JPH02145355A - thermal head - Google Patents

thermal head

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Publication number
JPH02145355A
JPH02145355A JP29807388A JP29807388A JPH02145355A JP H02145355 A JPH02145355 A JP H02145355A JP 29807388 A JP29807388 A JP 29807388A JP 29807388 A JP29807388 A JP 29807388A JP H02145355 A JPH02145355 A JP H02145355A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
shift register
substrate
thermal head
common electrode
heating resistor
Prior art date
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Pending
Application number
JP29807388A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Osamu Hattori
修 服部
Toshihiko Goto
敏彦 後藤
Hiroyuki Kimura
寛之 木村
Kazuhiko Ato
和彦 阿藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ビデオプリンタなどの熱転写記録装置に使用
するサーマルヘッドに関し、特に、ビデオ画像の記録に
好適なサーマルヘッドに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a thermal head used in a thermal transfer recording device such as a video printer, and particularly to a thermal head suitable for recording video images.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

ビデオ画像の記録には、従来、昇華性染料のインク紙を
用い、画像信号に応じてサーマルヘッドの各ドツトの通
電時間を制御することにより、濃度階調記録を行う方法
が用いられている。例えば。
Conventionally, video images have been recorded using a method of performing density gradation recording by using sublimable dye ink paper and controlling the energization time of each dot of a thermal head in accordance with an image signal. for example.

64段階に通電時間を変えることKより、各色64階調
の中間調記録を行っている。
By changing the energization time in 64 steps, halftone recording of 64 gradations for each color is performed.

これに用いるサーマルヘッドは、外部メモリに入力され
た画像データに応じて、シフトレジスタに1ライン分の
データを転送し、各シフトレジスタに対応する発熱抵抗
体を発熱させるため、例えば、512ドツト分のシフト
レジスタ(52ビット×16個、もしくは64ピット×
8個)と512ドツトの発熱抵抗体とを備え友薄膜型ヘ
ッドが用いられている。
The thermal head used for this transfers one line of data to the shift register according to the image data input to the external memory, and causes the heat generating resistor corresponding to each shift register to generate heat, for example, 512 dots. shift register (52 bits x 16 or 64 pits x
A thin film type head is used, which is equipped with 8 dots) and a 512 dot heating resistor.

データの転送時間を短縮し、プリント時間を短縮するた
め、従来のビデオプリンタにおいては、特開昭62−7
5955号公報に記載されるように、1ライン分の画像
データを記憶するバッファメモリをデュアルポートメモ
リにより構成し、SAM(リアルアクセスメモリ)出力
より高速で出力する方式が用いられている。この方式に
よれば、各階調での通電制御の際、転送に必要な時間に
対して発色に必要な通電時間の万が短いことによる各階
調間の通電休止時間が生じることがなく、効率よく発色
させることができ、プリント時間を短縮できる。
In order to shorten data transfer time and print time, conventional video printers
As described in Japanese Patent No. 5955, a method is used in which a buffer memory for storing one line of image data is configured with a dual port memory, and output is performed at a higher speed than SAM (real access memory) output. According to this method, when controlling the energization at each gradation, there is no energization down time between each gradation due to the energization time required for color development being shorter than the time required for transfer, and it is efficient. Color development can be achieved and printing time can be shortened.

デュアルポートメモリのRAMは、206〜8乗、例え
ば、通常256ビツト構成となっている。
The RAM of the dual port memory has a configuration of 206 to 8, for example, usually 256 bits.

例えば、二つのRAMを並列で使用し、512ビツトメ
モリとして用いられる。
For example, two RAMs can be used in parallel and used as a 512-bit memory.

これに用いるサーマルヘッドは、2人力で、256ビツ
トX2=512ビット分のシフトレジスタが必要であり
、例えば64ビ・ントのシフトレジスタを8個ヘッド基
板上に搭載したものが用いられる。
The thermal head used for this requires a shift register of 256 bits x 2 = 512 bits by two people, and for example, one in which eight 64-bit shift registers are mounted on a head substrate is used.

第9図は上記した従来のサーマルヘッドの構成を示す平
面図である。
FIG. 9 is a plan view showing the structure of the conventional thermal head described above.

第9図において、24は512ドツト−列に形成された
発熱抵抗体列、25はシフトレジスタ、ラッチ、スイッ
チ回路が組み込まれた駆動用のIC(以下、シフトレジ
スタと称する)である。
In FIG. 9, numeral 24 is a heat generating resistor array formed in a 512-dot array, and numeral 25 is a driving IC (hereinafter referred to as a shift register) in which a shift register, latch, and switch circuit are incorporated.

発熱抵抗体およびシフトレジスタは、同一の毎ラミック
基板26上に設けられている。シフトレジスタ25は、
32ビツトもしくは64ビツトである。
The heating resistor and the shift register are provided on the same lamic substrate 26. The shift register 25 is
It can be 32 bits or 64 bits.

1個のシフトレジスタからの出力が32ドツトもしくは
64ドツト分の発熱体に並列にワイヤボンディング27
4Cよシ接続されてbる0例えば、シフトレジスタを6
4と・ントとすると、512÷64=8個のシフトレジ
スタが搭載されており、各シフトレジスタと発熱抵抗体
とを結ぶ一定の配線パターン2Bが8回縁シ返されて5
12ドツトすべてに接続されるように配線されている。
The output from one shift register is wire bonded 27 in parallel to the heating element for 32 or 64 dots.
For example, shift register 6 is connected to 4C.
4, then 512÷64=8 shift registers are installed, and the fixed wiring pattern 2B connecting each shift register and the heating resistor is turned around 8 times to form 5.
It is wired to be connected to all 12 dots.

この配線パターン28は、発熱抵抗体24からシフトレ
ジスタ内部までの配線抵抗が一定となるように設計され
ていることは言うまでもない。
Needless to say, this wiring pattern 28 is designed so that the wiring resistance from the heating resistor 24 to the inside of the shift register is constant.

このような従来のサーマルヘッドでは、シフトレジスタ
実装上の制約により、発熱抵抗体列24の長さLrが1
番目(左端)のシフトレジスタから8番目(右端)のシ
フトレジスタまでの占有長さり、より長くならざるをえ
ない。
In such a conventional thermal head, the length Lr of the heating resistor array 24 is 1 due to constraints on shift register implementation.
The occupied length from the 8th (leftmost) shift register to the 8th (rightmost) shift register cannot help but become longer.

