JPH02153930A - 含弗素フエノキシ樹脂，及び組成物及び用途 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、耐熱性、可どう性、摺動特性にすぐれ、吸水
率、透湿率が小さく、低誘電率化が可能な含弗素フェノ
キシ樹脂、及び、この樹脂を含む組成物、用途に関する
。

〔従来の技術〕

メモリＬＳＩの封止用組成物の耐湿性向上、コンピュー
タ用多層積層板の低誘電率化、磁気ディスクの表面摺動
特性の付与などの広範な分野で、弗素系素材の適用検討
がされつつある。（特に、ヘキサフルオロプロペンオリ
ゴマ、フルオロアルキルエーテルオリゴマの末端反応基
を利用した、各種変性素材の検討が行なわれている。（
有機合成化字詰り影９．Ｎα１．５１ページ〜６２ペー
ジ、Ｂ　９　ｓ　１年） 〔発明が解決しようとする課題〕 ところで、従来のテトラフルオロエチレン重合体、ある
いは、共重合体などの弗素系化合物は、他の成分との変
性がし難いために、変性品本来の弗素系化合物の性能を
十分に発揮するには至っていないのが実状である。これ
は、パーフルオロエチレン、あるいは、それの共重合体
を単に混合分散することや、フルオロ系の表面処理によ
り適用しようとしたためである。

本発明の目的は、耐熱性、可どう性、摺動特性にすぐれ
、吸水率、透湿率が小さく、低誘電率化が可能で、しか
も、接着性、成形加工性にもすぐれた新しい素材２組成
物、用途を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的は、以下に示す含弗素フェノキシ樹脂を用いる
ことにより、達成される。その要旨は、−Ｃｏ−（ｎは
０〜５０である。）、 ＣｚＦａ、ＣａＰ２．Ｃ４Ｆｅの中のいずれかである。

）のいずれかである。〕で表わされる化学構造を含む含
弗素フェノキシ樹脂を含む樹脂組成物。

（２）　　（１）の樹脂組成物で、少なくとも素子の一
部を被覆したことを特徴とする半導体装置である。

〔作用〕

本発明に於いて、−数式（１）で表わされる含弗素フェ
ノキシ樹脂は、従来公知のフェノキシ樹脂の特徴である
耐熱性、可とう性、接着性付与の効果を損なうことなし
に、更に、耐湿性、低誘電率化の付与を可能にする。ま
た、光磁気ディスクとヘッド間の摺動特性の改善のため
に、ディスク表面に、−数式（１）で表わされる含弗素
フェノキシ樹脂を含む組成物を被覆処理することにより
。

摺動特性の大巾な向上をもたらし、高密度化、高速化指
向の光磁気ディスクの性能向上をもたらす。

また、含弗素フェノキシ樹脂には、ポリイミド。

ポリアミド、エポキシ系、フェノール系、ポリ−ｐ−ヒ
ドロキシスチレン系などを併用することも可能で、これ
ら各種配合物は、被覆材、接着剤。

積層材、成形材、構造材など広い用途に展開することが
できる。

本発明に於いて、式（１） ％式％） のいずれかである。〕で表わされる化学構造を含む含弗
素フェノキシ樹脂は、フェノキシ樹脂のは前記と同じ）
とを反応させることにより得ることができる。

式［Ｉ］で表わされる含弗素フェノキシ樹脂は、例えば
、分子骨格中に、以下の結合単位を含むものである。

もちろん、本発明で用いることのできるのはフェノキシ
樹脂のヒドロキシル基残基を残している状態のものを含
むことも制限されないことは当然である。

すなわち。

０ＣＦａ ＣＦａ などが挙げられる。前述のフェノキシ樹脂は、例えば、
　Ｅｎｃｇｃ−１ｏｐｅｄｉａ　ｏｆ　Ｐｏｌｙｍｅｒ
　５ｃｉｅｎｃａ　ａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、　Ｖ
ｏｌｕｍｅＩＯ，ｐａｇｅ　１１１〜１２２、あるいは
Ｌｅｅ　Ｓｔｏｆｆｅｇ　Ｎｅｖｉｌｌｅ著：新らしい
耐熱性高分子（東京化学同人）　ｐａｇｅ　１７〜６３
　（１９７１）に記載されている樹脂を指し、代表的な
ものは、式（ｎ） で表わされる樹脂がある。

