JPH02149848A - 感光性材料及びこれを用いた感光性組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、波長が３１０ｎｍ以下の遠紫外光により極
性が大幅に変化する感光性材料と、これを用いた感光性
組成物であって上述の遠紫外線、例えばＸｅＣ９エキシ
マレーザ光線（波長３０８ｎｍ　）　、ＫｒＦエキシマ
レーザ光線（波長２４８ｎｍ　）　、ＡｒＦエキシマレ
ーザ光線（波長１９３ｎｍ　）　、或いは電子線、Ｘ線
等に感応する感光性組成物に関するものである。

（従来の技術） 半導体装置の高集積化、高速化に伴ない、半導体装置の
製造に用いる微細加工技術に対する要求は増々厳しいも
のになっている。そして、この微細加工技術のなかでも
、特にレジストプロセス技術は、半導体装置の製造を進
めるうえでの基盤技術になるため、所望のレジストパタ
ンを得ることが出来る技術が望まれでいる。

このようなレジストプロセスで用いられるパターン形成
用の感光性組成物（以下、レジストと称することもある
）としでは、従来がら種々のものがあるか、解像度が高
いという理由から、ノボラック系樹脂をベース樹脂とし
これにナツトキノンシアシト系感光性材料を添加した構
成のポジ型レジストか良く用いられでいた。このポジ型
レジストによれば、超高圧水銀灯の９線（波長４３６ｎ
ｍ）を用いた縮小投影型露光装ゴで、解像線幅が０．８
ｕｍ程度のレジストパターンの形成が可能となっている
。

ところで、解像線幅をＲとし、露光装置に備わる縮小投
影レンズの開口数をＮＡとし、露光に用いる光の波長を
λとした場合、この解像線幅Ｒは、Ｒ＝に入／ＮＡ（ｋ
はプロセスで決まる定数）で決定される。従って、解像
度を今後ざらに高めようとする場合には、λを小ざくす
るかＮＡを大きくする必要がある。

しかし、開口数を大きくすると焦点深度か浅くなること
による弊害が生しる。また、焦点深度を所望の値にしか
つ一定のフィールドサイズを確保するためには、大きな
径のレンズを用いる必要があるか、このような大型レン
ズを作製するには技術的に困難なことが多い、従って、
開口数を大きくすることは好ましいことではない。

一方、入を小ざくすること即ち光源を短波長化すること
については、現在、Ｘｅ−Ｈｇランプを用いることによ
ってなされておりまた、にｒＦエキシマレーザ（波長２
４８ｎｍ　）がリンクラフィ用光源として利用可能とな
ってきでいることによってもなされている。従って、こ
れら光源と、これら光源に適合するレジストとを用いる
ことによって、ざらに微細なレジストパターンの形成が
可能になる。

そこでこのような短波長光用のレジストを考えた場合、
従来は、以下のようなものか知られていた。

ポジ型のものとしては、シラプレー社から販売されてい
るＭＰ−２４００と称される、クレゾールノボラック系
樹脂と、キノンジアジド系の感光性材料とを組み合せた
レジストがあった。このＭＰ−２４００は、遠紫外線に
対する透明度は充分とは云えないが、ある程度の解像度
は得られるものであった。

一方、ネガ型のものとしでは、例えば、文献（ＩＥＥＥ
　ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ　ＯＮ　ＥＬＥＣＴＲＯＮ
　ＤＥＶＩＣＥＳ（アイイーイーイー・トランザクショ
ン・オン・エレクトロン・デバイセズ）　ＥＤ−２８（
ＩＩ）　Ｎｏｖ、（１９８１）　Ｐ。

＋３０６）に開示されでいる、ポリ（ビニルフェノール
）と、ビスアジドとを組み合わせた遠紫外線用レジスト
があった。このレジストによれば、ＸｅＨ９ランプ及び
コールドミラーＣＭ２９０　ｕ用いてコンタクト露光を
行なった場合、０．４ｕｍ幅のラインパターン％１．２
ｕｍの間隔で解像することが出来ると云う。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、キノンジアジド系の感光゛け材料ではこ
れが光照射によりカルボン酸を含む５員環誘導体になり
これがアルカリ可溶性となるのみであり、一方のビスア
ジド系感光性材料ではこれが光照射によりナイトレンラ
ジカルを発生し架橋材として作用するのみであった。従
って、これら感光性材料を含むレジストのベース樹脂を
、架橋部位の有るものと無いものとに変えたとしても、
これによってこのレジストをネガ型／ポジ型に変化させ
ることは出来なかった。

この発明はこのような点に鑑みなされたものであり、従
ってこの出願の第一発明の目的は、３１０ｎｍ以下の遠
紫外線光の照射前後において溶解抑止能力（即ち極性）
か大幅に変化する感光性材料であって、然もレジストに
含ませて用いた場合に該レジストのベース樹脂の架橋部
位の有無により該レジストをネガ型レジストにもポジ型
レジストにも出来る感光性材料を提供することにある。

ざらにこの出願の第二発明の目的は、上述の感光性材料
を用いた感光性組成物を提供することにある。

（課題を解決するための手段） この出願の第一発明の目的の達成を図るため、この出願
に係る発明者は、種々の化合物につき鋭意棟討を重ねた
。そして、一般にはプラスチツウ製造の溶媒等に用いら
れでいてそれ自体では極性が高いγ−ブチロラクトンに
極性が低くなるようにハロゲンを結合させた化合物であ
って、現在のところは有機化学の試薬に用いられている
程度である化合物に着目することにより、この発明を完
成するに至った。

従ってこの出願の第一発明の感光性材料は、下記一般式
（Ｉ）に示されるα−ハロ−γ−ブチロラクトン誘導体
から成ることを特徴とする（但し（Ｉ）式において、Ｘ
、及び×２は少なくとも一方がハロゲン原子、ざらにＲ
５及びＢ２は、アルキル基、アラルキル基、アリール基
、置換基を有するアリール基、ハロアルキル基及び水素
の中から選ばれた互いに同一または異なる基であり、こ
れらＢ１及びＲ２は一体となって環を形成していても良
い、さらに、Ｒ３及びＲ４は少なくとも方がハロアルキ
ル基であり、他方はアルキル基、アラルキル基、アリー
ル基、置換基を有してしするアリール基、ハロアルキル
基及び水素の中から選ばれた基であつ、該Ｒ３及びＲ４
の一方はＲ１及びＲ２の一方と一体となって環ヲ形成し
てし１てもなお、ここで云うα−ハロ−γ−プチロラク
トシ誘導体の具体例としては例えば以下の（１）〜（１
７）式で示すようなものヲ挙げることか出来る。

