JPH02144575A - オートバイアス回路 - Google Patents
オートバイアス回路Info
- Publication number
- JPH02144575A JPH02144575A JP63297952A JP29795288A JPH02144575A JP H02144575 A JPH02144575 A JP H02144575A JP 63297952 A JP63297952 A JP 63297952A JP 29795288 A JP29795288 A JP 29795288A JP H02144575 A JPH02144575 A JP H02144575A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- potential
- circuit
- bias voltage
- output
- developing bias
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Developing For Electrophotography (AREA)
- Control Or Security For Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は複写機、プリンタ等の電子写真装置におけるオ
ートバイアス回路に関する。
ートバイアス回路に関する。
従来、オートバイアス回路は電子写真装置における感光
体の露光後の表面電位を検出する電位検出手段と、この
電位検出手段の出力電位を記憶する記憶回路と、この記
憶回路の記憶電位に応じた現像バイアス電圧を電子写真
装置の現像部に印加する現像バイアス電圧印加手段とを
備え、感光体の表面電位の急激な変化に対応すべく記憶
回路で電位検出手段の出力電位をある時間遅れをもって
記憶するようにしている。
体の露光後の表面電位を検出する電位検出手段と、この
電位検出手段の出力電位を記憶する記憶回路と、この記
憶回路の記憶電位に応じた現像バイアス電圧を電子写真
装置の現像部に印加する現像バイアス電圧印加手段とを
備え、感光体の表面電位の急激な変化に対応すべく記憶
回路で電位検出手段の出力電位をある時間遅れをもって
記憶するようにしている。
上記従来のオートバイアス回路にあっては現像バイアス
電圧は感光体上の静１を潜像の最低電位に対応した値と
することが理想的である。しかし記憶回路で電位検出手
段の出力電位をある時間遅れをもって記憶するので、電
位検出手段の出力電位が低い電位から高い電位に変化す
る場合には記憶回路の時間遅れが良い方向に働くが、電
位検出手段の出力電位が高い電位から低い電位に変化す
る場合には記憶回路の時間遅れにより現像バイアス電圧
が高目になってしまう、このため、現像部により現像さ
れた画像は地肌汚れがなくなるが、濃度が低下し、特に
中間色の再現性が悪くなる。
電圧は感光体上の静１を潜像の最低電位に対応した値と
することが理想的である。しかし記憶回路で電位検出手
段の出力電位をある時間遅れをもって記憶するので、電
位検出手段の出力電位が低い電位から高い電位に変化す
る場合には記憶回路の時間遅れが良い方向に働くが、電
位検出手段の出力電位が高い電位から低い電位に変化す
る場合には記憶回路の時間遅れにより現像バイアス電圧
が高目になってしまう、このため、現像部により現像さ
れた画像は地肌汚れがなくなるが、濃度が低下し、特に
中間色の再現性が悪くなる。
本発明は上記欠点を改善し、現像バイアス電圧を正しく
設定することができるオートバイアス回路を提供するこ
とを目的とする。
設定することができるオートバイアス回路を提供するこ
とを目的とする。
上記目的を達成するため１本発明は感光体を帯電させた
後にこの感光体に露光を行って静電潜像を形成し、この
静電潜像を現像部により現像する電子写汽装置において
、前記感光体の露光後の表面電位を検出する電位検出手
段と、この電位検出手段の出力電位を記憶する記憶回路