また1画像のプリントは1文字のプリントと異なり、記
録媒体の面積の大部分を発色させる必要があるため、サ
ーマルヘッドの全ドツトを同時に発熱させる必要がある
。このため、サーマルヘッドの通電電流が大とな9、コ
モン電極配線の抵抗分による電圧降下が無視できなくな
る。コモン電極抵抗が大きいと、プリント画面に濃度む
らが生じ1画質が著しく劣化する。
Also, unlike printing one character, printing one image requires coloring most of the area of the recording medium, so all dots of the thermal head must generate heat at the same time. For this reason, the current flowing through the thermal head becomes large9, and the voltage drop due to the resistance of the common electrode wiring cannot be ignored. If the common electrode resistance is large, density unevenness will occur on the printed screen and the quality of one image will be significantly degraded.

コモン電極抵抗を充分小さくするためには、幅広のコモ
ン電極29および30を発熱抵抗体列240両側および
上側に設ける必要がある。そのためには、セラミック基
板26の横幅Lhを、シるをえない。
In order to sufficiently reduce the common electrode resistance, it is necessary to provide wide common electrodes 29 and 30 on both sides and above the heating resistor row 240. For this purpose, the width Lh of the ceramic substrate 26 must be changed.

また、従来のサーマルヘッドは、シフトレジスタ25が
発熱抵抗体24と同一のセラミック基板26上に搭載さ
れている。このセラミック基板26は、外部からq入力
コネクタ51.32および配線部を設けたフレキシブル
プリント基板(FPCと略す)33を、セラミック基板
26上の配線と圧着接続させる構成となっている。
Further, in the conventional thermal head, the shift register 25 is mounted on the same ceramic substrate 26 as the heating resistor 24. This ceramic board 26 has a configuration in which a flexible printed circuit board (abbreviated as FPC) 33 provided with a q input connector 51, 32 and a wiring section is connected to the wiring on the ceramic board 26 by pressure bonding from the outside.

このため、第9図に示すように、セラミック基板26の
縦幅W、も約50箇程度必要となり、上記したLhが大
きいことと相まって、セラミック基板が大きくなシ、基
板自体の材料費の増大や、薄膜装置1台あたシのヘッド
生産数の減少などの理由により、サーマルヘッドの高コ
スト化の最大の原因となってい友、シたがって、サーマ
ルヘッドを低コスト化しようとすると、コモン電極の幅
W、、W4を小さくせざるを得す、コモン配線抵抗が大
きくなるため、プリントの画質が劣化するという問題が
あっ次。
For this reason, as shown in FIG. 9, the vertical width W of the ceramic substrate 26 is also required to be approximately 50 points, and coupled with the above-mentioned large Lh, the ceramic substrate becomes large and the material cost of the substrate itself increases. This is the biggest cause of the high cost of thermal heads due to reasons such as the decrease in the number of heads produced per thin film device. Since the electrode widths W, W4 have to be made smaller, the common wiring resistance increases, which causes the problem of deterioration of the print quality.

セラミック基板を小形化するために、コモン電極を、基
板の裏面および上端面に形成したサーマルヘッドも知ら
れている。しかし、このサーマルヘッドは、基板を小さ
くできる反面、構成が複雑とな9、製造工程が煩雑化し
、コスト低減にはつながらないという問題があった。
A thermal head is also known in which a common electrode is formed on the back surface and the upper end surface of the substrate in order to downsize the ceramic substrate. However, although this thermal head allows the substrate to be made smaller, it has a problem in that it has a complicated structure9 and the manufacturing process is complicated, which does not lead to cost reduction.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

従来のサーマルヘッドは、入力データ数(512)に対
応する512ビツトのシフトレジスタトfifl数の発
熱抵抗体を有してお9、また、−枚のセラミック基板上
に発熱抵抗体とシフトレジスタとを設けていたため、セ
ラミック基板の大形化が避けられなかった。
The conventional thermal head has 9 heat-generating resistors in a 512-bit shift register corresponding to the number of input data (512), and the heat-generating resistors and shift registers are arranged on - ceramic substrates. , the size of the ceramic substrate was unavoidable.

ところで、NTSC方式のビデオ画像のプリントを考え
友場合、有効走査線数は約482本であシ、さらに、V
’l’Rm壕のプリント時に生ずるスイッチングノイズ
を印画しないようにするには、468本程度の画素数で
十分である。
By the way, if you are planning to print an NTSC video image, the effective number of scanning lines is approximately 482, and the V
In order to avoid printing switching noise that occurs when printing 'l'Rm trenches, a number of pixels of about 468 is sufficient.

本発明の目的は、この点に鑑み、必要十分な発熱抵抗体
数と、高速記録を行うに必要なシフトレ抗を十分小さく
でき、かつ、セラミック基板面積を最小限に小さくでき
る、低コストで高性能の得られるサーマルヘッドを提供
することにある。
In view of this, an object of the present invention is to provide a low-cost, high-performance device that can sufficiently reduce the necessary and sufficient number of heating resistors, the shift resistance necessary for high-speed recording, and minimize the area of the ceramic substrate. Our goal is to provide a thermal head that provides high performance.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

上記目的を達成するため、本願は、課題を解決するため
の手段として次の発明を提供する。
In order to achieve the above object, the present application provides the following invention as a means for solving the problems.

第1の発明は、 複数ドツトの発熱抵抗体からなる発熱抵抗体列と、この
発熱抵抗体列の両端にそれぞれ近接するコモン電極とを
第1の基板上に設け、発熱抵抗体に対応するビットを有
するシフトレジスタを第2の基板上に設け、両基板を突
き合わせて、発熱抵抗体列を形成する各発熱抵抗体と、
シフトレジスタの出力とをワイヤボンディングにより接
続する構成のサーマルヘッドにおいて、 発熱抵抗体列は、これを構成する発熱抵抗体をシフトレ
ジスタのビット数より少ない数として設け、そのビット
数を減らした分、コモン電極を、その幅を広くして設け
る構成とする。
The first invention provides a heat generating resistor array consisting of a plurality of dots of heat generating resistors and a common electrode adjacent to each end of the heat generating resistor array on a first substrate, and bits corresponding to the heat generating resistors. A shift register having a heat generating resistor is provided on a second substrate, and both substrates are butted together to form a heat generating resistor array;
In a thermal head configured to connect the output of a shift register by wire bonding, the number of heating resistors constituting the row of heating resistors is less than the number of bits of the shift register, and the number of heating resistors is reduced by the number of bits reduced. The common electrode is provided with a wide width.

