JPH08227151A - 放射線感受性組成物中に使用する光酸発生組成物 - Google Patents
放射線感受性組成物中に使用する光酸発生組成物Info
- Publication number
- JPH08227151A JPH08227151A JP7316159A JP31615995A JPH08227151A JP H08227151 A JPH08227151 A JP H08227151A JP 7316159 A JP7316159 A JP 7316159A JP 31615995 A JP31615995 A JP 31615995A JP H08227151 A JPH08227151 A JP H08227151A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- carbon atoms
- lower alkyl
- individually selected
- hydrogen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
- G03F7/031—Organic compounds not covered by group G03F7/029
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 深紫外放射光リトグラフィー法に有用な放射
線感受性組成物の提供。 【解決手段】 この組成物は（ａ）酸に対して感受性の
あるポリマー物質と、（ｂ）照射の結果、酸性の部分を
発生するに至りそして式（Ｉ）
線感受性組成物の提供。 【解決手段】 この組成物は（ａ）酸に対して感受性の
あるポリマー物質と、（ｂ）照射の結果、酸性の部分を
発生するに至りそして式（Ｉ）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は特定の部類の光酸発
生組成物(photoacid generating composition)（ＰＡ
Ｇ）に関する。本発明は、この特定の部類の光酸発生組
成物を含む、深紫外線(deep UV)波長において特に使用
するための化学的に増強されたタイプの放射線感受性組
成物にも関する。
生組成物(photoacid generating composition)（ＰＡ
Ｇ）に関する。本発明は、この特定の部類の光酸発生組
成物を含む、深紫外線(deep UV)波長において特に使用
するための化学的に増強されたタイプの放射線感受性組
成物にも関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】フォ
トレジストは像を基材に転写するのに使用する感光性フ
ィルムである。このフィルムは陰画像または陽画像を形
成する。フォトレジストのコーティングを基材上に形成
した後、コーティングが紫外線のような活性化エネルギ
ー源にフォトマスクを介して選択的に露光される。フォ
トマスクは活性化放射線に対して不透明である領域と活
性化放射線に対して透明である他の領域とを有する。不
透明領域と透明領域とのフォトマスクのパターンは、基
材に転写されるべき所望の像を形づくる。レジストコー
ティングにパターン形成された潜在像を現像する結果レ
リーフ像が与えられる。フォトレジストの使用は例えば
ニューヨークのMcGrawHill Book Co. により１９７５年
刊行のDeforestの「Photoresist Materials and Proces
ses」およびニューヨークのPlenum Pressにより１９８
８年刊行のMoreauの「Semiconductor Lithography, Pri
nciples, Practices, and Materials」中に一般的に記
載されている。
トレジストは像を基材に転写するのに使用する感光性フ
ィルムである。このフィルムは陰画像または陽画像を形
成する。フォトレジストのコーティングを基材上に形成
した後、コーティングが紫外線のような活性化エネルギ
ー源にフォトマスクを介して選択的に露光される。フォ
トマスクは活性化放射線に対して不透明である領域と活
性化放射線に対して透明である他の領域とを有する。不
透明領域と透明領域とのフォトマスクのパターンは、基
材に転写されるべき所望の像を形づくる。レジストコー
ティングにパターン形成された潜在像を現像する結果レ
リーフ像が与えられる。フォトレジストの使用は例えば
ニューヨークのMcGrawHill Book Co. により１９７５年
