JPH05508738A - レーザダイオード及びレーザダイオードを製造する方法、並びにレーザダイオードの性能をモニタする方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の名称 レーザダイオード及びレーザダイオードを製造する方法、並びにレーザダイオー ドの性能をモニタする方法 発明の分野 本発明はレーザダイオード及びレーザダイオードを製造する方法、並びにレーザ ダイオードの性能をモニタする方法に関する。

発明の背景 光通信に対して用いられるレーザダイオードは２つの端面を有し、それは誘導放 出によって光増幅が起きる光共振器を形成する。光はこれらの端面の両方から放 射される。

一般に、１つの面から放射された光は、そのファイバに沿って光信号を送出する ために光ファイバに結合され、他の面から放射された光は光検出器ダイオード（ または背面モニタ）に結合され、それはレーザの動作をモニタする。光検出器ダ イオードの出力信号は、そのレーザの動作を制御する回路を制御するために印加 される。さらに、光検出器ダイオードの出力信号は適正な表示を行うメンテナン ス回路に印加され、レーザダイオードが正しく動作していない場合はそのレーザ ダイオードをサービスから外す。

従来、レーザダイオード及び光検出器ダイオードは異なる構造を有し、各構造は それらの特別の機能に対して最適化されている。２つの異なる構造は、別の半導 体基板上に別々に作られ、共通ハイブリッド基板上に取り付けられる。このレー ザダイオード及び光検出器ダイオードは、レーザダイオードの１つの面から放射 された光が光検出器ダイオードに能率よく結合されることを確認するため、共通 基板に取り付けられる前に慎重に一直線に揃えられなければならない。

従来の半導体レーザダイオードは、ドーピング・ジャンクションを含む一連の半 導体層を含む。そのレーザダイオードをレーザとして動作させるために、ドーピ ング・ジャンクションは、順方向にバイアスされる。レーザダイオードは、もし ドーピング・ジャンクションが逆方向にバイアスされるならば、光検出器ダイオ ードとして動作することが認められている（Ｚｉｅｌ、光波技術ジャーナル、第 ７巻、Ｎｏ、２．１９８９年２月、及び、Ｒ，Ｇ、Ｈｕｎｓｐｅｒｇｅｒ及びＪ 、Ｈ，Ｐａｒｋの名前で１９８８年９月２０日発行された米国特許４．　７７３ ゜アスされないで光検出器として動作するときは動作速度が比較的遅い。さらに 、従来のレーザダイオードが満足な感度及び速度を有する光検出器として動作す るために逆方向にバイアスされるならば、それらはより大きい漏洩電流を生じる 。

そのような漏洩電流が、その光電流の上に重畳され、全体の光電流はレーザから 放射された光電力の正確な値を示さなくなる。これらの漏洩電流を補償すること は難しい。というのは、それらは動作温度および逆バイアスに大きく依存してお 光検出器の構造上の性能を改善する設計上の特徴は、レーザとしてその性能を劣 化させるものであった。

背面モニタ用光検出器ダイオードを提供することによって、）１イブリツド基板 上にレーザダイオードど背面モニタ用光検出器ダイオードの慎重な調整をしない で済ませることができる。光検出器ダイオードと実質的に同一の照射されない基 準ダイオードが、同じ半導体基板の上にモノリシックに集積される。

その集積化を簡単にするために、レーザダイオード、光検出器ダイオード及び基 準ダイオードは、溝によって分離される一連の同じ半導体層を含む。レーザダイ オードを光検出器ダイオードから分離する溝は、レーザダイオードの背面を形成 する。実質的に、等しい逆バイアスが光検出器ダイオード支び基準ダイオードに 印加され、その基準ダイオードは光検出器ダイオードの漏洩電流を実質的にキャ ンセルする電流を供給する。

このように、本発明の１つ面は、共通基板上に七ノリシックに集積されたレーザ ダイオード、光検出器ダイオードおよび基準ダイオードを含むモノリシックな集 積構造を供給する。光検出器ダイオードは、レーザダイオードに光学的に結合さ れる。基準ダイオードは、光検出器ダイオードと実質的に同一であり、レーザダ イオードから光学的に分離されている。