しかしこれらにのみ限られるものではない。

ＣＨ。

Ｏ トニトリル、プロピオニトリル等のニトリル類が特異的
に好ましい。

上述した化合物のうち式（１）〜（９）及び（１５）〜
（１７）で示される化合物等は、それぞれ適正な出発原
料から下記（＋１　）式に示すように塩化第一銅を触媒
とする分子内環化反応法により合成出来る。

なあこの合成で用いる触媒の量は分子間反応を防ぐため
、ある程度多いほうが（例えば１０〜３０ｍｏ１％）好
ましい。また、合成に用いる溶媒は、アセまた、式（１
０）〜（１３）で示される各化合物等は、市販品で入手
可能である。

また、この出願の第二発明の感光性組成物によれば、溶
剤と、ベース樹脂と、感光性材料とを含む感光性組成物
においで、前記感光性材料として上述の一般式（Ｉ）で
示されるα−八ローγ−ブチロラクトン誘導体を少なく
とも一種類以上含有させて成ることを特徴とする。

ここで、ベース樹脂としては、３１０ｎｍ以下の波長領
域で吸収のないもの、或いは特定波長（例えば波長２４
８ｎｍ　）に対し透明な（吸収の窓がある）ものが好ま
しい、このようなベース樹脂としでは、例えば、ｐ−ク
レゾールノボラック、ポリビニルフェノール、ポリビニ
ルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリ−α−メチ
ルヒドロキシスチレン、ポリビニルフェノール・メチル
メタクリレート共重合物等を挙げることが出来る。しか
し、ベース材料は上述のものに限られるものではなくこ
れら以外の好適なものでも勿論良い。

また、感光性組成物を構成するに当たり、α−ハロ−γ
−ブチロラクトン誘導体のベース樹脂に対する含有量が
５重量％未満であったり５０重量％より多いと、感度低
下や成膜性の低下を来たしレジストとしての笑用性がな
くなるので、含有量は５〜５０重量％の範囲内の値とす
るのが好適である。

（作用） この出願の第一発明の感光性材料は、光、特に波長が３
１０ｎｍ以下の遠紫外光を受けると、光反応によってハ
ロゲンを放出する。例えばＣＩ）式中のＸ、及び×２が
共にハロゲン（例えば塩素）である場合は、光反応によ
って下記（Ｉ［Ｉ）式に示す如くハロゲンを放出する。

従って、この感光性材料を含む系内に活゛け水素がある
と、このＣｑラジカルはその水素を引き抜くラジカルも
オレフィンが存在しない場合には系内の水素を、引き抜
くと考えられる。

また、モノハロゲン化物の光反応による塩素弓き抜きは
、上述したジハロゲン化物よりも容易ではないか、やは
りハロゲンを放出し に変化する。

従ってこのようなハロゲンの放出に伴いこの感光性材料
の極性は増大し、この結果、水に対する溶解性は増加し
比較的低極性の有機溶媒に対する溶解性は低下する。

このため、この第一発明の感光性材料をアルカリ可溶性
のベース樹脂と共に用いて感光性組成物（レジスト）を
構成すると、これの光照射された部分は極性が高まり現
像液に溶解するようになるので、ポジ型レジストとして
利用出来る。

これに対し、この第一発明の感光性材料を架橋部位を有
するベース樹脂と共に用いて感光性１組成物（レジスト
）を構成すると、これの光照射された部分ては感光゛注
材料から放出されるラジカルの水素引き抜きによるラジ
カル発生を利用した架橋が起こるため現像液に溶解しな
くなるので、ネガ型レジストとして利用出来る。

（実施例） 以下、この発明の感光性材料と、これを用いた感光性組
成物との実施例につきそれぞれ説明する。しかしながら
、以下の実施例中で述べる数値的条件、使用袋：及び使
用薬品等は単なる例示にすぎず、従って、この発明が以
下に記載の数値的条件、使用装百及び使用薬品のみに限
定されるものでないことは理解されたい。

感光性材料の説明 先す、この出願の第一発明である感光性材料のいくつか
の実施例を、それぞれの感光性材料の出発原料の合成法
、この出発原料からの当該感光性材料の合成法、及び、
物質データにより、説明する。

〈実施例１〉 実施例１として上述の（１）式で示される２、２−ジク
ロロ−３−クロロメチル−γブチロラクトンにつき説明
する。

■出発原料の合成。

実施例１の感光性材料の出発原料としてトリクロロ酢酸
ア１ノルを用いる。このトリクロロ酢酸アリルを以下に
説明するように合成した。

トリクロロ酸Ｗ　１６３．４９（１，００ｍｏｌ）に触
媒量のパラトルエンスルホン酸を加えたものに、アリル
アルコール１３５ｍ１（２，００ｍｏｌ）を１０分間か
けで滴下した０次に、これによって得た反応混合物を２
０時間加熱還流した。なおこの加熱還流中に生成してく
る水はＴｙｐｅ−３Ａのモレキュラーシーブをつめた漏
斗にて昇温法によりとりのぞいな０次に、加熱還流の終
了した前記反応混合物を冷却後これに１５０ｍ１の水を
加え塩化メチレン（４００ｍｌ）にて抽出した。この抽
出物を炭酸水素ナトリウム水溶液と、飽和食塩水とで洗
浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。この乾燥物をエバ
ポレータでＪ線温蒸留し、出発原料であるトリクロロ酢
酸アリル（＋８６．８９．収率９４．１％）を得た。こ
の出発原料の物質データを調へたところ以下のようなも
のであった。

■・・・薄層クロマトグラフィによるＲ　４（ａは０．
６８であった。

なお、ＲｆＪｌｍの測定は以下のように行なった。出発
原料の溶媒としては、ヘキサンとエチルエーテルと％１
：１（体積比）の割合で混合した液を用いた。またＲ　
ｔ　’＋ａの測定には、アルドリッチより市販されてい
る且Ｃプレートを用いた。また発色は、トルイジンのエ
タノール溶液を吹き付けた後Ｕｖライトを照射する方法
によった（以下同様）。

■−Ｈ’ＮＭＲ（６０ＭＨｚ、　ＣＣ０ｊ４）　：　４
．７８（ｄｄ、２Ｈ，Ｊ＝５．２，１．８Ｈｚ、０ＣＱ
２）　、　５．１７〜６．３５　（ｍ、３Ｈ，オレフィ
ンプロトン）。

