JPH02140748A - レジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法Info
- Publication number
- JPH02140748A JPH02140748A JP63294990A JP29499088A JPH02140748A JP H02140748 A JPH02140748 A JP H02140748A JP 63294990 A JP63294990 A JP 63294990A JP 29499088 A JP29499088 A JP 29499088A JP H02140748 A JPH02140748 A JP H02140748A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- resist
- silicon
- resist film
- excimer laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、エキシマレーザ−光によるレジストパター
ン形成方法において、シリコン拡散源膜を用いてレジス
ト膜を選択的にシリル化させ、酸素プラズマによるドラ
イ現像を行うことにより矩形で良好なレノストパターン
を形成するレジストパターン形成方法に関するものであ
る。
ン形成方法において、シリコン拡散源膜を用いてレジス
ト膜を選択的にシリル化させ、酸素プラズマによるドラ
イ現像を行うことにより矩形で良好なレノストパターン
を形成するレジストパターン形成方法に関するものであ
る。
半導体集積回路の高集積化が進むにつれて、解像度の向
上が要求されている。高解像度化の方法として、 ■ 光学レンズの開口数（ＮＡ）を大きくすること ■ レジスト材料とプロセスの改良 ■ 光源の短波長化 が考えられる。
上が要求されている。高解像度化の方法として、 ■ 光学レンズの開口数（ＮＡ）を大きくすること ■ レジスト材料とプロセスの改良 ■ 光源の短波長化 が考えられる。
現在、■の光源の短波長化が活発化され、特に短波長で
強力な遠紫外光を発生するエキシマレーザ−光によるレ
ジストパターン形成方法が注目されている。
強力な遠紫外光を発生するエキシマレーザ−光によるレ
ジストパターン形成方法が注目されている。
第３図は従来の一例におけるパターン形成方法を工程順
に示す図、第４図はこのパターン形成方法により形成さ
れたパターン・プロファイルを示す図である。
に示す図、第４図はこのパターン形成方法により形成さ
れたパターン・プロファイルを示す図である。
図において、１は半導体基板、２はレジスト膜であり、
有機高分子材料の溶液を塗布して形成したものである。
有機高分子材料の溶液を塗布して形成したものである。
４はレティクル、５はフッ化クリプトン（Ｋ ｒ Ｆ）
エキシマレーザ−光であり、６は前記レジスト２が前記
ＫｒＦエキシマレーザー光５に感光した露光部である。
エキシマレーザ−光であり、６は前記レジスト２が前記
ＫｒＦエキシマレーザー光５に感光した露光部である。
次にこれらのレジストパターン形成方法を説明する。
まず、半導体基板１に例えばスピンコード法によりレジ
スト膜２を０．８〜１．０μｍの厚さに形成し、１００
″Ｇ１７０秒のブリベータを行う。
スト膜２を０．８〜１．０μｍの厚さに形成し、１００
″Ｇ１７０秒のブリベータを行う。
次にＫｒＦエキシマレーザ−光５による縮小投影露光を
行い、レジスト２にパターンを転写し露光部６を形成す
る。次に２．３８パーセントのテトラメチルアンモニウ
ムハイドロキオキサイト（ＴＭＡＨ）で現像することに
より露光部８を溶失させ、ポジ型レジストパターンを形
成する。
行い、レジスト２にパターンを転写し露光部６を形成す
る。次に２．３８パーセントのテトラメチルアンモニウ
ムハイドロキオキサイト（ＴＭＡＨ）で現像することに
より露光部８を溶失させ、ポジ型レジストパターンを形
成する。
従来の半導体装置製造のためのエキシマレーザ−光にお
けるレジストパターン形成方法では、レジスト表面でエ
キシマレーザ−光の強い吸収が起こるため、レジスト表
面ではオーバ露光され、レジスト底面では露光不足とな
るため、現像後形成されたレジストパターンのパターン
断面は第４図に示すように、表面側で狭く底面側で広い
テーパ状になるなどの問題点があった。
けるレジストパターン形成方法では、レジスト表面でエ
キシマレーザ−光の強い吸収が起こるため、レジスト表
面ではオーバ露光され、レジスト底面では露光不足とな
るため、現像後形成されたレジストパターンのパターン
断面は第４図に示すように、表面側で狭く底面側で広い
テーパ状になるなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、エキシマレーザ−光によるレジストパターン
形成方法において、矩形で良好な微細パターンの形成が
できるレジストパターン形成方法を得ることを目的とす
る。
たもので、エキシマレーザ−光によるレジストパターン
形成方法において、矩形で良好な微細パターンの形成が
できるレジストパターン形成方法を得ることを目的とす
