JPH02148040A - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （ａｌ産業上の利用分野 この発明は、電子写真方式の画像形成装置に用いられる
電子写真感光体に関し、特に半導体レザを光源とするレ
ーザプリンタの感光体に関する（ｂ）従来の技術 近年、電子写真方式を用いた画像形成装置には半導体レ
ーザを光源として用いるものがある。現在実用化されて
いる半導体レーザにおいては７８０〜８３０　ｎｍの波
長域で安定した高出力が得られるものがあり、この波長
域のレーザ装置を用いることは像形成効率のうえで望ま
しい。しかしながら−方で、現在実用化されている一般
的な電子写真感光体の感度波長はせいぜい７００から８
００　ｎｍ未満と低い。そのため上述したような波長帯
域に光感度を有する感光体の実用化が期待されている。

実際にこのよ・うな波長帯域に光感度を有する感光体と
しては、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン：Ｓｉｌｌ）
にＧｅを添加したａ−３ｉＧｅ（アモルファスシリコン
ゲルマニウム：　Ｓｉ−Ｇｅ−Ｈ）がある。ａ−３ｉに
Ｇｅを添加すると７８０〜８３０　ｎｍに対する光学的
バンドギャツブが小さくなってこの波長対酸のレーザ装
置に対応可能になる。

ｆｃ１発明が解決しようとする課題 しかしながらＧｅを添加したａ−３ｉは７８０〜８３０
ｎｍに対する光学的バンドギャップが小さくなるという
利点は得られるもののａ−３ｉに比べて暗比抵抗、門扉
電率が低下し、結果として、像形成を行った場合にコン
トラストに乏しい不明瞭な像になってしまう問題があっ
た。

また、ａ−３ｉＧｅはａ−３ｉに比べて熱により励起さ
れるキャリアが多いため感光体として用いた場合さらに
帯電保持能力が悪くなってしまう問題がある。すなわち
、画像形成装置に備えられる感光体は通常、表面に水分
層が形成されるのを防止するために内部にヒータが備え
られて加熱されている。ところがａ　　ＳｉＧｅはこの
熱により励起キャリアが生し、感光体表面の電荷をキャ
ンセルしてしまうので、感光体の帯電保持能力はさらに
悪くなってしまう。

この発明はこのような問題に鑑み、ａ　−３ｉＧｅ層と
ａ−３ｉ層とを積層して感光体を形成するとともに、ａ
　−ＳｉＧｅ層を感光体の基体側に設けることにより帯
電保持能力および光感度を向上させた電子写真感光体を
提供することを目的とする。

また他の目的は、ａ−３ｉ層に含まれるＨまたはハロゲ
ン（Ｘ）量を４Ｑａｔ％以上にすることによって、ａ　
−３ｉ層での光吸収量を減らし像形成光を有効利用する
ことのできる電子写真感光体を提供することにあり、 さらに、ａ　−３ｉＧｅ層に含まれるＧｅ量を導電性基
体側からａ−Ｓｉ層側にかけて徐々に変化させることに
より、層の境界部における電気的および構造的不整合を
緩和して電荷のトラップなどを減少させ、像形成後の電
荷の残留を減少できる電子写真感光体を提供することに
ある。

（ｄ１課題を解決するための手段 この発明の電子写真感光体は導電性基体上に、アモルフ
ァス状態の Ｓｉ−Ｇｅ−Ｈ−Ｘ　（Ｘ　：　ハロケン）を積層し、
さらに、 アモルファス状態の Ｓｉ−Ｈ−Ｘ（Ｘ：ハロゲン） を積層したことを特徴としている。

また、上記のアモルファス層のうち少なくとも前記Ｓｉ
−１１−Ｘ層において、Ｉ」とＸの合計含有量をほぼ４
０　ａｔ＄以上にしてもよく、さらに、前記ａ−３ｉＧ
ｅ層において、Ｇｅ含有量を基体側からａ　−３ｉ層側
にかけて徐々に減少させるようにしてもよい。

