JPH02145355A - サーマルヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ビデオプリンタなどの熱転写記録装置に使用
するサーマルヘッドに関し、特に、ビデオ画像の記録に
好適なサーマルヘッドに関する。

〔従来の技術〕

ビデオ画像の記録には、従来、昇華性染料のインク紙を
用い、画像信号に応じてサーマルヘッドの各ドツトの通
電時間を制御することにより、濃度階調記録を行う方法
が用いられている。例えば。

６４段階に通電時間を変えることＫより、各色６４階調
の中間調記録を行っている。

これに用いるサーマルヘッドは、外部メモリに入力され
た画像データに応じて、シフトレジスタに１ライン分の
データを転送し、各シフトレジスタに対応する発熱抵抗
体を発熱させるため、例えば、５１２ドツト分のシフト
レジスタ（５２ビット×１６個、もしくは６４ピット×
８個）と５１２ドツトの発熱抵抗体とを備え友薄膜型ヘ
ッドが用いられている。

データの転送時間を短縮し、プリント時間を短縮するた
め、従来のビデオプリンタにおいては、特開昭６２−７
５９５５号公報に記載されるように、１ライン分の画像
データを記憶するバッファメモリをデュアルポートメモ
リにより構成し、ＳＡＭ（リアルアクセスメモリ）出力
より高速で出力する方式が用いられている。この方式に
よれば、各階調での通電制御の際、転送に必要な時間に
対して発色に必要な通電時間の万が短いことによる各階
調間の通電休止時間が生じることがなく、効率よく発色
させることができ、プリント時間を短縮できる。

デュアルポートメモリのＲＡＭは、２０６〜８乗、例え
ば、通常２５６ビツト構成となっている。

例えば、二つのＲＡＭを並列で使用し、５１２ビツトメ
モリとして用いられる。

これに用いるサーマルヘッドは、２人力で、２５６ビツ
トＸ２＝５１２ビット分のシフトレジスタが必要であり
、例えば６４ビ・ントのシフトレジスタを８個ヘッド基
板上に搭載したものが用いられる。

第９図は上記した従来のサーマルヘッドの構成を示す平
面図である。

第９図において、２４は５１２ドツト−列に形成された
発熱抵抗体列、２５はシフトレジスタ、ラッチ、スイッ
チ回路が組み込まれた駆動用のＩＣ（以下、シフトレジ
スタと称する）である。

発熱抵抗体およびシフトレジスタは、同一の毎ラミック
基板２６上に設けられている。シフトレジスタ２５は、
３２ビツトもしくは６４ビツトである。

１個のシフトレジスタからの出力が３２ドツトもしくは
６４ドツト分の発熱体に並列にワイヤボンディング２７
４Ｃよシ接続されてｂる０例えば、シフトレジスタを６
４と・ントとすると、５１２÷６４＝８個のシフトレジ
スタが搭載されており、各シフトレジスタと発熱抵抗体
とを結ぶ一定の配線パターン２Ｂが８回縁シ返されて５
１２ドツトすべてに接続されるように配線されている。

この配線パターン２８は、発熱抵抗体２４からシフトレ
ジスタ内部までの配線抵抗が一定となるように設計され
ていることは言うまでもない。

このような従来のサーマルヘッドでは、シフトレジスタ
実装上の制約により、発熱抵抗体列２４の長さＬｒが１
番目（左端）のシフトレジスタから８番目（右端）のシ
フトレジスタまでの占有長さり、より長くならざるをえ
ない。

また１画像のプリントは１文字のプリントと異なり、記
録媒体の面積の大部分を発色させる必要があるため、サ
ーマルヘッドの全ドツトを同時に発熱させる必要がある
。このため、サーマルヘッドの通電電流が大とな９、コ
モン電極配線の抵抗分による電圧降下が無視できなくな
る。コモン電極抵抗が大きいと、プリント画面に濃度む
らが生じ１画質が著しく劣化する。

コモン電極抵抗を充分小さくするためには、幅広のコモ
ン電極２９および３０を発熱抵抗体列２４０両側および
上側に設ける必要がある。そのためには、セラミック基
板２６の横幅Ｌｈを、シるをえない。

