JPH021521A - 光検出装置 - Google Patents
光検出装置Info
- Publication number
- JPH021521A JPH021521A JP63277217A JP27721788A JPH021521A JP H021521 A JPH021521 A JP H021521A JP 63277217 A JP63277217 A JP 63277217A JP 27721788 A JP27721788 A JP 27721788A JP H021521 A JPH021521 A JP H021521A
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- JP
- Japan
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- diode
- bias voltage
- pin diode
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/103—Integrated devices the at least one element covered by H10F30/00 having potential barriers, e.g. integrated devices comprising photodiodes or phototransistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/22—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes
- H10F30/223—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier being a PIN barrier
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光検出装置に係り、特に光検出器の列よりなる
光検出装置に関する。
光検出装置に関する。
従来の技術及び発明が解決しようとする問題点列状に構
成された光検出装置中の個々の光検出器は異なった波長
に対して応答することが要求される。例えばＦＤＭ（周
波数分割多重化）光伝送システム等において光ファイバ
を介して伝送される入来複合信号は多数の波長の異なっ
た信号を含む。複合信号は例えば回折格子によって適当
に分殖され複合信号の各部分に対応する列中の適当な光
検出器に供給される。ところでかかる光信号が同時に光
検出器列中のいくつかの検出器に供給される場合にその
うちの一つだけを処理したい場合がある。このような場
合には光検出器に後続して唯一つの増幅チャンネルを設
けるだけでよい。このような一つしか増幅チャンネルを
為さない光検出器列においては通常のＰＩＮ検出器は周
知のように無バイアス条件下でも光起電力を生じてしま
いバイアス電圧が加わっていない場合でも電気的出力を
生じるため使用することができない。
成された光検出装置中の個々の光検出器は異なった波長
に対して応答することが要求される。例えばＦＤＭ（周
波数分割多重化）光伝送システム等において光ファイバ
を介して伝送される入来複合信号は多数の波長の異なっ
た信号を含む。複合信号は例えば回折格子によって適当
に分殖され複合信号の各部分に対応する列中の適当な光
検出器に供給される。ところでかかる光信号が同時に光
検出器列中のいくつかの検出器に供給される場合にその
うちの一つだけを処理したい場合がある。このような場
合には光検出器に後続して唯一つの増幅チャンネルを設
けるだけでよい。このような一つしか増幅チャンネルを
為さない光検出器列においては通常のＰＩＮ検出器は周
知のように無バイアス条件下でも光起電力を生じてしま
いバイアス電圧が加わっていない場合でも電気的出力を
生じるため使用することができない。
一方、光導電体は電圧が加わった場合にのみ出力を生じ
るため増幅チャンネルが一つしかない場合においても光
検出器として使用可能である。しかし、光導電体を光検
出器として使用する場合には１．３〜１．５μｍの波長
に対して良好に応答する光導電体が十分に開発されてい
ないためかかる周波数帯域での応答が不良になる実際的
な問題点が生じる。現状では高純度１ ｎＧａＡｓが光
導電体として使用できる最良のものである。
るため増幅チャンネルが一つしかない場合においても光
検出器として使用可能である。しかし、光導電体を光検
