JPH02149668A - 薄膜作成装置 - Google Patents
薄膜作成装置Info
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- JPH02149668A JPH02149668A JP30095288A JP30095288A JPH02149668A JP H02149668 A JPH02149668 A JP H02149668A JP 30095288 A JP30095288 A JP 30095288A JP 30095288 A JP30095288 A JP 30095288A JP H02149668 A JPH02149668 A JP H02149668A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、例えば、イオンブレーティング装置やスバッ
タリイング装置などの薄膜作成装置に関する。
タリイング装置などの薄膜作成装置に関する。
［従来の技術］
一般に、イオンブレーティング装置やスバッタリイング
装置などの薄膜作成装置においては、真空容器内の所定
領域にプラズマを発生させて基板に薄膜を作成するのが
一般的である。
装置などの薄膜作成装置においては、真空容器内の所定
領域にプラズマを発生させて基板に薄膜を作成するのが
一般的である。
例えば、イオンブレーティング装置は、真空容器内に、
所定の空間を置いて、配置された蒸発源および基板ホル
ダーと、前記空間にプラズマを発生させるプラズマ発生
手段とを備え、前記蒸発源から蒸発した蒸発粒子を前記
プラズマによってイオン化し、該イオン化した粒子を前
記基板ホルダーに保持された基板に付着させるようにし
たものである。
所定の空間を置いて、配置された蒸発源および基板ホル
ダーと、前記空間にプラズマを発生させるプラズマ発生
手段とを備え、前記蒸発源から蒸発した蒸発粒子を前記
プラズマによってイオン化し、該イオン化した粒子を前
記基板ホルダーに保持された基板に付着させるようにし
たものである。
従来、この種のイオンブレーティング装置において、前
記プラズマ発生手段としては、前記空間にＲＦ（高周波
）電極を配置し、これにＲＦ定電源接続して、前記プラ
ズマとしてＲＦ放電によるプラズマを発生するＲＦ方式
のものと、前記空間にＤＣ（直流）電極を配置し、これ
にＤＣ電源を接続して、前記プラズマとしてＤＣ放電に
よるプラズマを発生するＤＣ方式のものが用いられてい
る。
記プラズマ発生手段としては、前記空間にＲＦ（高周波
）電極を配置し、これにＲＦ定電源接続して、前記プラ
ズマとしてＲＦ放電によるプラズマを発生するＲＦ方式
のものと、前記空間にＤＣ（直流）電極を配置し、これ
にＤＣ電源を接続して、前記プラズマとしてＤＣ放電に
よるプラズマを発生するＤＣ方式のものが用いられてい
る。
ＲＦ方式のプラズマ発生手段を備えたイオンブレーティ
ング装置を第５図に示す。このイオンブレーティング装
置は、特公昭５２−２９９７１号公報に開示されたもの
であり、真空容器１０内に、所定の空間を置いて、配置
された抵抗加熱蒸発源１１（電子ビーム加熱蒸発源でも
よい）および基板ホルダー１２を備えている。基板ホル
ダー１２は、薄膜を作成すべき基板１３を保持するため
のものであると同時に、ＤＣ電源１４によりアース電位
よりもマイナス電位を与えられて陰極として作用するも
のである。抵抗加熱蒸発源１１と基板ホルダー１２との
間には、ＲＦ電極１５が配置され、ＲＦ電極１５には、
ＲＦ電ｉ１＊１６が接続されている。真空容器１０の排
気口１７は、真空容器１０内を所定の真空度に排気し維
持するだめの排気装置（図示せず）に接続される。ガス
導入手段１８は、真空容器１０内にプラズマを発生させ
るのに必要な導入ガス（例えば、アルゴン等の不活性ガ
ス）を真空容器１０内に導入するためのものである。抵
抗加熱蒸発源１１は交流電源１９に接続されて、蒸発粒
子を蒸発するものである。
ング装置を第５図に示す。このイオンブレーティング装
置は、特公昭５２−２９９７１号公報に開示されたもの
であり、真空容器１０内に、所定の空間を置いて、配置
