JPH02141497A - ３−ｖ族化合物半導体のエピタキシャル成長方法 - Google Patents
３−ｖ族化合物半導体のエピタキシャル成長方法Info
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- JPH02141497A JPH02141497A JP29434588A JP29434588A JPH02141497A JP H02141497 A JPH02141497 A JP H02141497A JP 29434588 A JP29434588 A JP 29434588A JP 29434588 A JP29434588 A JP 29434588A JP H02141497 A JPH02141497 A JP H02141497A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体ウェハ製造技術さらにはｍ −■族化
合物半導体の気相エピタキシャル成長方法に利用して有
効な技術に関する。
合物半導体の気相エピタキシャル成長方法に利用して有
効な技術に関する。
［従来の技術］
一般に、不純物をドーピングしたＧａＡｓ、ＧａＰ、Ｉ
ｎＰ、ＩｎＡｓ等の１■−■族化合物半導体を基板上に
気相エピタキシャル成長させるには、例えば第６図に示
すような気相成長装置を用いて行なっている。
ｎＰ、ＩｎＡｓ等の１■−■族化合物半導体を基板上に
気相エピタキシャル成長させるには、例えば第６図に示
すような気相成長装置を用いて行なっている。
この気相成長装置は、両端が閉塞された円筒状をなす石
英製の反応管１と、この反応管１を外部から加熱する電
気炉２とからなり、電気炉２は反応管１の軸方向温度分
布を制御できるように構成されている。この気相成長装
置によりＧａＡｓを気相エピタキシャル成長させる場合
、反応管１内には、上流側（図では左側）に材料源であ
るガリウム３を収納した原料ボート４を配置し、下流側
に気相成長をさせるＧ ａ Ａ ｓ基板５を配置する。
英製の反応管１と、この反応管１を外部から加熱する電
気炉２とからなり、電気炉２は反応管１の軸方向温度分
布を制御できるように構成されている。この気相成長装
置によりＧａＡｓを気相エピタキシャル成長させる場合
、反応管１内には、上流側（図では左側）に材料源であ
るガリウム３を収納した原料ボート４を配置し、下流側
に気相成長をさせるＧ ａ Ａ ｓ基板５を配置する。
一方、反応管１の上流端には、原料ボート４をバイパス
してガスを基板５の上流に供給するための第１のガス導
入管６ａと第２のガス導入管６ｂが接続されている。ま
た、反応管１の上流端には原料ボート４にガスを供給す
るための第３のガス導入管６ｃが接続されている。
してガスを基板５の上流に供給するための第１のガス導
入管６ａと第２のガス導入管６ｂが接続されている。ま
た、反応管１の上流端には原料ボート４にガスを供給す
るための第３のガス導入管６ｃが接続されている。
そして、ガス導入管６ｂ、６ｃの管路途中にはそれぞれ
Ａ ｓ Ｃｎ３の入ったバブラ８ｂ、８ｃが介装されて
いる。ガス導入管６ｂ、６ｃには、Ｈ２ガスが導入され
、バブラ８ ｂ、８ ｃ内のＡ ｓ Ｃｎ ３中へＨ２
ガスを吹き込むことによってＡ ｓ ＣＱ３＋Ｈ２の混
合ガスを反応管１内に供給できるように構成されている
。また、バブラ８ｂ、８ｃは温度制御可能な恒温槽（図
示省略）に入れ、温度を制御することによってＡ ｓ
ＣＱ ３の蒸発量を制御するようにしである。なお、９
は反応管１の下流端に接続された排気管である。
Ａ ｓ Ｃｎ３の入ったバブラ８ｂ、８ｃが介装されて
いる。ガス導入管６ｂ、６ｃには、Ｈ２ガスが導入され
、バブラ８ ｂ、８ ｃ内のＡ ｓ Ｃｎ ３中へＨ２
ガスを吹き込むことによってＡ ｓ ＣＱ３＋Ｈ２の混
合ガスを反応管１内に供給できるように構成されている
。また、バブラ８ｂ、８ｃは温度制御可能な恒温槽（図
示省略）に入れ、温度を制御することによってＡ ｓ
ＣＱ ３の蒸発量を制御するようにしである。なお、９