また、従来のサーマルヘッドは、シフトレジスタ２５が
発熱抵抗体２４と同一のセラミック基板２６上に搭載さ
れている。このセラミック基板２６は、外部からｑ入力
コネクタ５１．３２および配線部を設けたフレキシブル
プリント基板（ＦＰＣと略す）３３を、セラミック基板
２６上の配線と圧着接続させる構成となっている。

このため、第９図に示すように、セラミック基板２６の
縦幅Ｗ、も約５０箇程度必要となり、上記したＬｈが大
きいことと相まって、セラミック基板が大きくなシ、基
板自体の材料費の増大や、薄膜装置１台あたシのヘッド
生産数の減少などの理由により、サーマルヘッドの高コ
スト化の最大の原因となってい友、シたがって、サーマ
ルヘッドを低コスト化しようとすると、コモン電極の幅
Ｗ、、Ｗ４を小さくせざるを得す、コモン配線抵抗が大
きくなるため、プリントの画質が劣化するという問題が
あっ次。

セラミック基板を小形化するために、コモン電極を、基
板の裏面および上端面に形成したサーマルヘッドも知ら
れている。しかし、このサーマルヘッドは、基板を小さ
くできる反面、構成が複雑とな９、製造工程が煩雑化し
、コスト低減にはつながらないという問題があった。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来のサーマルヘッドは、入力データ数（５１２）に対
応する５１２ビツトのシフトレジスタトｆｉｆｌ数の発
熱抵抗体を有してお９、また、−枚のセラミック基板上
に発熱抵抗体とシフトレジスタとを設けていたため、セ
ラミック基板の大形化が避けられなかった。

ところで、ＮＴＳＣ方式のビデオ画像のプリントを考え
友場合、有効走査線数は約４８２本であシ、さらに、Ｖ
’ｌ’Ｒｍ壕のプリント時に生ずるスイッチングノイズ
を印画しないようにするには、４６８本程度の画素数で
十分である。

本発明の目的は、この点に鑑み、必要十分な発熱抵抗体
数と、高速記録を行うに必要なシフトレ抗を十分小さく
でき、かつ、セラミック基板面積を最小限に小さくでき
る、低コストで高性能の得られるサーマルヘッドを提供
することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するため、本願は、課題を解決するため
の手段として次の発明を提供する。

第１の発明は、 複数ドツトの発熱抵抗体からなる発熱抵抗体列と、この
発熱抵抗体列の両端にそれぞれ近接するコモン電極とを
第１の基板上に設け、発熱抵抗体に対応するビットを有
するシフトレジスタを第２の基板上に設け、両基板を突
き合わせて、発熱抵抗体列を形成する各発熱抵抗体と、
シフトレジスタの出力とをワイヤボンディングにより接
続する構成のサーマルヘッドにおいて、 発熱抵抗体列は、これを構成する発熱抵抗体をシフトレ
ジスタのビット数より少ない数として設け、そのビット
数を減らした分、コモン電極を、その幅を広くして設け
る構成とする。

第２の発明は、 第１の発明において、第１の基板に、Ｎ個の発熱抵抗体
により構成される発熱抵抗体列と、その両端に各々幅Ｗ
１のコモン電極とを設け、かつ、第２の基板に、ｎビッ
ト×ｍ個（ただし、Ｎ　＜ｎ×ｍ）のビット数を有する
シフトレジスタ列と、このシフトレジスタ列の両端に各
々＠Ｗ、のコモン電極とを設け、シフトレジスタ列の一
端側からａピット分、および、他端側からｂピット分（
ただし、ａ＋ｂ＝ｎ×ｍ−Ｎ）を、各々発熱抵抗体と非
接続として、コモン電極幅をＷ、≧Ｗ２となるように構
成することを特徴とする。

ま九、本願は、次の第３発明を提供する。

すなわち、第３発明は、 発熱抵抗体列を第１の基板上に、シフトレジスタ列を第
２の基板上に設けると共に、発熱抵抗体列およびその配
線パターンが占める長さＬｒを、シフトレジスタ列が占
有長さＬｓに対してＬ１≦Ｌ、とし、発熱抵抗体列の両
脇に近接して設けるコモン電極の幅Ｗ、を、シフトレジ
スタの両脇に近接して設けるコモン電極のａ　Ｗ、に対
してＷ、≧Ｗ２となるように構成することを特徴とする
。