出器として使用する場合には１．３〜１．５μｍの波長
に対して良好に応答する光導電体が十分に開発されてい
ないためかかる周波数帯域での応答が不良になる実際的
な問題点が生じる。現状では高純度１ ｎＧａＡｓが光
導電体として使用できる最良のものである。
本発明は別の光検出装置を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
本発明は各々光起電力を生じないようにバイアスされた
ＰＥＮダイオードの列と、ＰＥＮダイオード出力端子に
接続された共通の増幅器と、各ＰＥＮダイオードにバイ
アス電圧を選択的に印加する手段とよりなり、該ＰＥＮ
ダイオードの一により光検出を行う場合にそのダイオー
ドにバイアス電圧を印加して入射光信号に応じた光起電
力信号を出力させ、該増幅器にて該出力光起電力信号を
増幅させることを特徴とする光検出装置を提供する。
ＰＥＮダイオードの列と、ＰＥＮダイオード出力端子に
接続された共通の増幅器と、各ＰＥＮダイオードにバイ
アス電圧を選択的に印加する手段とよりなり、該ＰＥＮ
ダイオードの一により光検出を行う場合にそのダイオー
ドにバイアス電圧を印加して入射光信号に応じた光起電
力信号を出力させ、該増幅器にて該出力光起電力信号を
増幅させることを特徴とする光検出装置を提供する。
以下、本発明を図面を参照しながら説明する。
実施例
従来、ＩｎＰ上に■ｎＧａＡＳを成長させることにより
無バイアス条件下では光起電力を発生しないが数ボルト
のバイアス電圧を加えることにより通常の検出器として
使用することのできるＰＩＮ検出器を製造することが公
知である。
無バイアス条件下では光起電力を発生しないが数ボルト
のバイアス電圧を加えることにより通常の検出器として
使用することのできるＰＩＮ検出器を製造することが公
知である。
かかる検出器を２つ列状に構成した例を第１図に示す。
図示した検出器はＮ＋形ＩｎＰＷ板１と、基板上に成長
させられたＮ形ＩｎＧａＡＳ層２と、層２上に成長させ
られたＮ−形ＩｎＰ層３と、層３の一部に画成され窒化
珪素あるいは二酸化珪素層５中の適当な開口部よりドー
ピングを行うことにより形成されたＰ＋形領域が４より
なる。さらに、領域４には層５の開口部を囲むように電
極６が形成される。また領域４上にはさらに反射防止膜
７が形成される。さらに、検出器列の裏側、換言すれば
Ｎ＋形ＩｎＰ基板の裏側には共通電極８が形成される。
させられたＮ形ＩｎＧａＡＳ層２と、層２上に成長させ
られたＮ−形ＩｎＰ層３と、層３の一部に画成され窒化
珪素あるいは二酸化珪素層５中の適当な開口部よりドー
ピングを行うことにより形成されたＰ＋形領域が４より
なる。さらに、領域４には層５の開口部を囲むように電
極６が形成される。また領域４上にはさらに反射防止膜
７が形成される。さらに、検出器列の裏側、換言すれば
Ｎ＋形ＩｎＰ基板の裏側には共通電極８が形成される。
またＩｎＰ層（３，４）中には領域４をドーピングによ
り形成する際にＩｎＧａＡｓｎ２の直前の位置で停止す
るように領域４の拡散境界面を形成することによりＰＮ
接合部９が形成される。通常のＰＩＮ検出器では拡散は
ＩｎＧａＡｓ層中まで行われる。
り形成する際にＩｎＧａＡｓｎ２の直前の位置で停止す
るように領域４の拡散境界面を形成することによりＰＮ
接合部９が形成される。通常のＰＩＮ検出器では拡散は
ＩｎＧａＡｓ層中まで行われる。
第１図の構成を有するＰＥＮダイオードのバンド構造を
第２図に示す。第２図よりわかるように、第１図のＰＴ
ＮダイオードではＮ形１ ｎＧａＡｓ層とＩｎＰ層との
間に内部障壁１０が形成され、この障壁１０によりＩｎ
ＧａＡｌ１中に光により形成されたボール１１が検出装
置外へ移動するのが防止される。その結果無バイアス状
態で光起電力が発生することはない。一方、逆バイアス
を加えると空乏領域がＩｎＧａＡＳＩｉＺ中にまで拡が
り障壁の高さが大きく低下する。この場合、価電子帯に
不連続が残り逆バイアス状態で熱電子放出により障壁を
越えて放出されたホールが捕獲されてしまう場合が生じ
る。かかる捕獲が生じるとダイオードの周波数応答が低
下するが、その程度は数メガヘルツの周波数では感知で
きない程度のものにすぎない。一方、より高い周波数で
動作させる場合には１．３μｍの波長域に対応するバン
ドギャップを有するＩｎＧａＡＳＰのＲ９Ｆ）をＩｎＧ
ａＡｓ層とＮ−形ＩｎＰ層３との間に挿入すればよい。
第２図に示す。第２図よりわかるように、第１図のＰＴ
ＮダイオードではＮ形１ ｎＧａＡｓ層とＩｎＰ層との
間に内部障壁１０が形成され、この障壁１０によりＩｎ
ＧａＡｌ１中に光により形成されたボール１１が検出装