刊行のDeforestの「Photoresist Materials and Proces
ses」およびニューヨークのPlenum Pressにより１９８
８年刊行のMoreauの「Semiconductor Lithography, Pri
nciples, Practices, and Materials」中に一般的に記
載されている。
【０００３】既知のフォトレジストは、多くの商業的応
用のために十分な解像度と寸法とを有する像形を形成し
うる。しかしながら他の多くの応用については、ミクロ
以下の寸法の高い解像度の像を提供しうる新規なフォト
レジストへの要求がある。深紫外線の光リトグラフィー
は０.３５ミクロンまたはそれ以下の寸法をパターン化
するために使用するのに向いている。現在、二つのタイ
プの露光機器つまり （ａ） KrF Excimer Laser Stepperおよび （ｂ） 水銀灯をベースとするMicrascan露光機器 という深紫外線波長において半導体基材をリトグラフィ
ー処理する機器が利用できる。
用のために十分な解像度と寸法とを有する像形を形成し
うる。しかしながら他の多くの応用については、ミクロ
以下の寸法の高い解像度の像を提供しうる新規なフォト
レジストへの要求がある。深紫外線の光リトグラフィー
は０.３５ミクロンまたはそれ以下の寸法をパターン化
するために使用するのに向いている。現在、二つのタイ
プの露光機器つまり （ａ） KrF Excimer Laser Stepperおよび （ｂ） 水銀灯をベースとするMicrascan露光機器 という深紫外線波長において半導体基材をリトグラフィ
ー処理する機器が利用できる。
【０００４】エキシマーをベースとするステッパーは、
必要な露光線量が中程度であるレジストと適合する。何
故なれば、この露光機器はウェーファ面においてかなり
の出力を供給するからである。他方、ウェーファ面にお
ける出力がかなり低い水銀をベースとする機器は、所要
の露光線量がより小さい極度に迅速なレジストを必要と
する。
必要な露光線量が中程度であるレジストと適合する。何
故なれば、この露光機器はウェーファ面においてかなり
の出力を供給するからである。他方、ウェーファ面にお
ける出力がかなり低い水銀をベースとする機器は、所要
の露光線量がより小さい極度に迅速なレジストを必要と
する。
【０００５】深紫外放射線への感受性のあるフォトレジ
ストを得る一つの方法においては、発生される酸と反応
するポリマーとともに、このような照射により酸部分を
生成する化合物（例えば光酸発生体(photoacid generat
or)またはＰＡＧ）が用いられる。光酸発生体／酸感受
性ポリマーの代表的な組合わせには、感光性の酸の発生
体としてのオニウム塩および反応性置換基を有するポリ
マーとしてのポリ（ｐ−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ
スチレン）のようなポリマーがある。
ストを得る一つの方法においては、発生される酸と反応
するポリマーとともに、このような照射により酸部分を
生成する化合物（例えば光酸発生体(photoacid generat
or)またはＰＡＧ）が用いられる。光酸発生体／酸感受
性ポリマーの代表的な組合わせには、感光性の酸の発生
体としてのオニウム塩および反応性置換基を有するポリ
マーとしてのポリ（ｐ−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ
スチレン）のようなポリマーがある。
【０００６】このようなＰＡＧ／ポリマーの組合わせに
関する一つの例解は、１９９２年８月４日にHoulihanら
に与えられた米国特許第５,１３５,８３８号中に示され
ている。この米国特許は、特定のニトロベンジルをベー
スとするＰＡＧと酸部分に感応して反応するポリマー物
質とを含む深紫外放射線感受性組成物につき記載してい
る。
関する一つの例解は、１９９２年８月４日にHoulihanら
に与えられた米国特許第５,１３５,８３８号中に示され
ている。この米国特許は、特定のニトロベンジルをベー
スとするＰＡＧと酸部分に感応して反応するポリマー物
質とを含む深紫外放射線感受性組成物につき記載してい
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、ニトロベンジ
ル構造をベースとする深紫外線光酸発生体にも関する。
本発明の光酸発生体は上記した露光機器の双方に対して