（ｆ４１作用 ごの発明の電子写真感光体においてはａ　−３ｉＧｅ層
とａ−３ｉ層とを積層しており、ａ−３ｉはａ−８ｉＧ
ｅに比べて暗比抵抗が大きく、帯電器により感光体表面
が帯電されたときにａ　−Ｓｉ層の存在により感光体表
面に帯電電荷が保持される。そして、レーザ光が照射さ
れるとａ−３ｉＧｅ層においてキャリアが励起され、そ
れがａ−８ｉ層を移動して感光体表面の電荷をキャンセ
ルする。このとき、門扉電率の低いａ　−３ｉＧｅ層が
薄く、キャリアがａ　−３ｉ層を移動する距離が短いの
で発生した」−千リアが途中でトラップされてしまうこ
とが少なくなり、発生したキャリアを有効に利用して表
面電荷のキャンセルを行うことができる。このようにこ
の発明の感光体においては、ａ−ＳｉＧｅ層は電荷発生
層として、ａ　−３ｉ層は電荷保持層および電荷輸送層
として作用する。

また、ａ−３ｉ層を表面側、ａ−ＳｉＧｅ層を表面から
遠い側（基体側）に設けたことにより以下ような作用が
見られる。ａ−３ｉＧｅ層は、感光体に設けられたヒー
タによりキャリアが励起される。しかしながらこのキャ
リアは感光体の基体近くで発生ずるため、感光体表面の
電荷をキャンセルするには電子またば正孔が表面まで移
動する必要があるが、暗比抵抗の高いａ−Ｓｉ層をキャ
リアが移動するのは困難で表面上の電荷はキャンセルさ
れ難くなり感光体としての電荷保持能力の低下を防止で
きる。

また本発明者等の実験によれば、ａ−Ｓｉ系の感光体に
おいては含有Ｉ（またはハし］ゲン景が増えると光学的
ハンドギャップ、暗比抵抗、門扉電率が上昇することが
分かった。また、これらの変化ばほぼ４０ａ　ｔχを境
に上昇することも分かった。

この発明の請求項２においては、ａ−３ｉ層に含有され
る１（とＸ（ハロゲン）の合計量をほぼ４０．ｌｔ％以
−１−にしているため、ａ−３ｉ層の光学的ハフｌギャ
ップが大きくなってこの層の光吸収率が低くなる。この
ため、そのＴ側のａ　−３ｉＧｅ層に到達する光量が多
くなり感光体全体としてみた場合、光が有効利用されて
光感度が良くなる。また、■１ハロゲン量をほぼ４０ａ
ｔＺ以−■−にすることによってト述したように暗比抵
抗、明導電率が良くなる。

またａ−ＳｉＧｅ層に含有されるＦ（とＸの合計量を４
０　ａ１％以上にすれば、ａ　−ＳｉＧｅ層自体の暗比
抵抗明導電率も良くなって電荷保持能力、光感度が良く
なる作用が生じる。

さらにこの発明の請求項３においては、ａ−３ｉＧｅ層
に含まれるＧｅ量を基体側からａ　−Ｓｉ層側にかりて
徐々に少なくしているので、ａ−Ｓｉ層とａＳｉＧｅ層
との境界部での電気的および構造的な不整合が緩和され
る。そのため、境界部における電荷のｌ・ランプ等が減
少し、感光体に残留される電荷が少なくなる。

（ｆ）実施例 〈成膜装置の説明〉 第９図は、Ｅ　ＣＲ（ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｃｙｃｌｏｔ
ｒｏｎ　ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）法による成膜装置の構成
を表した図である。ａ−ＳｉＧｅ層、ａ−３ｉ層等はこ
の装置により導電性基体−りに成膜される。