置外へ移動するのが防止される。その結果無バイアス状
態で光起電力が発生することはない。一方、逆バイアス
を加えると空乏領域がＩｎＧａＡＳＩｉＺ中にまで拡が
り障壁の高さが大きく低下する。この場合、価電子帯に
不連続が残り逆バイアス状態で熱電子放出により障壁を
越えて放出されたホールが捕獲されてしまう場合が生じ
る。かかる捕獲が生じるとダイオードの周波数応答が低
下するが、その程度は数メガヘルツの周波数では感知で
きない程度のものにすぎない。一方、より高い周波数で
動作させる場合には１．３μｍの波長域に対応するバン
ドギャップを有するＩｎＧａＡＳＰのＲ９Ｆ）をＩｎＧ
ａＡｓ層とＮ−形ＩｎＰ層３との間に挿入すればよい。
第１図に示す構成のＰＩＮダイオードはこの前面（上面
）に矢印で示すように入射した光を検出する。かかる構
成を以下トップエントリー構成と称することにする。ダ
イオード列においてはＰＮ接合部の径が非常に小さく、
このため第１図に示すトップエントリー構成は必ずしも
実際的でない。
）に矢印で示すように入射した光を検出する。かかる構
成を以下トップエントリー構成と称することにする。ダ
イオード列においてはＰＮ接合部の径が非常に小さく、
このため第１図に示すトップエントリー構成は必ずしも
実際的でない。
しかし、このトップエントリー構成は第３図に示すよう
な光が矢印で示すように検出器裏面に入射するリアエン
トリー構成により置換えることができる。この場合はＰ
Ｎ接合部の電極６′は接合部仝而を覆って延在してよく
、光は裏面の電極８′中に形成された開口部より導入さ
れる。光の入射効率を向上さゼるため、開口部には反射
防止膜７′を形成してもよい。また検出器列は高抵抗基
板上に形成してもよい。
な光が矢印で示すように検出器裏面に入射するリアエン
トリー構成により置換えることができる。この場合はＰ
Ｎ接合部の電極６′は接合部仝而を覆って延在してよく
、光は裏面の電極８′中に形成された開口部より導入さ
れる。光の入射効率を向上さゼるため、開口部には反射
防止膜７′を形成してもよい。また検出器列は高抵抗基
板上に形成してもよい。
第４図は無バイアス時には光起電力を生じないが適当に
バイアスされた場合には光電流を出力するＰ［Ｎダイオ
ード１２を３つ有する検出器列の電気回路を示す。検出
器列の出力は共通の裏側接続部（第１図生得号８）より
これに接続されている共通増幅器１３に送られる。この
増幅器１３には検出器列と同一基板上に一体的に形成す
ることもできる。ダイオード１２は各々シャント抵抗器
Ｒを接続され、またそれぞれ通常は開成されている低漏
洩スイッチ１５を介して共通電圧ライン１４に接続され
る。シャント抵抗器はダイオードの漏洩電流がスイッチ
のそれよりも小であった場合にダイオードがオンにバイ
アスされるのを防ぐためのものである。第３図の検出器
列においてはスイッチ１５の開成により例えば１０ボル
トの大きさの適当なバイアス電圧がＰＩＮダイオード１
２に選択的に印加され、これによりバイアス電圧を印加
されたダイオードがイネーブルされ入射光信号に応答す
るようになる。その結果、光起電力出力符号が生じ増幅
器１３に送られて増幅される。かかる構成のＰＩＮダイ
オードは無バイアス状態で光起電力出力を生じることが
なく、個々の出力信号を共通の増幅器に供給することが
可能になる。
バイアスされた場合には光電流を出力するＰ［Ｎダイオ
ード１２を３つ有する検出器列の電気回路を示す。検出
器列の出力は共通の裏側接続部（第１図生得号８）より
これに接続されている共通増幅器１３に送られる。この
増幅器１３には検出器列と同一基板上に一体的に形成す
ることもできる。ダイオード１２は各々シャント抵抗器
Ｒを接続され、またそれぞれ通常は開成されている低漏
洩スイッチ１５を介して共通電圧ライン１４に接続され
る。シャント抵抗器はダイオードの漏洩電流がスイッチ
のそれよりも小であった場合にダイオードがオンにバイ
アスされるのを防ぐためのものである。第３図の検出器
列においてはスイッチ１５の開成により例えば１０ボル
トの大きさの適当なバイアス電圧がＰＩＮダイオード１
２に選択的に印加され、これによりバイアス電圧を印加
されたダイオードがイネーブルされ入射光信号に応答す
るようになる。その結果、光起電力出力符号が生じ増幅
器１３に送られて増幅される。かかる構成のＰＩＮダイ
オードは無バイアス状態で光起電力出力を生じることが
なく、個々の出力信号を共通の増幅器に供給することが
可能になる。
一方、従来のＰＩＮダイオード列は無バイアス状態でも
光起電力出力を生じるため増幅器には全てのダイオード