■−ＩＲスペクトル（ｎｅａｔ）　：　１７７０．１６
５０．１２３０゜９９０．９４０．７５５ｃｍ− ■・Ｂ、Ｐ、（減圧上沸点）　：　７６．５−７７．５
°Ｃ、／　ｌ　７ｍｍＨ９゜ ■・・・実施例１の感光性材料の合成。

次に、上述の如く合成したトリクロロ酢酸アリルから、
実施例１の感光性材料である、２．２−ジクロロ−３−
クロロメチル−γブチロラクトンを以下に説明するよう
に合成した。

オートクレーブ中に、塩化第一銅１９　（１０ｍｍｏｌ
）と、トリクロロ酢酸アリル２０．５ｑ（１００ｍｍｏ
ｌ）と、乾燥アセトニトリル５００ｍ１（Ｔｙｐｅ−３
Ａのモレキュラーシーブで前乾燥後五酸化リンから蒸留
したもの）とを入れ激しく攪拌しながら１４０℃の温度
で３時間加熱した０次に、生成した粗生成物から溶媒だ
け除き、この粗生成物からシリカゲルによるカラムクロ
マドグラフィにて白色結晶である２、２−ジクロロ−３
−クロロメチル−γブチロラクトンを単離した（＋５．
７９、収率７７％）、なあ、出発原料１．４９（７％）
が回収された。実施例］の感光性材料の物質データを調
べたところ以下のようなものであった。

■・・・Ｒｆ（ａ　：　０．３８　（ヘキサン　エチル
エーテル＝１＝１（体積比））。

■−Ｈ’ＮＭＲ（９０ＭＨｚ、ＣＤＣ（＋３）　　：　
３．３６（ｍ、ＩＨ，Ｃ３！：り、３．７３（ｄｄ　１
ｉｋｅ　ｔ、ＩＨ，、ｂ８．８．ＩＯ，ＯＨｚ、Ｃｓｌ
：り　、　３．９７（ｄｄ、ｌＨ，Ｊ□５．０．ＩＯ，
ＯＨｚ、ＣＪ）、４．２１（ｄｄ　１ｉｋｅ　ｔ、ＩＨ
１＝８．０，９．３Ｈｚ、ＣＪｊ　）　、４．６５（ｄ
ｄ、ＩＨ，Ｊ＝７．３．９．３Ｈｚ。

Ｃ４Ｈ）。

■・”ＣＮＭＲ（２５ＭＨｚ、　ＣＤＣｕ３）　：　Ｃ
，＝　１６７、１　、　Ｃ２＝７８．７、Ｃ３＝５３．
４　、Ｃ４＝６８．７．Ｃｓ＝　３９．７゜なお、上記
各ＮＭＲデータ中のＣ８〜Ｃ５とは、下記構造式中の炭
素に対応する（下記の実施例２〜４においでも同様）。

■・ＩＲスペクトル（ＣＤＣ（１３）　：　１８１０．
ｃｍ−’　（ＣＪ基）。

■・・・元素分析Ｃ３Ｈ５０２Ｃ（ｊ３　’計ｊｌ（ａ
　（Ｃ＝２９．５２８＝２．４８．　Ｃｕ＝５２．２８
％）　、分析値（Ｃ＝２９．４７．８＝２．３６０９・
５２．２９％）。

■・・・融点・７１．６〜７２．０℃。

なお、元素分析及び融点は、ヘキサンより再結晶したも
のを用いて測定した（以下同様）。

■−Ｈ’ＮＭＲ（６０ＭＨｚ、　ＣＣ１Ｊ、　）　　：
　４．８９（ｄ、２Ｈ１＝５．８Ｈｚ、ＯＣ！ｌｈ　）
　、５．９−７．０　　（ｍ、２Ｈ，オレフィンプロト
ン）　、　７．３０（ｂｒ　ｓ、５Ｈ，アロマティ・ン
クプロトン）。

■−ＩＲスペ’７ト／Ｌ、（ｎｅａｔ）　：　１７６０
．　！６５０．１６００゜１２５０．９６５．６９０　
６８０ｃｌ’■−Ｂ、Ｐ、　：　９０．５〜１０７．５
℃／６．６　ｘ　１０−２ｍｍＨｑ。

く実施例２〉 実施例２として上述の（２）式で示される２、２−ジク
ロロ−３−（１−クロロ−１−フェニルメチル）−γブ
チロラクトンにつき説明する。

実施例２の感光性材料の出発原料としては、トリクロロ
酢酸シンナミルを用いた。その合成は実施例］の方法に
準した方法で行なった。得られた出発原料の物質データ
は以下のようなものであった。

■・・・Ｒｆ（６：　０．５７　（ヘキサン：エチルエ
ーテル１：］（体積比））。

■・・・実施例２の感光性材料の合成。

次に、上述のトリクロロ酢酸シンナミルから、実施例２
の感光性材料である２、２−ジクロロ−３−（１−クロ
ロ−１−フェニルメチル）−γブチロラクトンを、実施
例１の感光性材料の合成方法と同様な方法により合成し
た。実施例２の感光゛注材料の物質データは以下のよう
なものであった。

■・・・Ｒｄａ　：　０．３＋（ヘキサン：エチルエー
テル１．１（体積比））。

（ｂ、ｌ　・・Ｈ’ＮＭＲ（９０ＭＨ２，ＣＤＣＱ　、
　）　　　二　３．４０〜３．８０（ｄｄｄ。

１ｉｋｅ　ｄｔ、ＩＨ，Ｊ＝７．２．！０．Ｏ，ＩＯ，
ＯＨ２，ＣＣ（ｈＣＨ）、４．２９（ｄｄ　１ｉｋｅ　
ｔ、ＩＨ，Ｊ＝ＩＯ，０，ＩＯ，ＯＨｚ、ＯＣＨ）　、
　　４．７７（ｄｄ。

ＩＨ１＝７．２．　ＩＯ，ＯＨｚ、０ＣＨ）、５．２５
（ｄ　、ＩＨ，Ｊ＝ＩＯ，ＯＨｚ、Ｃ（ＬＣｊｊ）　、
　７．４５（ｂｒ　ｓ、５Ｈ，アロマティックプロトン
）。

■・ＩＲスペクトル（ＣＤＣ！Ｌ３）　：　１７９５，
１８１０ｃｍ−’（Ｃ・０基）。

■・・・元素分析Ｃ＋＋Ｈｓ０２Ｃ（１３：計″Ｗ値（
Ｃ＝４７．２６゜Ｈ＝３．２５．　ＣＱ＝３８．０５％
）、分析値（Ｃ・４７．８＋、Ｈ・３．０５．　Ｃｕ＝
３８．２９％）。