この成膜装置はプラズマを発生させるプラズマ室１と、
成膜が行われる堆積室２を有している。

プラズマ室ｌ、堆積室２は図外の油拡散ポンプ油回転ポ
ンプにより真空排気される。

プラズマ室１は空胴共振器構成となっており、導波管４
を通して２．４５ＧＨｚのμ波が導入される。

なおμ波導入窓５はμ波が通過てきる石英ガラスで構成
されている。プラズマ室１には水素ガス導入管７から１
１２ガスが導入される。また、プラズマ室１の周囲には
磁気コイル６か配置され、ここで発生したプラズマが堆
積室２に引き出すための発散磁界が印加されている。な
おプラズマはプラズマ引き出し窓３を通じて堆積室２に
引き出される堆積室２のほぼ中央部には感光体の基体８
が設置される。基体８は導電性相、例えばＡ７！でなり
、この実施例ではドラム状のものを用いている。

ドラム状の基体８は表面に均一に成膜が行われるように
、図示しない支持機構により回転可能に支持されている
。堆積室２にはＳｉｌ１４等の原料ガスを導入する原料
ガス導入管９が設←ノられている。

この装置での成膜動作を説明すると、まず、プラズマ室
１および堆積室２内が排気され、続いてプラズマ室１に
は１１゜ガスが、堆積室２には原料ガスが導入される。

原料ガスとしては例えばＳ　ｉ　Ｉｆ　５Ｓｉｚｌ１６
．　ＳｉＦ４．ＳｉＣＩａ　、　ＳｉＨ□Ｃ１２などの
水素またはハロゲンを含むシリコン化合物や、Ｇｅｔ＋
４．　ＧｅＦａＧｅＣ１４、ＧｅＦｚ、　ＧｅＣ１ｚな
どの水素またはハロゲンを含むゲルマニラＪ、化合物で
ある。このときのガス圧は１０−３〜１０−’ｊ、ｏｒ
ｒ程度に設定される。そして、プラズマ室１にμ波を導
入するとともに磁気コイル６に電圧を印加しプラズマを
励起する。このプラズマはプラズマ引き出し窓３から１
■積室２へと導かれ、原料ガスを励起して基体８上に原
料ガスによる膜を形成する。このとき基体８は回転され
るので均一な成膜が行われる。またプラズマ引き出し窓
３の位置や大きさの設定により膜の均一性は向上される
。

＜　ａ−３ｉＧｅ、　　ａ−３ｉの各々の特性について
〉まず最初にａ　−ＳｉＧｅ層の説明をする。

原料ガスとしてＳ　ｉ　Ｈ４とＧｅ１１４とを、ｓｉｌ
＋４．／　（Ｓｉｔｌ、　（Ｇｅ１１４）　　＝０．８
１の割合で混合し、またその混合ガス流量を１２０ｓｅ
ｃｍとして堆積室に導入させ、室内のガス圧を２〜５ｍ
ｔ、ｏｒｒの間で振ってａ−ＳｉＧｅ層を有する感光体
を作成した。なおμ波出力は２．５ｋｗとした。

第２図（Ａ）はこのようしてした形成されたａＳｉＧｅ
層中に含有される水素量を表した図であり、同図（Ｂ）
および（Ｃ）は各々この感光体の暗比抵抗、明導電率を
表した図である。なお明導電率は８３０　ｎｍのレーザ
光を光源として実験した結果を表した。また、成膜され
たａ−８ｉＧｅ層におけるＳｉとＧｅとの比率は、Ｇｅ
がＳｉに対してほぼ４５〜６１　ａｔχであった。

これらの図から分かるように、はぼ３．５ｍｔｏｒｒを
境に膜中に含まれる水素量が変わり、それとともに暗比
抵抗、明導電率にも変化が見られる。すなわち、ガス圧
がほぼ２．５〜３．５ｍｔｏｒｒでは膜中に含まれる水
素量がほぼ４０ａｔχを越え、暗比抵抗、明朗導電率と
も急激に高くなるという結果が得られノこ。