第2の発明は、 第1の発明において、第1の基板に、N個の発熱抵抗体
により構成される発熱抵抗体列と、その両端に各々幅W
1のコモン電極とを設け、かつ、第2の基板に、nビッ
ト×m個(ただし、N <n×m)のビット数を有する
シフトレジスタ列と、このシフトレジスタ列の両端に各
々@W、のコモン電極とを設け、シフトレジスタ列の一
端側からaピット分、および、他端側からbピット分(
ただし、a+b=n×m−N)を、各々発熱抵抗体と非
接続として、コモン電極幅をW、≧W2となるように構
成することを特徴とする。
A second invention is based on the first invention, wherein the first substrate has a heat generating resistor row constituted by N heat generating resistors, and a width W at each end thereof.
1 common electrode, and a shift register row having a number of bits of n bits×m (however, N < n×m) on the second substrate, and @W on both ends of this shift register row , and a common electrode for a pit from one end of the shift register row and a pit for b from the other end (
However, it is characterized in that a+b=n×m−N) are each not connected to the heating resistor, and the common electrode width is configured to be W, ≧W2.

ま九、本願は、次の第3発明を提供する。Ninth, the present application provides the following third invention.

すなわち、第3発明は、 発熱抵抗体列を第1の基板上に、シフトレジスタ列を第
2の基板上に設けると共に、発熱抵抗体列およびその配
線パターンが占める長さLrを、シフトレジスタ列が占
有長さLsに対してL1≦L、とし、発熱抵抗体列の両
脇に近接して設けるコモン電極の幅W、を、シフトレジ
スタの両脇に近接して設けるコモン電極のa W、に対
してW、≧W2となるように構成することを特徴とする
That is, in the third invention, the heating resistor array is provided on the first substrate, the shift register array is provided on the second substrate, and the length Lr occupied by the heating resistor array and its wiring pattern is determined by the shift register array. L1≦L with respect to the occupied length Ls, and the width W of the common electrode provided close to both sides of the heating resistor row is a W of the common electrode provided close to both sides of the shift register, It is characterized in that it is configured such that W, ≧W2.

さらに、本願は、上記各発明を基礎とする第4〜第7の
発明を提供する。
Furthermore, the present application provides fourth to seventh inventions based on the above-mentioned inventions.

第4の発明は、上記第2または第3の発明を基礎とする
もので、 シフトレジスタ列の左端および右端にある、発熱抵抗体
と接続されない出力パッドの部分と対峙させて、第1の
基板上にコモン電極を形成して、W、>W2とすること
を特徴とする。
A fourth invention is based on the second or third invention, in which the first substrate is placed facing the output pad portions that are not connected to the heating resistor and are located at the left and right ends of the shift register array. It is characterized in that a common electrode is formed thereon so that W,>W2.

第5の発明は、上記第2または第3の発明を基礎とする
もので、 第2の基板上のシフトレジスタ列の左端および右端に位
置するシフトレジスタを、サーマルヘッドの内側にオフ
セットして設けることを特徴とする。
A fifth invention is based on the second or third invention, wherein the shift registers located at the left and right ends of the shift register row on the second substrate are provided offset to the inside of the thermal head. It is characterized by

第6の発明は、上記第1、第2.第3、第4または第5
の発明を基礎とするもので。
A sixth invention is based on the first, second, and the like described above. 3rd, 4th or 5th
It is based on the invention of

第1の基板の上面と、シフトレジスタの上面とがほぼ同
一高さになるように、i@1の基板と第2の基板とを段
差をも危せてつき合わせて、各発熱抵抗体とシフトレジ
スタ出力、ならびに、各コモン電極間を接続することを
特徴とする。
The i@1 board and the second board are brought into contact with each other by placing the i@1 board and the second board together, taking care to avoid the difference in level, so that the top surface of the first board and the top surface of the shift register are approximately at the same height. It is characterized by connecting the shift register output and each common electrode.

第7の発明は、上記第1.第2.第3.第4゜第5また
は第6の発明を基礎とするもので、第1の基板をセラミ
ック基板とし、第2の基板を非セラミック基板とする。
A seventh invention is the above-mentioned first invention. Second. Third. 4th degree Based on the fifth or sixth invention, the first substrate is a ceramic substrate and the second substrate is a non-ceramic substrate.

上記した発明のさらに詳細な態様を例示すれば、次の通
りである。
More detailed embodiments of the invention described above are as follows.

第1の基板としてセラミック基板を用い、このセラミッ
ク基板上に発熱抵抗体を設け、第2の基板として、例え
ば、ガラスエポキシ基板等の非セラミック基板を用い、
この基板上にシフトレジスタを設ける0両基板をつき合
わせて、各発熱体とシフトレジスタ出力とをワイヤボン
ディングにょプ接続するヘッド構成とする0発熱抵抗体
数は、シフトレジスタのビット数(例えば512)より
少ないドツト数(例えば468〜480ドツト)とし、
シフトレジスタは、出力パッドが発熱抵抗体列と平行な
一辺に設けられている形式のもの(例えば32ビツトも
しくは64ビツトのもの)′f:16個もしくは8個搭
載する。これにより、発熱抵抗体列の長さをシフトレジ
スタ列の左端から右端までの占有長さよシも短くする。
A ceramic substrate is used as the first substrate, a heating resistor is provided on the ceramic substrate, and a non-ceramic substrate such as a glass epoxy substrate is used as the second substrate,
A shift register is provided on this board.The two boards are brought together and a head configuration is made in which each heating element and the shift register output are connected by wire bonding.The number of heating resistors is the number of bits of the shift register (for example, 512 ) with a smaller number of dots (for example, 468 to 480 dots),
The shift register is of a type in which an output pad is provided on one side parallel to the row of heating resistors (for example, a 32-bit or 64-bit one)'f: 16 or 8 shift registers are mounted. This makes the length of the heating resistor row shorter than the occupied length from the left end to the right end of the shift register row.

また、左端のシフトレジスタのaビット分ト右端のシフ
トレジスタのbピット分とを、発熱抵抗体と接続しない
ように構成し、468〜480ドツト分だけを発熱抵抗
体と接続する。
Further, the a bits of the leftmost shift register and the b pits of the rightmost shift register are configured not to be connected to the heating resistor, and only 468 to 480 dots are connected to the heating resistor.

一方、コモン電極は、発熱抵抗体列の両側に近接させて
、薄膜のコモン電極をセラミック基板上に設けると共に
、シフトレジスタ列の両側に近接させて、厚膜のコモン
電極をガラスエポキシ基板上に設け、両者を接続する。
On the other hand, for the common electrodes, a thin film common electrode is provided on a ceramic substrate close to both sides of the heat generating resistor row, and a thick film common electrode is provided on a glass epoxy substrate close to both sides of the shift register row. and connect the two.

