JPH02144947A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置及び半導体装置の製造方法Info
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- JPH02144947A JPH02144947A JP63298132A JP29813288A JPH02144947A JP H02144947 A JPH02144947 A JP H02144947A JP 63298132 A JP63298132 A JP 63298132A JP 29813288 A JP29813288 A JP 29813288A JP H02144947 A JPH02144947 A JP H02144947A
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- JP
- Japan
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- stress
- wafer
- absorbing film
- coating
- coating liquid
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
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- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、゛半導体チップの表面保ｉ技術に関するもの
で、特にレジンモールド型の半導体装置に適用して有効
な技術に関するものである。
で、特にレジンモールド型の半導体装置に適用して有効
な技術に関するものである。
一般に、Ａｌ配線形成後はＡ！配線表面を傷から保睡す
るとともに、外部からの汚染物質の侵入を防ぐという目
的で、Ｐ Ｓ Ｇ （Ｐｈｏｉｉｐｈｏ −５ｉｌｌｃ
ａｔｅ−Ｇｌａｓｓ）やシリコン窒化膜などのパッジベ
ージ冒ン膜が用いられていることは、平凡社発行ＶＬＳ
Ｉテクノロジー入門 初版 ｐ、５６等の記載により知
られている。
るとともに、外部からの汚染物質の侵入を防ぐという目
的で、Ｐ Ｓ Ｇ （Ｐｈｏｉｉｐｈｏ −５ｉｌｌｃ
ａｔｅ−Ｇｌａｓｓ）やシリコン窒化膜などのパッジベ
ージ冒ン膜が用いられていることは、平凡社発行ＶＬＳ
Ｉテクノロジー入門 初版 ｐ、５６等の記載により知
られている。
ところが、半導体装置のパッケージを構成するレジン中
にはパッケージの硬度を上げるために微細なシリコン粉
が入れられている。このシリコン粉の鋭角な突起部分が
バッジページ璽ン膜に対接するとパッジベージ１ン膜が
損傷し、その下地にＡｌ配線が形成されている場合には
Ａｌ配線にダメージを与えたり、パッジベージ冒ン膜に
クラックが生じて水分が侵入しＡｌ配線が腐食・断線す
るなどの問題が生じていた。
にはパッケージの硬度を上げるために微細なシリコン粉
が入れられている。このシリコン粉の鋭角な突起部分が
バッジページ璽ン膜に対接するとパッジベージ１ン膜が
損傷し、その下地にＡｌ配線が形成されている場合には
Ａｌ配線にダメージを与えたり、パッジベージ冒ン膜に
クラックが生じて水分が侵入しＡｌ配線が腐食・断線す
るなどの問題が生じていた。
本発明の目的は、機械的な衝撃に強く耐湿性の向上した
半導体装置を提供するものである。
半導体装置を提供するものである。
本発明の目的は、上記半導体装置の製造方法を提供する
ものである。
ものである。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、半導体チップの最上部衆面に不活性ガスから
なる気泡を封入した応力吸収膜を塗布するものである。
なる気泡を封入した応力吸収膜を塗布するものである。
上記した手段によれば、応力吸収膜に封入された気泡が
外部応力を吸収できると共に、応力吸収膜表面はデイン
プル状となってレジンとの接触面積が増大し、応力吸収
膜とレジンとの密着性が向上するものである。
外部応力を吸収できると共に、応力吸収膜表面はデイン
プル状となってレジンとの接触面積が増大し、応力吸収
膜とレジンとの密着性が向上するものである。
〔実施例１〕
第１図は、半導体チップの部分断面図、第２図は第１図
の内部内拡大間、第３図は第１図の半導体チップを搭載
した半導体装置の断面図である。
の内部内拡大間、第３図は第１図の半導体チップを搭載
した半導体装置の断面図である。
以下図面に従い詳細に説明する。１はシリコン等からな
る半導体チップの異面部であり、その表面部及びその上
部には図示しないが多数個のトランジスタ、抵抗、容量
、配線等が形成されている。
る半導体チップの異面部であり、その表面部及びその上
部には図示しないが多数個のトランジスタ、抵抗、容量
、配線等が形成されている。
２はＰＳＧ膜等の層間絶縁膜であり、多層配線を電気的
に分離している。３は本実施例においての最上部の配線