このような暗化抵抗、明導電率の向上は、はぼ４０ａ　
ｔ％以上の１１添加によりＧｅと■１との結合によりＧ
ｅのダングリングボンドが減少するためであると考えら
れる。しかし、本発明者等の実験乙こよれば、膜中の１
１量がほぼ６５ａｔχを越えるとＨ添加による光学的バ
ンドギャップの上昇により、Ｇｅ添加効果を打ち消して
感度で悪くなってしまう問題が生した。したがって、ａ
−３ｉＧｅ層に含まれるＩ−１量はほぼ４０〜６５ａｔ
χに設定することが望ましい。

次に、ａ−３ｉＧｅ層のおけるＧｅ添加量について述べ
る。ａ−８ｉへのＧｅの添加はほぼ７８０〜８３０ｎｍ
の光学的ハンドギヤツブの減少という効果をもたらし、
その一方で暗比抵抗、明導電率の低下という問題がある
。したがってＧｅの添加量は適切な値に設定する必要が
ある。

原料となるＳｉ８本とＧｅＨ４との混合比を変化させる
ことにより形成される膜中乙、二含まれるＧｅ量を振っ
てａ−ＳｉＧｅ層を形成した。なおこのとき、原料ガス
圧は２．５〜３．５　ｍｔｏｒｒとして、膜中に含まれ
るＨ量を規制した（４３〜４８ａｔχであった）。そし
て、形成された膜中のＧｅ量と７８０〜８３０　ｎｍの
レーザ光に対する感度との関係を調べたところ、Ｓｉに
対するＧｅ量が５．３　　ａｔ％以ＩＪの場合にはＧｅ
添加の効果が殆どなく感度が悪かった。また、はぼ１５
０ａ　ＬＸを越えると暗比抵抗が小さくなり過ぎて感光
体としては使用不可能であった。ずなわら、ａ−３ｉＧ
ｅ層におけるＧｅ量はＳｉに対して５３．３〜１５０ａ
ｔχ、好ましくは１８〜８２　ａｔＬ最も好ましくは４
３〜６７ａ１χてあった。

なお、以上の例ではＳｉ、　Ｇｅの水素化合物を用いて
いるため形成される膜中にはＨのみが含有されるが、ハ
ロゲンもＨと同様の効果をもたらずため、Ｓｉ、Ｇｅの
ハロゲン化物を用いた場合にはハロゲンおよび）］の合
計含有量がほぼ４０〜５５ａｔχになるようにすればよ
い。

次に、ａ−３ｉ層について述べる。

ａ−８ｉ層を形成する場合には原料ガスとしてＳｉ）（
４を用い、これを堆積室２に、１１２ガスを堆積室ｌに
導入して／Ｊの基体上に成膜を行って感光体を形成した
。またガス圧は２〜５ｍｔｏｒｒの間で振って実験を行
った。第３図（Ａ）はこのようにして形成されたａ−３
ｉ膜中に含まれるＩｌｌを表した図であり、同図（Ｂ）
、（Ｃ）は各々この感光体の暗比抵抗、明導電率を表し
ている。なお明導電率は、ａ−３ｉ層が光感度を有する
５６５ｎｍのＩ−Ｂ　Ｄ光源を用いた。

同図（Ｂ）、　　（Ｃ）から分かるように、はぼ２〜３
．５ｍｔｏｒｒでａ−Ｓｉ層に含まれるＨｉが４０ａｔ
％以−１−になり、それとともに暗比抵抗が高くなる。

すなわち、ａ−３ｉ層中に含まれるＨ量が４０ａｔ％以
下の場合には暗比抵抗はせいぜい１０”０ｃｍ止まりで
あるが、はぼ４０　ａｔ×を超える付近から、暗比抵抗
が１０＋２Ωｃｍ以十、になる。ずなわらこの４０　ａ
ｔＸ以上の１１を含んだａ−８１感光体は帯電保持能力
に非常に優れたものとなる。なお同図（（功から分かる
ように、このａ−３ｉ悪感光は５６５ｎｍ付近の光に対
して明導電率が高く、このイ・］近の波長帯域の光源を
用いて像形成を行う画像形成装置においては良好な光感
度を有する感光体として用いることができる。