は反応管１の下流端に接続された排気管である。
以下の説明ではガス導入管６ａからなるガス供給系をＡ
系統と、また、バブラ８ｂおよびガス導入管６ｂからな
るガス供給系をＢ系統と、さらに、バブラ８ｃおよびガ
ス導入管８ｃからなるガス供給系をＣ系統と呼ぶ。
系統と、また、バブラ８ｂおよびガス導入管６ｂからな
るガス供給系をＢ系統と、さらに、バブラ８ｃおよびガ
ス導入管８ｃからなるガス供給系をＣ系統と呼ぶ。
従来、上記構成の気相成長装置によりＧ ａ Ａ ｓの
気相成長を行なうには、先ずＣ系統からＡ ｓ ＣＱ３
＋Ｈ２の混合ガスの供給を開始する。次に、所定時間経
過後、Ｂ系統からＡｓＣθ３＋Ｈ２の混合ガスを供給す
ると同時に、Ａ系統からドーピングガスを供給し始め、
気相成長を行なう。そして、成長終了後は、Ａ、Ｂ、Ｃ
系統全てのガス供給を同時に停止していた。
気相成長を行なうには、先ずＣ系統からＡ ｓ ＣＱ３
＋Ｈ２の混合ガスの供給を開始する。次に、所定時間経
過後、Ｂ系統からＡｓＣθ３＋Ｈ２の混合ガスを供給す
ると同時に、Ａ系統からドーピングガスを供給し始め、
気相成長を行なう。そして、成長終了後は、Ａ、Ｂ、Ｃ
系統全てのガス供給を同時に停止していた。
しかし、このようにガス供給を同時に停止すると、ドー
ピングガスの分圧の減少が遅れるために。
ピングガスの分圧の減少が遅れるために。
ドーピングガス分圧が相対的に高まって、エピタキシャ
ル成長膜の最終形成部分（表面部分）でキャリア濃度が
高くなってしまうという問題があった。キャリア濃度が
エピタキシャル成長膜の表面にて変動すると、ＦＥＴ等
のデバイスを製造する際、正常な金属−半導体電極を得
ることが困難となる。
ル成長膜の最終形成部分（表面部分）でキャリア濃度が
高くなってしまうという問題があった。キャリア濃度が
エピタキシャル成長膜の表面にて変動すると、ＦＥＴ等
のデバイスを製造する際、正常な金属−半導体電極を得
ることが困難となる。
そこで、例えば特開昭６２−２０２５１．５号公報に開
示されるように、Ａ系統のドーピングガス供給とＣ系統
のエピタキシャル成長用ガス供給とを同時に停止した後
、５〜１０秒程度経過してからＢ系統ガス供給を停止す
ることにより、エピタキシャル成長膜内でのキャリア濃
度の均一化を図った技術が提案されている。これは、Ｂ
系統のＡｓＣＱ３＋Ｈ，の混合ガスが、反応管１内のＡ
ｓ２の分圧を高めてドーピングガスの分圧を下げ、不純
物濃度を下げる作用を有するためである。
示されるように、Ａ系統のドーピングガス供給とＣ系統
のエピタキシャル成長用ガス供給とを同時に停止した後
、５〜１０秒程度経過してからＢ系統ガス供給を停止す
ることにより、エピタキシャル成長膜内でのキャリア濃
度の均一化を図った技術が提案されている。これは、Ｂ
系統のＡｓＣＱ３＋Ｈ，の混合ガスが、反応管１内のＡ
ｓ２の分圧を高めてドーピングガスの分圧を下げ、不純
物濃度を下げる作用を有するためである。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、上記公報に開示された気相エピタキシャル成長
方法では、ある程度のキャリア濃度の均一化を図ること
はできるものの、均一化のためのガス濃度の制御等が困
難で、エピタキシャル成長膜の表面部分と他の部分とで
完全な均一化を図ることはできなかった。
方法では、ある程度のキャリア濃度の均一化を図ること
はできるものの、均一化のためのガス濃度の制御等が困
難で、エピタキシャル成長膜の表面部分と他の部分とで
完全な均一化を図ることはできなかった。
本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので
、成長させたエピタキシャル成長膜の表面にあるキャリ
ア濃度が不均一な部分をエツチングすることにより、エ
ピタキシャル成長膜の厚さ方向全体にわたってキャリア
濃度が均一な■−■族化合物半導体のエピタキシャル成
長膜を得ることができる■−■族化合物半導体の気相エ
ピタキシャル成長方法を提供することを目的とする。
