JPH0215247Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0215247Y2 JPH0215247Y2 JP1984071036U JP7103684U JPH0215247Y2 JP H0215247 Y2 JPH0215247 Y2 JP H0215247Y2 JP 1984071036 U JP1984071036 U JP 1984071036U JP 7103684 U JP7103684 U JP 7103684U JP H0215247 Y2 JPH0215247 Y2 JP H0215247Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum container
- anode substrate
- wiring pattern
- electrode
- electrode conduction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の技術分野〕
本考案は、螢光表示管に関し、特に管外へ配線
を通して導出される電極導通端子にリード端子を
半田付けして接続する際に起る配線切れを防止し
た螢光表示管のリード引き出し構造に関するもの
である。
を通して導出される電極導通端子にリード端子を
半田付けして接続する際に起る配線切れを防止し
た螢光表示管のリード引き出し構造に関するもの
である。
第１図に従来の螢光表示管のリード端子部分の
一部断面図を示す。螢光表示管は、絶縁性のガラ
ス基板１上に例えば銀ペーストの厚膜印刷にて形
成された銀層からなる配線パターン６上に螢光体
を塗布した陽極、グリツドおよびカソードなどの
各電極を実装して陽極基板２を形成し、この陽極
基板２上に外囲器としてのフエイスガラス３をフ
リツトガラス４で封着し真空容器５を形成する。
このとき、真空容器５内の陽極基板２上に実装さ
れた各電極はこれら電極に対応して形成された配
線パターン６を通して真空容器５外へ導出され、
これら配線パターン６の端部にはそれぞれ電極導
通端子７が形成されている。次いで、真空容器５
内を真空排気した後、前記各電極導通端子７上に
クリツプピンと称するリード端子８を半田付けし
て接続し、しかる後これらリード端子８上に取付
補強用の樹脂モールド（図示せず）を塗布する各
工程により製造されている。なお、第１図中、９
はガラス基板１上の配線パターン６にオーバコー
ト層として形成された絶縁層、１０は各電極導通
端子７とリード端子８を接続した半田層である。
一部断面図を示す。螢光表示管は、絶縁性のガラ
ス基板１上に例えば銀ペーストの厚膜印刷にて形
成された銀層からなる配線パターン６上に螢光体
を塗布した陽極、グリツドおよびカソードなどの
各電極を実装して陽極基板２を形成し、この陽極
基板２上に外囲器としてのフエイスガラス３をフ
リツトガラス４で封着し真空容器５を形成する。
このとき、真空容器５内の陽極基板２上に実装さ
れた各電極はこれら電極に対応して形成された配
線パターン６を通して真空容器５外へ導出され、
これら配線パターン６の端部にはそれぞれ電極導
通端子７が形成されている。次いで、真空容器５
内を真空排気した後、前記各電極導通端子７上に
クリツプピンと称するリード端子８を半田付けし
て接続し、しかる後これらリード端子８上に取付
補強用の樹脂モールド（図示せず）を塗布する各
工程により製造されている。なお、第１図中、９
はガラス基板１上の配線パターン６にオーバコー
ト層として形成された絶縁層、１０は各電極導通
端子７とリード端子８を接続した半田層である。
ところで、前記各電極導通端子７は第２図に示
す形状を有しており、その幅W1の部分はリード
端子８の取付作業上、ほぼリード端子８の幅と同
一寸法を有し、配線パターン６のリードに相当す
る幅Ｗの導出部分６ａは厚膜印刷時の断線防止お
よび内部配線密度などを考慮して通常、W1＞＞
Ｗの関係を有して形成されている。なお、第２図
中、１１は陽極基板２とフエイスガラス３とのフ
リツトガラス４による封着境界を示している。
す形状を有しており、その幅W1の部分はリード
端子８の取付作業上、ほぼリード端子８の幅と同
一寸法を有し、配線パターン６のリードに相当す
る幅Ｗの導出部分６ａは厚膜印刷時の断線防止お
よび内部配線密度などを考慮して通常、W1＞＞
Ｗの関係を有して形成されている。なお、第２図
中、１１は陽極基板２とフエイスガラス３とのフ
リツトガラス４による封着境界を示している。
ところが、上記した従来のリード引き出し構造
では、リード端子８を半田付けする工程において
銀層からなる電極導通端子７とリード端子８を半
田デイツプしてそれぞれ接続する際に、各電極導
通端子面が半田デイツプ後降温収縮して半田付け
部において電極導通端子面を引張る作用が起る。
そのため、急激な形状変化がある電極導通端子７
と配線パターン６の導出部分６ａとの連接部分
（第２図の一点鎖線で囲まれた部分Ａ参照）でひ
ずみが大きくなりやすく、クラツクが発生して配
線パターンの断線を起すトラブルが多々生じてい