このような暗比抵抗の向上は、Ｈが４０　ａｔ％以」―
含有された場合、膜中のＳｉ原子のダングリングボンド
を減少させることができるためであると考えられる。な
おこの例では原料ガスとしてＳｉの水素化合物を用いて
いるため成膜されるａ−８量層中にはＨのみが含有され
るが、原料ガスとしてＳｉのハロゲン化物を用いた場合
にはａ−８量層中にハロゲンが含有され、このハロゲン
はａ　−ＳｉＧｅ層の説明時にも述べたようにＨと同様
の働きをしてａ　−３ｉ層の特性を同士させる。

以」二に述べたように、ＥＣＲ法の成膜装置でａＳｉＧ
ｅ層およびａ−Ｓｉ層を形成する場合原料ガスの圧力を
所定範囲（ａＳｉＧｅ層では２．５−３．５ｍｔ。

ｒｒ、ａＳｉ層では２〜３．５ｍｔｏｒｒ）に設定する
ことにより層中に含まれる１１およびハロゲン屋をほぼ
４０〜６５ａｔχに設定でき、暗比抵抗、門扉電率の良
い膜形成を行うことができる。しかも、」二連したよう
なガス圧に設定したとき、成膜速度、ガス利用効率とも
に良好で、■（量が４０　ａｔ％以下になるガス圧範囲
に比べて速く、しかも効率良く成膜を行うことができた
。さらに、成膜速度においては−・船釣にａ−３ｉ系の
感光体を作成する場合に成膜装置として用いられている
プラズマＣＶ　Ｉ）装置に比べて６〜１０倍の速度と、
かなり速い速度で成膜を行うことができた。また、この
ＥＣＲ法の成膜装置で成膜を行うと（Ｓｉｌｌ□）、の
粉が発生ずることがなく、この上・うな粉が感光体の基
体−トに付着し゛Ｃ成膜欠陥を生しさせるという問題が
なく、品質の良い感光体を形成することができた。

以上のようにしてａ−３ｉＧｅ層およびａ−３ｉ層を形
成することができる。以上のようにして形・成されるト
Ｉおよびハロゲンをほぼ４０〜６５ａｔχ含有するａ−
３ｉＧｅ層、ａ−Ｓｉ層の特性をまとめると以下のよう
になる。

■ａ　−３ｉＧｅ層 ７８０〜８３０　ｎｍに対する光感度を有しているＧｅ
添方力１１効果。旧ハロケン量をほぼ４０　ａｔＺ以」
−含有させることにより、ａ−Ｓｉ層に比べて劣るもの
の暗比抵抗（１０”Ωｃｍ程度）、門扉電率ともに向上
させることができる。また、従来技術で述べたようにａ
　−ＳｉＧｅ層はａ　−Ｓｉ層に比べて熱励起されるキ
ャリアが多く、そのため感光体の帯電保持能力を向上さ
せるためには感光体表層部にａ−８ｉＧ（］層を設りな
いことが望ましい。

■ａ−８ｉ層 ７８０〜８３０ｎｍに対する感度は低いが、ボロンを添
加しない場合でも暗比抵抗が１０１２Ωｃｍと非常に良
く帯電保持能力に優れている。なお、本発明者等の実験
によれば、ボロン添加を行うと暗比抵抗は１０′４Ωｃ
ｍ程度にまで一ト昇する。また、門扉電率も■１．ハロ
ケンをほぼ４０　ａｔ％以上含有させることにより向−
卜し、キャリアの輸送能力に優れている。また、Ｈ，ハ
ロゲンの添加により光学的バンドギャップも−り昇する
ので、もともと７８０３〜８３０ｎに対しての低い感度
がさらに低くなりその波長帯域光の吸収光量が少なくな
る。

