JPH0214511A - Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 - Google Patents
Ｘ線露光用マスク及びその製造方法Info
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- JPH0214511A JPH0214511A JP63164236A JP16423688A JPH0214511A JP H0214511 A JPH0214511 A JP H0214511A JP 63164236 A JP63164236 A JP 63164236A JP 16423688 A JP16423688 A JP 16423688A JP H0214511 A JPH0214511 A JP H0214511A
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- JP
- Japan
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- ray
- thin film
- film
- unit exposure
- forming
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はＸ線露光用マスク及びその製造方法に関する。
（従来の技術）
−ｍにＸ線露光用マスクはＸ線を吸収する重金属パター
ンとその重金属パターンを支持するＸ ｔｉｔの吸収の
少ない軽元素の膜と、その膜の外周を固定する伜から成
っている。
ンとその重金属パターンを支持するＸ ｔｉｔの吸収の
少ない軽元素の膜と、その膜の外周を固定する伜から成
っている。
Ｘ線を吸収する重金属パターンはＡｕ、ＴａＷ、ＰＬｌ
Ｍｏ、Ｒｅ、等原子番号の大きい吻ゴで構成され厚さ０
．２〜３μｍの微細回路バターンが形成されている。
Ｍｏ、Ｒｅ、等原子番号の大きい吻ゴで構成され厚さ０
．２〜３μｍの微細回路バターンが形成されている。
重金嘱パターンを支持する膜は０．１〜５μｍのｊＩさ
のＳｉＮ、ＢＮ、ＳｉＣ，Ｂｅ、ポリイミド等のＸ線透
過性薄膜から成っている。
のＳｉＮ、ＢＮ、ＳｉＣ，Ｂｅ、ポリイミド等のＸ線透
過性薄膜から成っている。
枠材は厚さ０．３〜３μｍのＳｉ等比較的剛性のエツチ
ング除去可能な物質からなり、回路等露光領域を含む窓
が開けられている。
ング除去可能な物質からなり、回路等露光領域を含む窓
が開けられている。
Ｘ線露光はこの様なＸ線露光用マスクを介して露光され
るべきレジスｈｉを形成した基板にＸ線を照射し、レジ
スト層にパターンを形成するのである。
るべきレジスｈｉを形成した基板にＸ線を照射し、レジ
スト層にパターンを形成するのである。
（発明が解決しようとする課題）
Ｘ線露光では通常、比較的大型の被露光基板に同一パタ
ーンを多数個面付けするために、順次、マスクまたは基
板を動かして１チツプ毎基板にパターンを形成する、い
わゆるステップアンドリピート方式が採用されている。
ーンを多数個面付けするために、順次、マスクまたは基
板を動かして１チツプ毎基板にパターンを形成する、い
わゆるステップアンドリピート方式が採用されている。
一般にその単位露光域を規定するためにＸ線吸収性金属
パターンと同一層で同じ厚さのＸ線吸収層が該領域外周
に形成されている。
パターンと同一層で同じ厚さのＸ線吸収層が該領域外周
に形成されている。
しかるに、各々の単位露光領域の外周部では、各々の単
位領域を露光するたびにＸ線が重なって少量ながら照射
される。勿論、この部分は本来Ｘ線がただ一回照射され
るだけでは何ら問題のない量だが、漏れや回折などの現
象により本来Ｘ線が照射される部分とのコントラストが
でず、回数が２回以上重なると、本来Ｘ線が照射される
部分との区別が困難になり、現像の際かぶり等の不都合
が生じる。
位領域を露光するたびにＸ線が重なって少量ながら照射
される。勿論、この部分は本来Ｘ線がただ一回照射され
るだけでは何ら問題のない量だが、漏れや回折などの現
象により本来Ｘ線が照射される部分とのコントラストが
でず、回数が２回以上重なると、本来Ｘ線が照射される
部分との区別が困難になり、現像の際かぶり等の不都合
が生じる。
本発明はかかる従来技術の欠点に漏み、新規なＸｖＡ露
光用マスク及びその製造方法を提案するものである。
光用マスク及びその製造方法を提案するものである。
（課題を解決するための手段）
すなわち本発明は、Ｘ線を吸収する重金属パターンとそ