使用できる。従って本発明の一つの態様は式
ル構造をベースとする深紫外線光酸発生体にも関する。
本発明の光酸発生体は上記した露光機器の双方に対して
使用できる。従って本発明の一つの態様は式
【化７】 （式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、水素、および１〜４個
の炭素原子を有する低級アルキル基からなる群から個別
的に選択され、Ｒ4およびＲ5はＣＦ3およびＮＯ2からな
る群から個別的に選択されるが、ただしＲ4およびＲ5が
ともにＣＦ3であることはできず、Ｒ6、Ｒ7およびＲ
8は、水素、および１〜４個の炭素原子を有する低級ア
ルキル基からなる群から個別的に選択され、そしてＲ9
およびＲ10は、ＣＦ3、ＮＯ2およびＳＯ3Ｒからなる群
から個別的に選択され、Ｒは置換されていないあるいは
置換されているアルキル基またはアリール基から選択さ
れ、この場合の置換基は１〜４個の炭素原子を有する低
級アルキル基または低級アルコキシ基、ＮＯ2およびＣ
Ｆ3からなる群から選択される）を有するニトロベンジ
ルをベースとする一群の化合物に関する。
の炭素原子を有する低級アルキル基からなる群から個別
的に選択され、Ｒ4およびＲ5はＣＦ3およびＮＯ2からな
る群から個別的に選択されるが、ただしＲ4およびＲ5が
ともにＣＦ3であることはできず、Ｒ6、Ｒ7およびＲ
8は、水素、および１〜４個の炭素原子を有する低級ア
ルキル基からなる群から個別的に選択され、そしてＲ9
およびＲ10は、ＣＦ3、ＮＯ2およびＳＯ3Ｒからなる群
から個別的に選択され、Ｒは置換されていないあるいは
置換されているアルキル基またはアリール基から選択さ
れ、この場合の置換基は１〜４個の炭素原子を有する低
級アルキル基または低級アルコキシ基、ＮＯ2およびＣ
Ｆ3からなる群から選択される）を有するニトロベンジ
ルをベースとする一群の化合物に関する。
【０００８】本発明の別な一態様は、（１）酸部分に感
応して反応するポリマー物質および（２）上記の式
（Ｉ）を有する酸発生化合物からなる放射線感受性組成
物に関する。本発明のさらに別な一態様は、（１）デバ
イスの基材上に放射線感受性領域を形成し、（２）この
領域の少なくとも一部を放射線に露光して潜在的なパタ
ーンを形成し、（３）このパターンを現像し、そして
（４）この現像されたパターンをマスクとして用いて上
記のデバイス基材をさらに処理する工程を包含する上記
デバイス基材を製造する方法に関し、この方法におい
て、上記の放射線感受性領域は、（ａ）酸部分に感応し
て反応するポリマー物質と（ｂ）上記の式（Ｉ）によっ
て表わされる酸発生物質とを含む材料からなる。
応して反応するポリマー物質および（２）上記の式
（Ｉ）を有する酸発生化合物からなる放射線感受性組成
物に関する。本発明のさらに別な一態様は、（１）デバ
イスの基材上に放射線感受性領域を形成し、（２）この
領域の少なくとも一部を放射線に露光して潜在的なパタ
ーンを形成し、（３）このパターンを現像し、そして
（４）この現像されたパターンをマスクとして用いて上
記のデバイス基材をさらに処理する工程を包含する上記
デバイス基材を製造する方法に関し、この方法におい
て、上記の放射線感受性領域は、（ａ）酸部分に感応し
て反応するポリマー物質と（ｂ）上記の式（Ｉ）によっ
て表わされる酸発生物質とを含む材料からなる。
【０００９】本発明の放射線感受性組成物は、二つの決
定的な成分つまり（ａ）酸部分に感応して反応するポリ
マー物質および（ｂ）上記式（Ｉ）により表わされる酸
発生物質を有する。
定的な成分つまり（ａ）酸部分に感応して反応するポリ
マー物質および（ｂ）上記式（Ｉ）により表わされる酸
発生物質を有する。
【００１０】酸部分に感応して反応する任意の好適なポ
リマー物質が、本発明の局面をなす放射線感受性組成物
中で使用できる。
リマー物質が、本発明の局面をなす放射線感受性組成物
中で使用できる。
【００１１】好ましい一つのポリマー物質は、１９９１
年２月２６日にHoulihanらに与えられた米国特許第４,
９９６,１３６号中に記載されている。
年２月２６日にHoulihanらに与えられた米国特許第４,
９９６,１３６号中に記載されている。
【００１２】好ましい光酸発生体は２−ニトロ−６−ト
リフルオロメチル−ベンジルアルコールと３,５−ビス
（トリフルオロメチル）ベンゼン−スルホニルクロライ
ドとの反応生成物であり、式(II)
リフルオロメチル−ベンジルアルコールと３,５−ビス