と、この記憶回路の記憶電位に応じた現像バイアス電圧
を前記現像部に印加する現像バイアス電圧印加手段とを
備え、前記電位検出手段の出力電位が低い電位から高い
電位に変化する場合と、前記電位検出手段の出力電位が
高い電位から低い電位に変化する場合とで前記記憶回路
の応答の時定数を変えるようにしたものである。
後にこの感光体に露光を行って静電潜像を形成し、この
静電潜像を現像部により現像する電子写汽装置において
、前記感光体の露光後の表面電位を検出する電位検出手
段と、この電位検出手段の出力電位を記憶する記憶回路
と、この記憶回路の記憶電位に応じた現像バイアス電圧
を前記現像部に印加する現像バイアス電圧印加手段とを
備え、前記電位検出手段の出力電位が低い電位から高い
電位に変化する場合と、前記電位検出手段の出力電位が
高い電位から低い電位に変化する場合とで前記記憶回路
の応答の時定数を変えるようにしたものである。
感光体の露光後の表面電位が電位検出手段により検出さ
れ、この電位検出手段の出力電位が記憶回路により記憶
される。この記憶回路は電位検出手段の出力電位が低い
電位から高い電位に変化する場合と、電位検出手段の出
力電位が高い電位から低い電位に変化する場合とで応答
の時定数が変わる。そして現像バイアス電圧印加手段が
記憶回路の記憶電位に応じた現像バイアス電圧を現像部
に印加する。
れ、この電位検出手段の出力電位が記憶回路により記憶
される。この記憶回路は電位検出手段の出力電位が低い
電位から高い電位に変化する場合と、電位検出手段の出
力電位が高い電位から低い電位に変化する場合とで応答
の時定数が変わる。そして現像バイアス電圧印加手段が
記憶回路の記憶電位に応じた現像バイアス電圧を現像部
に印加する。
第１図は本発明の一実施例を示し、第２図はこの実施例
の動作を示すタイミングチャートである。
の動作を示すタイミングチャートである。
この実施例は複写機のオートバイアス回路であり、その
複写機では感光体ドラム１はモータにより回転駆動され
て帯電器により一様に帯電された後に露光装置により原
稿画像の露光を受けて静電潜像が形成され、この静電潜
像が現像ローラ２を有する現像装置により現像される。
複写機では感光体ドラム１はモータにより回転駆動され
て帯電器により一様に帯電された後に露光装置により原
稿画像の露光を受けて静電潜像が形成され、この静電潜
像が現像ローラ２を有する現像装置により現像される。
そして感光体ドラム１は余剰現像剤かき取りローラ３に
より余剰現像剤がかき取られて現像後の画像が転写装置
により給紙装置からの転写紙に転写され、この転写紙が
分層装置により感光体ドラム１から分離されて定着装置
により画像が定着された後に排紙部へ排出される。また
、感光体ドラム１−は転写紙の分離後にクリーニング装
置によりクリーニングされて除電器により除電される。
より余剰現像剤がかき取られて現像後の画像が転写装置
により給紙装置からの転写紙に転写され、この転写紙が
分層装置により感光体ドラム１から分離されて定着装置
により画像が定着された後に排紙部へ排出される。また
、感光体ドラム１−は転写紙の分離後にクリーニング装
置によりクリーニングされて除電器により除電される。
このような動作が繰り返して行われてコピーが次々に得
られる。
られる。
この実施例は電源部４９表表面位検出回路５゜電流増幅
回路６．リレー接点７．記憶回路８及び出力回路９によ
り構成されている。電源部４はツェナーダイオードＺＤ
Ｉ、ＺＤ２及び抵抗Ｒ１からなり。
回路６．リレー接点７．記憶回路８及び出力回路９によ
り構成されている。電源部４はツェナーダイオードＺＤ
Ｉ、ＺＤ２及び抵抗Ｒ１からなり。
直流電源からの５ｏｏｖの電圧より所定の電圧を作って
各部５，６．９へ供給する。ここに、ツェナーダイオー
ドＺＤＩのツェナー電圧は２５０ｖであり、ツェナーダ
イオードＺＤ２のツェナー電圧は１００Ｖである０表ｒ
ｉｍ位検出回路５は感光体ドラム１と対向して配置され