された抵抗加熱蒸発源１１（電子ビーム加熱蒸発源でも
よい）および基板ホルダー１２を備えている。基板ホル
ダー１２は、薄膜を作成すべき基板１３を保持するため
のものであると同時に、ＤＣ電源１４によりアース電位
よりもマイナス電位を与えられて陰極として作用するも
のである。抵抗加熱蒸発源１１と基板ホルダー１２との
間には、ＲＦ電極１５が配置され、ＲＦ電極１５には、
ＲＦ電ｉ１＊１６が接続されている。真空容器１０の排
気口１７は、真空容器１０内を所定の真空度に排気し維
持するだめの排気装置（図示せず）に接続される。ガス
導入手段１８は、真空容器１０内にプラズマを発生させ
るのに必要な導入ガス（例えば、アルゴン等の不活性ガ
ス）を真空容器１０内に導入するためのものである。抵
抗加熱蒸発源１１は交流電源１９に接続されて、蒸発粒
子を蒸発するものである。
このイオンブレーティング装置は以下のように動作され
る。前記排気装置で真空装置１０内を所定の真空度まで
排気した後、ガス導入手段１８から前記導入ガスを導入
しつつ前記排気装置で引き続き排気することにより前記
真空度を維持する。
る。前記排気装置で真空装置１０内を所定の真空度まで
排気した後、ガス導入手段１８から前記導入ガスを導入
しつつ前記排気装置で引き続き排気することにより前記
真空度を維持する。
この状態で、ＲＦ電源１６、ＤＣ電源１４、および交流
電源１９をオンすると、ＲＦ電極１５のまわりにはＲＦ
プラズマが発生する。抵抗加熱蒸発源１１から蒸発した
蒸発粒子は、前記ＲＦプラズマによって、イオン化され
、該イオン化された粒子は基板ホルダー１２に印加され
た前記マイナス電位によって引かれ基板１３に付着する
。
電源１９をオンすると、ＲＦ電極１５のまわりにはＲＦ
プラズマが発生する。抵抗加熱蒸発源１１から蒸発した
蒸発粒子は、前記ＲＦプラズマによって、イオン化され
、該イオン化された粒子は基板ホルダー１２に印加され
た前記マイナス電位によって引かれ基板１３に付着する
。
一方、ＤＣ方式のプラズマ発生手段を備えたイオンブレ
ーティング装置を第６図に示す。このイオンブレーティ
ング装置において、第５図のイオンブレーティング装置
と実質的に異なるのは、抵抗加熱蒸発ａＪｊ、１１′の
代わりに電子ビーム加熱蒸発源２０が用いられ、ＲＦ電
極１５の代わりにＤＣ電極２１が用いられており、ＤＣ
電極２１に、アース電位に対してプラスの電位が印加さ
れるように、ＤＣ電源２２がＤＣ電極２１に接続されて
いる点である。ＤＣ電源２２をオンにすると、電子ビー
ム加熱蒸発源２０の筐体はアースされているので、ＤＣ
電極２１と電子ビーム加熱蒸発源２０の筐体との間には
多数のドツトで示したようなりＣプラズマが発生する。
ーティング装置を第６図に示す。このイオンブレーティ
ング装置において、第５図のイオンブレーティング装置
と実質的に異なるのは、抵抗加熱蒸発ａＪｊ、１１′の
代わりに電子ビーム加熱蒸発源２０が用いられ、ＲＦ電
極１５の代わりにＤＣ電極２１が用いられており、ＤＣ
電極２１に、アース電位に対してプラスの電位が印加さ
れるように、ＤＣ電源２２がＤＣ電極２１に接続されて
いる点である。ＤＣ電源２２をオンにすると、電子ビー
ム加熱蒸発源２０の筐体はアースされているので、ＤＣ
電極２１と電子ビーム加熱蒸発源２０の筐体との間には
多数のドツトで示したようなりＣプラズマが発生する。
ＤＣ電極２１は、図面上下方向に延在する多数の貫通孔
を有している。シャッター２３は、電子ビーム加熱蒸発
源２０から蒸発した蒸発粒子の基板ホルダー１２の方向
への移動を阻止する図示の第１の位置と、これら蒸発粒
子の基板ホルダー１２の方向への移動を許す第２の位置
との間で移動可能である。以下、シャツター２３を前記
第１および前記第２の位置に動かすことを、それぞれ、
シャッター２３を「閉じる」および「開く」と表現する
。
を有している。シャッター２３は、電子ビーム加熱蒸発
源２０から蒸発した蒸発粒子の基板ホルダー１２の方向
への移動を阻止する図示の第１の位置と、これら蒸発粒
子の基板ホルダー１２の方向への移動を許す第２の位置
との間で移動可能である。以下、シャツター２３を前記