（トリフルオロメチル）ベンゼン−スルホニルクロライ
ドとの反応生成物であり、式(II)
【化８】 により表わされる。
【００１３】本発明の光酸発生体の好ましい濃度は、酸
感受性ポリマーの約０.５〜約５０重量％である。一層
望ましくは約１〜２０重量％のＰＡＧ濃度が好ましい。
感受性ポリマーの約０.５〜約５０重量％である。一層
望ましくは約１〜２０重量％のＰＡＧ濃度が好ましい。
【００１４】本発明のレジスト組成物は、溶媒、分解防
止剤、染料などを含め慣用的な他の物質を含んでよい。
上述のＰＡＧおよび任意の適当な溶媒に溶解してよい。
エチル３−エトキシプロピオネート（ＥＥＰ）が１つの
好ましい溶媒である。
止剤、染料などを含め慣用的な他の物質を含んでよい。
上述のＰＡＧおよび任意の適当な溶媒に溶解してよい。
エチル３−エトキシプロピオネート（ＥＥＰ）が１つの
好ましい溶媒である。
【００１５】好適なポリマーおよび感光性酸発生体を含
むレジスト材料の使用には、処理すべきウェーファのコ
ーティングとのかかわりがある。このレジスト材料は、
基材例えば、半導体デバイスを形成するように処理され
そしてエッチングまたは金属化工程のような後続の工程
のためのパターンを描くために深紫外放射線（または電
子線もしくはＸ線）に露光されるシリコンウェーファの
ような半導体をベースとするウェーファ上に典型的にコ
ーティングされる。半導体ウェーファの処理に際して、
半導体材料、酸化硅素のような絶縁体、金属またはこれ
らの組合わせを含む基材表面にレジストを付着すること
により感光性物体をつくることが可能なことが強調され
るべきである。好適な別な基材の例は、クロームマスク
ブランクおよびＸ線マスクブランクである。慣用的な任
意のコーティング方法を用いることができる。典型的に
は、ポリマーがエチル３−エトキシプロピオネート（Ｅ
ＥＰ）のような適当な溶媒中に溶解され、溶液が濾過さ
れ次いでコーティングすべきウェーファ上におかれそし
てウェーファが回転される。この回転処理手順により、
溶液がウェーファの表面上に実質的に均一に分配されそ
してまた溶媒のほとんどすべてが蒸発せしめられる。こ
のようにして、半導体デバイスへと加工されるシリコン
ウェーファまたはＧａＡｓウェーファのような適切な基
材材料上に０.２μ〜２.０μの厚さ（リトグラフィーに
おいて用いられる代表的な厚さ）のフィルムが形成され
る。
むレジスト材料の使用には、処理すべきウェーファのコ
ーティングとのかかわりがある。このレジスト材料は、
基材例えば、半導体デバイスを形成するように処理され
そしてエッチングまたは金属化工程のような後続の工程
のためのパターンを描くために深紫外放射線（または電
子線もしくはＸ線）に露光されるシリコンウェーファの
ような半導体をベースとするウェーファ上に典型的にコ
ーティングされる。半導体ウェーファの処理に際して、
半導体材料、酸化硅素のような絶縁体、金属またはこれ
らの組合わせを含む基材表面にレジストを付着すること
により感光性物体をつくることが可能なことが強調され
るべきである。好適な別な基材の例は、クロームマスク
ブランクおよびＸ線マスクブランクである。慣用的な任
意のコーティング方法を用いることができる。典型的に
は、ポリマーがエチル３−エトキシプロピオネート（Ｅ
ＥＰ）のような適当な溶媒中に溶解され、溶液が濾過さ
れ次いでコーティングすべきウェーファ上におかれそし
てウェーファが回転される。この回転処理手順により、
溶液がウェーファの表面上に実質的に均一に分配されそ
してまた溶媒のほとんどすべてが蒸発せしめられる。こ
のようにして、半導体デバイスへと加工されるシリコン
ウェーファまたはＧａＡｓウェーファのような適切な基
材材料上に０.２μ〜２.０μの厚さ（リトグラフィーに
おいて用いられる代表的な厚さ）のフィルムが形成され
る。
【００１６】コーティングの後、残存する溶媒をすべて
除去するために材料が予備的に焼付けられるのが好まし
い。１５秒〜６０分間にわたる７０〜１０５℃の範囲の
露光前焼付温度が好ましい。次いでレジスト材料を深紫
外線、Ｘ線または電子線のようなエネルギーに曝露す
る。深紫外線の場合、５０〜２５０ミリジュール／cm2
の典型的線量範囲を用いる。電子線およびＸ線の照射に
ついては対応する線量が有用であろう。感光性材料に描
像するには、ACS Symposium, Series 219(1983年)の「In
troduction to Microlithography」(L. F. Thompson, C.