の重金属パターンを支持するＸ線の吸収の少ない軽元素
の膜とその膜の外周を固定する枠からなるＸ線マスクに
於て、接着層を介さず若しくは介して単位露光領域の外
周に所望の厚さの金属箔層が形成された事を特徴とする
Ｘ線マスク、及び、板状基板の主面上にＸ線透過性薄膜
を積層し、他面上には支持枠下面に相当する部分に保護
膜を形成する工程と、該ＸＭ透透過性膜膜上Ｘ線吸収性
金属パターンを形成する工程と、板状基板の所望領域を
主面の反対側からエツチング除去して窓を形成する工程
と、単位露光領域の外周に転写で金属箔層若しくは接着
層と金属箔層を形成する工程とからなるＸ線露光用マス
クの製造方法である。
の重金属パターンを支持するＸ線の吸収の少ない軽元素
の膜とその膜の外周を固定する枠からなるＸ線マスクに
於て、接着層を介さず若しくは介して単位露光領域の外
周に所望の厚さの金属箔層が形成された事を特徴とする
Ｘ線マスク、及び、板状基板の主面上にＸ線透過性薄膜
を積層し、他面上には支持枠下面に相当する部分に保護
膜を形成する工程と、該ＸＭ透透過性膜膜上Ｘ線吸収性
金属パターンを形成する工程と、板状基板の所望領域を
主面の反対側からエツチング除去して窓を形成する工程
と、単位露光領域の外周に転写で金属箔層若しくは接着
層と金属箔層を形成する工程とからなるＸ線露光用マス
クの製造方法である。
以下本発明を更に詳細に説明する。
Ｘ線吸収性金属パターンはＡｕ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、ＭＯ
，Ｒｅ、等で形成されている。Ｘ線透過性支持“り）よ
ＳｉＮ ＢＮ、ＳｉＣＢｅ ポリイミド等から成っ
ている。支持枠は主にシリコンへ坂からなっている。
，Ｒｅ、等で形成されている。Ｘ線透過性支持“り）よ
ＳｉＮ ＢＮ、ＳｉＣＢｅ ポリイミド等から成っ
ている。支持枠は主にシリコンへ坂からなっている。
Ｘ線吸収性金属パターンの露光領域を規定する外周部に
は金箔等の金属箔が形成されている。この場合、接着層
が必要な場合と必要としない場合がある。また、本発明
のＸ線マスクの製法はまずシリコンウェー八等の（瓦状
基板の主面にＸ線透過性薄膜を、他面に保；翫膜を形成
する。尚、主面や他面の他に側面等に設けても、其は設
計の範囲内の工夫に過ぎない。
は金箔等の金属箔が形成されている。この場合、接着層
が必要な場合と必要としない場合がある。また、本発明
のＸ線マスクの製法はまずシリコンウェー八等の（瓦状
基板の主面にＸ線透過性薄膜を、他面に保；翫膜を形成
する。尚、主面や他面の他に側面等に設けても、其は設
計の範囲内の工夫に過ぎない。
Ｘ線透過性薄膜のＳｉＮ、ＢＮ、ＳｉＣ，Ｂｅは例えば
化学気相蒸着、物理蒸着、スパッタリング等の薄膜形成
法などのＰＶＤ （物理的成膜法）、ＣＶＤ （化学的
成膜法）等の各手法が用いうる。
化学気相蒸着、物理蒸着、スパッタリング等の薄膜形成
法などのＰＶＤ （物理的成膜法）、ＣＶＤ （化学的
成膜法）等の各手法が用いうる。
また、ポリイミドはコーティング、フィルム張り付は等
で形成される。
で形成される。
又、保護膜のＳｉＮ、５ｉｎｔ、ＳｉＣはＸ線透過性薄
膜と同様にして、Ｘ線透過性薄膜と同一工程か、或は別
工程で形成され、基板に窓を開ける部分に相当する部分
をドライエツチング等のパターンニング手段で除去する
。従って、同一材料の場合、同時に形成してもよい。そ
のとき形成する場所は、主面と他面、必要に応じて側面
に設ける事となる。
膜と同様にして、Ｘ線透過性薄膜と同一工程か、或は別
工程で形成され、基板に窓を開ける部分に相当する部分
をドライエツチング等のパターンニング手段で除去する
。従って、同一材料の場合、同時に形成してもよい。そ
のとき形成する場所は、主面と他面、必要に応じて側面
に設ける事となる。
次にＸ線透過性薄膜上にＸ線吸収性金属パターンを形成
する。Ｘ線吸収性金属のＡｕ、Ｔａ、ＷＰｔ、Ｍｏ、Ｒ
ｅ、等は物理蒸着、スパフタリング、電気めっき等のＰ
ＶＤ （物理的成膜法）、ＣＶＤ（化学的成膜法）等の
各手法で形成される。
する。Ｘ線吸収性金属のＡｕ、Ｔａ、ＷＰｔ、Ｍｏ、Ｒ
ｅ、等は物理蒸着、スパフタリング、電気めっき等のＰ
ＶＤ （物理的成膜法）、ＣＶＤ（化学的成膜法）等の
各手法で形成される。
パターンニングは色々な方法が考えられるが、船釣には
予め上記金属層を形成した後パターン形状グするサブト
ラクティブ法か、パターン形状に金属層を析出するアデ
ィティブ法によって行われる。サブトラクティブ法は上
記金属層を形成した上にパターンレジストを形成し、ド
