JPH0214515A - Jig for semiconductor manufacture use - Google Patents

Jig for semiconductor manufacture use

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Publication number
JPH0214515A
JPH0214515A JP16563688A JP16563688A JPH0214515A JP H0214515 A JPH0214515 A JP H0214515A JP 16563688 A JP16563688 A JP 16563688A JP 16563688 A JP16563688 A JP 16563688A JP H0214515 A JPH0214515 A JP H0214515A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
jig
chamber
thermal stress
heated
Prior art date
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Pending
Application number
JP16563688A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yukio Shima
島 幸男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP16563688A priority Critical patent/JPH0214515A/en
Publication of JPH0214515A publication Critical patent/JPH0214515A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To obtain a wafer free from a warp and a defect even when a large- diameter wafer is used by a method wherein a wafer-heating means is installed at a jig for semiconductor manufacture use in order to prevent a strong thermal stress from being exerted on the wafer. CONSTITUTION:A wafer 12 which has been placed on a jig 11 is heated gradually by using a heater 18 which has been buried in a part, holding the wafer 11, of the jig 11; it is heated in such a way that a temperature difference between an end edge part and the central part of the wafer 12 becomes zero. While this heating state is maintained, the jig 11 is shifted to the left and the wafer 12 is inserted into a chamber 13. Thereby, since the wafer 12 has already been heated when it is inserted into the chamber 13, a strong thermal stress is not exerted on the wafer 12. Accordingly, the wafer 12 is prevented from being warped heavily by the strong thermal stress and the thermal stress does not cause a defect of the wafer 12.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、半導体装置を製造する際に使用される半導
体製造用治具に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor manufacturing jig used when manufacturing a semiconductor device.

[従来の技術] 第4図は、従来の半導体製造用治具を用いた半導体製造
装置を示す断面概略図である。図において、1はウェハ
を出し入れし保持するための治具、2はウェハ、3は高
温に保持されているチャンバ、4はチャンバの温度を制
御するヒータである。
[Prior Art] FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a semiconductor manufacturing apparatus using a conventional semiconductor manufacturing jig. In the figure, 1 is a jig for loading and unloading and holding a wafer, 2 is a wafer, 3 is a chamber maintained at a high temperature, and 4 is a heater for controlling the temperature of the chamber.

従来の製造装置では、治具1によって保持されたウェハ
2を、ヒータ4で温度が制御されているチャンバ3の中
に入れることによって、ウェハ2に必要な酸化・拡散処
理などを施している。
In conventional manufacturing equipment, the wafer 2 held by a jig 1 is placed into a chamber 3 whose temperature is controlled by a heater 4, thereby subjecting the wafer 2 to necessary oxidation and diffusion treatments.

[発明が解決しようとする課題] 従来の半導体製造装置は以上のように構成されているの
で、治具によってチャンバ内に入れたりチャンバから出
したりする際、ウェハの端縁部と中央部との間に温度差
が生じる。このため、特に大径化されたウェハにおいて
は、その;H度差に基づく熱応力によって反りが生じた
り、またその熱応力が欠陥の原因となったりする。
[Problems to be Solved by the Invention] Conventional semiconductor manufacturing equipment is configured as described above, so when the wafer is placed into or taken out of the chamber using a jig, the edges and center of the wafer are A temperature difference occurs between them. For this reason, especially in a wafer having a large diameter, the thermal stress based on the temperature difference causes warping, and the thermal stress causes defects.

この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、チャンバに対してウェハを入れる際にウェ
ハ内の温度差を小さくすることのできる半導体製造用治
具を提供することを目的とする。
This invention was made to solve the above-mentioned problems, and aims to provide a semiconductor manufacturing jig that can reduce the temperature difference within the wafer when the wafer is placed in the chamber. purpose.

[課題を解決するための手段] 本発明に係る半導体製造用治具は、高温に保持されてい
るチャンバに対してウェハを出し入れするための半導体
製造用治具であって、ウェハを保持する部分にウェハ加
熱手段を有している。
[Means for Solving the Problems] A semiconductor manufacturing jig according to the present invention is a semiconductor manufacturing jig for loading and unloading a wafer into a chamber maintained at a high temperature, and includes a portion that holds the wafer. It has wafer heating means.

