡＸ（Ｎ）＝０（２５）としておき
、ＳＩＧ（Ｔ）を読み（２６）、Ｄ Ｉ Ｆ Ｆ （Ｔ
）を計算して（２７）、Ｍ Ａ Ｘ （Ｎ）とＤＩＦＦ
（Ｔ）を比較する（２８）。Ｍ Ａ Ｘ （Ｎ）≦Ｄ
Ｉ Ｆ Ｆ （Ｔ）ならばＭＡＸ（Ｎ）＝ＤＩＦＦ（Ｔ
）としく２９）、また、Ｍ Ａ Ｘ （Ｎ）＞ＤＩＦＦ
（Ｔ）であればＦＬＡＧ（Ｎ）＝ＭＡＸ（Ｎ）／Ｋ（Ｎ
）を計算する（３０）。このＦ Ｌ Ａ Ｇ （Ｎ）は
Ｎ番目の膜のエツチング終点に関係する値である。
次に、ＤＩＦＦ（Ｔ）とＦ Ｌ Ａ Ｇ （Ｎ）とを比
較（３１）して、ＤＩＦＦ（Ｔ）＞ＦＬＡＧ（Ｎ）なら
ばＮ番目の膜のエツチング終点に達していないから、再
び元に戻ってＳＩＧ（Ｔ）の読み（２６）から繰り返し
、ＤＩＦＦ（Ｔ）≦Ｆ Ｌ Ａ Ｇ、（Ｎ）ならばＮ番
目の膜がエツチング終点に達した状態となる。そうなれ
ば、ＮとＮＮとを比較（３２） してＮ＜ＮＮならばＮ
＋ １ （３３）にして元に戻ってＭＡＸ（Ｎ）＝０
（２５） の初期化から繰り返し、Ｎ＝ＮＮになれば
エツチング終点検出（３４）したことになる。
較（３１）して、ＤＩＦＦ（Ｔ）＞ＦＬＡＧ（Ｎ）なら
ばＮ番目の膜のエツチング終点に達していないから、再
び元に戻ってＳＩＧ（Ｔ）の読み（２６）から繰り返し
、ＤＩＦＦ（Ｔ）≦Ｆ Ｌ Ａ Ｇ、（Ｎ）ならばＮ番
目の膜がエツチング終点に達した状態となる。そうなれ
ば、ＮとＮＮとを比較（３２） してＮ＜ＮＮならばＮ
＋ １ （３３）にして元に戻ってＭＡＸ（Ｎ）＝０
（２５） の初期化から繰り返し、Ｎ＝ＮＮになれば
エツチング終点検出（３４）したことになる。
ここに、Ｋ （Ｎ）は補正するために与える一定値で、
実験的に得られる値である。
実験的に得られる値である。
上記のような計算処理をおこなえば、多層からなる被エ
ツチング膜を精度良く同時にエツチングすることができ
る。
ツチング膜を精度良く同時にエツチングすることができ
る。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば多層膜
からなる被エツチング膜を同時に高精度にエツチング除
去できて、半導体装置などの電子部品の信顛性、性能の
向上に大きく寄与するものである。
からなる被エツチング膜を同時に高精度にエツチング除
去できて、半導体装置などの電子部品の信顛性、性能の
向上に大きく寄与するものである。
第１図は２層膜の被エツチング膜のエツチング終点を検
出する本発明の原理図、 第２図は本発明にかかるエツチング終点検出装置の計算
処理のフローチャート図、 第３図は単層被エツチング膜のエツチング終点検出原理
の説明図、 第４図はエツチング終点検出装置のブロックダイヤグラ
ム図、 第５図は多層膜のエツチング別図、 第６図は多層被エツチング膜のエツチング終点検出原理
の説明図である。 図において、 １１はエツチングチャンバ、 １２はディテクタ、 １３は検出器、 １４は演算回路計算装置、 １５は制御装置、 １６は終点検出装置、 １７はパワーサプライ、 ＮＮはエツチングするための多層膜の合計膜数、ＴＯは
エツチング開始時刻、 Ｋ （Ｎ）は正の補正係数、 ＳＩＧ（Ｔ）は発光強度を電気信号に変換した電圧値、 ＤＩＦＦ（Ｔ）はＳＩＧの微分値、 Ｍ Ａ Ｘ （Ｎ）はピークの微分極大値、Ｆ Ｌ Ａ
Ｇ （Ｎ）はＭＡＸ（Ｎ）／Ｋ（Ｎ）（エツチング終
点に関係する値） を示している。 ２層月頁の子冴工・ンナ）７・番矩偽エト７＋４“シト
ｋをＪ灸土ずさ手発明４摩理ｍ 第１図 第 図
出する本発明の原理図、 第２図は本発明にかかるエツチング終点検出装置の計算
処理のフローチャート図、 第３図は単層被エツチング膜のエツチング終点検出原理
の説明図、 第４図はエツチング終点検出装置のブロックダイヤグラ
ム図、 第５図は多層膜のエツチング別図、 第６図は多層被エツチング膜のエツチング終点検出原理
の説明図である。 図において、 １１はエツチングチャンバ、 １２はディテクタ、 １３は検出器、 １４は演算回路計算装置、 １５は制御装置、 １６は終点検出装置、 １７はパワーサプライ、 ＮＮはエツチングするための多層膜の合計膜数、ＴＯは
エツチング開始時刻、 Ｋ （Ｎ）は正の補正係数、 ＳＩＧ（Ｔ）は発光強度を電気信号に変換した電圧値、 ＤＩＦＦ（Ｔ）はＳＩＧの微分値、 Ｍ Ａ Ｘ （Ｎ）はピークの微分極大値、Ｆ Ｌ Ａ
Ｇ （Ｎ）はＭＡＸ（Ｎ）／Ｋ（Ｎ）（エツチング終
点に関係する値） を示している。 ２層月頁の子冴工・ンナ）７・番矩偽エト７＋４“シト
ｋをＪ灸土ずさ手発明４摩理ｍ 第１図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被エッチング膜を構成する複数膜の合計膜数をＮＮ、検