レーザダイオード、光検出器ダイオード及び基準ダイオードの各々は、一連の同 じエピタキシャル半導体層を含む。レーザダイオード、光検出器ダイオ−Ｆ２ｔ び基準ダイオードは、エピタキシャル層を通して基板に延びる溝によって分離さ れる。レーザダイオードを光検出器ダイオードから分離する溝は、レーザダイオ ードの背面を形成する。

基板は、半導体基板であり、レーザダイオード、光検出器ダイオ−ＦＲび基準ダ イオードは、基板に共通の電気接点を有する。または、基板は、半絶縁又は単結 晶質基板であってもよい。そして、レーザダイオード、光検出器ダイオード及び 基準ダイオードは、電気的に互いに分離される。

さらに、モノリシック集積構造は、共通基板上にモノリシックに集積化され、レ ーザダイオードに光学的に結合された変調器ダイオードを含む。

本発明の他の面は、共通基板上にモノリシックに集積されるレーザダイオード、 光検出器ダイオード及び基準ダイオードを含む集積構造をモノリシックに製造す るための方法を提供する。この方法は、基板上に複数のエピタキシャル半導体層 を形成し、エピタキシャル層をレーザダイオード、光検出器ダイオード及び基準 ダイオードに分離するために、このエピタキシャル層を通して基板に延びる溝を 形成し、電気接点をレーザダイオード、光検出器ダイオード及び基準ダイオード に形成する。

本発明の他の面は、レーザダイオードと光学的に結合されたモノリシック集積光 検出器ダイオードと光学的に結合されないモノリシック集積基準ダイオードとを 有するそのレーザダイオード（６０）の性能をモニタするための方法を提供する 。この方法は、光検出器ダイオード（６２）及び基準ダイオード（６４）に同じ 逆バイアスを実質的に印加し、光検出器ダイオード（６２）の中の第１の電流を 検出し、この第１の電流は前記光電流及び漏洩電流の合計電流であり、基準ダイ オード（６４）中の第２の電流を検出し、この第２の電流は漏洩電流であり、こ の光電流に比例した信号を得るために、第１の電流に比例した信号から第２の電 流に比例した信号を減算する。

図面の簡単な説明 本発明の実施例が１つの例を用いて下に記述される。

図１　ａ−１ｃは、連続した製造段階におけるモノリシック集積構造の斜視図で ある。

図２は、図１ｃの集積構造を含んだモニタ回路を示す回路図である。

図３ａ−３ｃは、連続した製造段階における他のモノリシック集積構造の斜視図 である。

図４は、図３０の集積構造を含んだモニタ回路を示す回路図である。

図５は、さらに他のモノリシック集積構造の斜視図である。

実施例の詳細な説明 図１ａ−１ｃは、本発明の実施例によるモノリシック集積構造を製造するための 方法を示す。

図示された方法において、層１２を構成するｎタイプＡｌＧａＡｓはｎタイプＧ ａＡｓ基板１０上でエピタキシャル成長する。ｐタイプＧａＡｓアクティ１層１ ４は、層１２を構成するｎタイプの上にエピタキシャル成長し、そして層１６を 構成するｐタイプＡｌＧａＡｓは、アクティブ層１４の上にエピタキシャル成長 する。ｎタイプＧａＡｓキャップ層１８は、層１６を構成するｐタイプの上にエ ピタキシャルに成長する。フォトレジスト層２０は、フォトレジスト層２０を通 して細長開口２２を形成するためにパターン化されたキャップ層１８上に堆積さ れる。細長いｐタイプドープ井戸２４を構成するために、亜鉛が開口２２を通し てキャップ層１８に拡散さね、それはキャップ層１８を通して層１６を形成する ｐタイプに延びる。その結果生じる構造は図１ａに示される。

フォトレジスト層２０はキャップ層１８から剥離される。金属接点層３０は、キ ャップ層１８上に堆積され、３つのオーム接触３２．３３．３４を細長ドープ井 戸２４に形成する標準引き」二げ技術を使用してパターン化される。フォトレジ ストのもうひとつの層４０は接点金属層３０上に堆積され、フォトレジスト層４ ０を介して一対の細長開口４２を形成するためにパターン化される。各細長開口 ４２は、隣接のオーム接触３２．３３．３４の間に位置づけられた細長ドープ井 戸２４に垂直に形成される。エピタキシャル層１２．１４．１６．１８は、溝４ ４を構成するために開口４２を通して活性化イオンでエツチングされ、それは基 板１０にエピタキシャル層１２．１４．１６．１８を通して延びる。ＣＨ，／Ｈ ２ガス混合が、溝４４の活性化イオンエツチングために使用される。その結果生 じる構造は、図ｉｂに示される。