であり、例えばアルミで形成されている。４は窒素等の
不活性ガスからなる他めて微小な気泡５をほぼ一様な分
布で封入している応力吸収膜であり、例えばボリイぐド
等の有機樹脂が用いられている。６はパッケージ７を構
成するレジン８の硬度を上げるためにいれたシリコン粉
で一般にフィシと呼んでいる。
に分離している。３は本実施例においての最上部の配線
であり、例えばアルミで形成されている。４は窒素等の
不活性ガスからなる他めて微小な気泡５をほぼ一様な分
布で封入している応力吸収膜であり、例えばボリイぐド
等の有機樹脂が用いられている。６はパッケージ７を構
成するレジン８の硬度を上げるためにいれたシリコン粉
で一般にフィシと呼んでいる。
次に、本実施例の動作について説明する。今、リードフ
レームの基板、例えばタブ９に搭載しワイヤ１０にて結
線した半導体チップ１１をレジンにてモールドする際に
、レジン８中のフィシ６が応力吸収膜４に突き刺りたと
仮定する０通常の膜の場合、突き刺った部分の先端に極
めて大きな応力が集中し、膜の上面から下面にかけてク
ラックが生じる場合があった。ところが、本実施例のよ
５に、応力吸収膜４に不活性なガスを封入した気泡５が
存在すると、たとえ応力が加えられたとしても気泡５自
体が変形することによりその応力の大部分を吸収してし
まう、また、クラック１２が生じても、クラック１２の
先に気泡があると、その気泡５ａでクラックが止まりそ
れ以上クラックは進行しない、また、応力吸収Ｉｔ！４
０表面１３には、多数個の気泡跡（溝）がデインプル状
に形成されているため、応力吸収膜４とレジン８との接
触面積が増大し、密着性が極めて良好となり耐湿性は飛
躍的に向上することになる。
レームの基板、例えばタブ９に搭載しワイヤ１０にて結
線した半導体チップ１１をレジンにてモールドする際に
、レジン８中のフィシ６が応力吸収膜４に突き刺りたと
仮定する０通常の膜の場合、突き刺った部分の先端に極
めて大きな応力が集中し、膜の上面から下面にかけてク
ラックが生じる場合があった。ところが、本実施例のよ
５に、応力吸収膜４に不活性なガスを封入した気泡５が
存在すると、たとえ応力が加えられたとしても気泡５自
体が変形することによりその応力の大部分を吸収してし
まう、また、クラック１２が生じても、クラック１２の
先に気泡があると、その気泡５ａでクラックが止まりそ
れ以上クラックは進行しない、また、応力吸収Ｉｔ！４
０表面１３には、多数個の気泡跡（溝）がデインプル状
に形成されているため、応力吸収膜４とレジン８との接
触面積が増大し、密着性が極めて良好となり耐湿性は飛
躍的に向上することになる。
次に、この応力吸収膜４の形成方法について第４図を用
いて説明する。まず、主表面に素子を形成したウェハ１
４を回転塗布装ｆ１５の回転ステージ１６上に位置決め
したのちセットする０次に、塗布液供給装［１７から応
力吸収膜４の構成材料となる例えばポリイミド樹脂等を
溶媒に溶かした状態で塗布液を気泡混入装置１８に供給
する。この気泡混入装置１８にて不活性ガス、例えば窒
素ガスを上記塗布液に気泡状に注入し、塗布ノズル１９
からウェハ１４上に一定量滴下する０次に、回転モータ
２０を駆動させて回転転２１を介して回転ステージ１６
に動力を伝達する。これにより、塗布液２２は回転力に
より円周方向に広がり、一様な膜厚の応力吸収膜が形成
される。その後、べ一り（加熱）して溶媒を飛散させた
のち、ウェハ１５をダイス状に切削し多数個の半導体チ
ップ１１を得る０次に、半導体チップ１１をタブ９に搭
載したのち、ワイヤ１０にて半導体チップ１１と外部端
子となるリード９ａと電気的に接続し、レジンにて封止
し、完成した製品（第３図）を得る。
いて説明する。まず、主表面に素子を形成したウェハ１
４を回転塗布装ｆ１５の回転ステージ１６上に位置決め
したのちセットする０次に、塗布液供給装［１７から応
力吸収膜４の構成材料となる例えばポリイミド樹脂等を
溶媒に溶かした状態で塗布液を気泡混入装置１８に供給
する。この気泡混入装置１８にて不活性ガス、例えば窒
素ガスを上記塗布液に気泡状に注入し、塗布ノズル１９
からウェハ１４上に一定量滴下する０次に、回転モータ
２０を駆動させて回転転２１を介して回転ステージ１６
に動力を伝達する。これにより、塗布液２２は回転力に
より円周方向に広がり、一様な膜厚の応力吸収膜が形成
される。その後、べ一り（加熱）して溶媒を飛散させた
のち、ウェハ１５をダイス状に切削し多数個の半導体チ
ップ１１を得る０次に、半導体チップ１１をタブ９に搭
載したのち、ワイヤ１０にて半導体チップ１１と外部端
子となるリード９ａと電気的に接続し、レジンにて封止
し、完成した製品（第３図）を得る。
次に、本実施例の作用効果について説明する。
（１）半導体チップの表面保Ｉ膜として応力吸収膜を形
成することにより、レジンのフィシが応力吸収膜に突き
刺ったとしても、気泡が変形して応力を緩和し、またク
ラックが発生しても、気泡を終端にそのクラックが止ま
り、上側から下側まで表面保護膜にき裂が入るのを防止