さらに、本願は、上記各発明を基礎とする第４〜第７の
発明を提供する。

第４の発明は、上記第２または第３の発明を基礎とする
もので、 シフトレジスタ列の左端および右端にある、発熱抵抗体
と接続されない出力パッドの部分と対峙させて、第１の
基板上にコモン電極を形成して、Ｗ、＞Ｗ２とすること
を特徴とする。

第５の発明は、上記第２または第３の発明を基礎とする
もので、 第２の基板上のシフトレジスタ列の左端および右端に位
置するシフトレジスタを、サーマルヘッドの内側にオフ
セットして設けることを特徴とする。

第６の発明は、上記第１、第２．第３、第４または第５
の発明を基礎とするもので。

第１の基板の上面と、シフトレジスタの上面とがほぼ同
一高さになるように、ｉ＠１の基板と第２の基板とを段
差をも危せてつき合わせて、各発熱抵抗体とシフトレジ
スタ出力、ならびに、各コモン電極間を接続することを
特徴とする。

第７の発明は、上記第１．第２．第３．第４゜第５また
は第６の発明を基礎とするもので、第１の基板をセラミ
ック基板とし、第２の基板を非セラミック基板とする。

上記した発明のさらに詳細な態様を例示すれば、次の通
りである。

第１の基板としてセラミック基板を用い、このセラミッ
ク基板上に発熱抵抗体を設け、第２の基板として、例え
ば、ガラスエポキシ基板等の非セラミック基板を用い、
この基板上にシフトレジスタを設ける０両基板をつき合
わせて、各発熱体とシフトレジスタ出力とをワイヤボン
ディングにょプ接続するヘッド構成とする０発熱抵抗体
数は、シフトレジスタのビット数（例えば５１２）より
少ないドツト数（例えば４６８〜４８０ドツト）とし、
シフトレジスタは、出力パッドが発熱抵抗体列と平行な
一辺に設けられている形式のもの（例えば３２ビツトも
しくは６４ビツトのもの）′ｆ：１６個もしくは８個搭
載する。これにより、発熱抵抗体列の長さをシフトレジ
スタ列の左端から右端までの占有長さよシも短くする。

また、左端のシフトレジスタのａビット分ト右端のシフ
トレジスタのｂピット分とを、発熱抵抗体と接続しない
ように構成し、４６８〜４８０ドツト分だけを発熱抵抗
体と接続する。

一方、コモン電極は、発熱抵抗体列の両側に近接させて
、薄膜のコモン電極をセラミック基板上に設けると共に
、シフトレジスタ列の両側に近接させて、厚膜のコモン
電極をガラスエポキシ基板上に設け、両者を接続する。

シフトレジスタの、発熱抵抗体と接続されまい出力パッ
ド領域と対峙するようにセラミック基板上に薄膜コモン
電極を形成することにより、最小限の基板幅で、厚膜コ
モン電極より幅広で抵抗値が十分小なる薄膜コモン電極
を形成する。

〔作用〕

発熱抵抗体数を１画像プリントに必要かつ十分な数、例
えば４６８〜４８０ドツトにとどめ、その両側に近接さ
せて、薄膜コモン電極を第１の基板上に設けるとともに
、シフトレジスタを低コストな別の第２の基板上に搭載
し、左右に非接続のビットを設けたことにより、第１の
基板の横幅を大きくすることなく幅広の薄膜コモン電極
を設けることができる。″また、第１の基板の縦方向幅
も小さくできる。したがって、薄膜；モン電極の抵抗値
を十分小さくすることができる。しかも、辷れと厚膜の
コモン電極とを接続するので、ヘッド全体のコモン電極
抵抗を、従来の薄膜ヘッドよりも小さくすることが容易
となシ、プリント画質を向上させることができる。

さらに、第１の基板は、縦方向、横方向ともに小さくで
き、従来の１７２以下の基板面積にできるため、大幅な
低コスト化を実現できる。

−万、シフトレジスタは、５１２ビツト分設けであるの
で、従来のデエアルボートメモリを用いることができ、
高速プリントが可能である。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。

第１図は本発明のサーマルヘッドの一実施例の全体を示
す平面図、第２図は第１図に示したサーマルヘッドの主
要部を拡大して示す平面図、第３図は第１図に示したサ
ーマルヘッドのＡ−Ａ断面を示す断面図である。