■・・・融点：９０．４〜９１．２℃。

なあ、実施例２の感光性材料を合成する際にシンナミル
クロリドが副生成物として得られた。

く実施例３〉 実施例３として上述の（３）式で示される２、２−ジク
ロロ−３−（１−クロロエチル）−γブチロラクトンに
つき説明する。

実施例３の感光性材料の出発原料としては、トリクロロ
酢酸クロチルを用いた。その合成は実施例１の方法に準
じた方法で行なった。得られた出発原料の物質データは
以下のようなものてあった。

■・・・Ｒｔ値：　０．６３　（ヘキサン、エチルエー
テル＝１．１（体積比））。

■−Ｈ’ＮＭＲ（６０ＭＨｚ、　ＣＣＬ　）　：　１．
７８（ｄ、３Ｈ１＝５．８８２、ＣＨ３）　、　４．７
６　（ｄ、２Ｈ，Ｊ□５．８Ｈｚ、ＣＨ２）　、　５．
３５−６．３５（ｍ、２Ｈ，オレフィンプロトン）。

■・ＩＲスペクトル（ｎｅａｔ）　：　Ｉ　７６０．１
６７５．　、１２３０゜９６０．７５０，６９０ｃｍ− ■−Ｂ、Ｐ、　：　４９．５〜５３．０°Ｃ／　５　ｍ
ｍＨｑ。

■・・・実施例３の感光性材料の合成。

次に、上述のト１，１クロロ酢酸クロチルから、実施例
３の感光性材料である２、２−ジクロロ−３−（１クロ
ロエチル）−γブチロラクトンを、実施例１の感光性材
料の合成方法と同様な方法により合成した。この結果、
実施例３の感光性材料はジアステレオマー混合物としで
得られた。なお、ジアステレオマーへ：ジアステレオマ
ーＢ＝ｌＯ：３てあった。そしてそれぞれの物質データ
は以下のよ基）。

うなものであった。

（ジアステレオマーＡ） ■・・・ＲｆｔＩ　：　０．４４（ヘキサン：エチルエ
ーテル＝１：］（体積比））。

■−Ｈ’ＮＭＲ（９０Ｍｌｌｚ、ＣＤＣＱ３）　：　１
．８５（ｄ、３Ｈ，Ｊ□６．３Ｈｚ、Ｃ！１ｌｊ３）　
、３．２０（ｄｄｄ、　ＩＨ，Ｊ”？、５，９．５．Ｉ
Ｏ，ＯＨ２，Ｃ９□−ＣＣｊｊ）、４．２０（ｄｄ　、
ＩＨ，Ｊ＝９．５．ＩＯ，ＯＨｚ、０ＣＨ）　、４．４
３（ｄｑ、ＩＨ，Ｊ＝６．８，９．５Ｈｚ、　ＣＱＣｊ
ｊ）　、４．７３（ｄｄ　、ｌＨ，Ｊ＝７．５゜９．５
Ｈｚ、ＯＣＨ）　。

■・ＩＲスペクトル（ｎｅａｔ）　　：　１８０５ｃｍ
−’（Ｃ＝０基） （ジアステレオマ＝８） ■・・・Ｒｆ値：０．１６（ヘキサン：エチルエーテル
＝１＝１（体積比））。

■・・・計ＮＭＲ（９０ＭＨ２，ＣＤＣ（１３）　：　
１．５６（ｄ、３Ｈ，Ｊ□６．８Ｈ２，ＣＨ３）　、３
．１〜４．４（ｍ、　ＩＨ，Ｃ１１２ＣＣす、４．０〜
４．８（ｍ　、３Ｈ，０ＣＨ２とＣ１ＩＣ１ｊ）　。

■−ＩＲスペクトル（Ｃ０ＣＱ　３）　：　１８１０ｃ
ｍ−’（Ｃ・。

〈実施例４〉 実施例４として上述の（４）式で示される２−クロロ−
３−クロロメチルーＴブチロラクトンにつき説明する。

実施例４の感光性材料の出発原料としては、ジクロロ酢
酸アリルを用いた。その合成は実施例１の方法に準した
方法で行なった。得られた出発原料の物質データは以下
のようなものであった。

■・・・Ｒｔ’＋ａ　：　０．６８　（ヘキサン：エチ
ルエーテル＝１：］（体積比））。

■−Ｈ’ＮＭＲ（６０ＭＨｚ、　　ＣＣ９，）　　：　
４．３２（ｄ、２Ｈ，Ｊ＝５．ＯＨ２，０ＣＨ２）　、
５．２〜６．５　　（ｍ、３Ｈ，オレフィンプロトン）
、６．００（ｓ、　Ｉ）１．ＨＣＣＱ２）−＠−ＪＲス
ペクトル（ｎｅａｔ）　：　１７５０．１６４５．１２
５０゜９８５．９４０ｃｍ （ｄ’）−Ｂ、Ｐ、：　７１．０〜７１．５℃／１８ｍ
ｍＨ９゜■・・・実施例４の感光性材料の合成。

次に、上述のジクロロ酢酸アリルから、実施例４の感光
性材料である２−クロロ−３−クロロメチル−γブチロ
ラクトンを合成した。この合成は、実施例１の感光性材
料の合成方法に準した方法で行なったか、ただし、反応
系には塩化第一銅と当量のビピリジルを加え、反応時間
は２１時間と長くした。この実施例４の感光性材料はジ
アステレオマー混合物として得られた。そし混合物の物
質データは以下のようなものであった。