、成長させたエピタキシャル成長膜の表面にあるキャリ
ア濃度が不均一な部分をエツチングすることにより、エ
ピタキシャル成長膜の厚さ方向全体にわたってキャリア
濃度が均一な■−■族化合物半導体のエピタキシャル成
長膜を得ることができる■−■族化合物半導体の気相エ
ピタキシャル成長方法を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するために、本発明は、■族原料と基板
を収容した反応管中へエピタキシャル成長用ガスとドー
ピングガスとを供給して■−■族化合物半導体基板上に
不純物をドーピングした■−■族化合物半導体のエピタ
キシャル成長膜を気相成長させる気相エピタキシャル成
長方法において、所定の膜厚より厚くエピタキシャル層
が形成された後、基板上に形成したエピタキシャル成長
膜の表面を所定の膜厚までエツチングするようにした。
を収容した反応管中へエピタキシャル成長用ガスとドー
ピングガスとを供給して■−■族化合物半導体基板上に
不純物をドーピングした■−■族化合物半導体のエピタ
キシャル成長膜を気相成長させる気相エピタキシャル成
長方法において、所定の膜厚より厚くエピタキシャル層
が形成された後、基板上に形成したエピタキシャル成長
膜の表面を所定の膜厚までエツチングするようにした。
［作用］
上記のようなｍ−ｖ族化合物半導体の気相エピタキシャ
ル成長方法においては、キャリア濃度が不均一となり易
いエピタキシャル成長膜表面が、気相成長停止後に導入
されるエツチングガスにより削除されるため、基板表面
のエピタキシャル成長膜の厚さ方向全体に亘ってキャリ
ア濃度を均一化することができる。
ル成長方法においては、キャリア濃度が不均一となり易
いエピタキシャル成長膜表面が、気相成長停止後に導入
されるエツチングガスにより削除されるため、基板表面
のエピタキシャル成長膜の厚さ方向全体に亘ってキャリ
ア濃度を均一化することができる。
［実施例］
第２図に、本発明に係る気相エピタキシャル成長方法に
使用する気相成長装置の一例を示す。
使用する気相成長装置の一例を示す。
この気相成長装置は、第７図に示すものとほぼ同様であ
るが、電気炉２は反応管１の軸方向に移動可能であり、
反応管１を室温で急冷することができるように構成され
ている。また、ガス導入管６ｂ、６ｃには、三方弁１０
ｂ、１０ｃ、ｌｌｃがそれぞれ介装されており、Ｎ２ガ
スをバブラ８ｂ、８ｃ内のＡ ｓ ＣＱ ３に吹き込ま
せてＡ ｓ ＣＱ ３＋Ｈ２の混合ガスとしたり、Ｎ２
ガスをそのまま反応管１内へ供給できるように設けられ
ている。
るが、電気炉２は反応管１の軸方向に移動可能であり、
反応管１を室温で急冷することができるように構成され
ている。また、ガス導入管６ｂ、６ｃには、三方弁１０
ｂ、１０ｃ、ｌｌｃがそれぞれ介装されており、Ｎ２ガ
スをバブラ８ｂ、８ｃ内のＡ ｓ ＣＱ ３に吹き込ま
せてＡ ｓ ＣＱ ３＋Ｈ２の混合ガスとしたり、Ｎ２
ガスをそのまま反応管１内へ供給できるように設けられ
ている。
本実施例においては、上記気相成長装置を用いて第１図
に示すような手順に従って、Ａ、Ｂ、Ｃ系統のガスの供
給開始、停止を行なうことにより、Ｇ ａ Ａ ｓ基板
５上にＳｉドープＧ ａ Ａ ｓ層を気相成長させる。
に示すような手順に従って、Ａ、Ｂ、Ｃ系統のガスの供
給開始、停止を行なうことにより、Ｇ ａ Ａ ｓ基板
５上にＳｉドープＧ ａ Ａ ｓ層を気相成長させる。
すなわち、時刻Ｔ。−Ｔ１まではＢおよびＣ系統からＮ
２ガスを供給して反応管１内を一旦Ｎ２ガスで置換した
後、時刻Ｔ１〜Ｔ２までＮ２ガスを供給して反応管１内
をＮ２で置換し、電気炉２を作動させ、反応管１内の温
度分布を第３図に示すように、Ｇａ源は８２０℃に、基
板５は７５０℃になるように保持する。
２ガスを供給して反応管１内を一旦Ｎ２ガスで置換した
後、時刻Ｔ１〜Ｔ２までＮ２ガスを供給して反応管１内
をＮ２で置換し、電気炉２を作動させ、反応管１内の温
度分布を第３図に示すように、Ｇａ源は８２０℃に、基
板５は７５０℃になるように保持する。