できるという効果が得られる。
成することにより、レジンのフィシが応力吸収膜に突き
刺ったとしても、気泡が変形して応力を緩和し、またク
ラックが発生しても、気泡を終端にそのクラックが止ま
り、上側から下側まで表面保護膜にき裂が入るのを防止
できるという効果が得られる。
（２）上記（１）により、応力吸収膜に加わった応力が
そのまま半導体チップ表面に加わるのを防止できるので
、チップへのダメージを低減できるという効果が得られ
る。
そのまま半導体チップ表面に加わるのを防止できるので
、チップへのダメージを低減できるという効果が得られ
る。
（３）上記（υにより、水分がクラックを通して侵入す
るのを防止できるので、飛躍的に耐湿性を向上できると
いう効果が得られる。
るのを防止できるので、飛躍的に耐湿性を向上できると
いう効果が得られる。
（４）応力吸収膜の表面では気泡跡（溝）がデインプル
状となっているので、レジンとの接触面積が増大し、レ
ジンとの密着性が向上できると共に耐湿性をも向上でき
るという効果が得られる。
状となっているので、レジンとの接触面積が増大し、レ
ジンとの密着性が向上できると共に耐湿性をも向上でき
るという効果が得られる。
〔実施例２〕
第５図はその他の実施例を示す半導体装置の断面図であ
る。２３はエポキシ樹脂等の絶縁基板であり、その主表
面上には本実施例にあっては２個の半導体チップ２４が
取り付けられている。また、その表面には半導体チップ
２４０周辺近傍から外部リード２５と接続する配線２６
が形成され、ワイヤ２７を介して半導体チップ２４と接
続している。２８は応力吸収膜であり、ワイヤ２７を含
めてチップ２４全体を覆りて塗布されている。２９はレ
ジンパッケージである。
る。２３はエポキシ樹脂等の絶縁基板であり、その主表
面上には本実施例にあっては２個の半導体チップ２４が
取り付けられている。また、その表面には半導体チップ
２４０周辺近傍から外部リード２５と接続する配線２６
が形成され、ワイヤ２７を介して半導体チップ２４と接
続している。２８は応力吸収膜であり、ワイヤ２７を含
めてチップ２４全体を覆りて塗布されている。２９はレ
ジンパッケージである。
本実施例においては、前述の〔実施例１〕と同様な効果
が得られると共に、半導体チップ全体を覆っているので
、表面だゆでなくチップ側面から加わる応力に対しても
緩和する効果が得られる。
が得られると共に、半導体チップ全体を覆っているので
、表面だゆでなくチップ側面から加わる応力に対しても
緩和する効果が得られる。
以上本発明者罠なよてなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で極々変更可
能であることはいうまでもない、たとえば、応力吸収膜
としてポリイミド材に限定するものではなく、他の有機
系材料でも良く、またＳｌｙ！、５ｉｓＮｎなど無機材
料であっても良い。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で極々変更可
能であることはいうまでもない、たとえば、応力吸収膜
としてポリイミド材に限定するものではなく、他の有機
系材料でも良く、またＳｌｙ！、５ｉｓＮｎなど無機材
料であっても良い。
本願において開示される発明の５ち代底的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
すなわち、半導体チップ表面あるいは全体に応力吸収膜
を形成し、モールドの際、流動するレジンの圧力、ある
いはフイ２に起因して半導体チップにダメージを与える
のを抑制できるという効果が得られるものである。
を形成し、モールドの際、流動するレジンの圧力、ある
いはフイ２に起因して半導体チップにダメージを与える
のを抑制できるという効果が得られるものである。
第１図は、本発明の一実施例である半導体装置の部分断
面図、 第２図は、第１図の円内拡大図、 第３図は、本発明の一実施例である半導体チップ １
図 ・・・配線、４・・・応力吸収膜、５・・・気泡、６・
・・フィシ、７・・・パッケージ、８・・・レジン、９
・・・タブ、ｌＯ・・・ワイヤ、１１・・・半導体チッ
プ、１２・・・クラック、１４・・・ウェハ、１５・・
・回転塗布装置、１６・・・回転ステージ、１７・・・
塗布液供給装置、１８・・・気泡混入装置、１９・・・
塗布ノズル、２０・・・回転モータ、２１・・・回転軸
、２２・・・塗布液、２３・・・絶縁基板、２４・・・
半導体チップ、２５・・・外部リード、２６・・・配線
、・２７・・・ワイヤ、２８・・・応力吸収膜、２９・
・・パッケージ。 第 第 図 図 第 図
面図、 第２図は、第１図の円内拡大図、 第３図は、本発明の一実施例である半導体チップ １
図 ・・・配線、４・・・応力吸収膜、５・・・気泡、６・
・・フィシ、７・・・パッケージ、８・・・レジン、９
・・・タブ、ｌＯ・・・ワイヤ、１１・・・半導体チッ
プ、１２・・・クラック、１４・・・ウェハ、１５・・
・回転塗布装置、１６・・・回転ステージ、１７・・・