の出力信号が入力されてしまう。
光起電力出力を生じるため増幅器には全てのダイオード
の出力信号が入力されてしまう。
このように、無バイアス状態においてＰＩＮダイオード
が光起電力出力を生じることがないためＰＩＮダイオー
ド間のクロストークを抑止することが可能になる。
が光起電力出力を生じることがないためＰＩＮダイオー
ド間のクロストークを抑止することが可能になる。
典型的な検出装置は５０個のＰＩＮダイオードを含み、
ざらにこれに協働するスイッチ及びシャント抵抗器が含
まれる。さらに、共通の基板上に集積化してもよい増幅
器がＰＩＮダイオード列に協働する。低漏洩スイッチ１
５は光導電体の場合におけると同様な双安定構成のスイ
ッチングトランジスタよりなる。使用する材料に対する
要求はく無バイアス条件下で光起電力を生じないＰＩＮ
ダイオードの場合）光導電体の場合稈厳しくなく、本発
明による光検出装置は比較的容易に製造が可能である。
ざらにこれに協働するスイッチ及びシャント抵抗器が含
まれる。さらに、共通の基板上に集積化してもよい増幅
器がＰＩＮダイオード列に協働する。低漏洩スイッチ１
５は光導電体の場合におけると同様な双安定構成のスイ
ッチングトランジスタよりなる。使用する材料に対する
要求はく無バイアス条件下で光起電力を生じないＰＩＮ
ダイオードの場合）光導電体の場合稈厳しくなく、本発
明による光検出装置は比較的容易に製造が可能である。
要約すると、本発明による光検出装置は各々無バイアス
状態下では光起電力を発生しないが適当にバイアスされ
ると光起電力を発生するＰＩＮパイトートよりなるダイ
オード列より構成される。
状態下では光起電力を発生しないが適当にバイアスされ
ると光起電力を発生するＰＩＮパイトートよりなるダイ
オード列より構成される。
ダイオード列中のＰＩＮダイオードには共通の増副器が
接続されてＰＩＮダイオードより出力される光起電力出
力信号を増幅する。ダイオ”−ド列中の特定のＰＩＮダ
イオードに入射した光信号のみを増幅したい場合、該ダ
イオードは協働するスイッチを開成することにより選択
的にバイアスされ、該ダイオードより出力された出力電
圧が増幅器により増幅される。
接続されてＰＩＮダイオードより出力される光起電力出
力信号を増幅する。ダイオ”−ド列中の特定のＰＩＮダ
イオードに入射した光信号のみを増幅したい場合、該ダ
イオードは協働するスイッチを開成することにより選択
的にバイアスされ、該ダイオードより出力された出力電
圧が増幅器により増幅される。
第１図はダイオード列中の２つのダイオードを含む本発
明による光検出装置の断面図、第２図は無バイアス状態
における内部障壁を示す概略図、第３図は別のダイオー
ド構成例を示す断面図、第４図は３つのダイオードを含
むダイオード列及びこれに協働する増幅器を示す回路図
である。 １・・・基板、２ ・Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ Ｓ層、３−
１ ｎ Ｐ層、４・・・Ｐ＋形領域が５・・・窒化珪素
、６．６′・・・電、！転、７．７′・・・反射防止膜
、８．８′・・・共通電極、９・・・ＰＮ接合部、１０
・・・障壁、１１・・・ホール、１２・・・ＰＩＮダイ
オード、１３・・・増幅器、１４・・・電圧ライン、１
５・・・スイッチ。 図面の浄書（内容に変更なし） 手続ネｆ１７正、書（自発） 特許庁長官 吉 １）文 毅 殿 １、事件の表示 昭和６３年 特許願 第２７７２１７号２、発明の名称 光検出装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 イギリス国 ロンドン ダブリューシー２７−ル
３エイチエ−マルトラバーズ ストリ−１〜 １０番地
名称 エステイ−シー ピーエルシー 代表者 マーク チャールズ デニス ４゜代理人 ６、 補正の対象 図面。 ７、 補正の内容 図面の浄書（内容に変更なし） 補充する。 を別紙のとおり
明による光検出装置の断面図、第２図は無バイアス状態
における内部障壁を示す概略図、第３図は別のダイオー
ド構成例を示す断面図、第４図は３つのダイオードを含
むダイオード列及びこれに協働する増幅器を示す回路図
である。 １・・・基板、２ ・Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ Ｓ層、３−
１ ｎ Ｐ層、４・・・Ｐ＋形領域が５・・・窒化珪素
、６．６′・・・電、！転、７．７′・・・反射防止膜
、８．８′・・・共通電極、９・・・ＰＮ接合部、１０
・・・障壁、１１・・・ホール、１２・・・ＰＩＮダイ