商業的に入手出来るフェノキシ樹脂は、チバ社のＡｒａ
ｌｄｉｔｅ　４８８Ｅ−３２，Ａｒａｌｄｉｔｅ　４８
８Ｎ　−４０、ＣＱ、Ｃ，Ｃ社のＰＫＨＨ，ＰＫＨＡ、
ＰＫＨＣ。

ＰＡＨＪ、ＰＫＨ８，ＰＲＤＡシリーズ、ダウケミカル
社のＤＥＲ６８６ＭＫ４０．ＤＥＲ６８４゜ＭＫ−４０
，ジョーンズ・ダブニー社の１ＥｐｉＲｅｚ２２８７、
シェルケミカル社のエバノール５３−Ｌ−３２，エポノ
ール１５３−４０．エポノール１５５−Ｌ−３２．エポ
ノール５５−Ｂ−４０などがある。

また、 ｎ＝１〜５０ で表わされるペルフルオロアルキルエーテル系オリゴマ
は、室温では液状であり、旭硝子社より市販されている
。

また、式 （式中、Ｒ’　、Ｒ’　、Ｒ”は前記と同じ）で表わさ
れるヘキサフルオロプロペン（ＨＥＰ）オリゴマは、例
えば、 ＣＦａ ＦｚＣＦａ ／ （ＣＦａ）ｚｃ＝ｃ ＼ ＣＦｚＣＦｚＣＦａ ＣＦａ　　　　　　　ＣＦｚＣＦａ などがあり、ネオス社、ＩＣＩ　Ｍｏｎｄ　Ｄｉｖｉｓ
ｉｏｎなどより市販されている。これら化合物の中でも
、本発明の効果を発揮する上で、Ｄ−２，Ｔ−２が好ま
しい。

フェノキシ樹脂と、ペルフルオロアルキルエーテル系オ
リゴマおよび／またはへキサフルオロプロペンオリゴマ
とは、両者の溶媒の存在下、あるいは、非溶媒下に、ト
リエチルアミンどの塩基性触媒の存在下に、加熱反応さ
せて得られる。この反応の詳細な説明は、日本化学会誌
、１９７８年。

２５３ページ、有機合成化学、３９．Ｎ（１１，５１ペ
一ジ１９８１年に記されている方法などを参考にすれば
よい。

本発明の式（１）で表わされる含弗素フェノキシ樹脂は
、それ自身、溶媒に溶解させるなどして溶液状態で、被
対象物に塗布などしても、すぐれた被膜が得られるが、
各種の含弗素化合物と併用することもできる。例えば、 ＣＦａ（ＣＦｚ）７ｃＨｚｃＨｚｏ−Ｃ−ＣＨ＝ＣＨ２
ＣＦ３（ＣＦ、）番ＣＨｚＣＨｚ−０−Ｃ−Ｃ＝ＣＨ２
Ｈａ ／ ３Ｃ ａＣ ＼ （ｍ：１〜４０） Ｐ６し２ し１４３ などがある。

また１本発明に於いて一般式（１）で表わされる化学構
造を含む含弗、素フェノキシ樹脂は、ポリイミド、ポリ
ベレズイミダゾール、ポリベレズチアゾール、ポリベン
ズオキサゾール。

ポリアミド、ポリエステル、ポリアゾメチン。

ポリピロール、ポリアセチレン、ポリイミダゾピロール
、ポリイソインドロキナゾロン。

ポリエチレン、ポリブタジェン、ポリシロキサン、ポリ
フルオロエチレン、ポリホスファゼン、ポリアニリンな
どの重合体と併用することができる。

特に、セロソルブアセテート類とアセトン。

メチルエチルケトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジ
メチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチル
スルホオキシドなどとの混合溶媒系で溶解した溶液を、
被塗布物に塗布した後、加熱焼付した。被覆膜は、耐熱
性、可とう性、耐湿性、接着性にすぐれた特性をもつ。