ライエツチング等でパターンを形成する。アディティブ
法はＸ、捺透過性薄膜上に導電性膜を形成した上にパタ
ーンレジストを形成し、めっき法で金属パターンを形成
し、しかる後、導電性膜の不用部分をドライエツチング
等で除去する。次に、所定の単位露光領域が開口した金
属箔を該基板主面上に形成する。
予め上記金属層を形成した後パターン形状グするサブト
ラクティブ法か、パターン形状に金属層を析出するアデ
ィティブ法によって行われる。サブトラクティブ法は上
記金属層を形成した上にパターンレジストを形成し、ド
ライエツチング等でパターンを形成する。アディティブ
法はＸ、捺透過性薄膜上に導電性膜を形成した上にパタ
ーンレジストを形成し、めっき法で金属パターンを形成
し、しかる後、導電性膜の不用部分をドライエツチング
等で除去する。次に、所定の単位露光領域が開口した金
属箔を該基板主面上に形成する。
その製造方法はスクリーン印刷、グラビア印刷、蒸着や
スパッタ等のＰＶＤ （物理的成膜法）法等色々考えら
れる所ではあるが、基板主面への影響、欠陥、製造容易
性などを考慮すると、転写形成が最も適しているいる。
スパッタ等のＰＶＤ （物理的成膜法）法等色々考えら
れる所ではあるが、基板主面への影響、欠陥、製造容易
性などを考慮すると、転写形成が最も適しているいる。
転写も色々あるが、パターン化しである金属箔転写シー
トを該基板主面上に重ね、基板主面の単位露光領域を規
定する外周面に転写形成するのが一般的である。尚、接
着剤は金属箔転写シートへの事前形成でも、マスクへの
事前形成でも、金属の接着力により省略でも良い。
トを該基板主面上に重ね、基板主面の単位露光領域を規
定する外周面に転写形成するのが一般的である。尚、接
着剤は金属箔転写シートへの事前形成でも、マスクへの
事前形成でも、金属の接着力により省略でも良い。
また、パターン化は金属箔か接着剤の何れがであれは充
分で、接着阻害層によるパターン化でもよい。転写され
る金属箔は１〜１０μｍＡｕ、Ｔａ。
分で、接着阻害層によるパターン化でもよい。転写され
る金属箔は１〜１０μｍＡｕ、Ｔａ。
Ｗ、ＰＬ、Ｍｏ、Ｒｅ、等が一般的であるが、厚さ等は
この値に限る必要は無い。また、転写シートは剥離紙、
合成樹脂シート等の剥離性シートに上記金属箔を貼合わ
せるか、或は蒸着し、接着層を形成すると容易に得られ
る。以下、この場合を以て詳しく説明すると、単位露光
領域の金属箔不用部分は転写シートを打ち抜いて単位露
光領域を開口することが出来る。或は、打ち抜かなくと
も、予め不用部分をエッチング除去することも出来る。
この値に限る必要は無い。また、転写シートは剥離紙、
合成樹脂シート等の剥離性シートに上記金属箔を貼合わ
せるか、或は蒸着し、接着層を形成すると容易に得られ
る。以下、この場合を以て詳しく説明すると、単位露光
領域の金属箔不用部分は転写シートを打ち抜いて単位露
光領域を開口することが出来る。或は、打ち抜かなくと
も、予め不用部分をエッチング除去することも出来る。
次に、板状基板に所望の窓を形成する工程であるが、保
護膜を設けた面から所望の形状で板状基板をエツチング
除去して窓を形成する。
護膜を設けた面から所望の形状で板状基板をエツチング
除去して窓を形成する。
（作用）
本発明では単位露光領域を規定する単位露光領域外周面
に金属箔が形成されており、単位露光領域外に照射され
るＸ線をこの金属箔が充分吸収して、］３遇するＸ線量
を充分残少し、本発明のＸ線露光用マスクを使用して、
被露光基板上に単位領域ずつをステンプアンドリピート
方式で、繰り返し順送りにＸ線露光していく場合に数回
微量Ｘ線に暴露されても無視し得る量であり、従来のＸ
線マスクのように境界領域にかぶり等が発生する不都合
を回避し得る。
に金属箔が形成されており、単位露光領域外に照射され
るＸ線をこの金属箔が充分吸収して、］３遇するＸ線量
を充分残少し、本発明のＸ線露光用マスクを使用して、
被露光基板上に単位領域ずつをステンプアンドリピート
方式で、繰り返し順送りにＸ線露光していく場合に数回
微量Ｘ線に暴露されても無視し得る量であり、従来のＸ
線マスクのように境界領域にかぶり等が発生する不都合
を回避し得る。
なお、その製造方法においては、特に転写で形成した場
合、基板主面へ物理的化学的影響を与える１嘆＜、欠陥
を生じさせない効果が大きい。又、池の方決に較べて製
造も容易である。
合、基板主面へ物理的化学的影響を与える１嘆＜、欠陥
を生じさせない効果が大きい。又、池の方決に較べて製
造も容易である。
（実施例１）