G. WilsonおよびM. J. Bowden編）１６〜８２ページに
記載のような慣用的な露光技術が使用される。次いで露
光された材料を後焼付するのが好ましい。この後焼付
は、発生された酸による鎖置換基の開裂反応を増進す
る。一般に２０秒〜３０分の時間にわたる７０〜１１５
℃の範囲の後焼付温度が有効である。対流式オーブンの
ような加熱手段が有用であるが、Brewer Sciencesによ
り発売のような高温板焼付装置を用いることにより、質
のより優れた像が得られる。露光された像を現像するの
に好適な溶媒は、陽画像については、水／水酸化テトラ
メチルアンモニウム、水／ＮａＯＨまたはイソプロパノ
ール、エタノールおよびメタノールのような低級アルキ
ルアルコールの水を含むまたは含まない混合物のような
物質であり、また陰画像についてはヘキサン／メチレン
クロライドのような物質である。一般に、２０秒〜２分
の時間にわたって現像剤に浸漬すると所望の描像が生ま
れる。
除去するために材料が予備的に焼付けられるのが好まし
い。１５秒〜６０分間にわたる７０〜１０５℃の範囲の
露光前焼付温度が好ましい。次いでレジスト材料を深紫
外線、Ｘ線または電子線のようなエネルギーに曝露す
る。深紫外線の場合、５０〜２５０ミリジュール／cm2
の典型的線量範囲を用いる。電子線およびＸ線の照射に
ついては対応する線量が有用であろう。感光性材料に描
像するには、ACS Symposium, Series 219(1983年)の「In
troduction to Microlithography」(L. F. Thompson, C.
G. WilsonおよびM. J. Bowden編）１６〜８２ページに
記載のような慣用的な露光技術が使用される。次いで露
光された材料を後焼付するのが好ましい。この後焼付
は、発生された酸による鎖置換基の開裂反応を増進す
る。一般に２０秒〜３０分の時間にわたる７０〜１１５
℃の範囲の後焼付温度が有効である。対流式オーブンの
ような加熱手段が有用であるが、Brewer Sciencesによ
り発売のような高温板焼付装置を用いることにより、質
のより優れた像が得られる。露光された像を現像するの
に好適な溶媒は、陽画像については、水／水酸化テトラ
メチルアンモニウム、水／ＮａＯＨまたはイソプロパノ
ール、エタノールおよびメタノールのような低級アルキ
ルアルコールの水を含むまたは含まない混合物のような
物質であり、また陰画像についてはヘキサン／メチレン
クロライドのような物質である。一般に、２０秒〜２分
の時間にわたって現像剤に浸漬すると所望の描像が生ま
れる。
【００１７】以下の諸実施例により本発明をさらに詳述
する。別記ない限り、すべての部および百分率は重量基
準であり、また温度は摂氏表示である。
する。別記ない限り、すべての部および百分率は重量基
準であり、また温度は摂氏表示である。
【００１８】
実施例１ 光酸発生体の合成 窒素流入口、温度プローブおよび添加漏斗を具備した３
つ口の丸底フラスコ内で２.２３ｇの２−ニトロ−６−
トリフルオロメチルベンジルアルコールと３.０ｇの３,
５−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホニルク
ロライドとを一緒にした。窒素で系をパージし、そして
氷浴中に入れた。次に２０mlのアセトンを加えて固体の
混合物を溶解した。反応温度を１０℃より低く保ちつ
つ、５mlのアセトン中のジシクロヘキシルアミン（１.
８５ｇ）の溶液を滴状に添加した。アミンの添加の終了
後、約５℃で２時間反応混合物を撹拌した。次に沈殿し
ているアミン塩酸塩を除去するために反応混合物を濾過
した。次いで、濾液を乾くまで蒸発して油状物を得、こ
れをメチレンクロライド中に溶解した。このメチレンク
ロライド溶液をシリカゲルの詰め物に通過した。次にシ
リカゲルを５０mlのメチレンクロライドで洗浄した。濾
液を蒸発して油状物を得、次にこれをペンタンとともに
摩砕して白色固形物を得た。次にこの固形物を蒸発乾固
した。収量は３.５ｇであった。
つ口の丸底フラスコ内で２.２３ｇの２−ニトロ−６−
トリフルオロメチルベンジルアルコールと３.０ｇの３,
５−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホニルク
ロライドとを一緒にした。窒素で系をパージし、そして
氷浴中に入れた。次に２０mlのアセトンを加えて固体の
混合物を溶解した。反応温度を１０℃より低く保ちつ
つ、５mlのアセトン中のジシクロヘキシルアミン（１.