本発明に於いて、多官能エポキシ化合物としては、例え
ば、ビスフェノールＡのジグリシジルエーテル、ブタジ
エンジエボキサイド、３．４−エポキシシクロヘキシル
メチル−（３，４−エポキシ）シクロヘキサンカルボキ
シレート、ビニルシクロヘキサンジオキシド、４．４’
−ジ（１，２−エポキシエチル）ジビフェニルエーテル
、４．４’　−（１，２−エポキシエチル）ビフェニル
、２，２−ビス（３，４−エポキシシクロヘキシル）プ
ロパン、レゾルシンのジグリシジルエーテル、フロログ
ルシンのジグリシジルエーテル、メチルフロログルシン
のジグリシジルエーテル、ビス−（２，３−エポキシシ
クロペンチル）エーテル、２−　（３，４−エポキシ）
シクロヘキサン−５，５−スピロ（３，４−エポキシ）
−シクロヘキサン−ｍ−ジオキサン、ビス−（３，４−
エポキシ−６−メチルシクロヘキシル）アジペート、Ｎ
、Ｎ’　−ｍ−フ二二しンビス（４，５−エポキシ−１
，２−シクロヘキサン）ジカルボキシイミドなどの二官
能のエポキシ化合物。

パラアミノフェノールのトリグリシジルエーテル、ポリ
アリルグリシジルエーテル、１゜３．５−トリ（１，２
−エポキシエチル）ベンゼン、２．２’　、４．４’　
−テトラグリシドキシベンゾフェノン、テトラグリシド
キシテトラフェニルエタン、フェノールホルムアルデヒ
ドノボラックのポリグリシジルエーテル、グリセリンの
トリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンのト
リグリシジルエーテルあるいは、次式 （Ｒｔｏ＋　Ｒ１１はＨ１低級アルキル基、フルオずれ
かである。）で表わされる三官能以上のエポキシ化合物
などがある。

また、次に示すエポキシ化合物は、溶融状態で液晶配向
性をもつ、硬化物の耐熱性付与。

機械強度、接着性向上、電気特性の改良などに効果が大
きい。

このような化合物は、例えば、 などがある。

また、本発明のエポキシ樹脂組成物には従来公知の硬化
剤を併用することもできる。それらは、垣内弘著：エポ
キシ樹脂（昭和４５年９月発行）１０９〜１４９ページ
、Ｌｅｅ　、Ｎｅｖｉｌｌｅ著：　ＥｐｏｘｙＲｅｓｉ
ｎｓ　（Ｍｅ　Ｇｒａｗ−Ｈｉｌｌ　Ｂｏｏｋ　Ｃｏｍ
ｐａｎｙ　Ｉｎｃ：ＮｅｗＹｏｒｋ、１９５７年発行）
６３〜１４１ページ、　Ｐ、Ｅ。

Ｂｒｕｎｉｓ著：Ｅｐｏｘｙ　Ｒｅ５ｉｎｓ　Ｔｅｃｈ
ｎｏｌｏｇｙ（ＩｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅＰｕｂｌｉｓ
ｈｅｒｓ、Ｎｅｗ　Ｙｏｒｋ、１９６８年発行）４５〜
１１１ページなどに記載の化合物であり、例えば、脂肪
族ポリアミン、芳香族ポリアミン、第二および第三アミ
ンを含むアミン類、カルボン酸類、カルボン酸無水物類
、脂肪族および芳香族ポリアミドオリゴマおよびポリマ
類、三弗化硼素−アミンコンプレックス類、フェノール
樹脂、メラミン樹脂、ウレア樹脂、ウレタン樹脂などの
合成樹脂初期縮合物類、その他、ジシアンジアミド、カ
ルボン酸ヒドラジド、ポリアミノマレイミド類などがあ
る。