第１図に本発明によるＸ線露光用マスクの一つの製造実
施例を示す。
施例を示す。
まず、第１図ａ）に示すように板状基板をなす面方位（
１１０）のシリコンウェーハ１の両面に化学的気相薄着
法によりＸ線透過性薄膜であり、保：Ｉ膜でもある窒化
珪素膜２を２μｍの１７さに形成した後、反応性スパッ
タ法により、第１図ｂ）に示すようにＸ線吸収性薄膜３
であるタングステン膜を１μｍの厚さで、板状基板の片
面に形成する。
１１０）のシリコンウェーハ１の両面に化学的気相薄着
法によりＸ線透過性薄膜であり、保：Ｉ膜でもある窒化
珪素膜２を２μｍの１７さに形成した後、反応性スパッ
タ法により、第１図ｂ）に示すようにＸ線吸収性薄膜３
であるタングステン膜を１μｍの厚さで、板状基板の片
面に形成する。
次に第１図Ｃ）に示すように、板状基板下面の窒化珪素
膜２の一部をドライエツチングにより除去し、パックエ
ッチング用窓４を形成し、上面には電子ビーム露光でレ
ジストを形成し反応性イオンエッチングによってＸ線吸
収性薄膜３をパターンニングする。
膜２の一部をドライエツチングにより除去し、パックエ
ッチング用窓４を形成し、上面には電子ビーム露光でレ
ジストを形成し反応性イオンエッチングによってＸ線吸
収性薄膜３をパターンニングする。
次に第１図ｄ）に示すように、予め単位露光領域を規定
する形状に打ち抜いた、接着１５と金′：ｎ６と剥離紙
７が順に積層された転写シート８を所定の位置に重ね合
わせ、剥離紙を剥して、金箔層を単位露光領域の外周に
当たる所定領域に形成する。
する形状に打ち抜いた、接着１５と金′：ｎ６と剥離紙
７が順に積層された転写シート８を所定の位置に重ね合
わせ、剥離紙を剥して、金箔層を単位露光領域の外周に
当たる所定領域に形成する。
次に第１図ｅ）に示すように、バンクエッチング用窓４
から、アルカリ水？８液によりシリコンを除去し、開口
部９を形成して本発明によるＸ線露光用マスクを得る。
から、アルカリ水？８液によりシリコンを除去し、開口
部９を形成して本発明によるＸ線露光用マスクを得る。
（実施例２）
第２図に本発明によるＸ線露光用マスクの別の製造実施
例を示す。
例を示す。
まず、第２図ａ）に示すように板状基板である面方位（
１１０）のシリコンウェーハｌの両面に化学的気相蒸着
法によりＸ線透過性薄膜であり、保護膜でもある窒化珪
素膜２を２μｍの厚さに形成した後、ＲＦスパッタ法に
より、第２図ｂ）のようにＸ線吸収性薄膜３であるタン
グステン膜をｌｔｌｍの厚さで、板状基板の片面に形成
する。
１１０）のシリコンウェーハｌの両面に化学的気相蒸着
法によりＸ線透過性薄膜であり、保護膜でもある窒化珪
素膜２を２μｍの厚さに形成した後、ＲＦスパッタ法に
より、第２図ｂ）のようにＸ線吸収性薄膜３であるタン
グステン膜をｌｔｌｍの厚さで、板状基板の片面に形成
する。
次に第２図Ｃ）に示すように、基板下面の窒化珪素膜２
の少なくとも露光領域を含む一部をドライエツチングに
より除去し、バックエツチング用窓４を形成し、上面に
は電子ビーム露光でレジストを形成し反応性イオンエツ
チングによってＸ線吸収性薄膜３をパターンニングする
。Ｘ線吸収性薄膜３パターンは露光領域だけである。
の少なくとも露光領域を含む一部をドライエツチングに
より除去し、バックエツチング用窓４を形成し、上面に
は電子ビーム露光でレジストを形成し反応性イオンエツ
チングによってＸ線吸収性薄膜３をパターンニングする
。Ｘ線吸収性薄膜３パターンは露光領域だけである。
次に第２図ｄ）に示すように、バックエツチング用窓４
から、アルカリ水溶液によりシリコンを除去し、開口部
９を形成する。
から、アルカリ水溶液によりシリコンを除去し、開口部
９を形成する。
しかる後、第２図ｅ）に示すように、予め単位露光領域
を規定する形状に打ち抜いた、接着層５と金箔６と剥離
紙７が順に積層された転写シート８を所定の位置に重ね
合わせ、剥離紙７を剥して、金箔６を所定領域に形成す
る。
を規定する形状に打ち抜いた、接着層５と金箔６と剥離
紙７が順に積層された転写シート８を所定の位置に重ね
合わせ、剥離紙７を剥して、金箔６を所定領域に形成す
る。
（発明の効果）
本発明によるＸ線露光用マスクは単位露光領域外の外周
部に充分な厚みの転写金属層が形成されているために、
単位露光領域を密につめて形成していくことができ、又
、本発明の製造方法によれば、金属箔を転写すると言う
極めて簡易な方法で従来の微細パターン形成工程に手を
加えることなく、Ｘ線遮光枠を形成することができる。
部に充分な厚みの転写金属層が形成されているために、