８５ｇ）の溶液を滴状に添加した。アミンの添加の終了
後、約５℃で２時間反応混合物を撹拌した。次に沈殿し
ているアミン塩酸塩を除去するために反応混合物を濾過
した。次いで、濾液を乾くまで蒸発して油状物を得、こ
れをメチレンクロライド中に溶解した。このメチレンク
ロライド溶液をシリカゲルの詰め物に通過した。次にシ
リカゲルを５０mlのメチレンクロライドで洗浄した。濾
液を蒸発して油状物を得、次にこれをペンタンとともに
摩砕して白色固形物を得た。次にこの固形物を蒸発乾固
した。収量は３.５ｇであった。
【００１９】実施例２ レジストの処方 １.１９０ｇの光酸発生体、７.５ｇのポリ（｛４−（ｔ
−ブトキシカルボニルオキシ）スチレン｝｛４−（アセ
トキシ）スチレン｝サルファジオキサイド｝三元重合体
〔４−（ｔ−ブトキシカルボニルオキシ）スチレン部分
と４−（アセトキシ）スチレン部分とのモル比は６０：
４０でありフェノール全体とＳＯ2とのモル比は３：１
である〕および５０mlのエチル３−エトキシプロピオネ
ートを琥珀色の瓶内に入れそして溶解が起きるまで揺動
した。レジスト溶液を０.２ミクロンの膜フィルターを
通じて濾過した。
−ブトキシカルボニルオキシ）スチレン｝｛４−（アセ
トキシ）スチレン｝サルファジオキサイド｝三元重合体
〔４−（ｔ−ブトキシカルボニルオキシ）スチレン部分
と４−（アセトキシ）スチレン部分とのモル比は６０：
４０でありフェノール全体とＳＯ2とのモル比は３：１
である〕および５０mlのエチル３−エトキシプロピオネ
ートを琥珀色の瓶内に入れそして溶解が起きるまで揺動
した。レジスト溶液を０.２ミクロンの膜フィルターを
通じて濾過した。
【００２０】実施例３ レジストの加工 シリコンウェーファ上でスピンコーティングし、引続い
て１０５℃で６０秒間ソフト焼付けすることによりレジ
ストコーティングを得た。次に防護塗膜をレジスト上に
コーティングし、引続いて１０５℃で６０秒間第２の焼
付けを行った。コーティングしたウェーファを次にＧＣ
Ａ ０.３５ＮＡ Laserstep上で露光した。露光したウェ
ーファを次に１１５℃で６０秒間焼付けし、そして６０
秒間にわたって０.２６２Ｎの水酸化テトラメチルアン
モニウム（ＴＭＡＨ）中で浸漬現像を行った。レジスト
の閾値線量は６線量単位であったが、０.４０ヤムライ
ン／スペースペアー(yam line／space pairs)に関する
最適な線量は１３線量単位である。本レジストは０.３
５ミクロンの解像度を与えた。
て１０５℃で６０秒間ソフト焼付けすることによりレジ
ストコーティングを得た。次に防護塗膜をレジスト上に
コーティングし、引続いて１０５℃で６０秒間第２の焼
付けを行った。コーティングしたウェーファを次にＧＣ
Ａ ０.３５ＮＡ Laserstep上で露光した。露光したウェ
ーファを次に１１５℃で６０秒間焼付けし、そして６０
秒間にわたって０.２６２Ｎの水酸化テトラメチルアン
モニウム（ＴＭＡＨ）中で浸漬現像を行った。レジスト
の閾値線量は６線量単位であったが、０.４０ヤムライ
ン／スペースペアー(yam line／space pairs)に関する
最適な線量は１３線量単位である。本レジストは０.３
５ミクロンの解像度を与えた。
【００２１】本発明をその特定な態様を参照しつつ説述
してきたが、本明細書中に開示した発明概念から逸脱す
ることなく、多くの変改、修変および変更が可能なこと
は明らかである。従って、添付の特許請求の範囲の趣意
および広汎な範囲内に属するこのような変改、修変およ
び変更はすべて本発明に包摂されると考えられる。
してきたが、本明細書中に開示した発明概念から逸脱す
ることなく、多くの変改、修変および変更が可能なこと
は明らかである。従って、添付の特許請求の範囲の趣意
および広汎な範囲内に属するこのような変改、修変およ
び変更はすべて本発明に包摂されると考えられる。
Claims (6)
- 【請求項１】 式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、水素、および１〜４個
の炭素原子を有する低級アルキル基からなる群から個別
的に選択され、 Ｒ4およびＲ5はＣＦ3およびＮＯ2からなる群から個別的
に選択されるが、ただしＲ4およびＲ5がともにＣＦ3で
あることはできず、 Ｒ6、Ｒ7およびＲ8は、水素、および１〜４個の炭素原
子を有する低級アルキル基からなる群から個別的に選択
され、そしてＲ9およびＲ10は、ＣＦ3、ＮＯ2およびＳ
Ｏ3Ｒからなる群から個別的に選択され、Ｒは置換され
ていないあるいは置換されているアルキル基またはアリ
ール基から選択され、この場合の置換基は１〜４個の炭
素原子を有する低級アルキル基または低級アルコキシ
基、ＮＯ2およびＣＦ3からなる群から選択される）を特
徴とするニトロベンジル型光酸発生組成物。 - 【請求項２】 光酸発生体が式(II) 【化２】 によって表わされることを特徴とする請求項１記載の組
成物。 - 【請求項３】 （ａ）酸の部分に感応して反応するポリ
マー物質と、（ｂ）放射線の照射の結果、酸性の部分を
発生するに至りそして式（Ｉ） 【化３】 （式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、水素、および１〜４個
の炭素原子を有する低級アルキル基からなる群から個別
的に選択され、 Ｒ4およびＲ5はＣＦ3およびＮＯ2からなる群から個別的
に選択されるが、ただしＲ4およびＲ5がともにＣＦ3で
あることはできず、 Ｒ6、Ｒ7およびＲ8は、水素、および１〜４個の炭素原
子を有する低級アルキル基からなる群から個別的に選択
され、そしてＲ9およびＲ10は、ＣＦ3、ＮＯ2およびＳ