次に、時刻Ｔ２から、ＢおよびＣ系統を介してＡ ｓ
ＣＱ ３を含有するＮ２ガスを供給する。すると、先ず
ボー１〜部４ではＡ ｓ ４がＧａ中に溶解限度まで溶
は込んでＧ ａ Ａ ｓクラストが生成されるとともに
、このとき発生したＨＣＱが下流に移動して基板５の表
面がエツチングされる。そして、Ｇａ源３がＧ ａ Ａ
ｓ膜で完全に覆われると、ＧａＡｓとＨＣＱが反応し
てＧａＣＱとＡｓ４が生成され、これが下流の基板５に
供給され、基板５の表面にてＧ ａ Ａ ｓが析出し、
Ｇ ａ Ａ ｓ Ｍが成長する。このとき、Ｂ系統から
供給されるＡ ｓ Ｃｎ ３＋ Ｈ２ガスは、成長され
るバッファ層の８１の取り込みを抑制するように作用す
る。
ＣＱ ３を含有するＮ２ガスを供給する。すると、先ず
ボー１〜部４ではＡ ｓ ４がＧａ中に溶解限度まで溶
は込んでＧ ａ Ａ ｓクラストが生成されるとともに
、このとき発生したＨＣＱが下流に移動して基板５の表
面がエツチングされる。そして、Ｇａ源３がＧ ａ Ａ
ｓ膜で完全に覆われると、ＧａＡｓとＨＣＱが反応し
てＧａＣＱとＡｓ４が生成され、これが下流の基板５に
供給され、基板５の表面にてＧ ａ Ａ ｓが析出し、
Ｇ ａ Ａ ｓ Ｍが成長する。このとき、Ｂ系統から
供給されるＡ ｓ Ｃｎ ３＋ Ｈ２ガスは、成長され
るバッファ層の８１の取り込みを抑制するように作用す
る。
バッファ層が所定の厚さまで成長すると、時刻Ｔ３でＢ
系統の供給ガスをＮ２に切換え、Ａ系統からはドーピン
グガスとして５ｉＨ４（水素稀釈］Ｏｐｐｍ）を供給し
始め、不純物をドーピングしながら基板５上にＧ ａ
Ａ ｓ活性層を所望の膜厚よりも後にエツチング除去す
る分だけ厚くエピタキシヤル成長させる。この際、Ｂ系
統から供給されるＮ２は、Ｓｉの取り込みを一定にする
作用をなす。
系統の供給ガスをＮ２に切換え、Ａ系統からはドーピン
グガスとして５ｉＨ４（水素稀釈］Ｏｐｐｍ）を供給し
始め、不純物をドーピングしながら基板５上にＧ ａ
Ａ ｓ活性層を所望の膜厚よりも後にエツチング除去す
る分だけ厚くエピタキシヤル成長させる。この際、Ｂ系
統から供給されるＮ２は、Ｓｉの取り込みを一定にする
作用をなす。
次に、時刻Ｔ４でＡ系統のドーピングガス（Ｓｊ、Ｈ，
）の供給を停止するとともに、Ｃ系統の供給ガス髪エピ
タキシャル成長用ガス（ＡｓＣＱ３＋Ｈ２）からＮ２ガ
スに切換え、Ｂ系統からはＮ２ガスの代わりにＡｓＣＱ
３＋Ｈ，の混合ガスを供給し始め、熱分解によって得ら
れたＨＣＱで基板５上に形成したエピタキシャル成長膜
の表面のエツチングを開始する。ただし、ドーピング停
止後。
）の供給を停止するとともに、Ｃ系統の供給ガス髪エピ
タキシャル成長用ガス（ＡｓＣＱ３＋Ｈ２）からＮ２ガ
スに切換え、Ｂ系統からはＮ２ガスの代わりにＡｓＣＱ
３＋Ｈ，の混合ガスを供給し始め、熱分解によって得ら
れたＨＣＱで基板５上に形成したエピタキシャル成長膜
の表面のエツチングを開始する。ただし、ドーピング停
止後。
Ｂ系統の供給ガスを直ちにＮ２ガスからＡ ｓ ＣＱ＋
８２に切り替える代わりに、しばらく （数秒間）Ｂ系
統からＮ２ガスを流し続け、時刻Ｔ、、でＮ２ガスをＡ
ｓＣＱ＋Ｈ２の混合ガスに切り替えるようにしてもよい
。
８２に切り替える代わりに、しばらく （数秒間）Ｂ系
統からＮ２ガスを流し続け、時刻Ｔ、、でＮ２ガスをＡ
ｓＣＱ＋Ｈ２の混合ガスに切り替えるようにしてもよい
。
その後、時刻Ｔｒ、でＢ系統の供給ガスをＮ２に切換え
、反応管１内のエツチング用ガスをＮ２で置換し、時刻
Ｔ７で電気炉２を反応管１の軸方向上流側（第２図にお
いて左側）に移動させ、室温で急冷を行なう。そして、
時刻ＴＩ、でＢおよびＣ系統の供給ガスをＮ２に切換え
、反応管１内をＮ２で置換し、時刻Ｔ９でエピタキシャ
ル成長した基板５を取り出して終了する。
、反応管１内のエツチング用ガスをＮ２で置換し、時刻
Ｔ７で電気炉２を反応管１の軸方向上流側（第２図にお
いて左側）に移動させ、室温で急冷を行なう。そして、
時刻ＴＩ、でＢおよびＣ系統の供給ガスをＮ２に切換え