たセンサー電極ｌＯ１電界効果トランジスタＦＥＴ、抵
抗Ｒ２，Ｒ３からなり、センサー電極ＩＯに誘起された
電位を電界効果トランジスタＦＥＴを介して取り出し、
つまり上記複写機の感光体ドラム１における現像ローラ
２と露光装置との間の部分の静電潜像が形成される画像
形成領域の表面電位（地肌電位）を検出する。電流増幅
回路６はトランジスタＴｒｌ、Ｔｒ２．ダイオード０１
，０２、コンデンサＣＩ、Ｃ２及び抵抗Ｒ４〜Ｒ６から
なり、表面電位検出回路５の出力電流を増幅する。第２
図に示すようにリレー接点７は感光体ドラム１上の画像
の先端からそれより感光体ドラム１回転方向と逆の方向
へ一定の距ｆｉ（この例では４０ｍｍ位）だけ離れた所
までの画像形成範囲の表面電位が表面電位検出回路５に
より検出されるときにのみ閉成し、１！流増幅回路６の
出力を記憶回路８へ送る。記憶回路８は抵抗Ｒ７，Ｒ８
，コンデンサＣ３及びダイオードＤ３からなり、抵抗Ｒ
７及びダイオードＤ３がこの実施例で新たに設けられた
ものであって抵抗Ｒ７の値が抵抗Ｒ８の値より小さく設
定されている。この記憶回路８は感光体ドラム１上の画
像の先端がセンサー電極１０の所に来て電流増幅回路６
の出力がリレー接点７を通って入力され始めた時より動
作を開始し、電流増幅回路６からリレー接点７を介して
入力される電位をコンデンサＣ３に記憶してこれを感光
体ドラム１上の画像後端が現像ローラ２を通過するまで
保持するが、入力電位が低い電位から高い電位に変化す
る場合にはダイオードｐ３がオフになって入力電位が抵
抗Ｒ８を通してコンデンサＣ３に印加されることにより
応答の時定数（抵抗Ｒ８，コンデンサＣ３の時定数）が
大きくなり、コンデンサＣ３の電位が第２図に示すよう
にある時間遅れをもって入力電位に追従する。入力電位
が高い電位から低い電位に変化する場合にはダイオード
Ｄ３がオンになって応答の時定数（抵抗Ｒ７，コンデン
サＣ３の放電時定数）が小さくなり、第２図に示すよう
に従来回路より短い時間遅れで入力電位に追従し、てコ
ンデンサＣ３には電流増幅回路６の出力電位が正しく記
憶される。出力回路９はトランジスタＴｒ３．丁ｒ４、
ツェナーダイオードＺＤ３及び抵抗Ｒ９，ＲＩＯからな
り、記憶回路８の出力電位（コンデンサＣ３の電位）に
−定の電圧（ツェナーダイオードＺＤ３のツェナー電圧
８０ｖ）を加えたものを現像バイアス電圧として現像ロ
ーラ２に印加する。第２図では通常原稿の場合記憶回路
８の出力電位が１２０ｖでそれに８０ｖを加えたもの２
００Ｖか現像バイアス電圧として出力されることを示し
ている。この現像バイアス電圧は感光体ドラム１上の画
像（静電潜像）の地肌を現像させないものであり、感光
体ドラム１−上の地肌電位より少しく５０■〜１００ｖ
位）高目の電圧がよい。しかし、８２像バイアス電圧が
高ずぎると、感光体ドラム１」二の現像後の画像は地肌
汚れはなくなるが、濃度が低下し、特に中間色の再現性
が悪くなる。この実施例では記憶［１路８の入力電位が
高い電位から低い電位に変化する場合における応答の時
定数が小さくて現像バイアス電圧が高目にならないので
。
各部５，６．９へ供給する。ここに、ツェナーダイオー
ドＺＤＩのツェナー電圧は２５０ｖであり、ツェナーダ
イオードＺＤ２のツェナー電圧は１００Ｖである０表ｒ
ｉｍ位検出回路５は感光体ドラム１と対向して配置され
たセンサー電極ｌＯ１電界効果トランジスタＦＥＴ、抵
抗Ｒ２，Ｒ３からなり、センサー電極ＩＯに誘起された
電位を電界効果トランジスタＦＥＴを介して取り出し、
つまり上記複写機の感光体ドラム１における現像ローラ
２と露光装置との間の部分の静電潜像が形成される画像
形成領域の表面電位（地肌電位）を検出する。電流増幅
回路６はトランジスタＴｒｌ、Ｔｒ２．ダイオード０１
，０２、コンデンサＣＩ、Ｃ２及び抵抗Ｒ４〜Ｒ６から
なり、表面電位検出回路５の出力電流を増幅する。第２
図に示すようにリレー接点７は感光体ドラム１上の画像
の先端からそれより感光体ドラム１回転方向と逆の方向