シフトレジスタの、発熱抵抗体と接続されまい出力パッ
ド領域と対峙するようにセラミック基板上に薄膜コモン
電極を形成することにより、最小限の基板幅で、厚膜コ
モン電極より幅広で抵抗値が十分小なる薄膜コモン電極
を形成する。
By forming a thin film common electrode on a ceramic substrate so as to face the output pad area of the shift register without being connected to the heat generating resistor, it is possible to achieve a width that is wider than a thick film common electrode and has a sufficient resistance value with a minimum substrate width. Form a small thin film common electrode.

〔作用〕[Effect]

発熱抵抗体数を1画像プリントに必要かつ十分な数、例
えば468〜480ドツトにとどめ、その両側に近接さ
せて、薄膜コモン電極を第1の基板上に設けるとともに
、シフトレジスタを低コストな別の第2の基板上に搭載
し、左右に非接続のビットを設けたことにより、第1の
基板の横幅を大きくすることなく幅広の薄膜コモン電極
を設けることができる。″また、第1の基板の縦方向幅
も小さくできる。したがって、薄膜;モン電極の抵抗値
を十分小さくすることができる。しかも、辷れと厚膜の
コモン電極とを接続するので、ヘッド全体のコモン電極
抵抗を、従来の薄膜ヘッドよりも小さくすることが容易
となシ、プリント画質を向上させることができる。
The number of heating resistors is kept to the necessary and sufficient number for printing one image, for example, 468 to 480 dots, and thin film common electrodes are provided on the first substrate in close proximity to both sides of the heating resistors, and a shift register is provided at a low cost. By mounting it on the second substrate and providing unconnected bits on the left and right sides, a wide thin film common electrode can be provided without increasing the width of the first substrate. ``Also, the vertical width of the first substrate can be reduced.Therefore, the resistance value of the thin film common electrode can be made sufficiently small.Furthermore, since the width of the thin film common electrode is connected to the thick film common electrode, the entire head The common electrode resistance of the head can be easily made smaller than that of a conventional thin film head, and the print quality can be improved.

さらに、第1の基板は、縦方向、横方向ともに小さくで
き、従来の172以下の基板面積にできるため、大幅な
低コスト化を実現できる。
Furthermore, the first substrate can be made smaller in both the vertical and horizontal directions, and the area of the first substrate can be reduced to 172 mm or less than the conventional substrate area, so that a significant cost reduction can be achieved.

−万、シフトレジスタは、512ビツト分設けであるの
で、従来のデエアルボートメモリを用いることができ、
高速プリントが可能である。
- Since the shift register is provided for 512 bits, it is possible to use a conventional D-Arbort memory.
High-speed printing is possible.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は本発明のサーマルヘッドの一実施例の全体を示
す平面図、第2図は第1図に示したサーマルヘッドの主
要部を拡大して示す平面図、第3図は第1図に示したサ
ーマルヘッドのA−A断面を示す断面図である。
FIG. 1 is a plan view showing an entire embodiment of the thermal head of the present invention, FIG. 2 is a plan view showing an enlarged main part of the thermal head shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a plan view showing the main part of the thermal head shown in FIG. 1. FIG. 3 is a cross-sectional view showing the AA cross section of the thermal head shown in FIG.

第1図ないし第3図において、1はセラミック基板、2
はガラスエポキシ基板等の非セラミック基板である0両
基板は、アルミ板等よりなるヒートシンク3上でつき合
わされ、固定されている。
In Figures 1 to 3, 1 is a ceramic substrate, 2
Both substrates, which are non-ceramic substrates such as glass epoxy substrates, are butted and fixed on a heat sink 3 made of an aluminum plate or the like.

4は、468〜480ドツトの発熱抵抗体が一列に形成
された、長さLrの発熱抵抗体列であり、幅が約111
1mのカマボコ状断面を有する部分グレーズ(ガラス層
)5上に形成されている。なお、部分グレーズ5は、第
2図に示すように、セラミック基板1の側端まで形成さ
れていてさしつかえない。
4 is a heating resistor row with a length Lr, in which heating resistors of 468 to 480 dots are formed in a row, and a width of about 111
It is formed on a partial glaze (glass layer) 5 having a semicylindrical cross section of 1 m. Note that the partial glaze 5 may be formed up to the side edges of the ceramic substrate 1, as shown in FIG.

6は非セラミツク基板20発熱抵抗体列4と平行な一辺
に近接して設けられたシフトレジスタ(ラッチ、スイッ
チ等を含む)である。その出力パッドは、発熱抵抗体列
4と平行な一辺7に沿って設けられている。
Reference numeral 6 denotes a shift register (including latches, switches, etc.) provided close to one side of the non-ceramic substrate 20 parallel to the heating resistor array 4. The output pad is provided along one side 7 parallel to the heating resistor array 4.

8はセラミック基板上、各発熱抵抗体からシフトレジス
タ出力との接続部に至る配線パターンである0個々の配
線抵抗値は、シフトレジスタ内部の配線抵抗値も含めて
ほぼ一定になるように設計されることは言うまでもない
、シフトレジスタの出力パッドと各発熱抵抗体からの配
線とは、基板のつぎ目9をまたぐように、ワイヤ4oに
よってワイヤボンディングされている。
8 is the wiring pattern on the ceramic substrate from each heating resistor to the connection part with the shift register output. 0The individual wiring resistance values, including the wiring resistance value inside the shift register, are designed to be almost constant. Needless to say, the output pad of the shift register and the wiring from each heating resistor are wire-bonded by the wire 4o so as to straddle the seam 9 of the board.

本発明のサーマルヘッドにおいては、シフトレジスタは
、256ビツトのデ為アルポートメモリからデータ入力
できるように、512ビット分設けられている0例えば
、32ビツトのシフトレジスタが16個搭載されている
0発熱抵抗体は、468〜480ドツトであるので、第
1図および第2図に示すように、最も左端のシフトレジ
スタの中の左端からaビット(例えば16ビツト)、お
よび、最奄右端のシフトレジスタの中の右端からbビッ
ト(例えば16ビツト)は、出力オープンとし、発熱抵
抗体と接続しない。
In the thermal head of the present invention, the shift register is provided with 512 bits so that data can be input from the 256-bit default port memory.For example, 16 32-bit shift registers are installed in the shift register. Since the resistor is 468 to 480 dots, as shown in FIGS. 1 and 2, a bit (for example, 16 bits) from the leftmost shift register and the rightmost shift register The b bits (for example, 16 bits) from the right end are output open and not connected to the heating resistor.

