JPH02142121A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH02142121A JPH02142121A JP29556488A JP29556488A JPH02142121A JP H02142121 A JPH02142121 A JP H02142121A JP 29556488 A JP29556488 A JP 29556488A JP 29556488 A JP29556488 A JP 29556488A JP H02142121 A JPH02142121 A JP H02142121A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrates
- substrate holder
- reaction pipe
- reaction
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は半導体製造装置、特に横型反応管を有する装置
の構造に関し。
の構造に関し。
半導体基板上の絶縁膜等の膜厚、不純物濃度等の均一性
の向上を目的とし。
の向上を目的とし。
管径をテーパー状にした横型反応管と該反応管中に装着
する基板ホルダーとを有し、該基板ホルダーの基板を保
持する面は、その上方の反応管の傾きに対してほぼ平行
であり、且つ、任意の位置にスライドして、基板外周と
反応管内壁の距離を一定に保つ構造を有するように構成
される。
する基板ホルダーとを有し、該基板ホルダーの基板を保
持する面は、その上方の反応管の傾きに対してほぼ平行
であり、且つ、任意の位置にスライドして、基板外周と
反応管内壁の距離を一定に保つ構造を有するように構成
される。
本発明は半導体製造装置、特に横型反応管を有する装置
の構造に関する。
の構造に関する。
半導体基板の大口径化に伴い、基板上に形成される絶縁
膜等の厚さ、不純物濃度等の均一性が益々要求されてい
る。
膜等の厚さ、不純物濃度等の均一性が益々要求されてい
る。
このため、絶縁膜等の形成、不純物拡散等に使用される
製造装置の機構の改良が必要となる。
製造装置の機構の改良が必要となる。
半導体基板上に形成される多結晶シリコン（ポリＳｉ）
膿、二酸化シリコン（ＳｉＯ□）膜、窒化シリコン（
ＳｉＪ４）膜の製造装置の一つとして、減圧型で且つ、
横型反応管を使用する化学気相成長（ＣＶＤ）装置が用
いられている。この装置は例えば、第３図（ａ）に示す
ように、横型の石英管１３にＳｉ基板１４を垂直にセン
トする石英の基板ホルダー１５を装着し、ガス流入口１
６から反応ガスを流し、ガス流出口１７から減圧排気し
、 Ｓｉ基板１４はヒーター１８で加熱し、６００〜９
００°Ｃ前後の成長温度で上記の絶縁膜を成長させてい
る。
膿、二酸化シリコン（ＳｉＯ□）膜、窒化シリコン（
ＳｉＪ４）膜の製造装置の一つとして、減圧型で且つ、
横型反応管を使用する化学気相成長（ＣＶＤ）装置が用
いられている。この装置は例えば、第３図（ａ）に示す
ように、横型の石英管１３にＳｉ基板１４を垂直にセン
トする石英の基板ホルダー１５を装着し、ガス流入口１
６から反応ガスを流し、ガス流出口１７から減圧排気し
、 Ｓｉ基板１４はヒーター１８で加熱し、６００〜９
００°Ｃ前後の成長温度で上記の絶縁膜を成長させてい
る。
然し、減圧ＣｖＤ装置では、キャリアガスや反応ガスの
流量１反応管内の温度分布、減圧圧力等の諸条件により
、膜の厚さの均一性に影響するが。
流量１反応管内の温度分布、減圧圧力等の諸条件により
、膜の厚さの均一性に影響するが。
第３図（ｂ）に示す基板ホルダー１５内のＳｉ基板１４
の間隔すと、第３図（ｃ）に示す石英管１３の内壁から
Ｓｉ基板１４の外周までの距離ａの比率も大きな影響を
及ぼしている。
の間隔すと、第３図（ｃ）に示す石英管１３の内壁から
Ｓｉ基板１４の外周までの距離ａの比率も大きな影響を
及ぼしている。
第３図（ｄ）にＳｉ基板１４を装着した基板ホルダー１
５を石英管１３にセットした斜視図を示す。
５を石英管１３にセットした斜視図を示す。
従って、ＣＶＯ装置で成長させた各種被膜について、膜
の厚さ、不純物濃度の均一性が特性上非常に重要であり
、いかに膜の厚さ等のバラツキを低く抑えるかが問題と
なってくる。
の厚さ、不純物濃度の均一性が特性上非常に重要であり
、いかに膜の厚さ等のバラツキを低く抑えるかが問題と
なってくる。
本発明は、半導体）Ｉｉ板上の被ＩＩりの厚さや不純物
濃度の均一性の向上のために、装置の機構面の改良を目
的としたものである。
濃度の均一性の向上のために、装置の機構面の改良を目
的としたものである。
第１図は本発明の原理説明図である。
図において、１は反応管、２は基板ホルダー３は基板、
４はヒーター、５はガス流入Ｉ」、６はガス流出口であ
る。
４はヒーター、５はガス流入Ｉ」、６はガス流出口であ
る。
本発明は、減圧型ＣＶＤ装置の横型反応管１の管径をゆ
るいテーパー状にし２反応管１の中に装着する基板ホル