塗布液供給装置、１８・・・気泡混入装置、１９・・・
塗布ノズル、２０・・・回転モータ、２１・・・回転軸
、２２・・・塗布液、２３・・・絶縁基板、２４・・・
半導体チップ、２５・・・外部リード、２６・・・配線
、・２７・・・ワイヤ、２８・・・応力吸収膜、２９・
・・パッケージ。 第 第 図 図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、不活性ガスからなる微小な気泡を封入している応力
吸収膜が表面に敷設されている半導体チップを、レジン
にて封止した半導体装置。 ２、塗布液中に不活性ガスからなる気泡を混入したのち
、上記塗布液を素子が形成されたウェハ表面に滴下する
工程と、上記ウェハを回転せしめてウェハ全面に塗布液
を薄く、かつ一様な厚さで塗布する工程と、ウェハをダ
イス状に切削して得られた半導体チップを基板に搭載し
たのちレジンにて封止する工程を有する半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63298132A JPH02144947A (ja) | 1988-11-28 | 1988-11-28 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63298132A JPH02144947A (ja) | 1988-11-28 | 1988-11-28 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02144947A true JPH02144947A (ja) | 1990-06-04 |
Family
ID=17855598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63298132A Pending JPH02144947A (ja) | 1988-11-28 | 1988-11-28 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02144947A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009022581A1 (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-19 | Tokyo Electron Limited | 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、及び、記憶媒体 |
| WO2017051919A1 (ja) * | 2015-09-26 | 2017-03-30 | 京セラ株式会社 | サーマルヘッドおよびサーマルプリンタ |
-
1988
- 1988-11-28 JP JP63298132A patent/JPH02144947A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009022581A1 (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-19 | Tokyo Electron Limited | 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、及び、記憶媒体 |
| JP2009044095A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体製造装置及び記憶媒体 |
| US8293662B2 (en) | 2007-08-10 | 2012-10-23 | Tokyo Electron Limited | Method of manufacturing semiconductor device, apparatus for manufacturing same, and storage medium |
| WO2017051919A1 (ja) * | 2015-09-26 | 2017-03-30 | 京セラ株式会社 | サーマルヘッドおよびサーマルプリンタ |
| CN108025559A (zh) * | 2015-09-26 | 2018-05-11 | 京瓷株式会社 | 热敏头以及热敏式打印机 |
| JPWO2017051919A1 (ja) * | 2015-09-26 | 2018-06-28 | 京セラ株式会社 | サーマルヘッドおよびサーマルプリンタ |
| US10279596B2 (en) | 2015-09-26 | 2019-05-07 | Kyocera Corporation | Thermal head and thermal printer |
| CN108025559B (zh) * | 2015-09-26 | 2019-09-27 | 京瓷株式会社 | 热敏头以及热敏式打印机 |
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