このように構成すれば、発熱抵抗体からシフトレジスタ
に至る配線パターン8のうち、左端aビットと右端bビ
ット分が不要となる。その結果、左端のシフトレジスタ
から右端のシフトレジスタまでのシフトレジスタ列の占
有長さり、よりも、発熱抵抗体列およびその配線パター
ンが占める長さLrを短くすることができる。
With this configuration, of the wiring pattern 8 from the heating resistor to the shift register, the left end a bit and the right end b bit become unnecessary. As a result, the length Lr occupied by the heating resistor array and its wiring pattern can be made shorter than the length occupied by the shift register array from the leftmost shift register to the rightmost shift register.

とζろで、ビデオプリンタ用のサーマルヘッドにおいて
は、前記したように、サーマルヘッドの通電電流が大き
いため、サーマルヘッド内のコモン電極配線の抵抗分に
よる電圧降下が無視できない。これについて第4図を用
いて説明する。
In the case of a thermal head for a video printer, as described above, since the current flowing through the thermal head is large, the voltage drop due to the resistance of the common electrode wiring within the thermal head cannot be ignored. This will be explained using FIG. 4.

第4図において、11はヘッド電源端子であり、電圧v
hが印加される。R1はガラスエポキシ基板あるいはF
PC基板12上に形成され友厚膜コモン電極13の配線
抵抗、R2,R,はそれと接続されるセラミック基板1
4上の薄膜コモン電極15の配線抵抗であり、R2は両
サイドの、R5は上側の薄膜コモン電極抵抗を表わす、
これらは分布抵抗であるが、便宜上−つの抵抗として表
わしである。Roは発熱抵抗体16の抵抗値、17はシ
フトレジスタのデータに応じて通電と非通電とをコント
ロールするスイッチ、18はアース端子である。
In FIG. 4, 11 is a head power supply terminal, and the voltage v
h is applied. R1 is a glass epoxy substrate or F
The wiring resistance, R2, R, of the thick film common electrode 13 formed on the PC board 12 is the ceramic substrate 1 connected thereto.
4, R2 represents the resistance of the thin film common electrode 15 on both sides, and R5 represents the resistance of the upper thin film common electrode.
These are distributed resistances, but for convenience they are expressed as one resistance. Ro is the resistance value of the heating resistor 16, 17 is a switch that controls energization and de-energization according to the data of the shift register, and 18 is a ground terminal.

いま、ヘッド電源端子11に電圧vhが印加され、電流
Ihがながれたとすると、最も左端の発熱抵抗体に至る
までに、コモン電極抵抗により(R1+ R2) X 
I hの電圧降下が生じることになる。ヘッド中央の発
熱抵抗体に至るまでには、(R,+R2+R,/2 )
X Ihの電圧降下が生じることになる(念だし、IC
内部でのロスは無視する)。
Now, if voltage vh is applied to head power supply terminal 11 and current Ih flows, then (R1 + R2) X due to common electrode resistance will reach the leftmost heating resistor.
A voltage drop of I h will occur. Before reaching the heating resistor in the center of the head, (R, +R2+R, /2)
A voltage drop of X Ih will occur (just in case, the IC
internal losses are ignored).

ヘッド電流Ihは、通電ドツト数に依存し、まっ白な絵
柄からまつ黒の絵柄までさまざまに変化し、最大10ア
ンペアに達する大電流が流れる。
The head current Ih depends on the number of energized dots and varies from a pure white pattern to an eyelash black pattern, and a large current of up to 10 amperes flows.

そのため、通電ドツト数にかかわらず、個々の発熱体に
かかる電圧を一定にするためには、R5゜R,、R,を
できるだけ小さく(数十mΩ以下)することが不可欠で
ある。コモン電極抵抗の中で特に大きいのは、セラミッ
ク基板14内の薄膜コモン電極抵抗R21R,である、
 特に、大電流が流れるサイドのコモン電極15は、そ
の厚みが10μmに満たないため、コモン電極抵抗値を
10mΩのオーダに抑える九めには、幅を十分広く(例
えば4■以上)する必要がある。しかし、セラミック基
板を大きくすることはコストアップにつながるため、薄
膜コモン電極幅を十分大きくできないのが通常であった
Therefore, in order to keep the voltage applied to each heating element constant regardless of the number of energized dots, it is essential to make R5°R,,R, as small as possible (several tens of mΩ or less). Among the common electrode resistances, the thin film common electrode resistance R21R within the ceramic substrate 14 is particularly large.
In particular, the thickness of the common electrode 15 on the side where a large current flows is less than 10 μm, so in order to keep the common electrode resistance value on the order of 10 mΩ, it is necessary to make the width sufficiently wide (for example, 4 mm or more). be. However, since increasing the size of the ceramic substrate increases costs, it has usually been impossible to make the width of the thin film common electrode sufficiently large.

本発明のサーマルヘッドは、第1図および第2図からも
明らかなように、発熱抵抗体列4の長さLrが、シフト
レジスタ60列が占有長さり、よりも短い、そこで、左
端のシフトレジスタのウチ発熱抵抗体と接続されない出
力パッド領域と対峙するセラミック基板部を利用して、
発熱抵抗体列のすぐ両側に幅W、の幅広の薄膜コモン電
極19を形成することができる0両側の電極幅W、を等
しくするためには、左右の非接続パッドの数をa=bに
するのがよい、また、シフトレジスタ6を別基板上に搭
載する構成としたことにより、セラミック基板1の縦方
向幅W、を従来の1/2以下(例えば12〜I S m
+ )にできるため、W、を従来はど幅広忙しなくても
、コモン電極抵抗値を十分に小さくできる。
As is clear from FIGS. 1 and 2, in the thermal head of the present invention, the length Lr of the heating resistor row 4 is shorter than the length occupied by the shift register 60 row. By using the ceramic substrate part that faces the output pad area that is not connected to the heating resistor inside the resistor,
A wide thin film common electrode 19 with a width W can be formed immediately on both sides of the heating resistor row. In order to equalize the electrode width W on both sides, the number of non-connecting pads on the left and right sides should be set to a = b. In addition, by mounting the shift register 6 on a separate substrate, the vertical width W of the ceramic substrate 1 can be reduced to 1/2 or less of the conventional width (for example, 12 to I S m
+ ), the common electrode resistance value can be made sufficiently small without having to make W as wide as in the past.

一方、シフトレジスタ6を搭載した非セラミック基板2
上には、左右両端のシフトレジスタ60両脇にすぐ近接
させて厚膜コモン電極20が設けられている。厚膜コモ
ン電極は、その厚さを数十μmにできるので、幅W2を
WlよIJl(例えば”2=L/2)としても、配線抵
抗値を十分小さくできる。
On the other hand, a non-ceramic substrate 2 on which a shift register 6 is mounted
On the top, thick film common electrodes 20 are provided immediately adjacent to both sides of the shift register 60 at both left and right ends. Since the thick film common electrode can have a thickness of several tens of micrometers, the wiring resistance value can be made sufficiently small even if the width W2 is set to Wl greater than IJl (for example, "2=L/2").