た。これは特に電極導通端子の面積が広くなる
程、著しく発生していた。
では、リード端子８を半田付けする工程において
銀層からなる電極導通端子７とリード端子８を半
田デイツプしてそれぞれ接続する際に、各電極導
通端子面が半田デイツプ後降温収縮して半田付け
部において電極導通端子面を引張る作用が起る。
そのため、急激な形状変化がある電極導通端子７
と配線パターン６の導出部分６ａとの連接部分
（第２図の一点鎖線で囲まれた部分Ａ参照）でひ
ずみが大きくなりやすく、クラツクが発生して配
線パターンの断線を起すトラブルが多々生じてい
た。これは特に電極導通端子の面積が広くなる
程、著しく発生していた。
本考案は、このような事情に鑑みてなされたも
ので、リード端子の半田付け時における配線パタ
ーンの断線を防止することを目的とし、真空容器
外の陽極基板上に導出された各々の配線パターン
と電極導通端子との断線しやすい部分に絶縁ガラ
スなどの絶縁層を帯状に横断させて形成したもの
である。以下、本考案の実施例を図面に基いて詳
細に説明する。
ので、リード端子の半田付け時における配線パタ
ーンの断線を防止することを目的とし、真空容器
外の陽極基板上に導出された各々の配線パターン
と電極導通端子との断線しやすい部分に絶縁ガラ
スなどの絶縁層を帯状に横断させて形成したもの
である。以下、本考案の実施例を図面に基いて詳
細に説明する。
第３図は本考案に係る螢光表示管の一実施例を
示す陽極基板の概略平面図、第４図は第３図の一
点鎖線で囲まれた部分Ｂの拡大図、第５図は上記
実施例におけるリード端子の取付け後の第１図相
当の断面図であり、これらの図において第１図、
第２図と同一または相当部分は同一符号を付して
ある。この実施例の螢光表示管は、陽極基板２上
に各電極に対応して形成された配線パターン６の
一部および電極導通端子７を真空容器５外へ導出
し、これら各電極導通端子７上にそれぞれリード
端子８が半田付けして接続されている点は上述し
た第１図の従来のものと同様であるが、前記各々
の電極導通端子７と配線パターン６との連接部分
に、該連接部分を被覆すべく絶縁ガラスなどから
なる帯状の絶縁層１２がオーバコート層としての
絶縁層９と離して設けられている。
示す陽極基板の概略平面図、第４図は第３図の一
点鎖線で囲まれた部分Ｂの拡大図、第５図は上記
実施例におけるリード端子の取付け後の第１図相
当の断面図であり、これらの図において第１図、
第２図と同一または相当部分は同一符号を付して
ある。この実施例の螢光表示管は、陽極基板２上
に各電極に対応して形成された配線パターン６の
一部および電極導通端子７を真空容器５外へ導出
し、これら各電極導通端子７上にそれぞれリード
端子８が半田付けして接続されている点は上述し
た第１図の従来のものと同様であるが、前記各々
の電極導通端子７と配線パターン６との連接部分
に、該連接部分を被覆すべく絶縁ガラスなどから
なる帯状の絶縁層１２がオーバコート層としての
絶縁層９と離して設けられている。
このように、各々の電極導通端子７と配線パタ
ーン６との連接部分に帯状の絶縁層１２を設ける
ことにより、リード端子８を従来と同様にして半
田付ける際に、各電極導通端子７の半田付け面積
がせまく、かつ半田付け温度が直線配線パターン
６側にあたらなくなる。そのため、半田デイツプ
後の降温冷却時の半田付け部の収縮が小さくな
り、したがつて、配線パターンに生じるラツクに
よる断線を効果的に防止することが可能になる。
また、陽極基板２上にフリツトガラス４によりフ
エイスガラス３を封着する際に、その領域にオー
バコート層としての絶縁層９が介在されることは
ないので、これら陽極基板２とフエイスガラス３
との封着強度が良好になり、真空リーク対策上、
有利である。なお、前記絶縁層１２はオーバコー
ト層としての絶縁層９と同時に形成でき、その層
厚はできるだけ薄い方が望ましい。第３図中、１
３は各陽極上に塗布された各桁の日字状の螢光体
であり、各々の電極導通端子７のうち両端の端子
７ｆはカソード用である。
ーン６との連接部分に帯状の絶縁層１２を設ける
ことにより、リード端子８を従来と同様にして半
田付ける際に、各電極導通端子７の半田付け面積
がせまく、かつ半田付け温度が直線配線パターン
６側にあたらなくなる。そのため、半田デイツプ
後の降温冷却時の半田付け部の収縮が小さくな
り、したがつて、配線パターンに生じるラツクに
よる断線を効果的に防止することが可能になる。
また、陽極基板２上にフリツトガラス４によりフ
エイスガラス３を封着する際に、その領域にオー
バコート層としての絶縁層９が介在されることは
ないので、これら陽極基板２とフエイスガラス３
との封着強度が良好になり、真空リーク対策上、
有利である。なお、前記絶縁層１２はオーバコー
ト層としての絶縁層９と同時に形成でき、その層
厚はできるだけ薄い方が望ましい。第３図中、１
３は各陽極上に塗布された各桁の日字状の螢光体
であり、各々の電極導通端子７のうち両端の端子
７ｆはカソード用である。
なお、上述では陽極基板上の配線パターンを銀
ペーストを用いた厚膜印刷法にて形成した場合に