■・・・Ｒ，値：Ｏ，Ｉ３（ヘキサン：エチルエーテル
＝１：１（体積比））。

■−Ｈ’ＮＭＲ（９０ＭＨｚ、ＣＤＣ（ｈ　）　：　２
．８５〜３．４０（ｍ、２Ｈ。

ＣｕＣＨとＯＨ）　　、３．５０〜４．００と４．１５
〜４．８０（ｍ、　　４Ｈ，０Ｃ）ｉ２とＣ（ＬＣＨ２
）　。

■・ＩＲスペクトル（ｎｅａｔ）　　：　１７９５ｃｍ
−’（Ｃ＝０基）。

〈実施例５〉 実施例５として上述の（５）式で示される２２−ジクロ
ロ−３−クロロメチル−４−メチル−γブチロラクトン
につき説明する。

■出発原料の合成。

実施例５の感光性材料の出発原料としてトリクロロ酢＃
Ｉ−メチルアリルを用いる。このトリクロロ酢酸１−メ
チルアリルを以下に説明するように合成した。

Ｏ″Ｃに冷却攪拌した１−ブテン−３−オール４３ｍｌ
（５００ｍｍｏｌ）と、に叶より蒸留した乾燥ピリジン
４９ｍ１（６００ｍｍｏ　ｌ）とを、Ｎａより蒸留した
乾燥ジエチルエーテル４００ｍ１に溶解したものに、ト
リクロロ酢酸クロリド６７ｍｌ（６００ｍｍｏｌ）の乾
燥ジエチルエーテル（２００ｍｌ）を２０分間かけて滴
下した。これにより生した白色サスペンション性３．５
時間攪拌した後、希硫酸水溶液（２５０ｍｌ）に投入し
た０次に、生じた有機層を分離しジエチルエーテルにて
水層を抽出した。抽出分と有機層とを、炭酸水素ナトリ
ウム水溶液と飽和食塩水とで洗浄後、硫酸マグネシウム
で乾燥した。この乾燥物をロータツエバボレータで溶媒
を除去後蒸留し、出発原料であるトリクロロ酢酸１−メ
チルアリル（９７，２９、収率８９．４％）を得た。こ
の出発原料の物質データを調べたところ以下のようなも
のであった。

■・・・Ｒｆ　（ａ・０．７２　（ヘキサン：エチルエ
ーテル＝１：１（体積比））。

■−Ｈ’ＮＭＲ（６０ＭＨｚ、　　ＣＩＪｊ４）　　：
　１．４５（ｄ、３Ｈ，Ｊ＝６．０Ｈ２，ＣＨ３）　、
　５．０〜６．２　　（ｍ、４Ｈ，０Ｃｊｊとオレフィ
ンプロトン）。

■−ＩＲスペクトル（ｎｅａｔ）　：　１７６０．１６
５０．１２４５゜９９０．９２０ｃｍ ■・Ｂ、Ｐ、　：　８２．５〜８５．５℃／２１ｍｍｔ
ｂ＋。

■−・・実施例５の感光性材料の合成。

次に、上述の如く合成したトリクロロ酢酸１−メチルア
リルから、実施例５の感光性材料である、２．２−ジク
ロロ−３−クロロメチル−４−メチル−γブチロラクト
ンを、実施例１の感光性材料の合成方法と同様な方法に
より合成した。この実施例５の感光性材料はｃｉｓ体と
ｔｒａｎｓ体の混合物（ジアステレオマー混合物）とし
で得られた。なお、ジアステレオマー〇、ジアステレオ
マーＤ＝８７：１３であった。そしてそれぞれの物質デ
ータは以下のようなものであった。

（ジアステレオマーＣ） ■・・・Ｒ，値：　０．４２（ヘキサン：エチルエーテ
ル＝１＝１（体積比））。

■−Ｈ’ＮＭＲ（１００ＭＨｚ、　ＣＤＣ（１３）　　
：　１．６５（ｄ、３Ｈ，Ｊ＝６．４　Ｈ２，（：ｓ）
ｌ！３）、２．９０（ｄｄｄ、　ＩＨ，Ｊ＝５．４，７
．５，９．ＩＨｚ。

Ｃ３）ｊ）、３．７４（ｄｄ　、ＩＨ，Ｊ□７．５．Ｉ
２．ＩＨ２，Ｃ５Ｈ）　、　４．０２（ｄｄ、　ＩＨ，
Ｊ：５．４．１２．　ｌＨｚ、Ｃ５Ｈ）、４．５０（ｄ
ｑ　、ＩＨ，Ｊ＝６．４゜９、ＩＨ２，Ｃ４）ｊ　）　
。

■・＝　Ｉ３ＣＮＭＲ（２５ＭＨｚ、　ＣＤＣ（ｊ３）
　：　Ｃ＋　＝　１６６．３　、Ｃ２８０，１、Ｃ３＝
６０．０、Ｃ，・７８．６　、Ｃ５＝　３８．８、Ｃ６
・１９．４゜なお、上記各ＮＭＲデータ中のＣ９〜Ｃ６
とは、下記構造式中の炭素に対応する（下記ジアステレ
オマーＤにおいでも同様）。

７７．９、Ｃ３＝５４．８、Ｃ，＝７６．７、Ｃ５＝　
３８．５、Ｃ６＝＋４．７゜■−ＩＲスペクトル（ＣＤ
Ｃｆ１３）　：　１８００（Ｃ＝０基）、１２２０ｍ ■−ＩＲスペクトル（ｎｅａｔ）　　：　１８００（Ｃ
＝Ｏ基）、＋２２０ｍ ■・・・元素分析　Ｃ６Ｈ７０２Ｃ（１３：計Ｎ値（Ｃ
・３３．　＋３Ｈ・３．２４．　Ｃσ・４８．９１％）
、分析＠（Ｃ・３３．５２．Ｈ・３．３２．　　Ｃ（１
・４８．０７％）。

（ジアステレオマーＤ） ■・・・Ｒ，＠：　０．４２（ヘキサン：エチルエーテ
ル＝１＝１（体積比））。

■・−Ｈ’ＮＭＲ（１００ＭＨｚ、　ＣＤＣＩＩ：ｌ　
）　　：　１．５９（ｄ、３Ｈ，Ｊ・６．８　Ｈ２，Ｃ
６）！３）、３．４２（ｄｄｄ、　ＩＨ，Ｊ＝５．３．
７．１．８．２Ｈｚ。

Ｃ３Ｈ）、３．８１（ｄｄ　、ｌＨ，Ｊ・８．２．Ｉｌ
、６Ｈｚ、Ｃｓ！ｌり　、４．０１（ｄｄ、　Ｉｌｌ、
、Ｊ＝５．３．　Ｉｌ、６Ｈｚ、Ｃ５）ｊ）、５．００
（ｑｕｉｎｔｅｔ、　ＩＨ，Ｊ＝７、ＩＨｚ、Ｃ４Ｈ）
　。