このようなことから本発明者等はａ　　ＳｉＧｅ層を電
荷発生層として用いしかも感光体表層部から離した基体
近くに設け、またａ−３ｉ層は電荷保持層および電荷輸
送層として感光体の表層部に設けるようにした。なお第
３図はこの発明の実施例に係る感光体の断面を表した図
であり、Ａｆｆ等からなる導電性の基体２１」―に中間
層２２、光導電層２３、表面層２４がこの順に積層され
ている。本発明の特徴は光導電層２３にあり、光導電層
２３は基体２１に近い側にａ−ＳｉＧｅ層２３ａを、そ
の上側にａ−３ｉ層２３ｂを形成している。

〈実験例１〉 まず、第４図に示した条件で成膜を行い、感光体を作成
した。なおこの例では感光体をｐ型にするためのボロン
を１・−プするため、原料ガスにＢ２１６を混合した。

形成された感光体のａ　−ＳｉＧｅ層において（Ｇｅ／
Ｓｉ）値を測定したところ５１　ａｔＺでありＨＮは４
６　ａｔＺであった。またａ　−Ｓｉ層におけるＨ含有
量は４８　ａｔＺであった。このようにして形成された
感光体を用い、８３０ｎｍのレーザ光を光源として像形
成を行ったところ帯電保持能力が高く、形成画像も高品
質のものを得ることができた。

また、ａ−３ｉＧｅ層およびａ−３ｉ層に含まれるＨ量
を変えるため、他の条件を同じにし原料ガスのガス圧の
みを変化させて成膜を行い感光体を作成し、その感光体
を用いて像形成実験を行った。第７図はその結果を表し
た図である。図から分かるようにカス圧がほぼ３．５ｍ
ｔｏｒｒ以下のときには帯電特性、形成画像の品質とも
に非常に良好であった。なおこのときのａ　−ＳｉＧｅ
層、ａ−３ｉ層に含まれＨｌは４０〜６５　ａｔＺの範
囲内であり、ａ−３ｉＧｅ層中のｃｅ量（Ｇｅ／Ｓｉ値
）は４５−６４　ａｔＺであった。

〈実験例２〉 また第５図Ｑこ示したように、ａ　−３ｉＧｅ層を形成
するときにＳ　ｉ　ｔｌ　、とＧｅｔ＋４の流星を変化
させることにより、形成されるａ−８ｉＧｅ層中でのＧ
ｅ含有量が一１層はど少なくなるように成膜を行った。

第８図は形成されるａ−ＳｉＧｅ層中のＧｅ含有蓋の変
化例を表した図であり、図中′ｒｏが基板側、Ｔｌ−７
Ｊ＜ａ−８１層側である。図に示されるように、原料ガ
ス流量を変化させることにより形成さ４″Ｉるａ−３ｉ
Ｇｅ層中に含まれるＧｅ量は基体側をｌｌ１ａＸとし゛
Ｃ徐々に減少している。なお原料ガス流量はａ−３ｉ層
中におけるＧｅ含有量がＳｉに対して５．３〜１５０ａ
　Ｌχになるような範囲内で変化さゼる。

このようにａ　−ＳｉＧｅ層のＧｅ１（を徐々に変化さ
せた感光体を用いて像形成処理を行ったところ、〈実験
例１〉で示した感光体を用いて像形成を行った場合より
もさらに高品質の画像を得ることができた。これは、ａ
−３ｉＧｅ層とａ　−Ｓｉ層との境界付近においてＧｅ
含有量が徐々に変化しているため、この２層の境界部で
の電気的および構造的な不整合が緩和されるためである
と考えられる。すなわち、ａ−ＳｉＧｅ層とａ　−３ｉ
層との境界部においてＧｃ濃度が極端に変化し７た場合
（〈実験例１〉のよ・）な場合）、両層の光学的バンド
ギャップの差や構造の違いなどから境界部で電荷の１−
ラップなどが生じ、像形成プロセスごとに除電器等を用
いて除電を行っても感光体内に電荷が残留し７、これが
形成される画像に悪影害を与える。しかしながら、この
例のようにＧｅ含有量を徐々に変化させてゆくとこれら
の不整合が緩和され、像形成後に電荷の残留量を減少さ
せて次回の像形成を良好に行えるようになる。