これら硬化剤は、用途、目的に応じて一種以上使用する
ことが出来る。

本発明の樹脂組成物には、その用途、目的に応じて、適
宜、各種の添加剤を加えて用いることができる。

例えば、塗料、接着剤、含浸ワニス、プリプレグなどの
作成の際には、メチルアルコール、エチルアルコール、
イソ−プロピルアルコール、ｎ　−ブチルアルコールな
どのアルコール類、アセトン。

メチルエチルケトンなどのケトン類、メチルセロソルブ
、エチルセロソルブなどのセロソルブ類。

ベンゼン、トルエン、キシレンなどの石油系溶剤類、ジ
メチルスルホオキシド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メ
チル−２−ピロリドンなどの極性溶剤などの各種溶剤類
を用いることができる。これら溶剤類の一種類以上を併
用することもできる。

また、成形材料などの用途には、炭酸カルシウム、シリ
カ、アルミナ、チタニア、水酸化アルミニウム、珪酸ア
ルミニウム、珪酸ジルコニウム。

ジルコン、ガラス、タルク、マイカ、黒鉛、アルミニウ
ム粉、銅粉、鉄粉、銀粉などの粉末や、ガラス、ビニロ
ン、ステンレスなどの短繊維状充填剤、脂肪酸及びワッ
クス類などの離型剤、エポキシシラン、アミノシラン、
ビニルシラン、メタクリルシラン、メルカプトシラン、
フルオロシラン、あるいは、ボラン系化合物、アルキル
チタネート系化合物、ＡＱ、Ｚｒなとのアルコレート及
び各種金属キレート系化合物などのカップリング剤、そ
して、アンチモンや燐の化合物及びハロゲン含有化合物
のような難燃化剤を加えることができる。

本発明に於いて、含弗素フェノキシ骨格を含む重合体に
必要に応じ、増感剤、及び、光重合開始剤、エチレン性
不飽和基をもつ光エネルギにより重合可能な化合物を添
加できる。

この増感剤及び光重合開始剤の例は、ミヒラーズケトン
、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾイン
エチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、　
２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン、１，２−ベンゾ
−９，１０−アントラキノン、４，４′−ビス（ジエチ
ルアミノ）ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾフ
ェノン、チオキサントン、１，５−アセナフテン、Ｎ−
アセチルー４−二トロー１−ナフチルアミンなど公知の
化合物を挙げることができる。

また、この化合物の添加量は、１００重量部に対して、
０．１〜１０重量部が好ましいが、特に。

制限するものではない。

本発明の、含弗素フェノキシ系化合物を含む感光性溶液
を調整することにより、以下の方法でレリーフパターン
を形成できる。

先ず、上述の感光性溶液を基板に塗布し、１５０℃以下
、好ましくは１００℃以下で乾燥して有機溶剤を除去す
る。乾燥後、塗布膜にネガ型のフォトマスクチャートを
置き、紫外線、可視光線、電子線、Ｘ線などの活性光線
を照射する。次いで、未露光の部分を現像液で洗い流す
ことにより、含弗素フェノキシ骨格を含む重合体より形
成されるレリーフパターンを得る。

上述の現像液は、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、
Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホオキシド、
Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ヘキサメチルホスホアミ
ド、アセトン、メチルエチルケトン、メチルセロソルブ
、エチルセロソルブ、イソブチルセロソルブ、ベンゼン
、トルエン、メタノール、エタノール、イソプロピルア
ルコールなどの単独、または、併用混合系を用いること
ができる。

〔実施例〕

〈実施例１〉 ２０００ｍ１２の反応ガラス容器中に、フェノキシ樹脂
ＰＫＨＨ（ユニオン・カーバイト社製）１５０重量部を
採り、これに、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）と酢酸イ
ソブチルセロソルブの等景況合液１５００ｍＱを加え、
撹拌しながら溶解して、人種のフェノキシ樹脂溶液を得
る。