第１および前記第２の位置に動かすことを、それぞれ、
シャッター２３を「閉じる」および「開く」と表現する
。
この構造では、シャッター２３を閉じた状態で、電子ビ
ーム加熱蒸発源２０の電源をオンにし、電子ビーム加熱
蒸発源２０から蒸発粒子を蒸発させる。電子ビーム加熱
蒸発源２０からの蒸発粒子の蒸発が安定すると、シャッ
ター２３を開く。この結果、前記蒸発粒子は、前記ＤＣ
プラズマによって、イオン化され、該イオン化された粒
子は、基板ホルダー１２に印加された前記マイナス電位
によって引かれ、ＤＣ電極２１の前記貫通孔を通って基
板１３に付着する。
ーム加熱蒸発源２０の電源をオンにし、電子ビーム加熱
蒸発源２０から蒸発粒子を蒸発させる。電子ビーム加熱
蒸発源２０からの蒸発粒子の蒸発が安定すると、シャッ
ター２３を開く。この結果、前記蒸発粒子は、前記ＤＣ
プラズマによって、イオン化され、該イオン化された粒
子は、基板ホルダー１２に印加された前記マイナス電位
によって引かれ、ＤＣ電極２１の前記貫通孔を通って基
板１３に付着する。
このようなりＣ方式のプラズマ発生手段を備えたイオン
ブレーティング装置は、例えば、特公昭５６−４４１５
０号公報に開示されている。
ブレーティング装置は、例えば、特公昭５６−４４１５
０号公報に開示されている。
［発明が解決しようとする問題点］
第５図に示したようなＲＦ方式のプラズマ発生手段を備
えたイオンブレーティング装置は、上述したとうり、基
板１３と抵抗加熱蒸発源１１との間にＲＦ電極１５を配
置し、ＲＦ電界を作り、その領域にＲＦ放電によるプラ
ズマを発生して、蒸発粒子をイオン化している。他方、
第６図に示したようなりＣ方式のプラズマ発生手段を備
えたイオンブレーティング装置は、上述したとうり、電
子ビーム加熱蒸発源２０上にＤＣ電極２１を配置し、蒸
発物質より発生する熱電子を積極的に利用し、電子ビー
ム加熱蒸発源２０とＤＣ電極２１との間でＤＣアーク放
電領域を作り、蒸発粒子をイオン化しているので、第５
図の場合よりも、高イオン化率を得ることができる。第
５図のＲＦ方式のイオンブレーティング装置は、たとえ
、第６図の装置の場合と同じ電子ビーム加熱蒸発ＦＡ２
０を用いたとしても、イオン化率の点では、ＤＣアーク
放電を利用した第６図のＤＣ方式のイオンブレーティン
グ装置には、及ばないことも知られている。
えたイオンブレーティング装置は、上述したとうり、基
板１３と抵抗加熱蒸発源１１との間にＲＦ電極１５を配
置し、ＲＦ電界を作り、その領域にＲＦ放電によるプラ
ズマを発生して、蒸発粒子をイオン化している。他方、
第６図に示したようなりＣ方式のプラズマ発生手段を備
えたイオンブレーティング装置は、上述したとうり、電
子ビーム加熱蒸発源２０上にＤＣ電極２１を配置し、蒸
発物質より発生する熱電子を積極的に利用し、電子ビー
ム加熱蒸発源２０とＤＣ電極２１との間でＤＣアーク放
電領域を作り、蒸発粒子をイオン化しているので、第５
図の場合よりも、高イオン化率を得ることができる。第
５図のＲＦ方式のイオンブレーティング装置は、たとえ
、第６図の装置の場合と同じ電子ビーム加熱蒸発ＦＡ２
０を用いたとしても、イオン化率の点では、ＤＣアーク
放電を利用した第６図のＤＣ方式のイオンブレーティン
グ装置には、及ばないことも知られている。
このように、ＲＦ方式のイオンブレーティング装置は、
イオン化率が低いので、ＴｉＮ等の硬質膜の作成には、
膜質および膜付着力の点で不向きであるが、基板の温度
上昇が低いので、電子材料、光学膜（ＩＴＯ）、有機膜
等、応用範囲は広い。
イオン化率が低いので、ＴｉＮ等の硬質膜の作成には、
膜質および膜付着力の点で不向きであるが、基板の温度
上昇が低いので、電子材料、光学膜（ＩＴＯ）、有機膜
等、応用範囲は広い。
また、蒸発源として、抵抗加熱蒸発源も電子ビーム加熱
蒸発源も用いることができる。
蒸発源も用いることができる。
他方、ＤＣ方式のイオンブレーティング装置は、イオン
化率が高いので、ＴｉＮ等の硬質膜の作成に適している
が、電子ビーム発生源が必要であり、他の蒸発源、例え
ば、抵抗加熱（ボート式）蒸発源、には熱電子不足で不
向きである。