へ一定の距ｆｉ（この例では４０ｍｍ位）だけ離れた所
までの画像形成範囲の表面電位が表面電位検出回路５に
より検出されるときにのみ閉成し、１！流増幅回路６の
出力を記憶回路８へ送る。記憶回路８は抵抗Ｒ７，Ｒ８
，コンデンサＣ３及びダイオードＤ３からなり、抵抗Ｒ
７及びダイオードＤ３がこの実施例で新たに設けられた
ものであって抵抗Ｒ７の値が抵抗Ｒ８の値より小さく設
定されている。この記憶回路８は感光体ドラム１上の画
像の先端がセンサー電極１０の所に来て電流増幅回路６
の出力がリレー接点７を通って入力され始めた時より動
作を開始し、電流増幅回路６からリレー接点７を介して
入力される電位をコンデンサＣ３に記憶してこれを感光
体ドラム１上の画像後端が現像ローラ２を通過するまで
保持するが、入力電位が低い電位から高い電位に変化す
る場合にはダイオードｐ３がオフになって入力電位が抵
抗Ｒ８を通してコンデンサＣ３に印加されることにより
応答の時定数（抵抗Ｒ８，コンデンサＣ３の時定数）が
大きくなり、コンデンサＣ３の電位が第２図に示すよう
にある時間遅れをもって入力電位に追従する。入力電位
が高い電位から低い電位に変化する場合にはダイオード
Ｄ３がオンになって応答の時定数（抵抗Ｒ７，コンデン
サＣ３の放電時定数）が小さくなり、第２図に示すよう
に従来回路より短い時間遅れで入力電位に追従し、てコ
ンデンサＣ３には電流増幅回路６の出力電位が正しく記
憶される。出力回路９はトランジスタＴｒ３．丁ｒ４、
ツェナーダイオードＺＤ３及び抵抗Ｒ９，ＲＩＯからな
り、記憶回路８の出力電位（コンデンサＣ３の電位）に
−定の電圧（ツェナーダイオードＺＤ３のツェナー電圧
８０ｖ）を加えたものを現像バイアス電圧として現像ロ
ーラ２に印加する。第２図では通常原稿の場合記憶回路
８の出力電位が１２０ｖでそれに８０ｖを加えたもの２
００Ｖか現像バイアス電圧として出力されることを示し
ている。この現像バイアス電圧は感光体ドラム１上の画
像（静電潜像）の地肌を現像させないものであり、感光
体ドラム１−上の地肌電位より少しく５０■〜１００ｖ
位）高目の電圧がよい。しかし、８２像バイアス電圧が
高ずぎると、感光体ドラム１」二の現像後の画像は地肌
汚れはなくなるが、濃度が低下し、特に中間色の再現性
が悪くなる。この実施例では記憶［１路８の入力電位が
高い電位から低い電位に変化する場合における応答の時
定数が小さくて現像バイアス電圧が高目にならないので
。
感光体ドラム１上の現像後の画像は地肌汚れがないだけ
でなく濃度低下もない。例えば感光体ドラム１上の画像
の先端部に黒ベタ部がある場合には第２図に示すように
従来回路では表面電位検出回路はその黒ベタ部により高
い電位を出力して黒ベタ部のセンサー電極通過後に出力
が通常の電位まで低下するが、記憶回路は放電時定数が
長くてコンデンサの電位が目標の電位まで低下しないう
ちにリレー接点が開いてコンデンサの電位が目標の電位
より高目に固定され、現像バイアス電圧が高目になって
しまう、しかしこの実施例では感光体ドラム１上の画像
の先端部に黒ベタ部がある場合には記憶回路８は放電時
定数が小さいので、コンデンサの電位が目標の電位まで
下がって固定され、現像バイアス電圧が目標の電圧とな
る。
でなく濃度低下もない。例えば感光体ドラム１上の画像
の先端部に黒ベタ部がある場合には第２図に示すように
従来回路では表面電位検出回路はその黒ベタ部により高
い電位を出力して黒ベタ部のセンサー電極通過後に出力
が通常の電位まで低下するが、記憶回路は放電時定数が
長くてコンデンサの電位が目標の電位まで低下しないう
ちにリレー接点が開いてコンデンサの電位が目標の電位
より高目に固定され、現像バイアス電圧が高目になって
しまう、しかしこの実施例では感光体ドラム１上の画像
の先端部に黒ベタ部がある場合には記憶回路８は放電時
定数が小さいので、コンデンサの電位が目標の電位まで
下がって固定され、現像バイアス電圧が目標の電圧とな
る。
以上のように本発明によれば感光体を帯電させた後にこ
