JPH02143561A - カラー撮像装置 - Google Patents
カラー撮像装置Info
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- JPH02143561A JPH02143561A JP63297251A JP29725188A JPH02143561A JP H02143561 A JPH02143561 A JP H02143561A JP 63297251 A JP63297251 A JP 63297251A JP 29725188 A JP29725188 A JP 29725188A JP H02143561 A JPH02143561 A JP H02143561A
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- JP
- Japan
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- solid
- sensitivity
- color
- imaging device
- pixel
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- Pending
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- Color Television Image Signal Generators (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、固体撮像素子を用いたカラー撮像装置に係わ
り、特に固体撮像素子の色に対する感度特性の改良をは
かったカラー撮像装置に関する。
り、特に固体撮像素子の色に対する感度特性の改良をは
かったカラー撮像装置に関する。
（従来の技術）
従来、電子式カラーカメラの構成は、単板式。
２板式及び３板式等に分類される。例えば、第６図に示
すような３板式カラーカメラでは、入射する光をレンズ
６１により集光し、プリズム６２により赤（Ｒ）、緑（
Ｇ）、青（Ｂ）の３原色に分光し、それを各々に対応す
る積層型固体撮像素子６３ａ、６３ｂ、・６３ｃに入射
して光電変換する。そして、各素子６３ａ、〜６３ｃの
出力を増幅器６４ ａ、６４ｂ、６４ ｃによりそれぞ
れ増幅した後、カラーエンコーダ６５により信号処理し
てカラー信号を得ている。
すような３板式カラーカメラでは、入射する光をレンズ
６１により集光し、プリズム６２により赤（Ｒ）、緑（
Ｇ）、青（Ｂ）の３原色に分光し、それを各々に対応す
る積層型固体撮像素子６３ａ、６３ｂ、・６３ｃに入射
して光電変換する。そして、各素子６３ａ、〜６３ｃの
出力を増幅器６４ ａ、６４ｂ、６４ ｃによりそれぞ
れ増幅した後、カラーエンコーダ６５により信号処理し
てカラー信号を得ている。
ここで、積層型固体撮像素子は、１セル当りの光学的開
口率が大きく、従来のＣＣＤ型に比べ高い感度が得られ
ることから、高解像度の電子式カラーカメラには不可欠
である。
口率が大きく、従来のＣＣＤ型に比べ高い感度が得られ
ることから、高解像度の電子式カラーカメラには不可欠
である。
しかしながら、この種の装置にあっては次のような問題
があった。即ち、積層型固体撮像素子の分光感度特性は
、第７図から明らかであるように、入射光の波長に対し
て依存性を持ち、青に対する感度に比べて赤に対する感
度が高い。
があった。即ち、積層型固体撮像素子の分光感度特性は
、第７図から明らかであるように、入射光の波長に対し
て依存性を持ち、青に対する感度に比べて赤に対する感
度が高い。
そのため、このデバイスをそのまま３板式カラーカメラ
に用いると、Ｒ−Ｇ−Ｂの感度バランスが悪いことから
、残像に青い色が付いてしまうという欠点があった。ま
た、ダイナミックレンジは、ポテンシャル井戸に集める
ことができる最大電荷量と最小電荷量（ノイズ）の各々
を与える照度の差で決まることから、Ｒ−Ｇ−Ｂで感度
に大きな差を持つ従来の積層型固体撮像素子では、Ｒの
感度が高過ぎることによってダイナミックレンジの拡大
に制限が加えられるということも問題であった。
に用いると、Ｒ−Ｇ−Ｂの感度バランスが悪いことから