この溶液に、次の含弗素オリゴマ、 Ｆ　　　　　　　　ＣＦ（ＣＦ３）２ の第１表記載の所定量を添加し、更に、それぞれの配合
物に、トリエチルアミンを添加し、撹拌下に反応を行な
い人種類の含弗素フェノキシ樹脂を得る。

第　　　１　　表 次いで、ポリイミド前駆体ワニスＰＩＱ　（日立化成社
製）１５重量パーセント溶液１００ｍＱに、含弗素フェ
ノキシ樹脂（Ｃ）を１０重量部添加した後、更に、Ｎ−
メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）を加えて１重量パー
セントの半導体素子塗布用の樹脂溶液を調製した。この
溶液を、多層（二層）配線絶縁膜として用いた場合の素
子構造を、第２図、第３図に示した。

素子の構成は、Ｓｉ素子基板上に、ＳｉＯ２絶縁層、ポ
リシリコン層、更に、第一層目のアルミニウム配線４−
１を形成した後に、樹脂被膜材料を塗布（スピンナー使
用）、焼付け（２５０°Ｃ９６０分間）した（３−１）
のち、ポジレジストを塗布して、スルホールのパターニ
ングを行なった。

次いで、ＣＦｍ０２を反応ガスとしてプラズマエッチし
た０次いでＯ２を反応ガスとするプラズマアッシャによ
ってポジレジストを除去した。図中２は半導体素子、５
はポリイミド、７は熱酸化膜。

次いで、第二層目のアルミニウム配線４−１１を形成し
た後、さらに、この樹脂液を塗布、焼付け（前記条件と
同じ）だ（３−■層）。

なお、第２図は、第二層目の被覆樹脂３として、ポリイ
ミド樹脂（（日立化成製ＰＩＱ）を用いた場合（五層）
を示した。

本発明の半導体装置を、フェノールノボラック樹脂を硬
化剤としたエポキシ系樹脂成形材料を用いて樹脂パッケ
ージしたメモ・り用ＬＳＩ製品（／ＭビットＤ　−Ｒ，
Ａ　Ｍメモリ）第１図は、８５℃。

８５％相対湿度中でバイアス印加放置で３０００時間後
も、ＡＱ配線の腐食による断線故障の発生はなく、耐湿
信頼性にすぐれたＬＳＩを得た。

被覆を施された半導体素子２の封止は、樹脂封止６の他
、キャン、半田融着セラミック、ガラス融着セラミック
などを用いた封止が採用出来る。

図中１はリード線、３は保護被覆樹脂である。

（封止用エポキシ樹脂酸物の作成） ノボラック型エポキシ樹脂　　　　　　１００重量部フ
ェノール〜ホルムアルテヒド樹脂　　　５５重量部イミ
ダゾール系触媒　　　　　　　　　　　３重量部溶融石
英ガラス粉　　　　　　　　　　４８０重量部エポキシ
シラン　　　　　　　　　　　　　２重量部へキストワ
ックス　　　　　　　　　　　　２重量部カーボンブラ
ック　　　　　　　　　　　　１重量部上記配合組成物
を、７０〜８０℃に加熱した二本ロールで１０分間、混
練した後、粗粉砕して封止用樹脂組成物を作成した。

〈実施例２〜９〉 実施例１の含弗素フェノキシ樹脂（Ａ）〜（Ｅ）の五種
類を採り上げた。これらに更に、ビスフェノールＡ型エ
ポキシＤＥＲ３３２（ダウ・ケミカル社製）、オルトジ
アリルビスフェノールＦ、２゜２−ビス（４−（４−マ
レイミドフェノキシ）フェニル〕へキサフルオロプロパ
ン（略して、ＤＡＰＰ−ＦｔＩ）、Ｉ−リアリルイソシ
アヌレート（ＴＡｒＣ）を、それぞれ別個に第２表に示
した所定量（重量部）を配合して、人種類の配合物を作
った。