Ｏ3Ｒからなる群から個別的に選択され、Ｒは置換され
ていないあるいは置換されているアルキル基またはアリ
ール基から選択され、この場合の置換基は１〜４個の炭
素原子を有する低級アルキル基または低級アルコキシ
基、ＮＯ2およびＣＦ3からなる群から選択される）によ
って表わされる光酸発生組成物を特徴とする放射線感受
性組成物。 - 【請求項４】 光酸発生組成物が式(II) 【化４】 によって表わされることを特徴とする請求項３記載の放
射線感受性組成物。 - 【請求項５】 （１） デバイスの基材上に放射線感受
性領域を形成し、 （２） この領域の少なくとも一部を放射線に露光した
潜在的なパターンを形成し、 （３） このパターンを現像し、そして （４） この現像されたパターンの領域をマスクとして
用いて処理し、上記のデバイス基材をさらにデバイスへ
とつくりあげる工程を特徴とするデバイスを製造する方
法であって、放射線感受性物質が（ａ） 酸性の部分に
感応して反応するポリマー物質、（ｂ） 上記放射線で
の照射の結果、酸性部分を生成し式（Ｉ） 【化５】 （式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、水素、および１〜４個
の炭素原子を有する低級アルキル基からなる群から個別
的に選択され、 Ｒ4およびＲ5はＣＦ3およびＮＯ2からなる群から個別的
に選択されるが、ただしＲ4およびＲ5がともにＣＦ3で
あることはできず、 Ｒ6、Ｒ7およびＲ8は、水素、および１〜４個の炭素原
子を有する低級アルキル基からなる群から個別的に選択
され、そしてＲ9およびＲ10は、ＣＦ3、ＮＯ2およびＳ
Ｏ3Ｒからなる群から個別的に選択され、Ｒは置換され
ていないあるいは置換されているアルキル基またはアリ
ール基から選択され、この場合の置換基は１〜４個の炭
素原子を有する低級アルキル基または低級アルコキシ
基、ＮＯ2およびＣＦ3からなる群から選択される）によ
って表わされる光酸発生組成物を含む上記のデバイス製
造方法。 - 【請求項６】 光酸発生組成物が式(II) 【化６】 によって表わされることを特徴とする請求項５記載の方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US35030394A | 1994-12-06 | 1994-12-06 | |
| US350303 | 1994-12-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08227151A true JPH08227151A (ja) | 1996-09-03 |
Family
ID=23376124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7316159A Pending JPH08227151A (ja) | 1994-12-06 | 1995-12-05 | 放射線感受性組成物中に使用する光酸発生組成物 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0717319B1 (ja) |
| JP (1) | JPH08227151A (ja) |
| KR (1) | KR960024674A (ja) |
| CA (1) | CA2164048A1 (ja) |
| DE (1) | DE69520655T2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7482107B2 (en) | 1997-08-28 | 2009-01-27 | Shipley Company, L.L.C. | Photoresist composition |
| US7026093B2 (en) | 1997-08-28 | 2006-04-11 | Shipley Company, L.L.C. | Photoresist compositions |
| KR20040089607A (ko) | 2002-02-06 | 2004-10-21 | 시바 스페셜티 케미칼스 홀딩 인크. | 설포네이트 유도체 및 잠산으로서의 이의 용도 |
| JP5782283B2 (ja) | 2010-03-31 | 2015-09-24 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ | 新規のポリマーおよびフォトレジスト組成物 |
| US20110300367A1 (en) | 2010-06-07 | 2011-12-08 | Ching-Kee Chien | Optical Fiber With Photoacid Coating |
| US9322986B2 (en) | 2013-06-24 | 2016-04-26 | Corning Incorporated | Optical fiber coating for short data network |
| US9950999B2 (en) | 2016-08-12 | 2018-04-24 | International Business Machines Corporation | Non-ionic low diffusing photo-acid generators |