第１図ないし第３図において、１はセラミック基板、２
はガラスエポキシ基板等の非セラミック基板である０両
基板は、アルミ板等よりなるヒートシンク３上でつき合
わされ、固定されている。

４は、４６８〜４８０ドツトの発熱抵抗体が一列に形成
された、長さＬｒの発熱抵抗体列であり、幅が約１１１
１ｍのカマボコ状断面を有する部分グレーズ（ガラス層
）５上に形成されている。なお、部分グレーズ５は、第
２図に示すように、セラミック基板１の側端まで形成さ
れていてさしつかえない。

６は非セラミツク基板２０発熱抵抗体列４と平行な一辺
に近接して設けられたシフトレジスタ（ラッチ、スイッ
チ等を含む）である。その出力パッドは、発熱抵抗体列
４と平行な一辺７に沿って設けられている。

８はセラミック基板上、各発熱抵抗体からシフトレジス
タ出力との接続部に至る配線パターンである０個々の配
線抵抗値は、シフトレジスタ内部の配線抵抗値も含めて
ほぼ一定になるように設計されることは言うまでもない
、シフトレジスタの出力パッドと各発熱抵抗体からの配
線とは、基板のつぎ目９をまたぐように、ワイヤ４ｏに
よってワイヤボンディングされている。

本発明のサーマルヘッドにおいては、シフトレジスタは
、２５６ビツトのデ為アルポートメモリからデータ入力
できるように、５１２ビット分設けられている０例えば
、３２ビツトのシフトレジスタが１６個搭載されている
０発熱抵抗体は、４６８〜４８０ドツトであるので、第
１図および第２図に示すように、最も左端のシフトレジ
スタの中の左端からａビット（例えば１６ビツト）、お
よび、最奄右端のシフトレジスタの中の右端からｂビッ
ト（例えば１６ビツト）は、出力オープンとし、発熱抵
抗体と接続しない。

このように構成すれば、発熱抵抗体からシフトレジスタ
に至る配線パターン８のうち、左端ａビットと右端ｂビ
ット分が不要となる。その結果、左端のシフトレジスタ
から右端のシフトレジスタまでのシフトレジスタ列の占
有長さり、よりも、発熱抵抗体列およびその配線パター
ンが占める長さＬｒを短くすることができる。

とζろで、ビデオプリンタ用のサーマルヘッドにおいて
は、前記したように、サーマルヘッドの通電電流が大き
いため、サーマルヘッド内のコモン電極配線の抵抗分に
よる電圧降下が無視できない。これについて第４図を用
いて説明する。

第４図において、１１はヘッド電源端子であり、電圧ｖ
ｈが印加される。Ｒ１はガラスエポキシ基板あるいはＦ
ＰＣ基板１２上に形成され友厚膜コモン電極１３の配線
抵抗、Ｒ２，Ｒ，はそれと接続されるセラミック基板１
４上の薄膜コモン電極１５の配線抵抗であり、Ｒ２は両
サイドの、Ｒ５は上側の薄膜コモン電極抵抗を表わす、
これらは分布抵抗であるが、便宜上−つの抵抗として表
わしである。Ｒｏは発熱抵抗体１６の抵抗値、１７はシ
フトレジスタのデータに応じて通電と非通電とをコント
ロールするスイッチ、１８はアース端子である。

いま、ヘッド電源端子１１に電圧ｖｈが印加され、電流
Ｉｈがながれたとすると、最も左端の発熱抵抗体に至る
までに、コモン電極抵抗により（Ｒ１＋　Ｒ２）　Ｘ　
Ｉ　ｈの電圧降下が生じることになる。ヘッド中央の発
熱抵抗体に至るまでには、（Ｒ，＋Ｒ２＋Ｒ，／２　）
Ｘ　Ｉｈの電圧降下が生じることになる（念だし、ＩＣ
内部でのロスは無視する）。

ヘッド電流Ｉｈは、通電ドツト数に依存し、まっ白な絵
柄からまつ黒の絵柄までさまざまに変化し、最大１０ア
ンペアに達する大電流が流れる。

そのため、通電ドツト数にかかわらず、個々の発熱体に
かかる電圧を一定にするためには、Ｒ５゜Ｒ，、Ｒ，を
できるだけ小さく（数十ｍΩ以下）することが不可欠で
ある。コモン電極抵抗の中で特に大きいのは、セラミッ
ク基板１４内の薄膜コモン電極抵抗Ｒ２１Ｒ，である、
　特に、大電流が流れるサイドのコモン電極１５は、そ
の厚みが１０μｍに満たないため、コモン電極抵抗値を
１０ｍΩのオーダに抑える九めには、幅を十分広く（例
えば４■以上）する必要がある。しかし、セラミック基
板を大きくすることはコストアップにつながるため、薄
膜コモン電極幅を十分大きくできないのが通常であった
。