ついて示したが、本考案はこれに限定されるもの
ではなく、配線パターンとして銀ペースト以外の
導体ペーストを用いたり、あるいは断線防止用の
絶縁層も任意の絶縁物を用いて形成することもで
きる。
ペーストを用いた厚膜印刷法にて形成した場合に
ついて示したが、本考案はこれに限定されるもの
ではなく、配線パターンとして銀ペースト以外の
導体ペーストを用いたり、あるいは断線防止用の
絶縁層も任意の絶縁物を用いて形成することもで
きる。
以上説明したように、本考案の螢光表示管によ
れば、真空容器外の陽極基板上の各々の電極導通
端子と配線パターンとの連接部分に、該連接部分
を被覆すべく帯状の絶縁層をーバコート層と離し
て設けることにより、リード端子の半田付け時に
配線パターンに生じるクラツクによる断線を防止
することができるので、螢光表示管の製造に際し
信頼性や歩留および品質の向上がはかれるなどの
すぐれた効果がある。
れば、真空容器外の陽極基板上の各々の電極導通
端子と配線パターンとの連接部分に、該連接部分
を被覆すべく帯状の絶縁層をーバコート層と離し
て設けることにより、リード端子の半田付け時に
配線パターンに生じるクラツクによる断線を防止
することができるので、螢光表示管の製造に際し
信頼性や歩留および品質の向上がはかれるなどの
すぐれた効果がある。
第１図および第２図は従来の一例を示す螢光表
示管のリード端子部分の一部断面図およびその電
極導通端子部分の拡大平面図、第３図は本考案に
係る螢光表示管の一実施例を示す陽極基板の概略
平面図、第４図はその一部拡大平面図、第５図は
上記実施例におけるリード端子の取付後の第１図
相当の断面図である。 １……ガラス基板、２……陽極基板、３……フ
エイスガラス、４……フリツトガラス、５……真
空容器、６……配線パターン、７……電極導通端
子、８……リード端子、１０……半田層、１２…
…絶縁層。
示管のリード端子部分の一部断面図およびその電
極導通端子部分の拡大平面図、第３図は本考案に
係る螢光表示管の一実施例を示す陽極基板の概略
平面図、第４図はその一部拡大平面図、第５図は
上記実施例におけるリード端子の取付後の第１図
相当の断面図である。 １……ガラス基板、２……陽極基板、３……フ
エイスガラス、４……フリツトガラス、５……真
空容器、６……配線パターン、７……電極導通端
子、８……リード端子、１０……半田層、１２…
…絶縁層。
Claims (1)
- 陽極基板と該基板上に封着された外囲器により
真空容器を形成し、この真空容器内の陽極基板上
に陽極、グリツドおよびカソードなどの各電極に
対応してそれぞれ引出された配線パターンを互に
絶縁するオーバコート層を被着形成するととも
に、該真空容器外の陽極基板上に導出された前記
各配線パターンの一部をなす電極導通端子にリー
ド端子をそれぞれ半田付けして接続してなる螢光
表示管において、前記真空容器外の陽極基板上の
各々の電極導通端子と配線パターンとの連接部分
に、該連接部分を被覆すべく帯状の絶縁層を前記
オーバコート層と離して設けたことを特徴とする
螢光表示管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7103684U JPS60184255U (ja) | 1984-05-17 | 1984-05-17 | 螢光表示管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7103684U JPS60184255U (ja) | 1984-05-17 | 1984-05-17 | 螢光表示管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60184255U JPS60184255U (ja) | 1985-12-06 |
| JPH0215247Y2 true JPH0215247Y2 (ja) | 1990-04-24 |
Family
ID=30608164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7103684U Granted JPS60184255U (ja) | 1984-05-17 | 1984-05-17 | 螢光表示管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60184255U (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5640939A (en) * | 1979-09-08 | 1981-04-17 | Toshiba Corp | Command flag control circuit |
-
1984
- 1984-05-17 JP JP7103684U patent/JPS60184255U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60184255U (ja) | 1985-12-06 |
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