化率が高いので、ＴｉＮ等の硬質膜の作成に適している
が、電子ビーム発生源が必要であり、他の蒸発源、例え
ば、抵抗加熱（ボート式）蒸発源、には熱電子不足で不
向きである。
上述のように、ＲＦ方式のイオンブレーティング装置お
よびＤＣ方式のイオンブレーティング装置にはそれぞれ
一長一短があり、種々の高品質な薄膜を得るためには、
ＲＦ方式のイオンブレーティング装置とＤＣ方式のイオ
ンブレーティング装置とを、少なくとも一台ずつ、用意
する必要があった。
よびＤＣ方式のイオンブレーティング装置にはそれぞれ
一長一短があり、種々の高品質な薄膜を得るためには、
ＲＦ方式のイオンブレーティング装置とＤＣ方式のイオ
ンブレーティング装置とを、少なくとも一台ずつ、用意
する必要があった。
また、従来、スパッタリイングの際にも、同様に、作成
すべき材料に応じて、イオン化率の低いＲＦ放電を用い
るＲＦスパッタリイング装置と、イオン化率の高いＤＣ
放電を用いるＤＣスパッタリイング装置とを使い分けて
おり、種々の高品質な薄膜を得るためには、ＲＦ方式の
スバッタリイング装置とＤＣ方式のスパッタリイング装
置とを、少なくとも一台ずつ、用意する必要があった。
すべき材料に応じて、イオン化率の低いＲＦ放電を用い
るＲＦスパッタリイング装置と、イオン化率の高いＤＣ
放電を用いるＤＣスパッタリイング装置とを使い分けて
おり、種々の高品質な薄膜を得るためには、ＲＦ方式の
スバッタリイング装置とＤＣ方式のスパッタリイング装
置とを、少なくとも一台ずつ、用意する必要があった。
本発明の課題は、ＲＦ方式としてもＤＣ方式としても使
用可能な薄膜作成装置を提供することにある。
用可能な薄膜作成装置を提供することにある。
［課題を解決するだめの手段］
本発明によれば、真空容器内に、所定の空間を置いて、
配置された蒸発源および基板ホルダーと、前記空間にプ
ラズマを発生させるプラズマ発生手段とを備え、 前記蒸発源から蒸発した蒸発粒子を前記プラズマによっ
てイオン化し、該イオン化した粒子を前記基板ホルダー
に保持された基板に付着させるようにした薄膜作成装置
において、 前記プラズマ発生手段は、 前記空間に配置され、ＲＦ電源が接続された時には、前
記プラズマとしてＲＦ放電によるプラズマを発生し、Ｄ
Ｃ電源が接続された時には、前記プラズマとしてＤＣ放
電によるプラズマを発生するＲＦおよびＤＣ共用電極と
、 前記ＲＦおよびＤＣ共用電極に、前記ＲＦｆＫ源および
前記ＤＣ電源のうちの一方を、選択的に接続する切換手
段とを含むことを特徴とする薄膜作成装置が得られる。
配置された蒸発源および基板ホルダーと、前記空間にプ
ラズマを発生させるプラズマ発生手段とを備え、 前記蒸発源から蒸発した蒸発粒子を前記プラズマによっ
てイオン化し、該イオン化した粒子を前記基板ホルダー
に保持された基板に付着させるようにした薄膜作成装置
において、 前記プラズマ発生手段は、 前記空間に配置され、ＲＦ電源が接続された時には、前
記プラズマとしてＲＦ放電によるプラズマを発生し、Ｄ
Ｃ電源が接続された時には、前記プラズマとしてＤＣ放
電によるプラズマを発生するＲＦおよびＤＣ共用電極と
、 前記ＲＦおよびＤＣ共用電極に、前記ＲＦｆＫ源および
前記ＤＣ電源のうちの一方を、選択的に接続する切換手
段とを含むことを特徴とする薄膜作成装置が得られる。
さらに本発明によれば、真空容器内に、所定の空間を置
いて、配置されたターゲットおよび基板ホルダーと、 前記空間にプラズマを発生させるプラズマ発生手段とを
備え、 前記プラズマ中のイオンの前記ターゲットへの衝突によ
り発生した前記ターゲットからのスパッタ粒子を、前記
基板ホルダーに保持された基板に付着させるようにした
薄膜作成装置において、前記プラズマ発生手段は、 前記ターゲットの前記基板ホルダーに対向する面とは反
対側の面に設けられ、ＲＦ主電源接続された時には、前
記プラズマとしてＲＦ放電によるプラズマを発生し、Ｄ
Ｃ電源が接続された時には、前記プラズマとしてＤＣ放
電によるプラズマを発生する電極と、 前記電極に、前記ＲＦ主電源よび前記ＤＣ電源のうちの
一方を、選択的に接続する切換手段とを含むことを特徴
とする薄膜作成装置が得られる。