、反応管１内をＮ２で置換し、時刻Ｔ９でエピタキシャ
ル成長した基板５を取り出して終了する。
なお、上記実施例においては、バブラ８ｂ、８Ｃの温度
を２０℃とした。
を２０℃とした。
以上のようにして得られた気相エピタキシャル成長膜の
キャリヤ濃度分布をＣ−ｖ？ＦＩＩＩ定により測定した
。その結果を第４図に示す。第４図は、横軸にエピタキ
シャル成長膜の表面からの深さを、縦軸にキャリア濃度
をとったものである。同図から判るように、表面から０
．０５〜０．５μｍの深さにおいて、キャリア濃度は６
Ｘ １０１７■−３で一定しており、表面近傍でキャ
リア濃度が変化することはなかった。
キャリヤ濃度分布をＣ−ｖ？ＦＩＩＩ定により測定した
。その結果を第４図に示す。第４図は、横軸にエピタキ
シャル成長膜の表面からの深さを、縦軸にキャリア濃度
をとったものである。同図から判るように、表面から０
．０５〜０．５μｍの深さにおいて、キャリア濃度は６
Ｘ １０１７■−３で一定しており、表面近傍でキャ
リア濃度が変化することはなかった。
また、上記実施例では、時刻ＴＧでＢ系統の供給ガスを
Ｎ２に切換え、反応管１内のエツチング用ガスをＮ２で
置換し、時刻Ｔ７で反応管１から電気炉２を移動して室
温で急冷することとしたので、各成長毎に所定のエピタ
キシャル成長膜の厚さを再現性良く得ることができ、ま
た面内均一性も良好となった。
Ｎ２に切換え、反応管１内のエツチング用ガスをＮ２で
置換し、時刻Ｔ７で反応管１から電気炉２を移動して室
温で急冷することとしたので、各成長毎に所定のエピタ
キシャル成長膜の厚さを再現性良く得ることができ、ま
た面内均一性も良好となった。
第５図は、エツチング時間（ＴＧ ’ｒ５）と面内均
一性との関係を検討したもので、横軸にウェハ（基板）
内の位置を、縦軸に膜厚分布（１／シート抵抗×１０３
）をとったものである。第５図において、各実線１］〜
１５はエツチング時間を異ならせたもので、実線１１は
エツチング時間２０秒、実線１２は３０秒、実線１３は
４０秒、実線１４は５０秒、実線１５は６０秒とした場
合である。シー１〜抵抗測定結果の平均値（Ω／口）は
、実線１１が９９．２、実線１２が１０．７６、実線１
３が１４１．５、実線１４が１９５．２、実線１５が２
７４．７であった。また、標準偏差／平均値（％）は、
実線１１が２．８、実線１２が３．０、実線１３が３．
１、実線１４が５．３、実線１５が１４．５であった。
一性との関係を検討したもので、横軸にウェハ（基板）
内の位置を、縦軸に膜厚分布（１／シート抵抗×１０３
）をとったものである。第５図において、各実線１］〜
１５はエツチング時間を異ならせたもので、実線１１は
エツチング時間２０秒、実線１２は３０秒、実線１３は
４０秒、実線１４は５０秒、実線１５は６０秒とした場
合である。シー１〜抵抗測定結果の平均値（Ω／口）は
、実線１１が９９．２、実線１２が１０．７６、実線１
３が１４１．５、実線１４が１９５．２、実線１５が２
７４．７であった。また、標準偏差／平均値（％）は、
実線１１が２．８、実線１２が３．０、実線１３が３．
１、実線１４が５．３、実線１５が１４．５であった。
エツチング時間が６０秒以上になると膜厚分布のばらつ
きが大きくなり、１０秒以下ではエツチングの効果が現
われないので、エツチング時間としては１０秒を超え６
０秒未満、好ましくは２０秒以上５０秒以下の範囲で選
ばれる。対応するエツチングの厚みは０゜０５μｍを超
え０．３０μｍ未満、好ましくは０゜１ｃμｍ以上０．
２５μｍ以下である。
きが大きくなり、１０秒以下ではエツチングの効果が現
われないので、エツチング時間としては１０秒を超え６
０秒未満、好ましくは２０秒以上５０秒以下の範囲で選
ばれる。対応するエツチングの厚みは０゜０５μｍを超
え０．３０μｍ未満、好ましくは０゜１ｃμｍ以上０．
２５μｍ以下である。
なお、前記実施例においては、エツチングガスとしてＡ
Ｓ ＣＱ ３ ＋ Ｈ２の混合ガスを用いたが、本発
明はかかる実施例に限定されるものではなく、例えばＡ