、残像に青い色が付いてしまうという欠点があった。ま
た、ダイナミックレンジは、ポテンシャル井戸に集める
ことができる最大電荷量と最小電荷量（ノイズ）の各々
を与える照度の差で決まることから、Ｒ−Ｇ−Ｂで感度
に大きな差を持つ従来の積層型固体撮像素子では、Ｒの
感度が高過ぎることによってダイナミックレンジの拡大
に制限が加えられるということも問題であった。
（発明が解決しようとする課題）
このように従来、積層型固体撮像素子を用いたカラー撮
像装置では、光導電体膜の特性から、Ｒ−Ｇ−Ｂによっ
て感度の開きが大きく、特にＲの感度が高いため、Ｇ、
Ｂの信号電流が飽和に達していないような低い照度で信
号が飽和に達してしまい、ダイナミックレンジを大きく
することができないという問題があった。
像装置では、光導電体膜の特性から、Ｒ−Ｇ−Ｂによっ
て感度の開きが大きく、特にＲの感度が高いため、Ｇ、
Ｂの信号電流が飽和に達していないような低い照度で信
号が飽和に達してしまい、ダイナミックレンジを大きく
することができないという問題があった。
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目
的とするところは、固体撮像素子の異なる色に対する感
度を略等しくすることができ、ダイナミックレンジの拡
大等をはかり得るカラー撮像装置を提供することにある
。
的とするところは、固体撮像素子の異なる色に対する感
度を略等しくすることができ、ダイナミックレンジの拡
大等をはかり得るカラー撮像装置を提供することにある
。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明の骨子は、感度の高い色に対する固体撮像素子の
受光面に入射光量を規制する光遮蔽層を設けることにあ
る。
受光面に入射光量を規制する光遮蔽層を設けることにあ
る。
即ち本発明は、異なる色の光量を固体撮像素子により独
立に検出してカラー画像の撮像に供されるカラー撮像装
置において、それぞれの色に対する感度が略等しくなる
ように、検出すべき色に対する感度に応じて感光部上の
一部に光遮蔽部を設けるようにしたものである。
立に検出してカラー画像の撮像に供されるカラー撮像装
置において、それぞれの色に対する感度が略等しくなる
ように、検出すべき色に対する感度に応じて感光部上の
一部に光遮蔽部を設けるようにしたものである。
また本発明は、異なる色の光量を３つの固体撮像素子に
よりそれぞれ検出して、カラー画像の撮像に供される３
板式カラー撮像装置において、前記３つの固体撮像素子
のそれぞれの色に対する感度が略等しくなるように、少
なくとも１つの固体撮像素子の感光部上に、該素子の検
出すべき色に対する感度に応じて、１画素面積に対して
一定の割合で光遮蔽部を設けるようにしたものである。
よりそれぞれ検出して、カラー画像の撮像に供される３
板式カラー撮像装置において、前記３つの固体撮像素子
のそれぞれの色に対する感度が略等しくなるように、少
なくとも１つの固体撮像素子の感光部上に、該素子の検
出すべき色に対する感度に応じて、１画素面積に対して
一定の割合で光遮蔽部を設けるようにしたものである。
より具体的には、絶対感度（単位面積当りの感度）の高
い固体撮像素子の感光部上に、該固体撮像素子の検出す
べき色に対する絶対感度に応じて、１画素面積に対して
一定の割合で光遮蔽部を設け、該固体撮像素子の相対感
度（１画素当りの感度）を絶対感度の最も低い固体撮像
素子の相対感度に近付けるようにしたものである。
い固体撮像素子の感光部上に、該固体撮像素子の検出す
べき色に対する絶対感度に応じて、１画素面積に対して
一定の割合で光遮蔽部を設け、該固体撮像素子の相対感
度（１画素当りの感度）を絶対感度の最も低い固体撮像
素子の相対感度に近付けるようにしたものである。
（作 用）
本発明によれば、検出すべき色に対する絶対感度に応じ
て光遮蔽部を設けることにより、検出すべき各色に対す
る相対感度を等しくすることができる。例えば、３板式
カラーカメラにおいて、Ｒ−のデバイスに光遮蔽部を設
けると、１画素につき５０％の光遮蔽部を形成した場合
、Ｒの感度は従来の５０％減にできる。光遮蔽部の面積
比を変えることにより、Ｒ−Ｇ−Ｂの感度のバランスを