オード、１３・・・増幅器、１４・・・電圧ライン、１
５・・・スイッチ。 図面の浄書（内容に変更なし） 手続ネｆ１７正、書（自発） 特許庁長官 吉 １）文 毅 殿 １、事件の表示 昭和６３年 特許願 第２７７２１７号２、発明の名称 光検出装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 イギリス国 ロンドン ダブリューシー２７−ル
３エイチエ−マルトラバーズ ストリ−１〜 １０番地
名称 エステイ−シー ピーエルシー 代表者 マーク チャールズ デニス ４゜代理人 ６、 補正の対象 図面。 ７、 補正の内容 図面の浄書（内容に変更なし） 補充する。 を別紙のとおり
Claims (8)
- （１）各々光起電力を生じないようにバイアスされたＰ
ＩＮダイオードの列と、ＰＩＮダイオード出力端子に接
続された共通の増幅器と、各ＰＩＮダイオードにバイア
ス電圧を選択的に印加する手段とよりなり、該ＰＩＮダ
イオードの一により光検出を行う場合にそのダイオード
にバイアス電圧を印加して入射光信号に応じた光起電力
信号を出力させ、該増幅器にて該出力光起電力信号を増
幅させることを特徴とする光検出装置。 - （２）該バイアス電圧印加手段はバイアス電圧源と各Ｐ
ＩＮダイオード入力端子との間に接続された通常は開成
されている低漏洩スイッチを含むことを特徴とする請求
項１記載の光検出装置。 - （３）各ＰＩＮダイオードにはそれぞれシャント抵抗器
が接続されることを特徴とする請求項２記載の光検出器
。 - （４）該ＰＩＮダイオードとスイッチとシャント抵抗器
と共通増幅器とは単一の構造体として集積化されている
ことを特徴とする請求項３記載の光検出装置。 - （５）該ＰＩＮダイオード列は共通電極を一の側に有し
他の側にＮ＾−形ＩｎＧａＡｓ層を有するＮ＾＋形Ｉｎ
Ｐ基板と、該Ｎ＾−形ＩｎＧａＡｓ層上に形成されたＮ
＾−形ＩｎＰ層とよりなり、該Ｎ＾−形ＩｎＰ謂は各Ｐ
ＩＮダイオードに対応してＰ＾＋形領域が該ＩｎＧａＡ
ｓ層に向って、ただし該ＩｎＧａＡｓ層には到達しない
範囲にわたって形成され、各Ｐ＾＋形ＩｎＰ領域はバイ
アス電圧を印加するための電極手段を有し、各ＰＩＮダ
イオードは各Ｐ＾＋形ＩｎＰ領域へ入射する光信号を検
出することを特徴とする請求項１記載の光検出装置。 - （６）ＩｎＧａＡｓ層とＩｎＰ層との間に ＩｎＧａＡｓＰ層を更に含むことを特徴とする請求項５
記載の光検出装置。 - （７）光信号は該Ｐ＾＋形ＩｎＰ領域へ基板の該一の側
とは反対側を通って入射することを特徴とする請求項５
記載の光検出装置。 - （８）光信号は該Ｐ＾＋形ＩｎＰ領域へ基板の該一の側
を通つて入射することを特徴する請求項５記載の光検出
装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8725687 | 1987-11-03 | ||
| GB8725687A GB2212020B (en) | 1987-11-03 | 1987-11-03 | Optical detectors. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH021521A true JPH021521A (ja) | 1990-01-05 |
Family
ID=10626330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63277217A Pending JPH021521A (ja) | 1987-11-03 | 1988-11-01 | 光検出装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4916305A (ja) |
| JP (1) | JPH021521A (ja) |
| GB (1) | GB2212020B (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07105483B2 (ja) * | 1988-12-16 | 1995-11-13 | 鐘淵化学工業株式会社 | 半導体イメージセンサ |
| JPH03120877A (ja) * | 1989-10-04 | 1991-05-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 受光素子 |