る。
この発明に係るエキシマレーザ−光によるレジストパタ
ーン形成方法は、基板上にレジスト膜とシリコン拡散源
膜を形成した後、シリコン拡散源膜にエキシマレーザ−
光を選択的に照射しベータを行うことにより、シリコン
拡散源膜中のシリコンをレジスト表面に選択的に拡散さ
せ、シリコン拡散源膜を剥離した後、酸素プラズマエツ
チングによリトライ現像を行い、レジストパターンを形
成するものである。
ーン形成方法は、基板上にレジスト膜とシリコン拡散源
膜を形成した後、シリコン拡散源膜にエキシマレーザ−
光を選択的に照射しベータを行うことにより、シリコン
拡散源膜中のシリコンをレジスト表面に選択的に拡散さ
せ、シリコン拡散源膜を剥離した後、酸素プラズマエツ
チングによリトライ現像を行い、レジストパターンを形
成するものである。
この発明においては、基板上にレジスト膜とシリコン拡
散源膜を形成した後、エキシマレーザ−光を照射しベー
タすることによりレジスト膜表面を選択的にシリル化さ
せ、プラズマエツチングにヨリドライ現像を行いレジス
トパターンを形成するので、矩形の良好なレジストパタ
ーンが得られる。
散源膜を形成した後、エキシマレーザ−光を照射しベー
タすることによりレジスト膜表面を選択的にシリル化さ
せ、プラズマエツチングにヨリドライ現像を行いレジス
トパターンを形成するので、矩形の良好なレジストパタ
ーンが得られる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は、この発明の一実施例によるパターン形成方法
により形成されたパターン・プロファイルを示す図であ
る。第２図はこの発明の一実施例によるパターン形成方
法を工程順に示す図である。
により形成されたパターン・プロファイルを示す図であ
る。第２図はこの発明の一実施例によるパターン形成方
法を工程順に示す図である。
図において、１は半導体基板、２はレジスト膜、３はシ
リコン拡散源膜であり、ポリジメチルシランのキシレン
芳香族系の有機溶液を塗布して形成したものである。４
はレティクル、５はＫｒＦエキシマレーザ−光である。
リコン拡散源膜であり、ポリジメチルシランのキシレン
芳香族系の有機溶液を塗布して形成したものである。４
はレティクル、５はＫｒＦエキシマレーザ−光である。
７はレジスト中にシリコンが拡散した部分、８は酸素プ
ラズマ９によるドライ現像でレジスト中のシリコンと酸
素が結合し５ｉ０２と成った部分である。
ラズマ９によるドライ現像でレジスト中のシリコンと酸
素が結合し５ｉ０２と成った部分である。
次に第２図を基にこれらの形成方法を説明する。
第２図ａ）の工程においては、半導体基板１上へ例えば
スピンコード法によりレジスト膜２を０゜８〜１．０μ
ｍの厚さに形成し、次いで該レジスト膜２上にスピンコ
ード法によりシリコン拡散源膜３を０．２〜０．５μｍ
の厚さに形成する。
スピンコード法によりレジスト膜２を０゜８〜１．０μ
ｍの厚さに形成し、次いで該レジスト膜２上にスピンコ
ード法によりシリコン拡散源膜３を０．２〜０．５μｍ
の厚さに形成する。
第２図ｂ）の工程においては、拡散源膜３にＫｒＦエキ
シマレーザ−光５を選択的に照射し、照射部のシリコン
拡散源膜３のポリジメチルシランが分解する。さらに１
００〜１２０℃でベータすることにより下層のレジスト
膜２中にシリコンを拡散させる。この様にエキシマレー
ザ−光の照射とベータによりレジスト膜２表面を選択的
にシリル化させる。
シマレーザ−光５を選択的に照射し、照射部のシリコン
拡散源膜３のポリジメチルシランが分解する。さらに１
００〜１２０℃でベータすることにより下層のレジスト
膜２中にシリコンを拡散させる。この様にエキシマレー
ザ−光の照射とベータによりレジスト膜２表面を選択的
にシリル化させる。
第２図Ｃ）の工程においては、シリコン拡散源膜３をキ
シレン芳香族系の有機溶液で剥離する。
シレン芳香族系の有機溶液で剥離する。
第２図ｄ）の工程においては、酸素プラズマ９エツチン
グによリトライ現像を行いレジスト２ノ寸ターンを形成
する。これにより矩形の良好なレジストパターンを得る
ことができる。
グによリトライ現像を行いレジスト２ノ寸ターンを形成
する。これにより矩形の良好なレジストパターンを得る
ことができる。
なお、上記実施例ではＫｒＦエキシマレーザ−を用いた
ものを示したが、波長が３０８ｎｍの塩化キセノン（Ｘ
ｅＣ１）や波長が１９３ｎｍの弗化アルゴン（ＡｒＦ）
エキシマレーザ−を用いてパターンを形成することもで
きる。
ものを示したが、波長が３０８ｎｍの塩化キセノン（Ｘ
ｅＣ１）や波長が１９３ｎｍの弗化アルゴン（ＡｒＦ）
エキシマレーザ−を用いてパターンを形成することもで
きる。
又、上記実施例ではシリコン拡散源膜としてポリジメチ
ルシランのキシレン芳香族系の有機溶液を用いたが、エ
キシマレーザ−照射により、シリコンを含む低分子化合
物になる他の化合物を用いてもよい。
ルシランのキシレン芳香族系の有機溶液を用いたが、エ
キシマレーザ−照射により、シリコンを含む低分子化合
物になる他の化合物を用いてもよい。
以上のように、この発明によれば、基板上にレジスト膜