取ることが可能となり、ダイナミックレンジを大きくす
ることができる。さらに、残像に色が付く等の不都合を
避けることもできる。また、光遮蔽部の形成位置によっ
て、モアレの抑制やスミアの低減をはかることも可能で
あるし、限られた画素についてのみ光遮蔽部を形成すれ
ば、色フィルタを付けて用いる１板式のカラーカメラに
も適用することが可能である。
て光遮蔽部を設けることにより、検出すべき各色に対す
る相対感度を等しくすることができる。例えば、３板式
カラーカメラにおいて、Ｒ−のデバイスに光遮蔽部を設
けると、１画素につき５０％の光遮蔽部を形成した場合
、Ｒの感度は従来の５０％減にできる。光遮蔽部の面積
比を変えることにより、Ｒ−Ｇ−Ｂの感度のバランスを
取ることが可能となり、ダイナミックレンジを大きくす
ることができる。さらに、残像に色が付く等の不都合を
避けることもできる。また、光遮蔽部の形成位置によっ
て、モアレの抑制やスミアの低減をはかることも可能で
あるし、限られた画素についてのみ光遮蔽部を形成すれ
ば、色フィルタを付けて用いる１板式のカラーカメラに
も適用することが可能である。
（実施例）
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第１図は本発明の第１の実施例に係わる３板式カラーカ
メラに用いたＲの固体撮像素子を示す断面図である。な
お、装置全体の構成は前記第６図と同様であり、本実施
例が従来装置と異なるのは固体撮像素子の構成にある。
メラに用いたＲの固体撮像素子を示す断面図である。な
お、装置全体の構成は前記第６図と同様であり、本実施
例が従来装置と異なるのは固体撮像素子の構成にある。
第１図において、１１はｐ型Ｓｔ基板であり、この基板
１１の表面にｐ＋型素子分離層１２゜ｎ＋型チャネル（
垂直ＣＣＤチャネル）１３及びｎ＋＋型蓄積ダイオード
１４が形成され、その上に転送ゲート１５．１６が形成
されている。
１１の表面にｐ＋型素子分離層１２゜ｎ＋型チャネル（
垂直ＣＣＤチャネル）１３及びｎ＋＋型蓄積ダイオード
１４が形成され、その上に転送ゲート１５．１６が形成
されている。
ここで、転送ゲート１５の一部は信号読出しゲートとな
る。また、この上には５ｉ０２等の第１絶縁膜１７を形
成した後、絶縁膜１７にコンタクトホールをあけて画素
電極配線１８が形成される。さらに、平坦化用のＢＰＳ
Ｇ膜（ボロンリンシリケートガラス）からなる第２絶縁
膜１９を堆積し、この絶縁膜１９にコンタクトホールを
開けて、画素電極２０を形成することにより、固体撮像
素子チップ１０が作成されている。
る。また、この上には５ｉ０２等の第１絶縁膜１７を形
成した後、絶縁膜１７にコンタクトホールをあけて画素
電極配線１８が形成される。さらに、平坦化用のＢＰＳ
Ｇ膜（ボロンリンシリケートガラス）からなる第２絶縁
膜１９を堆積し、この絶縁膜１９にコンタクトホールを
開けて、画素電極２０を形成することにより、固体撮像
素子チップ１０が作成されている。
固体撮像素子チップ１０上には、非晶質水素化シリコン
（ａ−３ｉ：Ｈ）等の光導電膜２１が堆積され、その上
にＩＴＯ等の透明電極２２が形成されている。ここまで
の構成は従来と同様であり、本実施例におけるＧ、Ｂの
固体撮像素子もこれと同様となっている。しかし、本実
施例におけるＲの固体撮像素子は、上記構成に加え光遮
蔽部が設けられている。即ち、透明電極２２上には１画
素に対して同じ割合だけ感光部（画素電極上）を覆うよ
うに光遮蔽層３０が設けられている。この光遮蔽層３０
は例えばＡｌ１からなるもので、遮蔽面積は例えば１画
素面積の５０％とした。
（ａ−３ｉ：Ｈ）等の光導電膜２１が堆積され、その上
にＩＴＯ等の透明電極２２が形成されている。ここまで
の構成は従来と同様であり、本実施例におけるＧ、Ｂの
固体撮像素子もこれと同様となっている。しかし、本実
施例におけるＲの固体撮像素子は、上記構成に加え光遮
蔽部が設けられている。即ち、透明電極２２上には１画
素に対して同じ割合だけ感光部（画素電極上）を覆うよ
うに光遮蔽層３０が設けられている。この光遮蔽層３０
は例えばＡｌ１からなるもので、遮蔽面積は例えば１画
素面積の５０％とした。
なお、第４図の構成において、透明電極２２から入射し
た光は光導電膜２１で光電変換され、これにより電子−