ダー２に基板３をセラｌ−した時に垂直になるような構
造のものを使用して２反応管１と基板３の隙間ａが基板
と基板の間隔すと最適比率となる位置に基板ホルダー２
をセラ］・し１反応ガスを反応管中にガス流入口５より
送り込み、ヒーター４で加熱して、絶縁膜を基板３上に
成長し反応ガスはガス流出口６より排気する。
るいテーパー状にし２反応管１の中に装着する基板ホル
ダー２に基板３をセラｌ−した時に垂直になるような構
造のものを使用して２反応管１と基板３の隙間ａが基板
と基板の間隔すと最適比率となる位置に基板ホルダー２
をセラ］・し１反応ガスを反応管中にガス流入口５より
送り込み、ヒーター４で加熱して、絶縁膜を基板３上に
成長し反応ガスはガス流出口６より排気する。
尚、基板ホルダー２は従来型のものにテーパー状の台座
を設け、且つ基板外周の上部が反応管１と最適距離ａの
時に、基板外周の下部が基板ホルダー２の台座との距離
も同じ距離ａになるようなものを使用する。
を設け、且つ基板外周の上部が反応管１と最適距離ａの
時に、基板外周の下部が基板ホルダー２の台座との距離
も同じ距離ａになるようなものを使用する。
本発明では、半導体基板上に被膜を成長させる際に、基
板外周と反応管内壁の隙間ａと基板間隔すが最適比率と
なるような基板ホルダーを使用し。
板外周と反応管内壁の隙間ａと基板間隔すが最適比率と
なるような基板ホルダーを使用し。
且つ、第１図の如く基板外周の上部と反応管内壁の隙間
ａが、基板外周の下部と基板ホルダーの台座との距離ａ
と同じになるような位置に基板ホルダーを装着するよう
にし、基板に対するガスの流れを均一化している。
ａが、基板外周の下部と基板ホルダーの台座との距離ａ
と同じになるような位置に基板ホルダーを装着するよう
にし、基板に対するガスの流れを均一化している。
従って、 Ｓｉ３Ｎ４膜の膜厚や不純物濃度の均一性が
向上する。
向上する。
本発明の一実施例の装置の概略図を第２図に示す。
実施例としてＳｉ基板７上にＳ ｉ ：ｌ ｉ４４膜を
成長させた場合について、第２図により説明する。
成長させた場合について、第２図により説明する。
第２図（ａ）に概略を示す減圧型ＣＶＤ装置に１／１０
０の勾配のついた石英管８を用い、底面に１／１００の
勾配のついた石英の基板ホルダー９を石英管８中に装着
する。石英管８は１５０ｍｍ径のものを用い、第２図（
ｂ）に拡大して示すように、基板ホルダー９のＳｉ基板
７の間隔のビシチｂは５ｍｍで、又、第２図（ａ）のＡ
−Ａ“ラインから見た断面図である第２図（ｃ）に示す
ように１石英管８の内壁上部と基板７の外周上部との隙
間ａか１０ｍｍになる位置に保持器具をスライドしてＳ
ｉ基板７を装着する。又基板ホルダー９の台座９ｂとＳ
ｉ、１板７の外周下部との隙間ａも同様１０ｍｍの基板
ホルダーを使用する。
０の勾配のついた石英管８を用い、底面に１／１００の
勾配のついた石英の基板ホルダー９を石英管８中に装着
する。石英管８は１５０ｍｍ径のものを用い、第２図（
ｂ）に拡大して示すように、基板ホルダー９のＳｉ基板
７の間隔のビシチｂは５ｍｍで、又、第２図（ａ）のＡ
−Ａ“ラインから見た断面図である第２図（ｃ）に示す
ように１石英管８の内壁上部と基板７の外周上部との隙
間ａか１０ｍｍになる位置に保持器具をスライドしてＳ
ｉ基板７を装着する。又基板ホルダー９の台座９ｂとＳ
ｉ、１板７の外周下部との隙間ａも同様１０ｍｍの基板
ホルダーを使用する。
石英管８の中に基板ホルダー９を最適位置にセットシ、
基板を装着した斜視図を第２図（ｄ）に示す。
基板を装着した斜視図を第２図（ｄ）に示す。
反応ガスとして、シラン（Ｓｉｌ１４）ガスとアンモニ
ア（ＮＨ３）ガスを使用し、ガス流量は５ｉｌ１４ガス
を３１７ｍ１ｎ＋ＮＨ＋ガスを２ｆｆｉ／ｍｉｎでガス
流入口１０から送り込み、ヒーター１２で８００°Ｃの
成長温度に加熱してＳｉ、Ｎ４膜を成長し、真空度を２
Ｔｏｒｒに減圧して１反応ガスをガス流出口１１より
排気する。
ア（ＮＨ３）ガスを使用し、ガス流量は５ｉｌ１４ガス
を３１７ｍ１ｎ＋ＮＨ＋ガスを２ｆｆｉ／ｍｉｎでガス
流入口１０から送り込み、ヒーター１２で８００°Ｃの
成長温度に加熱してＳｉ、Ｎ４膜を成長し、真空度を２
Ｔｏｒｒに減圧して１反応ガスをガス流出口１１より
排気する。
この場合、成長したＳｉ３Ｎ、膜の膜厚分布のバラツキ
は５％以内と良好な結果を得た。
は５％以内と良好な結果を得た。
〔発明の効果］
基板ホルダーは１種類の反応管に対して、１種類用意す
れば良く、基板ホルダーを反応管内で。
れば良く、基板ホルダーを反応管内で。
最適位置に僅かスライドしてセシトするだけで。
膜厚の均一性が保たれ、 ＣＶＤ成長膜の基板内及びロ
フト内の膜の均一度が５％以下にすることが出来るので
効率的且つ経済的である。
フト内の膜の均一度が５％以下にすることが出来るので
効率的且つ経済的である。
第２図は本発明の１実施例の装置の概略図。
第３図は従来例の装置の概略図
である。
図において。
ｌは反応管。
２は基板ホルダー