[作用コ 本発明に係る半導体製造用治具では、ウェハをチャンバ
内に入れる際に、加熱手段により予めウェハを加熱して
おくことによりチャンバとウェハとの温度差を小さくす
ることができる。このため、チャンバ内に入れられたウ
ェハの温度が急激に上がり、ウェハの端縁部と中央部と
の間に大きな温度差が生じてウェハに反りが生じたり、
熱応力によって欠陥が発生したりすることはなくなる。
[Function] In the semiconductor manufacturing jig according to the present invention, the temperature difference between the chamber and the wafer can be reduced by heating the wafer in advance by the heating means when the wafer is placed in the chamber. As a result, the temperature of the wafer placed in the chamber rises rapidly, creating a large temperature difference between the edges and the center of the wafer, causing the wafer to warp.
Defects no longer occur due to thermal stress.

[実施例] 以下、この発明の一実施例について説明する。[Example] An embodiment of the present invention will be described below.

第1図は、ウェハを処理する前において温度補正を行な
うときの状態を示す断面図である。第2図は、ウェハを
保持し出し入れする治具の断面概略図である。
FIG. 1 is a sectional view showing a state when temperature correction is performed before processing a wafer. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a jig for holding and loading/unloading wafers.

第1図において、治具11には多数枚のウェハ12が間
隔を隔てて立てられている。治具11の前方(第1図の
左方)には、高温に加熱されたチャンバ13が配置され
ている。チャンバ13は、抵抗加熱方式のヒータ14に
よって高温に保持されている。
In FIG. 1, a large number of wafers 12 are stood on a jig 11 at intervals. A chamber 13 heated to a high temperature is arranged in front of the jig 11 (on the left side in FIG. 1). The chamber 13 is maintained at a high temperature by a resistance heating type heater 14.

治具11に保持されたウェハ12の上には、熱電対15
.16が配置されている。そのうち熱電対15は、ウェ
ハ12の端縁部の温度を計るための熱電対である。熱電
対16はウェハ12の中央部の温度を計るための熱電対
である。
A thermocouple 15 is mounted on the wafer 12 held by the jig 11.
.. 16 are arranged. The thermocouple 15 is a thermocouple for measuring the temperature of the edge of the wafer 12. The thermocouple 16 is a thermocouple for measuring the temperature at the center of the wafer 12.

一方、チャンバ13の入口近くには、冷却ガス供給口1
7が設けられている。冷却ガス供給口17からは、たと
えばN2などの不活性ガスがチャンバ13内に導入され
得るようになっている。
On the other hand, a cooling gas supply port 1 is located near the entrance of the chamber 13.
7 is provided. An inert gas such as N 2 can be introduced into the chamber 13 through the cooling gas supply port 17 .

前記治具11のウェハ12を保持する部分内には、第2
図に示すように、ヒータ18が埋込まれている。このヒ
ータ18は、治具11に載せられたウェハ12を加熱す
るためのものである。
In the portion of the jig 11 that holds the wafer 12, a second
As shown in the figure, a heater 18 is embedded. This heater 18 is for heating the wafer 12 placed on the jig 11.

次に、前記実施例の作動を説明する。Next, the operation of the above embodiment will be explained.

ウェハ12の処理を行なう前に、まず温度補正を行なう
。第1図のように、熱電対15および16を配置し、熱
電対15によってウェハ12の端縁部の温度を、熱電対
16によってウェハ12の中央部の温度をそれぞれ測定
し、両箇所の温度差をモニタする。一方、ヒータ18に
よってウェハ12を徐々に加熱し、ウェハ12の端縁部
と中央部との温度差が零になるように加熱する。その加
熱状態を維持しながら、治具11を第1図の左方に移動
させてウェハ12をチャンバ13内に挿入する。
Before processing the wafer 12, temperature correction is first performed. Thermocouples 15 and 16 are arranged as shown in FIG. Monitor the difference. On the other hand, the wafer 12 is gradually heated by the heater 18 so that the temperature difference between the edge portion and the center portion of the wafer 12 becomes zero. While maintaining the heated state, the jig 11 is moved to the left in FIG. 1 and the wafer 12 is inserted into the chamber 13.

チャンバ13内でのウェハ12の処理が終われば、冷却
ガス供給口17から冷却ガスをチャンバ13内に導入す
る。これによりウェハ12を予め成る程度冷却した後、
治具11を第1図の右側へ移動させる。。
When the processing of the wafer 12 in the chamber 13 is completed, cooling gas is introduced into the chamber 13 from the cooling gas supply port 17 . After cooling the wafer 12 to a certain extent in advance,
Move the jig 11 to the right side in FIG. .