| US9983475B2 (en) | 2016-08-12 | 2018-05-29 | International Business Machines Corporation | Fluorinated sulfonate esters of aryl ketones for non-ionic photo-acid generators |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4996136A (en) * | 1988-02-25 | 1991-02-26 | At&T Bell Laboratories | Radiation sensitive materials and devices made therewith |
-
1995
- 1995-11-24 DE DE69520655T patent/DE69520655T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-11-24 EP EP95308435A patent/EP0717319B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-11-29 CA CA002164048A patent/CA2164048A1/en not_active Abandoned
- 1995-12-05 KR KR1019950046641A patent/KR960024674A/ko not_active Withdrawn
- 1995-12-05 JP JP7316159A patent/JPH08227151A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960024674A (ko) | 1996-07-20 |
| EP0717319B1 (en) | 2001-04-11 |
| DE69520655D1 (de) | 2001-05-17 |
| EP0717319A1 (en) | 1996-06-19 |
| CA2164048A1 (en) | 1996-06-07 |
| DE69520655T2 (de) | 2001-11-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100481601B1 (ko) | 광산 발생제와 함께 광염기 발생제를 포함하는 포토레지스트 조성물 | |
| US5272042A (en) | Positive photoresist system for near-UV to visible imaging | |
| KR100500750B1 (ko) | 화학적으로증폭된포지티브포토레지스트 | |
| JPH03289658A (ja) | ポジ画像の形成方法 | |
| KR20170042726A (ko) | 레지스트 적용에서 광산 발생제로서의 술폰산 유도체 화합물 | |
| KR20020002877A (ko) | 광산 발생제와 함께 광 라디칼 발생제(ｐｒｇ)를 포함하는포토레지스트 조성물 | |
| KR20010018077A (ko) | 노광후 지연 안정성을 갖는 신규의 포토레지스트용 단량체, 그의 공중합체 및 이를 함유한 포토레지스트 조성물 | |
| US6235448B1 (en) | Photoresist monomers, polymers thereof, and photoresist compositions containing the same | |
| JP2001055361A (ja) | フェニレンジアミン誘導体、フェニレンジアミン誘導体の製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子 | |
| JPH08227151A (ja) | 放射線感受性組成物中に使用する光酸発生組成物 | |
| JP2861253B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
| EP0520654A1 (en) | Deep UV light sensitive positive photoresist compositions | |
| JP2935306B2 (ja) | 酸分解性化合物及びそれを含有するポジ型感放射線性レジスト組成物 | |
| JPH03192260A (ja) | マレイミド含有陰画処理型深ｕｖフォトレジスト | |
| KR100520180B1 (ko) | 포토레지스트의 노광후 지연 안정성을 확보하기 위한 첨가제 | |
| JP2662141B2 (ja) | デバイスの製造方法 | |
| US7081325B2 (en) | Photoresist polymer and photoresist composition including the same | |
| JPH09127699A (ja) | ポジチブ処理用の感放射線組成物およびこれを使用するレリーフ構造体の製造方法 | |
| JP4069497B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JP3392728B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH03273252A (ja) | 溶解阻止剤及びポジ型レジスト組成物 | |
| JP2750310B2 (ja) | 近紫外−可視域イメージング用ポジチブフォトレジスト | |
| KR100390986B1 (ko) | 산 확산 방지용 다산소 함유 화합물 및 이를 함유하는포토레지스트 조성물 | |
| JP3067377B2 (ja) | ネガ型レジスト組成物 | |
| JP2982266B2 (ja) | ネガ型感光性組成物 |