の感光体に露光を行って静電潜像を形成し、この静電潜
像を現像部により現像する電子写真装置において、前記
感光体の露光後の表面電位を検出する電位検出手段と、
この電位検出手段の出力電位を記憶する記憶回路と、こ
の記憶回路の記憶電位に応じた現像バイアス電圧を前記
現像部に印加する現像バイアス電圧印加手段とを備え。
の感光体に露光を行って静電潜像を形成し、この静電潜
像を現像部により現像する電子写真装置において、前記
感光体の露光後の表面電位を検出する電位検出手段と、
この電位検出手段の出力電位を記憶する記憶回路と、こ
の記憶回路の記憶電位に応じた現像バイアス電圧を前記
現像部に印加する現像バイアス電圧印加手段とを備え。
前記電位検出手段の出力電位が低い電位から高い電位に
変化する場合と、前記電位検出手段の出力電位が高い電
位から低い電位に変化する場合とで前記記憶回路の応答
の時定数を変えたので、現像バイアス電圧を正しく設定
することができ１画像濃度の低下を無くすことができる
。
変化する場合と、前記電位検出手段の出力電位が高い電
位から低い電位に変化する場合とで前記記憶回路の応答
の時定数を変えたので、現像バイアス電圧を正しく設定
することができ１画像濃度の低下を無くすことができる
。
第１図は本発明の一実施例を示す回路図、第２図は同実
施例の動作を示すタイミングチャートである。 ５・・・表面電位検出回路、６・・・電流増幅回路、７
・・・リレー接点、８・・・記憶回路、９・・・出力回
路。
施例の動作を示すタイミングチャートである。 ５・・・表面電位検出回路、６・・・電流増幅回路、７
・・・リレー接点、８・・・記憶回路、９・・・出力回
路。
Claims (1)
- 感光体を帯電させた後にこの感光体に露光を行って静
電潜像を形成し、この静電潜像を現像部により現像する
電子写真装置において、前記感光体の露光後の表面電位
を検出する電位検出手段と、この電位検出手段の出力電
位を記憶する記憶回路と、この記憶回路の記憶電位に応
じた現像バイアス電圧を前記現像部に印加する現像バイ
アス電圧印加手段とを備え、前記電位検出手段の出力電
位が低い電位から高い電位に変化する場合と、前記電位
検出手段の出力電位が高い電位から低い電位に変化する
場合とで前記記憶回路の応答の時定数を変えたことを特
徴とするオートバイアス回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63297952A JPH02144575A (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | オートバイアス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63297952A JPH02144575A (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | オートバイアス回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02144575A true JPH02144575A (ja) | 1990-06-04 |
Family
ID=17853212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63297952A Pending JPH02144575A (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | オートバイアス回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02144575A (ja) |
-
1988
- 1988-11-25 JP JP63297952A patent/JPH02144575A/ja active Pending
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