正孔対ができる。蓄積ダイオード１４に電気的に接続さ
れている画素電極２０の電位は透明電極２２よりも高く
なっているため、電子は画素電極２０に向かって、正孔
は透明電極２２に向かって移動する。正孔は透明電極２
２を介して外部回路に流出し、電子は画素電極２０に接
続されている蓄積ダイオード１４に蓄積される。そして
、蓄積ダイオード１４に一定期間蓄積された信号電荷（
電子）は、信号電荷読出しゲート１５に信号電荷読出し
パルスが印加されると、蓄積ダイオード１４から垂直Ｃ
ＯＤチャネル１３に読出される。なお、垂直ＣＯＤチャ
ネル１３に読出され転送された電荷は図示しない水平Ｃ
ＣＤチャネルを介して出力されることになる。
た光は光導電膜２１で光電変換され、これにより電子−
正孔対ができる。蓄積ダイオード１４に電気的に接続さ
れている画素電極２０の電位は透明電極２２よりも高く
なっているため、電子は画素電極２０に向かって、正孔
は透明電極２２に向かって移動する。正孔は透明電極２
２を介して外部回路に流出し、電子は画素電極２０に接
続されている蓄積ダイオード１４に蓄積される。そして
、蓄積ダイオード１４に一定期間蓄積された信号電荷（
電子）は、信号電荷読出しゲート１５に信号電荷読出し
パルスが印加されると、蓄積ダイオード１４から垂直Ｃ
ＯＤチャネル１３に読出される。なお、垂直ＣＯＤチャ
ネル１３に読出され転送された電荷は図示しない水平Ｃ
ＣＤチャネルを介して出力されることになる。
第２図は第１図の固体撮像素子を上面から見た平面図で
あり、第１図よりも多くの画素相当分を示している。光
遮蔽層３０は画素電極２０間の間隙２３を除く画素電極
２０上に配置され、各画素電極２０上の中央部に開口３
０ａが形成されている。ここで、光遮蔽層３０により感
光部の入射面積の５０％を遮蔽した場合、入射光量は遮
蔽しない場合の５０％に減少し、充電変換され発生する
電子の数も５０％減となるため、１画素当りの感度は遮
蔽部が無いときに比べ５０％減となる。この遮蔽部面積
を変えることにより感度を制御することができ、１画素
に対する面積の比率が画素毎に同じであるならば、光遮
蔽層３０の形９位置に同等制限はない。
あり、第１図よりも多くの画素相当分を示している。光
遮蔽層３０は画素電極２０間の間隙２３を除く画素電極
２０上に配置され、各画素電極２０上の中央部に開口３
０ａが形成されている。ここで、光遮蔽層３０により感
光部の入射面積の５０％を遮蔽した場合、入射光量は遮
蔽しない場合の５０％に減少し、充電変換され発生する
電子の数も５０％減となるため、１画素当りの感度は遮
蔽部が無いときに比べ５０％減となる。この遮蔽部面積
を変えることにより感度を制御することができ、１画素
に対する面積の比率が画素毎に同じであるならば、光遮
蔽層３０の形９位置に同等制限はない。
この構造のデバイスを３板式カラーカメラのＲのデーパ
、イスと、して用い、Ｒ−Ｇ−Ｂの感度差を緩和するよ
うにＲの感度を制御すれば、従来よりもダイナミックレ
ンジを大きくすることができる。なお、光遮蔽部面積は
該遮蔽部を設ける素子の絶対感度と絶対感度が最も低い
素子のそれとの差、さらには各素子に用いる色フィルタ
の特性等に応じて定めればよい。
、イスと、して用い、Ｒ−Ｇ−Ｂの感度差を緩和するよ
うにＲの感度を制御すれば、従来よりもダイナミックレ
ンジを大きくすることができる。なお、光遮蔽部面積は
該遮蔽部を設ける素子の絶対感度と絶対感度が最も低い
素子のそれとの差、さらには各素子に用いる色フィルタ
の特性等に応じて定めればよい。
かくして本実施例によれば、検出すべき色に対する絶対
感度（単位面積当りの感度）が高いＲの固体撮像素子に
光遮蔽部を設けることにより、検出すべき各色（Ｒ−Ｇ
−Ｂ）に対する相対感度（１画素当りの感度）を略等し
くすることができる。つまり、Ｒ−Ｇ−Ｂの感度のバラ
ンスを取ることが可能となり、これによりダイナミック
レンジを大きくすることができる。さらに、残像に色が
付く等の不都合を避けることもできる。また、固体撮像
素子が積層型であることから、光遮蔽部を設けても十分
な受光面積が得られ、さらに従来構造に光遮蔽部を付加
するのみの簡易な構成で実現し得る等の利点もある。
感度（単位面積当りの感度）が高いＲの固体撮像素子に