■＝−”ＣＮＭＲ（２５ＭＨｚ、　ＣＤＣｌ５）’：　
Ｃ１＝　１６７．１　、Ｃ２＝〈実施例６〉 実施例６として上述の（６）式で示される２、２−ジク
ロロ−３−クロロメチル−４−エチル−γブチロラクト
ンにつき説明する。

実施例６の感光性材料の出発原料としては、トリクロロ
酢酸−１−エチルアリル用いた。その合成は実施例５の
方法に準じた酸クロリドから出発する合成方法・で行な
った。得られた出発原料の物質データは以下のようなも
のであった。

■・・・Ｒ，値：　０．６９　（ヘキサン・エチルエー
テル＝］：１（体積比））。

（６）−Ｈ’ＮＭＲ（６０ＭＩ−１ｚ、　ｃｃ９．＋　
）　：　０．９８（ｔ、３Ｈ，Ｊ＝７．０Ｈ２，Ｃ）！
３）　、　１．７８　（ｑｕｉｎｔｅｔ、２Ｈ，Ｊ＝７
．０Ｈｚ、Ｃ）！２）、５．００〜６．２（ｍ、４Ｈ，
ＯｃＨとオレフィンプロトン）。

■−ＩＲスペクトル（ｎｅａｔ）　：　１７６０．１６
５０，１２４５゜９９０．９１０ｃｍ−’ ■−Ｂ、Ｐ、　：　６８．２−７８．５℃／１６ｍｍＨ
ｑ。

■・・・実施例６の感光性材料の合成。

次に、上述のトリクロロ酢ｖｊ−１−エチルアリルから
、実施例６の感光性材料である２、２−ジクロロ３−ク
ロロメチル−４−エチル−γブチロラクトンを、実施例
１の感光性材料の合成方法と同様な方法により合成した
。この実施例６の感光性材料はｃｉｓ体とｊｒａｎｓ体
の混合物（ジアステレオマー混合物）として得られた。

なお、ジアステレオマーＥ：ジアステレオマーＦ＝９２
：８であった。そしてそれぞれの物質データは以下のよ
うなものであった。

ｄｄ、ＩＨ１Ｊ□４．６．７．８．９．２Ｈｚ、Ｃ３Ｈ
）、３．７３（ｄｄ　　、ＩＨ，Ｊ□７．８．Ｉ２．Ｏ
Ｈｚ、Ｃ５Ｈ）　、　４．０１（ｄｄ、ＩＨ，Ｊ＝４．
６，１２．０Ｈｚ。

Ｃ５）り、４．３４（ｄｄｄ　、ｌＨ，、Ｃ３，３，８
，２，９，２ｔ（ｚ、Ｃ４）ｊ）。

■−１３ＣＮＭＲ（２５ＭＨｚ、　　ＣＤＣ（＋３）　
：　Ｃ＋＝　１６６．４　、Ｃ２＝８０．３、　Ｃ３二
５７．４　　、　Ｃ４二８３．０　　、　　Ｃｓ”　３
９．０、　Ｃ６＝２６．３、Ｃ？＝９．４゜ なお、上記各Ｎ閘８デーク中のＣ５〜Ｃ１とは、下記構
造式中の炭素に対応する（下記ジアステレオマーＦにお
いても同様）。

○ （ジアステレオマーＥ） ■・・・Ｒ，＠　：　０．５６（ヘキサン：エチルエー
テル＝１：１（体積比））。

■・・・Ｈ’ＮＭＲ（１００ＭＨｚ、　ＣＤＣ（＋３）
　　：’１．１１（ｔ、３Ｈ，Ｊ・７、Ｉ　Ｈ２，Ｃ？
ｊ３）、１．５〜２．３（ｍ、２Ｈ，Ｃｓ＋）Ｉ２）、
２．９６（ｄ■・ＪＲスペクトル（ｎｅａｔ）　　：　
１８００（Ｃ＝Ｏ基）、１２２０ｃｍ−’ ■・・・元素分析　ＣｔＨｅ０２Ｃ（Ｌ：＋　　：計算
値（Ｃ・３６゜３２゜Ｈ・３．９２．則・４５．９４％
）、分析値（Ｃ・３６．７５．８＝４、＋２．ＣＱ＝４
７．２２％）。

（ジアステレオマーＦ） ■・・・Ｒ，（ａ　：　０．５６（ヘキサン：エチルエ
ーテル１．１（体積比））。

■−Ｈ’ＮＭＲ（ｌＱＯＭＨｚ、　ＣＤＣ（Ｃ３）　　
：　１．２８（ｔ、３１（、Ｊ□６．９　Ｈ２，Ｃ？Ｈ
３）、１．６−２．３（ｍ、２Ｈ，ＣａＨ２）、３，５
３（ｄｄｄ、１ｉｋｅ　５ｅｘｔｅｔ、ＩＨ，Ｊ＝４．
９，７．２．７．２Ｈｚ、　Ｃ３Ｈ）、３．８〜４．２
（ｔｗｏ　ｄｄ　、２Ｈ，Ｊ　ｃ＋ｅｍｉｎａｌｌＯ，
９Ｈｚ、Ｃａ）＋２）、４．７９（ｄｄｄ、　ＩＨ，Ｊ
＝４．５．７．２，９．９Ｈｚ、Ｃ４Ｈ）。

■’−’　１３ＣＮＭＲ（２５ＭＨｚ、　ＣＤＣ（１３
）　：　Ｃ＋　＝　１６７．２　、Ｃ２＝７８．４、Ｃ
３＝５４．９　、Ｃ，＝８２．０　、Ｃ３＝３８．５、
Ｃ，＝２２．３、Ｃ，＝ＩＯ，６。

■−ＩＲスペクトル（ＣＤＣＩＩ　３）　：　１８００
ｃｍ−’（Ｃ□０基）。

く実施例７〉 実施例７として上述の（７）式で示される感光性材料を
、トリクロロ酢酸−１−イソプロとルアリルを出発原料
として実施例１と同様な合成方法で合成した。なあ、出
発原料は実施例５の方法に準じた酸クロリドから出発す
る合成方法で合成した。