ｓ ＣＱ３の代わりにＨＣＱおよびＡｓ分圧付与のた
めのＡ ｓ Ｈ３を含む気体を用いてもよく、エピタキ
シャル成長膜表面をエツチングできるものであればガス
に限らず、エツチング液、機械研磨、電解研磨などでも
よい。
Ｓ ＣＱ ３ ＋ Ｈ２の混合ガスを用いたが、本発
明はかかる実施例に限定されるものではなく、例えばＡ
ｓ ＣＱ３の代わりにＨＣＱおよびＡｓ分圧付与のた
めのＡ ｓ Ｈ３を含む気体を用いてもよく、エピタキ
シャル成長膜表面をエツチングできるものであればガス
に限らず、エツチング液、機械研磨、電解研磨などでも
よい。
また、本発明は、ＧａＡｓの気相エピタキシャル成長方
法にのみ適用されるものではなく、ＧａＰ、ＩｎＰ、Ｉ
ｎＡｓ等の気相エピタキシャル成長方法にも適用できる
ことは勿論である。
法にのみ適用されるものではなく、ＧａＰ、ＩｎＰ、Ｉ
ｎＡｓ等の気相エピタキシャル成長方法にも適用できる
ことは勿論である。
［発明の効果］
以上のように、本発明のｍ−ｖ族化合物半導体の気相エ
ピタキシャル成長方法によれば、反応管内にエピタキシ
ャル成長用ガスとドーピングガスを供給して、基板上に
ｍ−ｖ族化合物半導体層を所定の膜厚より厚く成長させ
た後、基板上に形成したエピタキシャル成長膜の表面を
所定の膜厚までエツチングすることとしたので、膜厚方
向全体にわたり均一なキャリア濃度を有するエピタキシ
ャル成長膜を得ることができる。
ピタキシャル成長方法によれば、反応管内にエピタキシ
ャル成長用ガスとドーピングガスを供給して、基板上に
ｍ−ｖ族化合物半導体層を所定の膜厚より厚く成長させ
た後、基板上に形成したエピタキシャル成長膜の表面を
所定の膜厚までエツチングすることとしたので、膜厚方
向全体にわたり均一なキャリア濃度を有するエピタキシ
ャル成長膜を得ることができる。
第１図は本発明に係るＩＩＩ −Ｖ族化合物半導体の気
相エピタキシャル成長方法の一実施例におけるガス制御
タイミング図、 第２図は本発明の一実施例に用いた気相成長装置を示す
縦断正面図、 第３図は本発明の一実施例における反応管内の温度分布
を示すグラフ、 第４図は本発明の一実施例で得たエピタキシャル成長膜
のキャリア濃度分布を示すグラフ、第５図はエツチング
時間を変化させた場合のエピタキシャル成長膜の膜厚分
布を示すグラフ、第６図は従来のｍ−ｖ族化合物半導体
の気相エピタキシャル成長方法で用いた気相成長装置を
示す縦断正面図である。 １・・・・反応管、２・・・・電気炉、３・・・・Ｇａ
源、４・・・・原料ボート、５・・・・基板、６，６ａ
、６ｂ、６ｃ・・・・ガス導入管、８ｂ、８ｃ・・・・
バブ第 図 深 第 図 うエノ＼内Ｃ）４に苦巨 手続補正書 （自発） １、事件の表示 昭和６３年特許願第２９４３４５号 ２、発明の名称 ■−■族化合物半導体のエピタキシャル成長方法３、補
正をする者 事件との関係
相エピタキシャル成長方法の一実施例におけるガス制御
タイミング図、 第２図は本発明の一実施例に用いた気相成長装置を示す
縦断正面図、 第３図は本発明の一実施例における反応管内の温度分布
を示すグラフ、 第４図は本発明の一実施例で得たエピタキシャル成長膜
のキャリア濃度分布を示すグラフ、第５図はエツチング
時間を変化させた場合のエピタキシャル成長膜の膜厚分
布を示すグラフ、第６図は従来のｍ−ｖ族化合物半導体
の気相エピタキシャル成長方法で用いた気相成長装置を
示す縦断正面図である。 １・・・・反応管、２・・・・電気炉、３・・・・Ｇａ
源、４・・・・原料ボート、５・・・・基板、６，６ａ
、６ｂ、６ｃ・・・・ガス導入管、８ｂ、８ｃ・・・・
バブ第 図 深 第 図 うエノ＼内Ｃ）４に苦巨 手続補正書 （自発） １、事件の表示 昭和６３年特許願第２９４３４５号 ２、発明の名称 ■−■族化合物半導体のエピタキシャル成長方法３、補
正をする者 事件との関係
Claims (1)
- （１）III族原料と半導体基板とを収容した反応管中へ
エピタキシャル成長用ガスとドーピングガスとを供給し
て、上記半導体基板上に不純物をドーピングしたIII−