光遮蔽部を設けることにより、検出すべき各色（Ｒ−Ｇ
−Ｂ）に対する相対感度（１画素当りの感度）を略等し
くすることができる。つまり、Ｒ−Ｇ−Ｂの感度のバラ
ンスを取ることが可能となり、これによりダイナミック
レンジを大きくすることができる。さらに、残像に色が
付く等の不都合を避けることもできる。また、固体撮像
素子が積層型であることから、光遮蔽部を設けても十分
な受光面積が得られ、さらに従来構造に光遮蔽部を付加
するのみの簡易な構成で実現し得る等の利点もある。
また、第２の実施例として、光遮蔽部の形成位置を２つ
の画素の間隙の上部に存在するように設定した場合につ
いて記す。第３図（ａ） （ｂ）に示した例では、光遮
蔽層３０が画素電極２０上のみではなく、画素電極２０
間の間隙２３上にも装置されている。この場合、光遮蔽
層３０が感度制御のためだけではなく、画素電極２０間
の間隙２３に光が入射し、電子が直接垂直ＣＣＤに入る
ことを防ぐので、スミアを軽減する効果が得られる。
の画素の間隙の上部に存在するように設定した場合につ
いて記す。第３図（ａ） （ｂ）に示した例では、光遮
蔽層３０が画素電極２０上のみではなく、画素電極２０
間の間隙２３上にも装置されている。この場合、光遮蔽
層３０が感度制御のためだけではなく、画素電極２０間
の間隙２３に光が入射し、電子が直接垂直ＣＣＤに入る
ことを防ぐので、スミアを軽減する効果が得られる。
ところで、Ｋ行、Ｌ列に画素が配置されているとき、ｎ
行目と（ｎ＋１）行目をＡフィールド期間で、次に（ｎ
＋１）行目と（ｎ＋２）行目をＢフィールド期間で加算
して読出すフィールド蓄積モードで動作を行うと、実施
例１や実施例２のような光遮蔽部の配置では信号を加算
した後その行の中で常に信号の存在するところとしない
ところが交互に現れ、再生画面ではモアレが発生する問
題が生じる。そのモアレを抑制するように光遮蔽部を形
成した場合を実施例３として第４図に示す。
行目と（ｎ＋１）行目をＡフィールド期間で、次に（ｎ
＋１）行目と（ｎ＋２）行目をＢフィールド期間で加算
して読出すフィールド蓄積モードで動作を行うと、実施
例１や実施例２のような光遮蔽部の配置では信号を加算
した後その行の中で常に信号の存在するところとしない
ところが交互に現れ、再生画面ではモアレが発生する問
題が生じる。そのモアレを抑制するように光遮蔽部を形
成した場合を実施例３として第４図に示す。
実施例１，２と同様に、画素毎の感度を同じにするため
、１画素の面積に対する光遮蔽部の比率を一定とする。
、１画素の面積に対する光遮蔽部の比率を一定とする。
ｎ行目と（ｎ＋１）行目で光遮蔽部の形成位置を第４図
に示すように１８０°又はその近傍ずらし、光入射部を
市松模様状になるようにする。本来、光遮蔽層を付加せ
ずにこの市松模様を形成するには画素電極を１行おきに
１８００ずらして配置する必要があるが、本実施例では
光遮蔽層３０の付加により画素電極のずらす量（画素電
極２０間の感激２３の幅又はその近傍だけ）を少なくす
るこ・とができる。
に示すように１８０°又はその近傍ずらし、光入射部を
市松模様状になるようにする。本来、光遮蔽層を付加せ
ずにこの市松模様を形成するには画素電極を１行おきに
１８００ずらして配置する必要があるが、本実施例では
光遮蔽層３０の付加により画素電極のずらす量（画素電
極２０間の感激２３の幅又はその近傍だけ）を少なくす
るこ・とができる。
このような配置構成とすることにより、読出しの時に第
５図に示すようにＡフィールドでｎ行目と（ｎ＋１）行
目を（実線の矢印）加算し、Ｂフィールドで（ｎ＋１）
行目と（ｎ＋２）行目を（破線の矢印）加算して読出す
ことから、行の端から端まで常に信号が存在するように
なり、モアレの発生を抑制することができる。
５図に示すようにＡフィールドでｎ行目と（ｎ＋１）行
目を（実線の矢印）加算し、Ｂフィールドで（ｎ＋１）
行目と（ｎ＋２）行目を（破線の矢印）加算して読出す
ことから、行の端から端まで常に信号が存在するように
なり、モアレの発生を抑制することができる。
なお、本発明は上述した各実施例に限定されるものでは
ない。例えば、前記光遮蔽部を設ける固体撮像素子は検
出すべき色に対する絶対感度が最も高いもの１つに限ら
ず、絶対感度が最も低い固体撮像素子以外に光遮蔽部を