本発明のサーマルヘッドは、第１図および第２図からも
明らかなように、発熱抵抗体列４の長さＬｒが、シフト
レジスタ６０列が占有長さり、よりも短い、そこで、左
端のシフトレジスタのウチ発熱抵抗体と接続されない出
力パッド領域と対峙するセラミック基板部を利用して、
発熱抵抗体列のすぐ両側に幅Ｗ、の幅広の薄膜コモン電
極１９を形成することができる０両側の電極幅Ｗ、を等
しくするためには、左右の非接続パッドの数をａ＝ｂに
するのがよい、また、シフトレジスタ６を別基板上に搭
載する構成としたことにより、セラミック基板１の縦方
向幅Ｗ、を従来の１／２以下（例えば１２〜Ｉ　Ｓ　ｍ
＋　）にできるため、Ｗ、を従来はど幅広忙しなくても
、コモン電極抵抗値を十分に小さくできる。

一方、シフトレジスタ６を搭載した非セラミック基板２
上には、左右両端のシフトレジスタ６０両脇にすぐ近接
させて厚膜コモン電極２０が設けられている。厚膜コモ
ン電極は、その厚さを数十μｍにできるので、幅Ｗ２を
ＷｌよＩＪｌ（例えば”２＝Ｌ／２）としても、配線抵
抗値を十分小さくできる。

薄膜コモン電極１９と厚膜コモン電極２０とは、両基板
をまたぐように、ワイヤ４１（多数）Ｋよりワイヤボン
ディングされている。なお、厚膜コモン電極２０は、ヘ
ッド電源端子２１に接続される。

また２２はシフトレジスタ６へのデータ入力端子等の信
号入力端子であり、２５６ビツトのデ。

アルポートメモリを用いることを前提として、２人力に
構成されている。本発明によるサーマルヘッドを用いて
画像のプリントを行う際は、５１２ビツトのシフトレジ
スタのうち、発熱抵抗体と接続される４６８〜４８０ド
ツトに対応する部分に、画像データを入力してやればよ
い。

第５図は本発明のサーマルヘッドによるプリント時の、
通電ドツト数によるプリント濃度の変化を示した図であ
る。

前記したように、従来のサーマルヘッドは、薄膜コモン
電極幅を大きくすることが難しく、電極配線抵抗が大き
いため、通電ドツト数が増加するにしたがって１発熱抵
抗体にかかる電圧が低下し、発色濃度が数階調以上低下
する欠点があった。これは、例えば、第６図に示すよう
に、画面全体が同一色で発色するような（すなわち、全
ドツト通電状態に相当する）絵柄と、同一色で一部しか
発色しない（少数ドツト通電状態に相当する）絵柄とが
混在するような画像において、少数ドツト通電時の色の
方が濃くなることを意味し、画質を著しく劣化させる一
因となっていた。

これに対して、本発明のサーマルヘッドは、必要最小限
のセラミック基板を用いてコモン電極抵抗を十分小さく
するととができ、全ドツト通電時においても、濃度低下
を従来のサーマルヘッドの１／２以下に抑えることがで
き、濃度むらのない高画質を得ることができる。

なお、本発明のサーマルヘッドでは、４６８〜４８０本
の発熱抵抗体からの配線とシフトレジスタ出力とをワイ
ヤボンディングで結線する方法を用いている０本発明の
サーマルヘッドの発熱抵抗体のドツト密度は、ビデオ画
像の走査線数およびプリントサイズより、５〜６ドツト
／簡であり、配線の最小ピッチはたかだか１０本／■で
よく、現状のワイヤボンディング技術上、難しいもので
はない。

ｔ７ｔ、第５図に示すように、セラミック基板１と非セ
ラミック基板２とのつき合わせ部９に、小段差を設けて
やれば、セラミック基板１の上面とシフトレジスタ６の
上面とをほぼ同一高さにすることもでき、ワイヤボンデ
ィングの作業性、精度、信頼性を向上させることもでき
る。