いて、配置されたターゲットおよび基板ホルダーと、 前記空間にプラズマを発生させるプラズマ発生手段とを
備え、 前記プラズマ中のイオンの前記ターゲットへの衝突によ
り発生した前記ターゲットからのスパッタ粒子を、前記
基板ホルダーに保持された基板に付着させるようにした
薄膜作成装置において、前記プラズマ発生手段は、 前記ターゲットの前記基板ホルダーに対向する面とは反
対側の面に設けられ、ＲＦ主電源接続された時には、前
記プラズマとしてＲＦ放電によるプラズマを発生し、Ｄ
Ｃ電源が接続された時には、前記プラズマとしてＤＣ放
電によるプラズマを発生する電極と、 前記電極に、前記ＲＦ主電源よび前記ＤＣ電源のうちの
一方を、選択的に接続する切換手段とを含むことを特徴
とする薄膜作成装置が得られる。
［実施例コ
次に、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。
る。
第１図を参照すると、本発明の第１の実施例による薄膜
作成装置は、イオンブレーティング装置であり、電子ビ
ーム加熱蒸発源２０と基板ホルダー１２との間の空間に
配置された、ＲＦおよびＤＣ共用電極２４を有している
。このＲＦおよびＤＣ共用電極２４は、ＲＦＦ源１６が
接続された時には、ＲＦおよびＤＣ共用電極２４の周り
にＲＦ放電によるプラズマを発生し、ＤＣ電源２２が接
続された時には、ＲＦおよびＤＣ共用電極２４の周りに
ＤＣ放電によるプラズマを発生することができ、例えば
、第２図のように渦巻き型のものである。このようなＲ
ＦおよびＤＣ共用電極２４を用いることによってＲＦ放
電、ＤＣ放電のどちらの放電においても安定な放電状態
を１０−’Ｔｏｒｒ台の高真空でも維持できる。
作成装置は、イオンブレーティング装置であり、電子ビ
ーム加熱蒸発源２０と基板ホルダー１２との間の空間に
配置された、ＲＦおよびＤＣ共用電極２４を有している
。このＲＦおよびＤＣ共用電極２４は、ＲＦＦ源１６が
接続された時には、ＲＦおよびＤＣ共用電極２４の周り
にＲＦ放電によるプラズマを発生し、ＤＣ電源２２が接
続された時には、ＲＦおよびＤＣ共用電極２４の周りに
ＤＣ放電によるプラズマを発生することができ、例えば
、第２図のように渦巻き型のものである。このようなＲ
ＦおよびＤＣ共用電極２４を用いることによってＲＦ放
電、ＤＣ放電のどちらの放電においても安定な放電状態
を１０−’Ｔｏｒｒ台の高真空でも維持できる。
第１図において、ＲＦおよびＤＣ共用電極２４には、そ
れにＲＦＦ源１６およびＤＣ電源２２のうちの一方を、
選択的に接続する切換手段２５が結合されている。切換
手段２５は、ジヨイント部２６によって、真空容器１０
内部に連結されたマツチングボックス２７と、マツチン
グボックス２７内に設けられ、出力端子がＲＦおよびＤ
Ｃ共用電極２４に接続され、ＤＣ側入力端子がＤＣ電源
２２に接続された切換器２８と、マツチングボックス２
７内に設けられ、ＲＦ？￥！源１６と切換器２８のＲＦ
側大入力端子の間に接続されたコンデンサ２９およびコ
イル３０の直列接続回路とを有している。コンデンサ２
９およびコイル３０の直列接続回路は、大気中より真空
容器１０内にＲＦ電力を導入する場合のインピーダンス
整合をとるためのものである。マッチングボ・ソクス２
７には、真空容器１０内への電波の影響を防止するため
に電波シールが施されている。
れにＲＦＦ源１６およびＤＣ電源２２のうちの一方を、
選択的に接続する切換手段２５が結合されている。切換
手段２５は、ジヨイント部２６によって、真空容器１０
内部に連結されたマツチングボックス２７と、マツチン
グボックス２７内に設けられ、出力端子がＲＦおよびＤ
Ｃ共用電極２４に接続され、ＤＣ側入力端子がＤＣ電源
２２に接続された切換器２８と、マツチングボックス２
７内に設けられ、ＲＦ？￥！源１６と切換器２８のＲＦ
側大入力端子の間に接続されたコンデンサ２９およびコ
イル３０の直列接続回路とを有している。コンデンサ２
９およびコイル３０の直列接続回路は、大気中より真空
容器１０内にＲＦ電力を導入する場合のインピーダンス
整合をとるためのものである。マッチングボ・ソクス２