出発原料であるトリクロロ酢酸−１−インプロピルアリ
ルの物質データのみ以下に示す。

■・・・Ｒ，ｉ　二０．７５　（へキサン：エチルエー
テルし＝１１（体積比））。

■・Ｈ’ＮＭＲ（６０ＭＨｚ、　ＣＣ１１，）　　：　
０．９７（ｄ、６Ｈ，Ｊ＝６．０Ｈ２，Ｃ（ＣＨ３）２
）　、２．０２（ｓｅｘｔｅｔ、ＩＨ，Ｊ＝６．０Ｈｚ
、Ｃ（ＣＨ３）２ＣＨ）　、４．８〜６．２（ｍ、４Ｈ
，０Ｃｊｉとオレフィンプロトン）。

■・ＩＲスペクトル（ｎｅａｔ）　：　１７６５．１６
４５．１２４５９８０．９１５．９００ｃｍ−’ ■・８．Ｐ、　：　６０．０〜６０．５°Ｃ，／　４　
ｍｍｈ。

〈実施例８〉 実施例８として上述の（８）式で示される感光性材料を
、ジクロロ酢酸］メチルアリルを出発原料として実施例
１と同様な合成方法で合成した。なお、出発原料は実施
例５の方法に準じた酸クロリドから出発する合成方法で
合成した。出発原料であるジクロロ酢酸１メチルア１ノ
ルの物質データのの物質データのみ以下に示す。

み以下に示す。

■・・・Ｒ，＠　：　０．７７　（ヘキサン、エチルエ
ーテル１．１（体積比））。

■−Ｈ’ＮＭＲ（６０ＭＨｚ、　　ＣＣＬ　）　　：　
１．３７（ｄ、３Ｈ１＝６．０）１ｚ、ｃＱ３）　、５
．０〜６．２（ｍ、３Ｈ，オレフィンプロトン）　、５
．８６（ｓ、　ＩＨ，ＣＨＣＱ２）。

■・ＩＲスペクトル（ｎｅａｔ）　：　１７６０．１６
４５．１２８０９９０ｃｍ−’ ■−Ｂ、Ｐ、　：　６２．２−６６．２℃／　ｌ　Ｉｍ
ｍＨｑ。

く実施例９〉 実施例９として上述の（９）式で示される感光性材料を
、トリクロロ酢酸−２−シクロヘキシルを出発原料とし
て実施例１と同様な合成方法で合成した。なお、出発原
料は文献（Ｊ、ｌ’１．Ｑｉｌｍｏｒｅ　ｅｔａｌＪ、
　Ｃｈｅｍ、　Ｓｏｃ、　（ｃＸ　１９７１　）ｐ、　
２３５５）に記載の合成方法で２−シクロヘキセン−１
−オールから合成した。出発原料であるトリクロロ酢酸
−２−シクロヘキシル■・・・Ｒｆ（ａ・０．７１　（
ヘキサン・エチルエーテル１　］（体積比））。

■−Ｈ’ＮＭＲ（６０ＭＨｚ、　ＣＣＱ４）　：　１．
５〜２．４（ｂｒ、ｍ６Ｈ，−（ＣＨ２）３）　、　５
．４０（ｂｒ、ＩＨ，０ｃＨ）　、　５．７〜６．４（
ｍ。

２Ｈ，ｎオレフィンプロトン）。

■−ＩＲスペクトル（ｎｅａｔ）　：　１７６０．１２
４０ｃｍ■−８，Ｐ、　：　７０．５〜７２．０°Ｇ　
／　３　ｍｍＨ９゜このようにして得た実施例１〜寅施
例９の各感光性材料の評価は、感光性組成物（レジスト
）の感光性材料として用いることで行なった。その結果
については、以下の第二発明の実施例の項にで説明する
。

感光性組成物の説８ 次に、上述の一般式（Ｉ）で示される第一発明の感光性
材料を少なくとも一種類含むこの出願の第二発明の感光
性組成物の実施例につき、ネガ型のもの、ポジ型のもの
の例により説明する。

〈ネガ型感光性組成物の実施例〉 ベース樹脂としてのマルセンレジンＭ（ボワど一ルフェ
ノール１分子３１８０００．丸善石油化学製）１０９と
、実施例１の感光性材料（２，２〜ジクロロ３−クロロ
メチル−γブチロラクトン）３９とを、エチルセルソル
ブアセテート２０ｍ１に溶解し、この溶液を０．２ｕｍ
の孔を有するメンブレンフィルタで濾過して感光゛注組
成物（レジスト液）を調整した。

このレジスト液を３インチ（１インチは約２．５４ｃｍ
）のシリコン基板上にスピンコード法によって膜厚かＩ
ｐｍとなるように塗布し、次いで、この基板に対しホッ
トプレートを用いて９０°Ｃの温度で１分間のプリベー
クを行な−）た、同様にしてこのような基板１８：複数
枚用意した。

次いで、種々の寸法のライン・アンド・スペース（Ｌ／
Ｓ）のテストパターンを有するクロムマスクをこれら基
板に順次に密着させ、各基板毎で露光時間を変えるよう
にして、ＣＭ２５０コールドミラー装若のＸｅ−Ｈｑラ
ンプの波長２２０〜２８０　ｎｍの光を用いて露光を行
なった。

露光済みの各基板を、酢酸インアミル／シクロへ午サン
−３７２（容積比）の割合の現像液に３０秒間浸漬して
現像を行ない、次いで、シクロヘキサンを用いて２０秒
間リンスを行なった。次いで、各基板に対し、ホットプ
レートを用いて１００℃の温度で１分間のボストヘーク
を行なった。

次に、各基板上に残存しでいるレジストの膜厚を膜厚計
でそれぞれ測定し、これら膜厚を初期膜厚（この場合、
プリベーク終了直後の膜厚を示す、）でそれぞれ規格化
し規格化残膜率を求めた。藁１図は、横軸に露光量（ｍ
Ｊ／ｃｍ２）をとり、縦軸に規格化残膜率（％）をとり
、露光量に対する残膜率をプロットして示した特性曲線
図である。第１図からも理解出来るように、この実施例
の感光性組成物は、残膜率１００％を示す露光量がＩＱ
ＯｍＪ／ｃｍ２と高感度であり、そのコントラスト値γ
も３と高い値を示すことが分かった。

また、１５０　ｍＪ／　ｃｍ２の露光量で露光を行なっ
たシリコン基板から、走査型電子顕微鏡用の試料を作製
し、この試料に形成されたレジストパターンを観察した
ところ、Ｌ／Ｓが０．３５ｕｍのバタンまてきれいに解
像されていることが分かった。