| US5185272A (en) * | 1990-04-16 | 1993-02-09 | Fujitsu Limited | Method of producing semiconductor device having light receiving element with capacitance |
| DE69123280T2 (de) * | 1990-04-16 | 1997-03-20 | Fujitsu Ltd | Halbleitervorrichtung mit lichtempfindlichem Element und Verfahren zu deren Herstellung |
| JPH04179278A (ja) * | 1990-11-13 | 1992-06-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 受光素子 |
| US6087703A (en) * | 1994-06-07 | 2000-07-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Photodetector and photodetection circuit |
| DE4439693C2 (de) * | 1994-11-05 | 1997-04-24 | Hengstler Gmbh | Sensoreinheit für einen Drehgeber oder Lineargeber |
| JPH1126741A (ja) * | 1997-07-04 | 1999-01-29 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JP4038783B2 (ja) * | 1998-09-24 | 2008-01-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 量子暗号通信システム及び量子暗号通信方法 |
| JP2002033507A (ja) * | 2000-07-18 | 2002-01-31 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 受光素子および光分波器 |
| JP7561752B2 (ja) * | 2019-10-30 | 2024-10-04 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 受光素子、受光素子の製造方法及び固体撮像装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2078440B (en) * | 1980-03-31 | 1984-04-18 | Nippon Telegraph & Telephone | An optoelectronic switch |
| US4730198A (en) * | 1984-11-26 | 1988-03-08 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Aligning arrays of optoelectronic devices to arrays of optical fibers |
| JPS63224252A (ja) * | 1987-02-06 | 1988-09-19 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 導波路−ホトダイオードアレー |
-
1987
- 1987-11-03 GB GB8725687A patent/GB2212020B/en not_active Expired - Fee Related
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1988
- 1988-11-01 JP JP63277217A patent/JPH021521A/ja active Pending
- 1988-11-02 US US07/266,389 patent/US4916305A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2212020A (en) | 1989-07-12 |
| GB8725687D0 (en) | 1987-12-09 |
| US4916305A (en) | 1990-04-10 |
| GB2212020B (en) | 1991-07-10 |
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