７には、真空容器１０内への電波の影響を防止するため
に電波シールが施されている。
第１図に加えて、第１図のＡ部を示した第２図をも参照
して、このイオンブレーティング装置の動作中のＲＦお
よびＤＣ共用電極２４の温度上昇を押さえるために、冷
却水を、マツチングボックス２７の外部から、コイル３
０の内部、バイパス用ビニールチューブ３１の内部を経
て、ＲＦおよびＤＣ共用電極２４の内部に導くとともに
、そこから、上記と逆のルートで冷却水をマツチングボ
ックス２７の外部に排出する。なお、切換器２８のＲＦ
側大入力端子出力端子とは、バイパス用ビニールチュー
ブ３１を介してつながっているが、バイパス用ビニール
チューブ３１は、電気的絶縁物であるので、切換器２８
のＲＦ側大入力端子出力端子とは電気的には接続されな
い。第３図の３２は真空シール部である。
して、このイオンブレーティング装置の動作中のＲＦお
よびＤＣ共用電極２４の温度上昇を押さえるために、冷
却水を、マツチングボックス２７の外部から、コイル３
０の内部、バイパス用ビニールチューブ３１の内部を経
て、ＲＦおよびＤＣ共用電極２４の内部に導くとともに
、そこから、上記と逆のルートで冷却水をマツチングボ
ックス２７の外部に排出する。なお、切換器２８のＲＦ
側大入力端子出力端子とは、バイパス用ビニールチュー
ブ３１を介してつながっているが、バイパス用ビニール
チューブ３１は、電気的絶縁物であるので、切換器２８
のＲＦ側大入力端子出力端子とは電気的には接続されな
い。第３図の３２は真空シール部である。
第１図を参照して、本イオンブレーティング装置により
薄膜を作成する場合の動作を説明する。
薄膜を作成する場合の動作を説明する。
まず、シャッター２３を閉じた状態で、前処理としてイ
オンボンバードにより基板１３の清浄化を行う。この場
合、基板１３の清浄化は、ＲＦ電源１６によるＲＦ放電
または直流電源２２および１４によるＤＣグロー放電に
て行う。次に、例えば低融点のＣｕの蒸着時には低融点
材料に対しても放電が安定なＲＦ放電を用いる。また、
例えばＴｉを蒸着する場合には切換器２８でＤＣ電源２
２側を選択し、イオン化率のよいＤＣ放電によりイオン
ブレーティングを行う。なお、前述の前処理および蒸着
処理中は基板ホルダー１２は、矢印Ｈに沿って回転され
る。
オンボンバードにより基板１３の清浄化を行う。この場
合、基板１３の清浄化は、ＲＦ電源１６によるＲＦ放電
または直流電源２２および１４によるＤＣグロー放電に
て行う。次に、例えば低融点のＣｕの蒸着時には低融点
材料に対しても放電が安定なＲＦ放電を用いる。また、
例えばＴｉを蒸着する場合には切換器２８でＤＣ電源２
２側を選択し、イオン化率のよいＤＣ放電によりイオン
ブレーティングを行う。なお、前述の前処理および蒸着
処理中は基板ホルダー１２は、矢印Ｈに沿って回転され
る。
第４図を参照すると、本発明の第２の実施例による薄膜
作成装置は、スバッタリイング装置であり、真空容器１
０内に、所定の空間を置いて、配置されたターゲット３
３および基板ホルダー１２を有している。このスバッタ
リイング装置は、前記空間にプラズマを発生させて、こ
のプラズマ中のイオンのターゲット３３への衝突により
発生したターゲット３３からのスパッタ粒子を、基板ホ
ルダー１２に保持された基板１３に付着させるものであ
る。
作成装置は、スバッタリイング装置であり、真空容器１
０内に、所定の空間を置いて、配置されたターゲット３
３および基板ホルダー１２を有している。このスバッタ
リイング装置は、前記空間にプラズマを発生させて、こ
のプラズマ中のイオンのターゲット３３への衝突により
発生したターゲット３３からのスパッタ粒子を、基板ホ
ルダー１２に保持された基板１３に付着させるものであ
る。
基板ホルダー１２は、真空容器１０を介してアースされ
ている。ターゲット３３の基板ホルダー１２に対向する
面とは反対側の面には、マグネトロンカソードと呼ばれ
る電極３４が設けられている。電極３４は、マグネトロ
ンカソード本体３５と、マグネトロンカソード本体３５
内に設けられたマグネット３６とを有している。この電
極３４には、ＲＦ電［１６およびＤＣ電源２２のうちの