設けることにより、全ての固体撮像素子の相対感度をよ
り近付けることが可能である。また、実施例では固体撮
像素子を３個用いた３板式について説明したが、１個の
固体撮像素子に異なる色のフィルタを設けた１板式に適
用することも可能である。その他、本発明の要旨を逸脱
しない範囲で、種々変形して実施することができる。
ない。例えば、前記光遮蔽部を設ける固体撮像素子は検
出すべき色に対する絶対感度が最も高いもの１つに限ら
ず、絶対感度が最も低い固体撮像素子以外に光遮蔽部を
設けることにより、全ての固体撮像素子の相対感度をよ
り近付けることが可能である。また、実施例では固体撮
像素子を３個用いた３板式について説明したが、１個の
固体撮像素子に異なる色のフィルタを設けた１板式に適
用することも可能である。その他、本発明の要旨を逸脱
しない範囲で、種々変形して実施することができる。
［発明の効果］
以上詳述したように本発明によれば、感度の高い色に対
する固体撮像素子の受光面の一部に入射光量を規制する
光遮蔽層を設けることにより、固体撮像素子の異なる色
に対する感度を略等しくすることができ、ダイナミック
レンジの拡大等をはかり得るカラー撮像装置を実現する
ことができる。
する固体撮像素子の受光面の一部に入射光量を規制する
光遮蔽層を設けることにより、固体撮像素子の異なる色
に対する感度を略等しくすることができ、ダイナミック
レンジの拡大等をはかり得るカラー撮像装置を実現する
ことができる。
第１図は本発明の第１の実施例に係わるカラー撮像装置
に用いた固体撮像素子の概略構造を示す断面図、第２図
は同素子の光遮蔽部配置を示す平面図、第３図は本発明
の第２の実施例を説明するためのもので光遮蔽部配置を
示す平面図、第４図及び第５図は本発明の第３の実施例
を説明するためのもので、第４図は光遮蔽部配置を示す
平面図、第５図は信号読出し状態を示す模式図、第６図
及び第７図は従来の問題点を説明するためのもので、第
６図は３板式カラーカメラを示す概略構成図、第７図は
これに用いた固体撮像素子の感度の波長依存性を示す特
性図である。 １１・・・Ｓｔ基板、１２・・・素子分離層、１３・・
・ＣＣＤチャネル、１４・・・蓄積ダイオード、１５．
１６・・・転送ゲート、１７．１９・・・絶縁膜、１訃
・・画素電極配線、２０・・・画素電極、２１・・・光
導電膜、２２・・・透明電極、２３・・・画素電極間隙
、３０・・・光遮蔽層、ａ・・・開口。
に用いた固体撮像素子の概略構造を示す断面図、第２図
は同素子の光遮蔽部配置を示す平面図、第３図は本発明
の第２の実施例を説明するためのもので光遮蔽部配置を
示す平面図、第４図及び第５図は本発明の第３の実施例
を説明するためのもので、第４図は光遮蔽部配置を示す
平面図、第５図は信号読出し状態を示す模式図、第６図
及び第７図は従来の問題点を説明するためのもので、第
６図は３板式カラーカメラを示す概略構成図、第７図は
これに用いた固体撮像素子の感度の波長依存性を示す特
性図である。 １１・・・Ｓｔ基板、１２・・・素子分離層、１３・・
・ＣＣＤチャネル、１４・・・蓄積ダイオード、１５．
１６・・・転送ゲート、１７．１９・・・絶縁膜、１訃
・・画素電極配線、２０・・・画素電極、２１・・・光
導電膜、２２・・・透明電極、２３・・・画素電極間隙
、３０・・・光遮蔽層、ａ・・・開口。
Claims (4)
- （１）異なる色の光量を固体撮像素子により独立に検出
してカラー画像の撮像に供されるカラー撮像装置におい
て、 それぞれの色に対する感度が略等しくなるように、検出
すべき色に対する感度に応じて感光部上の一部に光遮蔽
部を設けたことを特徴とするカラー撮像装置。 - （２）異なる色の光量を３つの固体撮像素子によりそれ
ぞれ検出して、カラー画像の撮像に供される３板式カラ
ー撮像装置において、 前記３つの固体撮像素子のそれぞれの色に対する感度が
略等しくなるように、少なくとも１つの固体撮像素子の
感光部上に、該素子の検出すべき色に対する感度に応じ
て、１画素面積に対して一定の割合で光遮蔽部を設けた
ことを特徴とするカラー撮像装置。 - （３）前記固体撮像素子は、隣接する画素間にも前記光
遮蔽部が存在することを特徴とする請求項１又は２記載
のカラー撮像装置。 - （４）前記固体撮像素子は、半導体基板上に信号電荷蓄