薄膜コモン電極19と厚膜コモン電極20とは、両基板
をまたぐように、ワイヤ41(多数)Kよりワイヤボン
ディングされている。なお、厚膜コモン電極20は、ヘ
ッド電源端子21に接続される。
The thin film common electrode 19 and the thick film common electrode 20 are wire-bonded by wires 41 (many) K so as to straddle both substrates. Note that the thick film common electrode 20 is connected to the head power supply terminal 21.

また22はシフトレジスタ6へのデータ入力端子等の信
号入力端子であり、256ビツトのデ。
Further, 22 is a signal input terminal such as a data input terminal to the shift register 6, and is a 256-bit data input terminal.

アルポートメモリを用いることを前提として、2人力に
構成されている。本発明によるサーマルヘッドを用いて
画像のプリントを行う際は、512ビツトのシフトレジ
スタのうち、発熱抵抗体と接続される468〜480ド
ツトに対応する部分に、画像データを入力してやればよ
い。
It is constructed by two people on the premise of using Alport memory. When printing an image using the thermal head according to the present invention, it is sufficient to input image data into a portion of the 512-bit shift register corresponding to 468 to 480 dots connected to the heating resistor.

第5図は本発明のサーマルヘッドによるプリント時の、
通電ドツト数によるプリント濃度の変化を示した図であ
る。
FIG. 5 shows the printing process using the thermal head of the present invention.
FIG. 3 is a diagram showing changes in print density depending on the number of energized dots.

前記したように、従来のサーマルヘッドは、薄膜コモン
電極幅を大きくすることが難しく、電極配線抵抗が大き
いため、通電ドツト数が増加するにしたがって1発熱抵
抗体にかかる電圧が低下し、発色濃度が数階調以上低下
する欠点があった。これは、例えば、第6図に示すよう
に、画面全体が同一色で発色するような(すなわち、全
ドツト通電状態に相当する)絵柄と、同一色で一部しか
発色しない(少数ドツト通電状態に相当する)絵柄とが
混在するような画像において、少数ドツト通電時の色の
方が濃くなることを意味し、画質を著しく劣化させる一
因となっていた。
As mentioned above, in conventional thermal heads, it is difficult to increase the width of the thin film common electrode and the electrode wiring resistance is high, so as the number of energized dots increases, the voltage applied to one heating resistor decreases, and the color density decreases. There was a drawback that the color level decreased by several gradations or more. For example, as shown in Figure 6, there is a pattern in which the entire screen is colored in the same color (corresponding to a state in which all dots are energized), and a pattern in which only a portion of the screen is colored in the same color (in a state in which a few dots are energized). This means that in an image in which there is a mixture of patterns (equivalent to 1), the color becomes darker when a small number of dots are energized, which is one of the causes of a significant deterioration in image quality.

これに対して、本発明のサーマルヘッドは、必要最小限
のセラミック基板を用いてコモン電極抵抗を十分小さく
するととができ、全ドツト通電時においても、濃度低下
を従来のサーマルヘッドの1/2以下に抑えることがで
き、濃度むらのない高画質を得ることができる。
In contrast, the thermal head of the present invention can sufficiently reduce the common electrode resistance by using the minimum necessary ceramic substrate, and even when all dots are energized, the concentration can be reduced to 1/2 of that of the conventional thermal head. It is possible to obtain high image quality without density unevenness.

なお、本発明のサーマルヘッドでは、468〜480本
の発熱抵抗体からの配線とシフトレジスタ出力とをワイ
ヤボンディングで結線する方法を用いている0本発明の
サーマルヘッドの発熱抵抗体のドツト密度は、ビデオ画
像の走査線数およびプリントサイズより、5〜6ドツト
/簡であり、配線の最小ピッチはたかだか10本/■で
よく、現状のワイヤボンディング技術上、難しいもので
はない。
The thermal head of the present invention uses a method of connecting the wiring from 468 to 480 heat generating resistors and the shift register output by wire bonding.The dot density of the heat generating resistors of the thermal head of the present invention is as follows. , based on the number of scanning lines of a video image and the print size, it is 5 to 6 dots/simplified, and the minimum wiring pitch may be at most 10 lines/square, which is not difficult based on the current wire bonding technology.

t7t、第5図に示すように、セラミック基板1と非セ
ラミック基板2とのつき合わせ部9に、小段差を設けて
やれば、セラミック基板1の上面とシフトレジスタ6の
上面とをほぼ同一高さにすることもでき、ワイヤボンデ
ィングの作業性、精度、信頼性を向上させることもでき
る。
t7t, as shown in FIG. 5, if a small step is provided at the abutting portion 9 of the ceramic substrate 1 and the non-ceramic substrate 2, the top surface of the ceramic substrate 1 and the top surface of the shift register 6 can be placed at approximately the same height. It can also improve the workability, precision, and reliability of wire bonding.

なお、第5図において、25は発熱抵抗体列4に沿って
、その直下のヒートシンク5との間に設けられた空隙部
である。この空隙部23は、発熱抵抗体からセラミック
基板1を経てヒートシンク3に至る熱の逃げを少なくシ
1発色効率を向上させる目的で設けられたものである。
In addition, in FIG. 5, 25 is a gap provided along the heat generating resistor row 4 and between it and the heat sink 5 directly below it. This gap 23 is provided for the purpose of reducing the escape of heat from the heating resistor to the heat sink 3 via the ceramic substrate 1 and improving the coloring efficiency.

空隙部23の形状は、本実施例に限られるものではなく
、また、必ずしも発熱抵抗体列4の全長にわたって設け
る必要はなく、例えば、濃度が低下しやすい発熱体列の
左右両端部だけに空隙を設ける1など、熱設計上必要に
応じて設ければよい。
The shape of the void portion 23 is not limited to that in this embodiment, and it is not necessarily necessary to provide it over the entire length of the heating resistor array 4. For example, the void portion 23 may be provided only at both left and right ends of the heating element array where the concentration tends to decrease. 1 may be provided as necessary for thermal design.