−Ｂを、選択的に電極３４に接続する、第１図のものと
同様の切換手段２５が結合されている。
ている。ターゲット３３の基板ホルダー１２に対向する
面とは反対側の面には、マグネトロンカソードと呼ばれ
る電極３４が設けられている。電極３４は、マグネトロ
ンカソード本体３５と、マグネトロンカソード本体３５
内に設けられたマグネット３６とを有している。この電
極３４には、ＲＦ電［１６およびＤＣ電源２２のうちの
−Ｂを、選択的に電極３４に接続する、第１図のものと
同様の切換手段２５が結合されている。
電極３４は、切換手段２５の切換器２８によって、ＲＦ
電源１６に接続された時には、電極３４と基板ホルダー
１２との間にＲＦ放電によるプラズマを発生する。この
状態では、このスパッタリイング装置は、ＲＦマグネト
ロンスバッタリイング装置として働く。他方、電極３４
が切換器２８によってＤＣ？Ｉｉ源２２に接続された時
には、電極３４と基板ホルダー１２との間にはＤＣ放電
によるプラズマが発生する。この時は、このスバッタリ
イング装置は、ＤＣマグネトロンスパッタリイング装置
として働く。
電源１６に接続された時には、電極３４と基板ホルダー
１２との間にＲＦ放電によるプラズマを発生する。この
状態では、このスパッタリイング装置は、ＲＦマグネト
ロンスバッタリイング装置として働く。他方、電極３４
が切換器２８によってＤＣ？Ｉｉ源２２に接続された時
には、電極３４と基板ホルダー１２との間にはＤＣ放電
によるプラズマが発生する。この時は、このスバッタリ
イング装置は、ＤＣマグネトロンスパッタリイング装置
として働く。
なお、３７はアースシールド、３８は絶縁物である。
このスパッタリイング装置でも、切換手段２５によって
、作成すべき材料に応じてイオン化率の低いＲＦ放電お
よびイオン化率の高いＤＣ放電の一方を選択することが
できる。
、作成すべき材料に応じてイオン化率の低いＲＦ放電お
よびイオン化率の高いＤＣ放電の一方を選択することが
できる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、切換手段によっ
て、作成すべき材料に適したＲＦ放電およびＤＣ放電の
一方を選択することができるので、−台の装置でＲＦ放
電による薄膜の作成とＤＣ放電による薄膜の作成とを行
うことができ、経済上の効果は大である。
て、作成すべき材料に適したＲＦ放電およびＤＣ放電の
一方を選択することができるので、−台の装置でＲＦ放
電による薄膜の作成とＤＣ放電による薄膜の作成とを行
うことができ、経済上の効果は大である。
図、第４図は本発明の第２の実施例による薄膜作成装置
の概略図、第５図は従来のＲＦ方式のイオンブレーティ
ング装置の概略図、第６図は従来のＤＣ方式のイオンブ
レーティング装置の概略図である。
の概略図、第５図は従来のＲＦ方式のイオンブレーティ
ング装置の概略図、第６図は従来のＤＣ方式のイオンブ
レーティング装置の概略図である。
１０は真空容器、１１は抵抗加熱蒸発源、１２は基板ホ
ルダー １３は基板、１４はＤＣ電源、１５はＲＦ電極
、１６はＲＦ電源１６．１８はガス導入手段、２０は電
子ビーム加熱蒸発源、２１はＤＣ電極、２２はＤＣ電源
、２４はＲＦおよびＤＣ共用電極、２５は切換手段、２
７はマツチングボックス、２８は切換器、３３はターゲ
ット、３４は電極（マグネトロンカソード）、３５はマ
グネトロンカソード本体、３６はマグネット。
ルダー １３は基板、１４はＤＣ電源、１５はＲＦ電極
、１６はＲＦ電源１６．１８はガス導入手段、２０は電
子ビーム加熱蒸発源、２１はＤＣ電極、２２はＤＣ電源
、２４はＲＦおよびＤＣ共用電極、２５は切換手段、２
７はマツチングボックス、２８は切換器、３３はターゲ
ット、３４は電極（マグネトロンカソード）、３５はマ
グネトロンカソード本体、３６はマグネット。
第１図は本発明の第１の実施例による薄膜作成装置の概
略図、第２図は第１図の薄膜作成装置に使用可能なＲＦ
およびＤＣ共用電極の一例を示した平面図、第３図は第
１図のＡ部を詳細に示した第３図
略図、第２図は第１図の薄膜作成装置に使用可能なＲＦ
およびＤＣ共用電極の一例を示した平面図、第３図は第