Ｖ族化合物半導体膜を気相成長させるIII−Ｖ族化合物
半導体の気相エピタキシャル成長方法において、エピタ
キシャル成長膜が所望の膜厚より厚く成長した後、基板
上に形成したエピタキシャル成長膜の表面を所望の膜厚
までエッチングすることを特徴とするIII−Ｖ族化合物
半導体の気相エピタキシャル成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63294345A JP2753523B2 (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | ▲ｉｉｉ▼−ｖ族化合物半導体のエピタキシャル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63294345A JP2753523B2 (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | ▲ｉｉｉ▼−ｖ族化合物半導体のエピタキシャル成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02141497A true JPH02141497A (ja) | 1990-05-30 |
| JP2753523B2 JP2753523B2 (ja) | 1998-05-20 |
Family
ID=17806505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63294345A Expired - Lifetime JP2753523B2 (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | ▲ｉｉｉ▼−ｖ族化合物半導体のエピタキシャル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2753523B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5924224A (en) * | 1997-03-20 | 1999-07-20 | Rowenta-Werke Gmbh | Steam iron with anti-drip device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS627700A (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-14 | Nec Corp | 化合物半導体の気相エピタキシヤル成長方法 |
| JPS6235577A (ja) * | 1985-08-08 | 1987-02-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-11-21 JP JP63294345A patent/JP2753523B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS627700A (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-14 | Nec Corp | 化合物半導体の気相エピタキシヤル成長方法 |
| JPS6235577A (ja) * | 1985-08-08 | 1987-02-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5924224A (en) * | 1997-03-20 | 1999-07-20 | Rowenta-Werke Gmbh | Steam iron with anti-drip device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2753523B2 (ja) | 1998-05-20 |
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