また、第1図および第3図において、34はヘッド温度
検出用のサーミスタ、35は非セラミック基板2の配線
部とサーミスタ34との接続端子である。サーミスタ3
4の位置は、サーマルヘッドの代表温度管検出できるよ
う、ヘッド横幅方向の中央に設けられている。サーミス
タ34および、サーミスタ34からのリード線を外部に
突出させなくてもすむよう、本実施例では、ヒートシン
ク3に穴を設け、サーミスタ34を埋め込んでいる。
Further, in FIGS. 1 and 3, 34 is a thermistor for detecting head temperature, and 35 is a connection terminal between the wiring portion of the non-ceramic substrate 2 and the thermistor 34. Thermistor 3
Position 4 is provided at the center in the width direction of the head so that the representative temperature tube of the thermal head can be detected. In this embodiment, a hole is provided in the heat sink 3 and the thermistor 34 is embedded therein so that the thermistor 34 and the lead wire from the thermistor 34 do not need to protrude to the outside.

なお、発熱抵抗体と接続されないシフトレジスタ6の出
力部は、第7図に示すように、セラミック基板端部にダ
ミーパッド36を設けてワイヤボンディングしておいて
もよい、ダミーパッド66を設けても、その近傍まで、
幅W1の薄膜コモン電極19を延長して形成できるので
、上記したと同等の効果を得ることができる。
Note that the output part of the shift register 6 that is not connected to the heating resistor may be provided with a dummy pad 66, which may be wire-bonded to the end of the ceramic substrate, as shown in FIG. Also, up to the vicinity,
Since the thin film common electrode 19 having the width W1 can be formed in an extended manner, the same effect as described above can be obtained.

第7図は本発明によるサーマルへッ下の他の実施例の要
部を示す平面図であり、第2図と対応する部分には同一
の符号を付しである。
FIG. 7 is a plan view showing the main parts of another embodiment of the thermal head according to the present invention, and parts corresponding to those in FIG. 2 are given the same reference numerals.

本実施例においては、両端に位置するシフトレジスタ6
をヘッド内側にオフセットし、シフトレジスタに近接し
て設ける厚膜コモン電極幅W2を薄膜コモン電極幅W、
とほぼ等しくなるように構成したものである。この場合
、発熱抵抗体からの配線パターンのうち、オフセット部
分に対応する部分は、他の配線パターンと異なるパター
ンにする必要がある。しかし、厚膜コモン電極幅W2が
広くできるので、サーマルヘッドの全体のコモン電極抵
抗値を、さらに小さくできる利点がある。
In this embodiment, shift registers 6 located at both ends
is offset to the inside of the head, and the thick film common electrode width W2 provided close to the shift register is changed to the thin film common electrode width W,
It is constructed so that it is almost equal to . In this case, the portion of the wiring pattern from the heating resistor that corresponds to the offset portion needs to be a different pattern from other wiring patterns. However, since the thick film common electrode width W2 can be increased, there is an advantage that the overall common electrode resistance value of the thermal head can be further reduced.

また、上記した実施例は、薄膜型ヘッドとして説明した
が、発熱抵抗体およびその両脇に設けるコモン電極を、
印刷、焼成により形成する厚膜型のサーマルヘッドにも
、本発明は適用でき、同様の効果が得られることは言う
までもない。
Furthermore, although the above embodiment has been explained as a thin film head, the heat generating resistor and the common electrodes provided on both sides thereof are
It goes without saying that the present invention can also be applied to thick film type thermal heads formed by printing and baking, and similar effects can be obtained.

さらに、上記各実施例では、発熱抵抗体を搭載する基板
としてセラミック基板を用いているが、同等に使用でき
るものであれば、他の材料の基板を用いてもよい、また
、非セラミック基板としては、ガラスエポキシ基板、F
PC基板等を用いているが、同等に機能する他の材料か
らなる基板を用いることができる。
Furthermore, in each of the above embodiments, a ceramic substrate is used as the substrate on which the heating resistor is mounted, but a substrate made of other materials may be used as long as it can be used equally, or a non-ceramic substrate may be used. is a glass epoxy board, F
Although a PC board or the like is used, a board made of other materials that function equally well may be used.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、最小限の面積のセラミック基板を用い
て、ビデオ画像のプリント忙必要十分な発熱抵抗体と、
高速記録を行うに必要なビット数のシフトレジスタ、お
よび、十分抵抗値の小さい薄膜コモン電極を構成するこ
とができるので、大幅な低コスト化が実現できるととも
に、高画質が得られ、高速なプリントが可能な高性能の
サーマルヘッドを提供することができる。
According to the present invention, a ceramic substrate with a minimum area can be used to print a video image, and a heating resistor sufficient for printing a video image can be used.
Since it is possible to configure a shift register with the number of bits necessary for high-speed recording and a thin film common electrode with a sufficiently low resistance value, it is possible to realize significant cost reductions, obtain high image quality, and enable high-speed printing. It is possible to provide a high-performance thermal head that is capable of