なお、第５図において、２５は発熱抵抗体列４に沿って
、その直下のヒートシンク５との間に設けられた空隙部
である。この空隙部２３は、発熱抵抗体からセラミック
基板１を経てヒートシンク３に至る熱の逃げを少なくシ
１発色効率を向上させる目的で設けられたものである。

空隙部２３の形状は、本実施例に限られるものではなく
、また、必ずしも発熱抵抗体列４の全長にわたって設け
る必要はなく、例えば、濃度が低下しやすい発熱体列の
左右両端部だけに空隙を設ける１など、熱設計上必要に
応じて設ければよい。

また、第１図および第３図において、３４はヘッド温度
検出用のサーミスタ、３５は非セラミック基板２の配線
部とサーミスタ３４との接続端子である。サーミスタ３
４の位置は、サーマルヘッドの代表温度管検出できるよ
う、ヘッド横幅方向の中央に設けられている。サーミス
タ３４および、サーミスタ３４からのリード線を外部に
突出させなくてもすむよう、本実施例では、ヒートシン
ク３に穴を設け、サーミスタ３４を埋め込んでいる。

なお、発熱抵抗体と接続されないシフトレジスタ６の出
力部は、第７図に示すように、セラミック基板端部にダ
ミーパッド３６を設けてワイヤボンディングしておいて
もよい、ダミーパッド６６を設けても、その近傍まで、
幅Ｗ１の薄膜コモン電極１９を延長して形成できるので
、上記したと同等の効果を得ることができる。

第７図は本発明によるサーマルへッ下の他の実施例の要
部を示す平面図であり、第２図と対応する部分には同一
の符号を付しである。

本実施例においては、両端に位置するシフトレジスタ６
をヘッド内側にオフセットし、シフトレジスタに近接し
て設ける厚膜コモン電極幅Ｗ２を薄膜コモン電極幅Ｗ、
とほぼ等しくなるように構成したものである。この場合
、発熱抵抗体からの配線パターンのうち、オフセット部
分に対応する部分は、他の配線パターンと異なるパター
ンにする必要がある。しかし、厚膜コモン電極幅Ｗ２が
広くできるので、サーマルヘッドの全体のコモン電極抵
抗値を、さらに小さくできる利点がある。

また、上記した実施例は、薄膜型ヘッドとして説明した
が、発熱抵抗体およびその両脇に設けるコモン電極を、
印刷、焼成により形成する厚膜型のサーマルヘッドにも
、本発明は適用でき、同様の効果が得られることは言う
までもない。

さらに、上記各実施例では、発熱抵抗体を搭載する基板
としてセラミック基板を用いているが、同等に使用でき
るものであれば、他の材料の基板を用いてもよい、また
、非セラミック基板としては、ガラスエポキシ基板、Ｆ
ＰＣ基板等を用いているが、同等に機能する他の材料か
らなる基板を用いることができる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、最小限の面積のセラミック基板を用い
て、ビデオ画像のプリント忙必要十分な発熱抵抗体と、
高速記録を行うに必要なビット数のシフトレジスタ、お
よび、十分抵抗値の小さい薄膜コモン電極を構成するこ
とができるので、大幅な低コスト化が実現できるととも
に、高画質が得られ、高速なプリントが可能な高性能の
サーマルヘッドを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によるサーマルヘッドの一実施例の全体
構成を示す平面図、第２図は第１図に記載されるサーマ
ルヘッドの主要部を示す平面図。 第５図は第１図のＡ−＾断面因、第４図はサーマルヘッ
ドのコモン電極抵抗を示す回路図、第５図は本発明のサ
ーマルヘッドによるプリント時のプリント濃度の変化を
示すグラフ、第６図は従来のサーマルヘッドによるプリ
ント画面の一例を示す説明歯、第７図および第８図は本
発明の他の実施例の主要部を示す平面図、第９図は従来
のサーマルヘッドを示す平面図である。 １・・・・・・セラミック基板、 ２・・・・・・非セラミック基板、 ４・・・・・・発熱抵抗体列、 ６・・・・・・シフトレジスタ、 ８・・・・・・配線パターン、 ９・・・・・・基板つき合わせ部。 １１．２１・・・・・・ｖＩＬ源端子 １９・・・用薄膜コモン電極、 ２０・旧・・厚膜コモン電極、 ３６・・・・・・ダミーパッド、 ４　ｏ　＋　４１・・・・・・ワイヤ。 第１図 第２０ ４　梯θ棚本列　タ・・差籾フ乎、含−に合ｐ　　２ｔ
　・電り免玄沿賃トロ・・　シク＃Ｌン゛スク　４ｐ４
１・・・フ住見 ３図 ３・−ヒート二〉７ ２・・・シフ）Ｌシパスク ３４・・・ブーＳフタ ｊ分電Ｆ′ット枚 第４０ ノ３・・・ノソ月焚フ乞〉鵠乙桐泳　ノｂ２＃：ρｐＪ
氏オ、ｔ４４ミデ・・・１ネ反フシ会セ曵ＯｌＯ・−２
厚斥爬コ七〉電極第