単位露光領域を密につめて形成していくことができ、又
、本発明の製造方法によれば、金属箔を転写すると言う
極めて簡易な方法で従来の微細パターン形成工程に手を
加えることなく、Ｘ線遮光枠を形成することができる。
第１図ａ）乃至ｅ）は、本発明の一実施例を示す工程を
順に示した断面図、第２図ａ）乃至ｅ）は、本発明の別
な実施例の工程を順に示した断面図である。 にウェーハ ２：窒化珪素膜 Ｘ線吸収性薄膜 、窓 ：接着層 ；金箔 ：剥離紙 ：転写シート ；接着層
順に示した断面図、第２図ａ）乃至ｅ）は、本発明の別
な実施例の工程を順に示した断面図である。 にウェーハ ２：窒化珪素膜 Ｘ線吸収性薄膜 、窓 ：接着層 ；金箔 ：剥離紙 ：転写シート ；接着層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）Ｘ線を吸収する重金属パターンとその重金属パター
ンを支持するＸ線の吸収の少ない軽元素の膜とその膜の
外周を固定する枠からなるＸ線マスクに於て、単位露光
領域の外周に接着層を介し若しくは介さず金属箔層が形
成された事を特徴とするＸ線マスク。 ２）板状基板の主面上にＸ線透過性薄膜を積層し他面上
には支持枠下面に相当する部分に保護膜を形成する工程
と、該Ｘ線透過性薄膜上にＸ線吸収性金属パターンを形
成する工程と、板状基板の所望領域を主面の反対側から
エッチング除去して窓を形成する工程と、単位露光領域
の外周に転写で金属箔層若しくは接着層と金属箔層を形
成する工程とからなるＸ線露光用マスクの製造方法。 ３）板状基板の主面上と他面上の支持枠下面に相当する
部分にＸ線透過性薄膜兼保護膜を形成する工程と、該Ｘ
線透過性薄膜兼保護膜の主面上にＸ線吸収性金属パター
ンを形成する工程と、板状基板の所望領域を主面の反対
側からエッチング除去して窓を形成する工程と、単位露
光領域の外周に転写で金属箔層若しくは接着層と金属箔
層を形成する工程とからなるＸ線露光用マスクの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63164236A JPH0214511A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63164236A JPH0214511A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0214511A true JPH0214511A (ja) | 1990-01-18 |
Family
ID=15789258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63164236A Pending JPH0214511A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0214511A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009212220A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Toshiba Corp | 反射型マスク及びその作製方法 |
| JP2012209404A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型マスク |
-
1988
- 1988-07-01 JP JP63164236A patent/JPH0214511A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009212220A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Toshiba Corp | 反射型マスク及びその作製方法 |
| US7932002B2 (en) | 2008-03-03 | 2011-04-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Reflection-type mask and method of making the reflection-type mask |
| JP2012209404A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型マスク |
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