出する発光強度電圧の微分極大値をＭＡＸ（Ｔ）、発光
強度電圧の微分極大値ＭＡＸ（Ｔ）よりやや後方にずれ
て補正する補正値を１／Ｋ（Ｎ）、エッチング終点検出
時点に相当する微分値をＦＬＡＧ（Ｔ）＝ＭＡＸ（Ｔ）
／Ｋ（Ｎ）として、任意時間Ｔにおける電圧値ＳＩＧ（
Ｔ）を読み取つて該電圧値の微分値ＤＩＦＦ（Ｔ）を計
算し、該微分値ＤＩＦＦ（Ｔ）と微分極大値ＭＡＸ（Ｔ
）を比較し、更に、終点検出微分値ＦＬＡＧ（Ｎ）と前
記微分値ＤＩＦＦ（Ｔ）と比較しながら、１番目からＮ
Ｎ番目までの膜の各々のエッチング終点を順次に検出し
、 かくして、上記の計算処理を繰り返しながらＮＮ番目の
エッチング終点を検出するようにしたことを特徴とする
エッチング終点検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63293186A JP2692199B2 (ja) | 1988-11-19 | 1988-11-19 | エッチング終点検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63293186A JP2692199B2 (ja) | 1988-11-19 | 1988-11-19 | エッチング終点検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02139925A true JPH02139925A (ja) | 1990-05-29 |
| JP2692199B2 JP2692199B2 (ja) | 1997-12-17 |
Family
ID=17791531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63293186A Expired - Lifetime JP2692199B2 (ja) | 1988-11-19 | 1988-11-19 | エッチング終点検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2692199B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04280650A (ja) * | 1991-03-08 | 1992-10-06 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58110678A (ja) * | 1981-12-24 | 1983-07-01 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | エツチング方法 |
| JPS635529A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-11 | Sharp Corp | エツチング終点検出装置 |
| JPS63192236A (ja) * | 1987-02-04 | 1988-08-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エツチング方法 |
-
1988
- 1988-11-19 JP JP63293186A patent/JP2692199B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58110678A (ja) * | 1981-12-24 | 1983-07-01 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | エツチング方法 |
| JPS635529A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-11 | Sharp Corp | エツチング終点検出装置 |
| JPS63192236A (ja) * | 1987-02-04 | 1988-08-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エツチング方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04280650A (ja) * | 1991-03-08 | 1992-10-06 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2692199B2 (ja) | 1997-12-17 |
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