図ＩＣに示されるように、その後金属接点層５０は基板１０の後面５２上に堆積 され、端面５６．５８はこのモノリシック集積構造を完成するためにへき関され る。この完成された構造は、レーザダイオード６０、光検出器ダイオード６２、 および基準ダイオード６４を含み、それらは共通基板１０の上にモノリシックに 集積される。各レーザダイオード６０、光検出器ダイオード６２及び基準ダイオ ード６４は、一連の同じエピタキシャル半導体層１２．１４．１６．１８を含む 。

レーザダイオード６０．光検出器ダイオード６２および基準ダイオード６４は、 レーザダイオード６０の背面６１を形成する溝４４によって分離される。光検出 器ダイオード６２は、レーザダイオード６０の背面６１を介してレーザダイオー ド６０に光学的に結合される。基準ダイオード６４は、光検出器ダイオード６２ と実質的に同一であり、光学的にはレーザダイオード６０とは結合しない。キャ ップ層１８上の接点金属層３０は、レーザダイオード６０、光検出器ダイオード ６２および基準ダイオード６４の別々の上部電気接点３２．３３．３４を構成す る。上部の電気接点３２．３３．３４は、溝４４によって分離される。基板１０ の後面５２上の接点金属層５０は基板１０への共通の底部電気接点を形成する。

図２は、モノリシック集積光検出器ダイオード６２及び基準ダイオード６４を使 用してレーザダイオード６０の性能をモニタする方法を実行する回路図である。

レーザダイオード６０は、その上部の電気接点３２に正の電源電圧を接続するこ とによって順方向にバイアスさね、共通の底部電気接触５０で接地される。光検 出器ダイオード６２及び基準ダイオード６４の上部電気接点３３．３４は、実質 的に同一の帰還増幅器６６．６７の反転入力に平行して接続される。各帰還増幅 器６６．６７は、同じ逆バイアスが、実質的に光検出器ダイオード６２及び基準 ダイオード６４に印加されるために、共通の負電源電圧に接続された非反転入力 を有する。帰還増幅器６６．６７の出力は、差動アンプ６８に結合される。

光検出器ダイオード６２に接続された帰還増幅器６７は、光検出器ダイオード６ ２の電流を検出する。その電流は、レーザダイオード６０の背面５２から光検出 器ダイオード６２に光結合によって発生された光電流と、レーザダイオード６０ から光検出器ダイオード６２にどのような光も結合されない逆バイアス時に光検 出器ダイオード６２中に流れる漏洩電流との合計である。基準ダイオード６４に 結合された帰還増幅器６６は、基準ダイオード６４中の漏洩電流を検出する。

これは、基準ダイオード６４がレーザダイオード６０と光学的に結合されていな いので、どのような光電流も基準ダイオード６４の中で流れるべきでないからで ある。また、基準ダイオード６４は、光検出器ダイオード６２に実質的に同一で あり、ダイオード６２に熱的に結合され、また、実質的に光検出器ダイオード６ ２と同じ逆バイアスが加えられ、基準ダイオード６４中を流れる電流は、光検出 器ダイオード６２中を流れる漏洩電流に実質的に同一であるべきであるからであ る。したがって、差動アンプ６８の出力は、光検出器ダイオード６２中を流れる 光電流と比例しなければならず、それゆえに、レーザダイオード６０の出力の正 確な表示をしなければならない。

図１ｃの中で示された集積構造および図２の中で示された関連のモニタ回路の不 Ｊす益は、モニタ回路の動作ために３つの基準電圧レベルが必要であることであ る。図２においては、例えば、正電源及び負電源および接地が必須である。図３ ａ−３ｃは集積構造を製造するための方法を示し、それは単に２つの基準電圧レ ベルを必要とするモニタ回路中で使用される。モニタ回路は、図４で示される。