１図のＡ部を詳細に示した第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、真空容器内に、所定の空間を置いて、配置された蒸
発源および基板ホルダーと、 前記空間にプラズマを発生させるプラズマ発生手段とを
備え、 前記蒸発源から蒸発した蒸発粒子を前記プラズマによっ
てイオン化し、該イオン化した粒子を前記基板ホルダー
に保持された基板に付着させるようにした薄膜作成装置
において、前記プラズマ発生手段は、 前記空間に配置され、ＲＦ電源が接続された時には、前
記プラズマとしてＲＦ放電によるプラズマを発生し、Ｄ
Ｃ電源が接続された時には、前記プラズマとしてＤＣ放
電によるプラズマを発生するＲＦおよびＤＣ共用電極と
、 前記ＲＦおよびＤＣ共用電極に、前記ＲＦ電源および前
記ＤＣ電源のうちの一方を、選択的に接続する切換手段
とを含むことを特徴とする薄膜作成装置。 ２、真空容器内に、所定の空間を置いて、配置されたタ
ーゲットおよび基板ホルダーと、前記空間にプラズマを
発生させるプラズマ発生手段とを備え、 前記プラズマ中のイオンの前記ターゲットへの衝突によ
り発生した前記ターゲットからのスパッタ粒子を、前記
基板ホルダーに保持された基板に付着させるようにした
薄膜作成装置において、前記プラズマ発生手段は、 前記ターゲットの前記基板ホルダーに対向する面とは反
対側の面に設けられ、ＲＦ電源が接続された時には、前
記プラズマとしてＲＦ放電によるプラズマを発生し、Ｄ
Ｃ電源が接続された時には、前記プラズマとしてＤＣ放
電によるプラズマを発生する電極と、 前記電極に、前記ＲＦ電源および前記ＤＣ電源のうちの
一方を、選択的に接続する切換手段とを含むことを特徴
とする薄膜作成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30095288A JPH02149668A (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 薄膜作成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30095288A JPH02149668A (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 薄膜作成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02149668A true JPH02149668A (ja) | 1990-06-08 |
Family
ID=17891060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30095288A Pending JPH02149668A (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 薄膜作成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02149668A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10975468B2 (en) * | 2014-03-03 | 2021-04-13 | Tokyo Electron Limited | Method of cleaning plasma processing apparatus |
-
1988
- 1988-11-30 JP JP30095288A patent/JPH02149668A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10975468B2 (en) * | 2014-03-03 | 2021-04-13 | Tokyo Electron Limited | Method of cleaning plasma processing apparatus |
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