くポジ型感光性組成物の実施例〉 ベース樹脂として、上述したマルゼンレジンＭの代わり
にポリ−αメチルヒドロキシスチレン（下記■式で示す
もの、但し式中のｎは正の整数）を用いたほかは上述の
ネガ型の感光性組成物の実施例と同様にして感光性組成
物（１７ジスト液）を調製した。

次に、このレジスト液を上述のネガ型感光性組成物の実
施例と同様な手順で複数のシリコン基板にそれぞれ塗布
し、さらに、これら基板毎に露光量を変えた露光を行な
った。但し、光源としては、にｒＦエキシマレーザ−（
ラムダフィジックス社製１０Ｈｚ、］パルス当たりエネ
ルギー４．０ｍＪ／ｃｍ２のもの）を用い、露光量はパ
ルス数によりコントロールした。このように露光をした
各基板をメタルフリー現像液（東しマクダーミット製Ｔ
ＲＤ５１−５０）で７０秒間現像した後３０秒問水洗し
、その後、１００°Ｃの温度で１分間ポストヘークを行
なった。

次いで、ネガ型感光性組成物の実施例と同様に、露光量
に対する残膜率の特性曲線図を作製した。第２図にその
特性曲線図を示す、第２図からも理解できるように、こ
の実施例のネガ型のレジストは、Ｅい感度（残膜が零に
なる感度）が２００ｍＪ／ｃｍ２と比較的高いことが分
かった。

また、３２０　ｍＪ／ｃｍ２の露光量で露光を行なった
シリコン基板から、走査型電子顕微鏡用の試料を作製し
、この試料に形成されたレジストパターンを観察したと
ころ、Ｌ／Ｓか０．４ｕｍのバタンまできれいに解像さ
れていることが分かった。

なお、ここでは説明を省略するが、実施例２〜９の感光
性材料を用いて調製した各感光性組成物も、実施例で説
明した感光性組成物と感度の違いこそあれこれと同様の
解像力が得られた。

また、上述の実施例は、感光゛注組成物中に（１）式で
示される感光性材料のうちの一種のみを含有させた例で
説明した。しかし、（Ｉ）式で示されるα−ハローγ−
ブチロラクトン誘導体のうちの複数のものを感光性材料
として共に用いこれらを感光性組成物中に含有させても
勿論良い。

（発明の効果） 上述した説明からも明らかなように、この出願の第一発
明の感光性材料は、波長が特に３１０ｎｍ以下の光に対
し高い感度を示すと共にこのような光を受けるとハロゲ
ンラジカルを放出し極性か大幅に変化する。したがって
、この感光性材料を例えば架橋部位を有するベース樹脂
と共に用いて感光性組成物（レジスト）を構成すればネ
ガ型レジストか得られ、また、この感光性材料を架橋部
位を有ざないベース樹脂と共に用いてレジストを構成す
ればポジ型レジストが得られる。

また、この出願の第二発明の感光性組成物によれば、波
長か３１０ｎｍ以下の光に対し高い感度を示すと共に、
像線でかつ高アスペクト比のバタンか得られるため、最
近注目されでいるエキシマレーザ−光線を用いたリング
ラフィ技術に有用である。ざらに、第−及び第二発明に
係る感光性材料は遠紫外線よりもエネルギーの高い電子
線やＸ線等の他のビームにも反応するから、第二発明の
感光性組成物（よ、これらビーム姦使用したりソグラフ
ィのバタン形成用材料としでも用いることが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、第一発明の感光性材料を用いた第二発明のネ
ガ型の感光性組成物の、露光量と、現像後の残膜率との
間係を示す特性曲線図、第２図は、第一発明の感光性材
料を用いた第二発明のポジ型の感光性組成物の、露光量
と、現像後の残膜率との関係を示す特性曲線図である。 特 許 出 願 人 沖電気工業株式会社 ミとＨｄは膓皓×

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記一般式（ I ）に示されるα−ハロ−γ−ブ
   チロラクトン誘導体から成ることを特徴とする感光性材
   料（但し（ I ）式において、Ｘ＿１及びＸ＿２は少な
   くとも一方がハロゲン原子。さらにＲ＿１及びＲ＿２は
   、アルキル基、アラルキル基、アリール基、置換基を有
   するアリール基、ハロアルキル基及び水素の中から選ば
   れた互いに同一または異なる基であり、これらＲ＿１及
   びＲ＿２は一体となって環を形成していても良い。さら
   に、Ｒ＿３及びＲ＿４は少なくとも一方がハロアルキル
   基であり、他方はアルキル基、アラルキル基、アリール
   基、置換基を有しているアリール基、ハロアルキル基及
   び水素の中から選ばれた基であり、該Ｒ＿３及びＲ＿４
   の一方はＲ＿１及びＲ＿２の一方と一体となって環を形
   成していても良い。）。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ I ）
2. （２）溶剤と、ベース樹脂と、感光性材料とを含む感光
   性組成物において、 前記感光性材料として下記一般式（ I ）で示されるα
   −ハロ−γ−ブチロラクトン誘導体を少なくとも一種類
   以上含有させて成ることを特徴とする感光性組成物（但
   し（ I ）式において、Ｘ＿１及びＸ＿２は少なくとも
   一方がハロゲン原子。さらにＲ＿１及びＲ＿２は、アル
   キル基、アラルキル基、アリール基、置換基を有するア
   リール基、ハロアルキル基及び水素の中から選ばれた互
   いに同一または異なる基であり、これらＲ＿１及びＲ＿
   ２は一体となって環を形成していても良い。さらに、Ｒ
   ＿３及びＲ＿４は少なくとも一方がハロアルキル基であ
   り、他方はアルキル基、アラルキル基、アリール基、置
   換基を有しているアリール基、ハロアルキル基及び水素
   の中から選ばれた基であり、該Ｒ＿３及びＲ＿４の一方
   はＲ＿１及びＲ＿２の一方と一体となって環を形成して
   いても良い。）。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ I ）
3. （３）請求項２に記載の感光性組成物において、前記ベ
   ース樹脂をアルカリ可溶性ベース樹脂としたことを特徴
   とするポジ型の感光性組成物。
4. （４）請求項２に記載の感光性組成物において、前記ベ
   ース樹脂を架橋部位を有するベース樹脂としたことを特
   徴とするネガ型の感光性組成物。
5. （５）請求項２〜５のいずれか１つに記載の感光性組成
   物において、前記α−ハロ−γ−ブチロラクトン誘導体
   の前記ベース樹脂に対する含有量を５〜５０重量％の範
   囲内の値としたことを特徴とする感光性組成物。