３は基板。
４はヒーター
５はガス流入口。
６はガス流出口。
７はＳｉ基板。
８は石英管。
９は基板ホルダー
１０はガス流入口。
１１はガス流出口。
１２はヒーター
第１図は本発明の原理図。
木を岨■−載砲例列ｕｂ茂略２
茅 ２ 口 （そ２１９
＜ｄ）
散発明〇−載施伜ｊ０委重の筆略乏
第 ２ 口 （イ０２少
従λ例の論量の見略［Ｆ］
葛 ３ 口
Claims (1)
- 管径をテーパー状にした横型反応管と該反応管中に装着
する基板ホルダーとを有し、該基板ホルダーの基板を保
持する面は、その上方の反応管の傾きに対してほぼ平行
であり、且つ、任意の位置にスライドして、基板外周と
反応管内壁の距離を一定に保つ構造を有することを特徴
とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29556488A JPH02142121A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29556488A JPH02142121A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02142121A true JPH02142121A (ja) | 1990-05-31 |
Family
ID=17822274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29556488A Pending JPH02142121A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02142121A (ja) |
-
1988
- 1988-11-22 JP JP29556488A patent/JPH02142121A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5932286A (en) | Deposition of silicon nitride thin films | |
| TW544775B (en) | Chemical vapor deposition apparatus and chemical vapor deposition method | |
| JP2839720B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| US6402850B1 (en) | Depositing polysilicon films having improved uniformity and apparatus therefor | |
| US4513026A (en) | Method for coating a semiconductor device with a phosphosilicate glass | |
| US7927915B2 (en) | Low resistivity silicon carbide | |
| JPS632330A (ja) | 化学気相成長方法 | |
| JPS6054919B2 (ja) | 低圧反応装置 | |
| JPH01125923A (ja) | 気相成長装置 | |
| US4651673A (en) | CVD apparatus | |
| JPH02142121A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2550024B2 (ja) | 減圧ｃｖｄ装置 | |
| JPH0658880B2 (ja) | 気相エピタキシヤル成長装置 | |
| JPS5927611B2 (ja) | 気相成長方法 | |
| JPH01157519A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS6171625A (ja) | 縦型ｃｖｄ装置 | |
| JP2727106B2 (ja) | 膜形成方法 | |
| JP3209167B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPS5493357A (en) | Growing method of polycrystal silicon | |
| JPH05243161A (ja) | 気相成長装置及びエピタキシャル膜の成長方法 | |
| JPS622524A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS61114519A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP3231312B2 (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH01258416A (ja) | 気相成長方法 | |
| JP3837073B2 (ja) | 半導体製造装置 |