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明によるサーマルヘッドの一実施例の全体
構成を示す平面図、第2図は第1図に記載されるサーマ
ルヘッドの主要部を示す平面図。 第5図は第1図のA−^断面因、第4図はサーマルヘッ
ドのコモン電極抵抗を示す回路図、第5図は本発明のサ
ーマルヘッドによるプリント時のプリント濃度の変化を
示すグラフ、第6図は従来のサーマルヘッドによるプリ
ント画面の一例を示す説明歯、第7図および第8図は本
発明の他の実施例の主要部を示す平面図、第9図は従来
のサーマルヘッドを示す平面図である。 1・・・・・・セラミック基板、 2・・・・・・非セラミック基板、 4・・・・・・発熱抵抗体列、 6・・・・・・シフトレジスタ、 8・・・・・・配線パターン、 9・・・・・・基板つき合わせ部。 11.21・・・・・・vIL源端子 19・・・用薄膜コモン電極、 20・旧・・厚膜コモン電極、 36・・・・・・ダミーパッド、 4 o + 41・・・・・・ワイヤ。 第1図 第20 4 梯θ棚本列 タ・・差籾フ乎、含−に合p  2t
 ・電り免玄沿賃トロ・・ シク#Lン゛スク 4p4
1・・・フ住見 3図 3・−ヒート二〉7 2・・・シフ)Lシパスク 34・・・ブーSフタ j分電F′ット枚 第40 ノ3・・・ノソ月焚フ乞〉鵠乙桐泳 ノb2#:ρpJ
氏オ、t44ミデ・・・1ネ反フシ会セ曵OlO・−2
厚斥爬コ七〉電極第
FIG. 1 is a plan view showing the overall configuration of an embodiment of the thermal head according to the present invention, and FIG. 2 is a plan view showing the main parts of the thermal head shown in FIG. 1. FIG. 5 shows the A-^ cross section of FIG. 1, FIG. 4 is a circuit diagram showing the common electrode resistance of the thermal head, and FIG. 5 is a graph showing changes in print density during printing by the thermal head of the present invention. FIG. 6 is an explanatory diagram showing an example of a print screen by a conventional thermal head, FIGS. 7 and 8 are plan views showing main parts of other embodiments of the present invention, and FIG. 9 is a diagram showing an example of a print screen by a conventional thermal head. FIG. 1...Ceramic substrate, 2...Non-ceramic substrate, 4...Heating resistor array, 6...Shift register, 8... Wiring pattern, 9...Board mating part. 11.21 Thin film common electrode for vIL source terminal 19, 20 Old thick film common electrode, 36 Dummy pad, 4 o + 41...・Wire. Fig. 1 Fig. 20 4 Ladder θ Shelf book row Ta... Difference between rice paddies, including p 2t
・Electric train rental service... Shiku#Lnsk 4p4
1... Fu Sumimi 3 Figure 3 - Heat 2〉7 2... Schiff) L Shipask 34... Boo S Lid j Distribution F' Cut Sheet No. 40 No. 3... Noso Moon Burning Fu Beg〉Ei Otogiri Nob2#:ρpJ
Mr. O, t44 Mide... 1 Ne anti-fushi meeting Sehiki OlO -2
Atsushi Retoko 7> Electrode No.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、複数ドットの発熱抵抗体からなる発熱抵抗体列と、
該発熱抵抗体列の両端にそれぞれ近接するコモン電極と
を第1の基板上に設け、上記発熱抵抗体に対応するビッ
トを有するシフトレジスタを第2の基板上に設け、両基
板を突き合わせて、各々の上記発熱抵抗体と、上記シフ
トレジスタの出力部とをワイヤボンディングにより接続
する構成のサーマルヘッドにおいて、 上記発熱抵抗体列は、上記発熱抵抗体を上記シフトレジ
スタのビット数より少ない数として設け、そのビット数
を減らした分、上記コモン電極を広くして設ける構成と
することを特徴とするサーマルヘッド。 2、上記第1の基板に、N個の上記発熱抵抗体により構
成される上記発熱抵抗体列と、その両端に各々幅W_1
の上記コモン電極とを設け、かつ、上記第2の基板に、
nビット×m個(ただし、N<n×m)のビット数を有
するシフトレジスタ列と、該シフトレジスタ列の両端に
各々幅W_2のコモン電極とを設け、上記シフトレジス
タ列の一端側からaビット分、および、他端側からbビ
ット分(ただし、a+b=n×m−N)を、各々上記発
熱抵抗体と非接続として、上記コモン電極の幅をW_1
≧W_2となるように構成することを特徴とする請求項
1記載のサーマルヘッド。 3、上記発熱抵抗体列を上記第1の基板上に、シフトレ
ジスタ列を上記第2の基板上に設けると共に、上記発熱
抵抗体列およびその配線パターンが占める長さL_rを
、上記シフトレジスタ列が占有する長さL_sに対して
L_r≦L_sとし、上記発熱抵抗体列の両脇に近接し
て設ける上記コモン電極の幅W_1を、上記シフトレジ
スタの両脇に近接して設けるコモン電極の幅W_2に対
してW_1≧W_2となるように構成することを特徴と
する請求項1記載のサーマルヘッド。 4、上記シフトレジスタ列の左端および右端にある、上
記発熱抵抗体と接続されない出力パッドの部分と対峙さ
せて、上記第1の基板上にコモン電極を形成して、W_
1>W_2とすることを特徴とする請求項2または3記
載のサーマルヘッド。 5、上記第2の基板上の上記シフトレジスタ列の左端お
よび右端に位置する上記シフトレジスタを、ヘッドの内
側にオフセットして設けることを特徴とする請求項2ま
たは3記載のサーマルヘッド。 6、上記第1の基板の上面と、上記シフトレジスタの上
面とがほぼ同一高さになるように、上記第1の基板と上
記第2の基板とを段差をもたせてつき合わせて、各々の
上記発熱抵抗体と上記シフトレジスタの出力部、ならび
に、各コモン電極間を接続することを特徴とする請求項
1乃至5のうちの1つに記載のサーマルヘッド。 7、上記第1の基板がセラミック基板であり、上記第2
の基板が非セラミック基板であることを特徴とする請求
項1乃至6のうちの1つに記載のサーマルヘッド。
[Claims] 1. A heating resistor array consisting of a plurality of dots of heating resistors;
Common electrodes adjacent to both ends of the heat generating resistor array are provided on a first substrate, a shift register having bits corresponding to the heat generating resistors is provided on a second substrate, and both substrates are butted, In a thermal head having a configuration in which each of the heating resistors and the output part of the shift register are connected by wire bonding, the heating resistor array is provided with the heating resistors in a number smaller than the number of bits of the shift register. , a thermal head characterized in that the common electrode is widened to compensate for the reduction in the number of bits. 2. On the first substrate, the heat generating resistor array is formed of N heat generating resistors, and a width W_1 is provided at each end of the heat generating resistor array.
the common electrode, and the second substrate,
A shift register row having a number of bits of n bits×m (however, N<n×m) and common electrodes each having a width of W_2 are provided at both ends of the shift register row, and a Bits and b bits from the other end (a+b=n×m-N) are not connected to the heating resistor, respectively, and the width of the common electrode is set to W_1.
The thermal head according to claim 1, characterized in that the thermal head is configured so that ≧W_2. 3. The heating resistor array is provided on the first substrate, the shift register array is provided on the second substrate, and the length L_r occupied by the heating resistor array and its wiring pattern is determined by the shift register array. L_r≦L_s with respect to the length L_s occupied by the shift register, and the width W_1 of the common electrode provided close to both sides of the heating resistor row is the width of the common electrode provided close to both sides of the shift register. The thermal head according to claim 1, wherein the thermal head is configured such that W_1≧W_2 with respect to W_2. 4. Form a common electrode on the first substrate facing the output pad portions that are not connected to the heating resistor at the left and right ends of the shift register row, and
The thermal head according to claim 2 or 3, characterized in that 1>W_2. 5. The thermal head according to claim 2 or 3, wherein the shift registers located at the left and right ends of the shift register array on the second substrate are provided offset to the inside of the head. 6. Place the first substrate and the second substrate against each other with a step so that the top surface of the first substrate and the top surface of the shift register are approximately at the same height. 6. The thermal head according to claim 1, further comprising a connection between the heating resistor, the output section of the shift register, and each common electrode. 7. The first substrate is a ceramic substrate, and the second substrate is a ceramic substrate.
7. The thermal head according to claim 1, wherein the substrate is a non-ceramic substrate.
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