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、複数ドットの発熱抵抗体からなる発熱抵抗体列と、
   該発熱抵抗体列の両端にそれぞれ近接するコモン電極と
   を第１の基板上に設け、上記発熱抵抗体に対応するビッ
   トを有するシフトレジスタを第２の基板上に設け、両基
   板を突き合わせて、各々の上記発熱抵抗体と、上記シフ
   トレジスタの出力部とをワイヤボンディングにより接続
   する構成のサーマルヘッドにおいて、 上記発熱抵抗体列は、上記発熱抵抗体を上記シフトレジ
   スタのビット数より少ない数として設け、そのビット数
   を減らした分、上記コモン電極を広くして設ける構成と
   することを特徴とするサーマルヘッド。 ２、上記第１の基板に、Ｎ個の上記発熱抵抗体により構
   成される上記発熱抵抗体列と、その両端に各々幅Ｗ＿１
   の上記コモン電極とを設け、かつ、上記第２の基板に、
   ｎビット×ｍ個（ただし、Ｎ＜ｎ×ｍ）のビット数を有
   するシフトレジスタ列と、該シフトレジスタ列の両端に
   各々幅Ｗ＿２のコモン電極とを設け、上記シフトレジス
   タ列の一端側からａビット分、および、他端側からｂビ
   ット分（ただし、ａ＋ｂ＝ｎ×ｍ−Ｎ）を、各々上記発
   熱抵抗体と非接続として、上記コモン電極の幅をＷ＿１
   ≧Ｗ＿２となるように構成することを特徴とする請求項
   １記載のサーマルヘッド。 ３、上記発熱抵抗体列を上記第１の基板上に、シフトレ
   ジスタ列を上記第２の基板上に設けると共に、上記発熱
   抵抗体列およびその配線パターンが占める長さＬ＿ｒを
   、上記シフトレジスタ列が占有する長さＬ＿ｓに対して
   Ｌ＿ｒ≦Ｌ＿ｓとし、上記発熱抵抗体列の両脇に近接し
   て設ける上記コモン電極の幅Ｗ＿１を、上記シフトレジ
   スタの両脇に近接して設けるコモン電極の幅Ｗ＿２に対
   してＷ＿１≧Ｗ＿２となるように構成することを特徴と
   する請求項１記載のサーマルヘッド。 ４、上記シフトレジスタ列の左端および右端にある、上
   記発熱抵抗体と接続されない出力パッドの部分と対峙さ
   せて、上記第１の基板上にコモン電極を形成して、Ｗ＿
   １＞Ｗ＿２とすることを特徴とする請求項２または３記
   載のサーマルヘッド。 ５、上記第２の基板上の上記シフトレジスタ列の左端お
   よび右端に位置する上記シフトレジスタを、ヘッドの内
   側にオフセットして設けることを特徴とする請求項２ま
   たは３記載のサーマルヘッド。 ６、上記第１の基板の上面と、上記シフトレジスタの上
   面とがほぼ同一高さになるように、上記第１の基板と上
   記第２の基板とを段差をもたせてつき合わせて、各々の
   上記発熱抵抗体と上記シフトレジスタの出力部、ならび
   に、各コモン電極間を接続することを特徴とする請求項
   １乃至５のうちの１つに記載のサーマルヘッド。 ７、上記第１の基板がセラミック基板であり、上記第２
   の基板が非セラミック基板であることを特徴とする請求
   項１乃至６のうちの１つに記載のサーマルヘッド。