とシリコン拡散源膜を形成した後、エキシマレーザ−光
を照射しベータすることによりレジスト膜表面を選択的
にシリル化させ、プラズマエツチングによリトライ現像
を行いレジストパターンを形成するようにしたので、矩
形の良好なレジストパターンが得られる効果がある。
とシリコン拡散源膜を形成した後、エキシマレーザ−光
を照射しベータすることによりレジスト膜表面を選択的
にシリル化させ、プラズマエツチングによリトライ現像
を行いレジストパターンを形成するようにしたので、矩
形の良好なレジストパターンが得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるパターン形成方法に
より形成されたパターンプロファイルを示す図、第２図
はこの発明の一実施例によるパターン形成方法を工程順
に示す図、第３図は従来の一例によるパターン形成方法
を工程順に示す図、第４図は従来の一例によるパターン
形成方法により形成されたパターンプロファイルを示す
図である。 図において、１は半導体基板、２はレジスト膜、３はシ
リコン拡散源膜、４はレティクル、５はＫｒＦエキシマ
レーザ−光である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
より形成されたパターンプロファイルを示す図、第２図
はこの発明の一実施例によるパターン形成方法を工程順
に示す図、第３図は従来の一例によるパターン形成方法
を工程順に示す図、第４図は従来の一例によるパターン
形成方法により形成されたパターンプロファイルを示す
図である。 図において、１は半導体基板、２はレジスト膜、３はシ
リコン拡散源膜、４はレティクル、５はＫｒＦエキシマ
レーザ−光である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）半導体装置製造のためのエキシマレーザー光を用い
たレジストパターン形成方法において、半導体基板上に
レジスト膜を形成する第１の工程、 前記半導体基板上のレジスト膜上にシリコン拡散源膜を
形成する第２の工程、 上記シリコン拡散源膜にエキシマレーザー光を選択的に
照射し、ベークを行うことにより、シリコン拡散源膜中
のシリコンを上記レジスト膜表面に選択的に拡散させる
第３の工程、 上記レジスト膜上のシリコン拡散源膜を剥離する第４の
工程、 上記レジスト膜に対し酸素プラズマエッチングによリト
ライ現像を行う第５の工程を含むレジストパターン形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63294990A JPH02140748A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | レジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63294990A JPH02140748A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | レジストパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02140748A true JPH02140748A (ja) | 1990-05-30 |
Family
ID=17814919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63294990A Pending JPH02140748A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | レジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02140748A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999052018A1 (en) * | 1998-04-07 | 1999-10-14 | Euv Limited Liability Corporation | Thin layer imaging process for microlithography using radiation at strongly attenuated wavelengths |
-
1988
- 1988-11-22 JP JP63294990A patent/JPH02140748A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999052018A1 (en) * | 1998-04-07 | 1999-10-14 | Euv Limited Liability Corporation | Thin layer imaging process for microlithography using radiation at strongly attenuated wavelengths |
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