上述のような温度補正のためのモニタリングを行なった
後、現実に処理が必要なウェハ12を冶具11に載せ、
熱雷対15および16は使用せずに、上述と同様の動作
を行なう。これにより、ウェハ12は、チャンバ13に
挿入される際には既に加熱されていることになって、強
い熱応力がウェハ12に対し働くことがない。また、チ
ャンバ13からウェハ12を取出す際には、冷却ガスの
作用によってウェハ12が予め成る程度冷却されること
から、強い熱応力がウェハ12に働くことはない。した
がって、強い熱応力によってウェハ12に強い反りが生
じたり、その熱応力がウェハ12の欠陥の原因となった
りすることはない。
After monitoring for temperature correction as described above, the wafer 12 that actually needs to be processed is placed on the jig 11.
The same operation as described above is performed without using the thermal lightning pairs 15 and 16. As a result, the wafer 12 is already heated when it is inserted into the chamber 13, and no strong thermal stress is applied to the wafer 12. Further, when taking out the wafer 12 from the chamber 13, the wafer 12 is cooled to a certain degree by the action of the cooling gas, so that no strong thermal stress is applied to the wafer 12. Therefore, strong thermal stress does not cause strong warping of the wafer 12, and the thermal stress does not cause defects in the wafer 12.

なお第2図に示すヒータ18に代えて、第3図に示すよ
うに、治具11に加熱用ランプ19を取付け、このラン
プ19によってウェハ12を加熱するようにしても、上
記実施例と同様の効果を奏することができる。また、冷
却ガス供給口17の位置は、チャンバ13の入口側に限
られることはなく、熱電対15および16に直接ガスが
かかるような位置以外であれば、チャンバ13内の均熱
帯よりも炉口側のどの位置であってもよい。
Note that instead of the heater 18 shown in FIG. 2, a heating lamp 19 may be attached to the jig 11 as shown in FIG. 3, and the wafer 12 may be heated by this lamp 19, in the same manner as in the above embodiment. It is possible to achieve the following effects. Further, the position of the cooling gas supply port 17 is not limited to the inlet side of the chamber 13, and if it is not in a position where the gas is directly applied to the thermocouples 15 and 16, the position of the cooling gas supply port 17 is not limited to the inlet side of the chamber 13. It can be placed anywhere on the mouth side.

[発明の効果] 以上のようにこの発明によれば、ウェハ加熱手段を半導
体製造用治具に設けたことから、ウェハに強い熱応力が
かかることが防止できるようになる。したがって、ウェ
ハ面内の温度分布がウェハ出し入れ時でも均一になるよ
うに処理できるようになり、大径化されたウェハを使用
した場合でも反りや欠陥のないウェハを得ることが可能
となる。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, since the wafer heating means is provided in the semiconductor manufacturing jig, it is possible to prevent strong thermal stress from being applied to the wafer. Therefore, it becomes possible to process the wafer so that the temperature distribution within the wafer surface becomes uniform even when the wafer is taken in and out, and even when a wafer with a large diameter is used, it becomes possible to obtain a wafer without warpage or defects.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明の一実施例に係る治具を使用した半導
体製造装置の縦断面概略図である。第2図は本発明の一
実施例に係る治具の縦断面概略図である。第3図は、別
の実施例に係る半導体製造用治具の縦断面概略図である
。第4図は、従来例の第1図に相当する図である。 11は治具、12はウェハ、13はチャンバ、18はヒ
ータである。
FIG. 1 is a schematic vertical cross-sectional view of a semiconductor manufacturing apparatus using a jig according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic vertical cross-sectional view of a jig according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a schematic vertical cross-sectional view of a semiconductor manufacturing jig according to another embodiment. FIG. 4 is a diagram corresponding to FIG. 1 of the conventional example. 11 is a jig, 12 is a wafer, 13 is a chamber, and 18 is a heater.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 高温に保持されているチャンバに対してウェハを出し入
れするための半導体製造用治具であって、ウェハ保持部
分にウェハ加熱手段を有している半導体製造用治具。
A semiconductor manufacturing jig for loading and unloading a wafer into a chamber maintained at a high temperature, the semiconductor manufacturing jig having a wafer heating means in a wafer holding part.
JP16563688A 1988-06-30 1988-06-30 Jig for semiconductor manufacture use Pending JPH0214515A (en)

Priority Applications (1)

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JP16563688A JPH0214515A (en) 1988-06-30 1988-06-30 Jig for semiconductor manufacture use

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JPH0214515A true JPH0214515A (en) 1990-01-18

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JP16563688A Pending JPH0214515A (en) 1988-06-30 1988-06-30 Jig for semiconductor manufacture use

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