以上の例は原料ガスにＢ　２　Ｈ６を混合することによ
り形成される感光体がｐ型になるよ・うにしたものであ
るが、感光体をｐ型にするに番まＢ　２Ｉ＋　、、の他
に、ＢＣｌ３、Ｂ１１．などのボロン化合物またはアル
ミニウム、ガリウム、インジウムの化合物などを用いて
もよい。

〈実験例３〉 ａ　　ＳｉＧｅ層、ａ−ｓｉ層にリン、窒素、アンチモ
ン、酸素などをドープさせるとｎ型の感光体を形成する
ことができる。第６図はそのｎ型の感光体を形成する場
合の製造条件を表した図であり、すンをドープするため
に円１３を原料ガスＧこ混合している。リンドープ用と
しては他にＰｃｔ、、Ｐｃｔ、などがある。このように
Ｐを混入して形成された感光体を用いて像形成を行った
がボＩ−１ンドープのときと同様に良好な画像を形成す
ることができた。

ｔｇ＋発明の効果 以上のようにこの発明の電子写真感光体はａＳｉＧｅ層
」二にａ−３ｉ層を積層したことにより、ａＳｉＧｅ層
が電荷発生層として、ａ　−Ｓｉ層が電荷保持層および
電荷輸送層として作用するので、各々の層の長所が生か
され、光感度、帯電保持能力に優れた感光体となる。ま
たａ−Ｓｉ層を表面側、ａＳｉＧｅ層を表面から遠い側
（基体側）に設けているので、熱励起されるキャリアの
多いａ　−３ｉＧｅ層において熱励起キャリアが発生し
ても感光体表面電荷がキャンセルされる確率が低くなり
感光体としての電荷保持能力の低下をさらに防止して良
好な感光体とすることができる。

また、請求項２に示されるように感光体を構成した場合
、ａ−Ｓｉ層の光吸収量が少なくなり、感光体全体とし
て光を有効利用して光感度を＋げることができる利点が
ある。また、暗比抵抗、明導電率も向上する。

さらに請求項３に示されるように感光体を構成れば、層
の境界部での電気的、構造的な不整合が緩和され残留電
荷を減少させることができ、その結果形成される画像品
質を向上させることができる利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の実施例である感光体の断面を表した
図、第２図（Ａ）〜（Ｃ）はａ　−ＳｉＧｅ層成膜時の
ガス圧と膜中のＨ量、膜の暗比抵抗、膜の明導電率との
関係を表した図、第３図（Ａ）〜（Ｃ）はａ−８ｉ成膜
時のガス圧と膜中の■］量、膜の暗比抵抗、膜の明導電
率との関係を表した図、第４図〜第６図はａ−３ｉＧｅ
層、ａ−８ｉ層の積層条件を表した同、第７図は成膜時
のガス圧（含有水素量）と感光体の品質との関係を表し
た図、第８図は成膜されるａ　−３ｉＧｅ層中のＧｅ含
有量の変化状態を表した図、第９図はＥ　ＣＲ法を用い
た成膜装置の構成を表し７た図である。 ３ａ 導電性基体、 中間層、 光導電層、 表面層、 ａ−ＳｉＧｅ層、 ａ−３ｉｌ？１．。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性基体上に、 アモルファス状態の Ｓｉ−Ｇｅ−Ｈ−Ｘ（Ｘ：ハロゲン） を積層し、さらに、 アモルファス状態の Ｓｉ−Ｈ−Ｘ（Ｘ：ハロゲン） を積層したことを特徴とする電子写真感光体。
2. （２）少なくとも前記Ｓｉ−Ｈ−Ｘ層において、ＨとＸ
   の合計含有量をほぼ４０ａｔ％以上にしたことを特徴と
   する、請求項１記載の電子写真感光体。
3. （３）前記Ｓｉ−Ｇｅ−Ｈ−Ｘ層においてＧｅ含有量を
   、導電性基体側からＳｉ−Ｈ−Ｘ側に掛けて徐々に減少
   させたことを特徴とする、請求項１または２記載の電子
   写真感光体。