図３ａ−３ｃの中で示された方法において、図１ａで示された構造に似ている構 造が半絶縁体ＧａＡｓ基板１１の上に作られる。フォトレジスト層２０は剥離さ れ、フォトレジストの他の層７０がキャップ層１８の上に堆積される。フォトレ ジスト層７０は、フォトレジスト層７０を介して細長間ロア２を形成するために パターン化され、それは、細長ドープ井戸２４に平行であり横方向に分離される 。これらの開ロア２を通して活性化イオンエツチングされたエピタキシャル層１ ２．１４．１６．１８は、層１２を形成するｎタイプの細長部分１３を露出する 。その結果生じる構造は、図３ａで示される。フォトレジストの層７０は、その 後剥離される。

二酸化シリコンまたはシリコン窒素化合物の絶縁層８０のような層が、図３ａの 構造の上に等角的に堆積される。絶縁層８０は、絶縁層８０を通して写真リング ラフィによってパターン化され、細長開口８２を形成し、細長ドープ井戸２４と 層１２を形成するｎタイプの細長い部分１３を露出する。接点金属層９０は、残 りの絶縁層８０、露出ドープ井戸２４及び層１３を構成するｎタイプの上に等角 的に堆積される。接点金属層９０は、引き上げ又は他の標準的な技術によって写 真リソグラフィによってパターン化され、ドープ井戸２４と層１２を形成するｎ タイプ１２に別々の電気接点９２．９４を形成する。その結果生じる構造は、図 ３ｂに示される。

フォトレジスト層９５は図３ｂの構造上に堆積され、フォトレジスト層９５を通 して一対の細長開口９７を形成するためにパターン化される。各細長開口９７は 、細長ドープ井戸２４に垂直である。エピタキシャル層１２．１４．１６．１８ は、溝９８を形成するために開口９７を通して活性化イオンエツチングされ、そ れは、エピタキシャル層１２．１４．１６．１８を通して基板１１に延びる。

その結果生じる構造は、図３０に示される。フォトレジスト層９５は、接点金属 層８０．端面５６．５８を露出するために剥離される。

完成された構造は、レーザダイオード６０、光検出器ダイオード６２及び基準ダ イオード６４を含み、それらは共通基板１１上にモノリシックに集積される。

各レーザダイオード６０．光検出器ダイオード６２及び基準ダイオード６４は、 一連の同一のエピタキシャル半導体層１２．１４．１６．１８を含む。レーザダ イオード６０、光検出器ダイオード６２及び基準ダイオード６４は、レーザダイ オード６０の背面９９を形成する溝９８によって分離される。光検出器ダイオー ド６２は、レーザダイオード６０の背面９９を通してレーザダイオード６０に光 学的に結合される。基準ダイオード６４は、実質的に光検出器ダイオード６２に 同一であるが、レーザダイオード６０とは光学的に結合されない。キャップ層１ ８上の接点金属層９０は、レーザダイオード６０、光検出器ダイオード６２及び 基準ダイオード６４上の別の上部電気接点を形成する。層１２を形成するタイプ の上の接点金属層９０は、レーザダイオード６０．光検出器ダイオード６２およ び基準ダイオード６４の別々の底部接点を形成する。装置に隣接する上部及び底 部電気接点は溝９８によって分離される。基板１１が半絶縁体であるために、レ ーザダイオード６０、光検出器ダイオード６２およびその基準ダイオード６４は お互いを電気的に分離する。

図４に示されたモニタ回路は、正電源電圧と接地間でレーザダイオード６０が正 にバイアスされることを除いては、図２に示されたモニタ回路に似ており、一方 、光検出器ダイオード６２及び基準ダイオード６４は、同じ正電源電圧と接地電 圧に近い電位にある増幅器６６．６７の反転入力間で逆バイアスされる。図３Ｃ で示された構造のレーザダイオード６０、光検出器ダイオード６２および基準ダ イオード６４は共通の電気接点を有しないので、そのような接続が可能である。

図１０及び図３０で示された集積構造は、両方とも、レーザダイオード６０の変 調ために高速で比較的に大きい電流を変調できる電子回路が必要である。

図５はレーザダイオード６０、光検出器ダイオード６２及び基準ダイオード６４ として同じ基板１０上にモノリシックに集積される変調器ダイオード１００を含 む他の集積構造を示す。変調器ダイオード１００は、レーザダイオード６０゜光 検出器ダイオード６２及び基準ダイオード６４のエピタキシャル半導体層と同一 の一連のエピタキシャル半導体層１２．１４．１６．１８を含む。変調器ダイオ ード１００は、付加溝４４によってレーザダイオード６０から分離さべ付加溝４ ４はこのレーザダイオード６０の前面１０２を形成し、レーザダイオード６０に 光学的に結合される。変調器ダイオード１００は、別々の上部電気接点１０４を 有し、底部電気接点５０を共有し、それはレーザダイオード６０、光検出器ダイ オード６２および基準ダイオード６４に共通する。