積ダイオード、信号電荷読出し部及び信号電荷転送部が
形成され、且つ最上部に信号電荷蓄積ダイオードに電気
的に接続された画素電極が形成された固体撮像素子チッ
プと、このチップ上に積層された光導電膜と、この光導
電膜上に形成された透明電極とを備えた光導電膜積層型
の固体撮像素子であることを特徴とする請求項１又は２
記載のカラー撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63297251A JPH02143561A (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | カラー撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63297251A JPH02143561A (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | カラー撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02143561A true JPH02143561A (ja) | 1990-06-01 |
Family
ID=17844111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63297251A Pending JPH02143561A (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | カラー撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02143561A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2023149195A1 (ja) * | 2022-02-01 | 2023-08-10 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5634183A (en) * | 1979-08-22 | 1981-04-06 | Fujitsu Ltd | Semiconductor memory unit |
| JPS5832552A (ja) * | 1981-08-21 | 1983-02-25 | Kawasaki Steel Corp | 薄肉鋳片連続鋳造用鋳型 |
| JPS6093893A (ja) * | 1983-10-28 | 1985-05-25 | Toshiba Corp | カラ−用固体撮像装置 |
| JPS63170959A (ja) * | 1987-01-08 | 1988-07-14 | Matsushita Electronics Corp | カラ−固体撮像装置 |
-
1988
- 1988-11-25 JP JP63297251A patent/JPH02143561A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5634183A (en) * | 1979-08-22 | 1981-04-06 | Fujitsu Ltd | Semiconductor memory unit |
| JPS5832552A (ja) * | 1981-08-21 | 1983-02-25 | Kawasaki Steel Corp | 薄肉鋳片連続鋳造用鋳型 |
| JPS6093893A (ja) * | 1983-10-28 | 1985-05-25 | Toshiba Corp | カラ−用固体撮像装置 |
| JPS63170959A (ja) * | 1987-01-08 | 1988-07-14 | Matsushita Electronics Corp | カラ−固体撮像装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2023149195A1 (ja) * | 2022-02-01 | 2023-08-10 |
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