動作に関し、ＤＣ順方向バイアスがレーザダイオード６０に印加さね、そして逆 バイアスが接点１０４．５０を介して変調器ダイオード１００に印加される。

この逆バイアスは、変調器ダイオード１００の光吸収を変調するために変調され る。変調器ダイオード１００装置は、レーザダイオード６０のＤＣ動作を可能と 日Ｇ、２ 日Ｇ、３０ 日Ｇ、　３ｂ 要　約　書 共通基板（１０）の上にモノリシックに集積されたレーザダイオード（６０）、 光検出器ダイオード（６２）及び基準ダイオード（６４）を含むモノリシ・０集 積構造。光検出器ダイオード（６２）は、レーザダイオード（６０）に光学的に 結合される。基準ダイオード（６４）は、光検出器ダイオード（６２）と実質的 に同一であり、レーザダイオード（６０）とは光学的に結合されない。実質的に 等しい逆バイアスが、光検出器ダイオード（６２）及び基準ダイオード（６４） に印加されると、基準ダイオード（６４）には漏洩電流が流れ、それによって光 検出器ダイオード（６２）の漏洩電流を実質的にキャンセルする。モノリシック 集積構造は、また、変調器ダイオード（１００）を含み、それは共通基板（１ｏ ）上にモノリシックに集積され、レーザダオード（６０）に光学的に結合される 。

モノリシック集積構造は、光通信システムに使用される。

補正書の写しく翻訳文）提出書 （特許法第１８４条の７第１項） 平成４年１１月１１８

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. １．共通基板（１０）上にモノリシック集積されたレーザダイオード（６０）、 光検出器ダイオード（６２）および基準ダイオード（６４）を含み、前記光検出 器ダイオード（６２）はレーザダイオード（６０）に光学的に結合され、前記基 準ダイオード（６４）は光検出器ダイオード（６２）と実質的に同一であるが、 レーザダイオード（６０）と光学的に結合されないことを特徴とするモノリシッ ク集積構造。
2. ２．請求項１の構造において、 その中で、各レーザダイオード（６０）、光検出器ダイオード（６２）及び基準 ダイオード（６４）は一連の同じエピタキシャル半導体層（１２、１４、１６、 １８）を含み、前記レーザダイオード（６０）、光検出器ダイオード（６２）及 び基準ダイオード（６４）は、エピタキシャル層を通して基板に延びる溝（４４ ）によって分離されることを特徴とするモノリシック集積構造。
3. ３．請求項２の構造において、 その中で、光検出器ダイオード（６２）からレーザダイオード（６０）を分離す る溝（４４）は、レーザダイオード（６０）の背面（６１）を形成することを特 徴とするモノリシック集積構造。
4. ４．請求項１の構造において、 その中で、基板（１０）は半導体基板であり、レーザダイオード（６０）、光検 出器ダイオード（６２）及び基準ダイオード（６４）は、基板（１０）に共通な 電気接点（５２）を有することを特徴とするモノリシック集積構造。
5. ５．請求項１の構造において、 その中で、基板（１０）は半絶縁基板であり、レーザダイオード（６０）、光検 出器ダイオード（６２）及び基準ダイオード（６４）は、互いに電気的に分離さ れることを特徴とするモノリシック集積構造。
6. ６．請求項５の構造において、 その中で、基板（１０）は単結晶質絶縁基板であり、レーザダイオード（６０） 、光検出器ダイオード（６２）及び基準ダイオード（６４）は、互いに電気的に 分離されることを特徴とするモノリシック集積構造。
7. ７．請求項１のモノリシック集積構造において、さらに、共通基板（１０）上に 集積された変調器ダイオード（１００）を含み、その変調器ダイオード（１００ ）は、光学的にレーザダイオード（６０）に結合されることを特徴とするモノリ シック集積構造。
8. ８．請求項７の構造において、 その中で、各々レーザダイオード（６０）、光検出器ダイオード（６２）、基準 ダイオード（６４）および変調器ダイオード（１００）は一連の同じエピタキシ ャル半導体層（１２、１４、１６、１８）を含み、レーザダイオード（６０）、 光検出器ダイオード（６２）、基準ダイオード（６４）及び変調器ダイオード（ １００）は溝（４４）によって分離され、その溝はエピタキシャル層を通して基 板（１０）に延びることを特徴とするモノリシック集積構造。
9. ９．請求項８の構造において、 その中で、光検出器ダイオード（６２）からレーザダイオード（６０）を分離す る溝（４４）は、レーザダイオード（６０）の後部面（６１）形成し、変調器ダ イオード（１００）からレーザダイオード（６０）を分離する溝（４４）は、レ ーザダイオード（６０）の前面（１０２）を形成することを特徴とするモノリシ ック集積構造。
10. １０．共通基板（１０）の上にモノリシックに集積されるレーザダイオード（６ ０）、光検出器ダイオード（６２）および基準ダイオード（６４）を含む集積構 造をモノリシックに製造する方法において、基板（１０）上に複数のエピタキシ ャル半導体層（１２、１４、１６、１８）を形成し、 エピタキシャル層をレーザダイオード（６０）、光検出器ダイオード（６２）及 び基準ダイオードに（６４）に分離するために、このエピタキシャル層を通して 基板（１０）に延びる溝（４４）を形成し、電気接点（５２、３２、３３、３４ 、９２、９４）をレーザダイオード（６０）、光検出器ダイオード（６２）及び 基準ダイオード（６４）に形成することを特徴とするモノリシック集積構造を製 造する方法。
11. １１．請求項１０の方法において、 活性化イオンエッチングによって溝（４４）を形成することを特徴とするモノリ シック集積構造を製造する方法。
12. １２．請求項１０の方法において、 その中で、電気接点を形成するステップは、レーザダイオード（６０）、光検出 器ダイオード（６２）及び基準ダイオード（６４）の接点を構成する電気接点（ ３２、３３、３４）をエピタキシャル層（１２、１４、１６、１８）の最上部（ １８）に形成するステップと、基板（１０）に共通の電気接点（５２）を形成す るステップとを含むことを特徴とするモノリシック集積構造を製造する方法。
13. １３．請求項１０の方法において、 その中で、レーザダイオード（６０）、光検出器ダイオード（６２）及び基準ダ イオード（６４）の１つの接点を構成する電気接点を形成するステップは、この エピタキシャル層（１２、１４、１６、１８）の最上部（１８）に電気接点（９ ２）を形成するステップと、レーザダイオード（６０）、光検出器ダイオード（ ６２）及び基準ダイオード（６４）の他の接点を構成するエピタキシャル層（１ ２、１４、１６、１８）の底部（１２）に電気接点（９４）を形成するステップ とを含むことを特徴とするモノリシック集積構造を製造する方法。
14. １４．請求項１３の方法において、 溝（４４）を形成する前に、共通の電気接点（９２）をエピタキシャル層（１２ 、１４、１６、１８）および共通の電気接点（９４）の最上部（１８）及びエピ タキシャル層（１２、１４、１６、１８）の底部（１２）に形成するステップを 含み、溝（４４）の形成によって、レーザダイオード（６０）、光検出器ダイオ ード（６２）及び基準ダイオード（６４）の電気接点を分離することを特徴とす るモノリシック集積構造を製造する方法。
15. １５．レーザダイオード（６０）と光学的に結合されたモノリシック集積光検出 器ダイオード（６２）及びレーザダイオード（６０）と光学的に結合されないモ ノリシック集積基準ダイオード（６４）を有するそのレーザダイオード（６０） の性能をモニタする方法において、 光検出器ダイオード（６２）及び基準ダイオード（６４）に同じ逆バイアスを実 質的に印加し、 光検出器ダイオード（６２）の中の第１の電流を検出し、この第１の電流は前記 光電流及び漏洩電流の合計電流であり、基準ダイオード（６４）中の第２の電流 を検出し、この第２の電流は漏洩電流であり、 この光電流に比例した信号を得るために、第１の電流に比例した信号から第２の 電流に比例した信号を減算することを特徴とするレーザダイオード（６０）の性 能をモニタする方法。