これらの配合物には、それぞれ硬化促進剤として、ジシ
アンジアミド、ベンゾグアナミン及びジクミルパーオキ
サイド（Ｄ　ＣＰ　Ｏ）を、また、カップリング剤とし
てエポキシシランＫＢＭ４０３（信越化学社製）を所定
量添加した。

次いで、これらの配合組成物は、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン（ＮＭＰ）とメチルエチルケトン（ＭＥＫ）の等
景況合液に溶解して、４５〜４８重量％の固形分を含む
ワニスとした。

ワニス溶液を用いて、ガラス布（日東紡社製ＷＥ−１１
６Ｐ、ＢＹ−５４）に、樹脂含浸塗布し、１６０℃、１
５分間乾燥させ、樹脂含有量４５〜４８重量％の塗工布
を作成した。

次いで、塗工布へ枚を用い、その上、下に３５μｍ厚の
ＴＡＩ処理銅箔（古河型ニーＣＦＣ社製）を重さね５１
７０〜１８５℃、４０ｋｇ−ｆ／Ｊ（７１条件下で８０
分積層接着し、厚さ約１．６ｍの両面銅張り積層板を作
成した。

この銅張り積層板を、更に２００℃、四時間後硬化を行
なった。得られた銅張り積層板へ種類の諸特性を第２表
に示した。

なお、各特性の測定方法は次の通りである。

（ａ）銅箔引き剥し強度 銅張り積層板より２５ｍＸ１００ｎｗｎの大きさに試験
片を切り取った後、中央部に巾１０ｍｎ＋に銅箔を残し
、他の銅箔はエツチング除去した。次に、中央部の銅箔
を垂直方向に５　ｍｍ　／　ｗｉｎの速度で引き剥し、
その強度を測定した。

（ｂ）半田耐熱性 銅張り積層板より２５１１Ｉｌｌ角に切り取ったものを
試験片とした。この試験片を３００℃に加熱した半田浴
に浮かべ、ふくれなどの異常の発生する時間を測定した
。

（ｃ）消炎性 ＵＬ−９４垂直法に従って測定した。上記の銅張り積層
板から幅１２＋ｎｍ、長さ１２５ｎｍに切り取り、銅箔
をエツチングしたものを試験片とした。

試験片は各々１０個ずつ測定し、平均消炎時間で表した
６ なお、平均消炎時間５秒以内、最長消炎時間１０秒以内
がＵＬ−９４、Ｖ−Ｏ１平均消炎時間２５秒以内、最長
消炎時間３０秒以内がＵＬ−９４、Ｖ−１である。

〈実施例１０〉 実施例１の含弗素フェノキシ樹脂（Ｄ）１００重量部と
、２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フ
ェニル〕プロパン４０重量部を、予め、予備加熱して、
溶媒を除去した後、４゜４′−ビスシアナイトジフェニ
ルメタン３０重量部、ビスフェノールＡ型エポキシＥＰ
−１００４（シェル社製）２０重量部を１００〜１５０
℃に加熱して両者を溶解させ、６０〜８０℃に保温して
おく、これに予め、無水酸硬化剤ドデセニル無水琥珀酸
（ＤＤＳＡ）７０重量部と、イミダゾール系２Ｅ４ＭＺ
−ＣＮ　（四国化成社製）２．０重量部とを３０〜４５
℃で両者を溶解させたものをすみやかに混合溶解させて
無溶剤ワニスを調整した。

このワニスを１２０〜ｂ 熱処理して硬化させた。この硬化樹脂板（厚さ５ｍ）を
用いてショアＡ硬度（室温）を測定した結果、９０であ
った。

次に、このワニスを用いて、予め６０〜８５℃に加熱し
ておいた厚さ０．０５ｍｏ＋のガラスクロスに塗り込み
、この上面に厚さ０．１ｎｎの集成マイカを重ね合せて
軽く圧着させながらロールに巻きとった。

次いで、これを６０〜８０℃の恒温槽中に−ないし四日
間放置した後、取り出し、プリプレグシートを得た。こ
のシートは、２５℃で六ケ月以上保管後も、すぐれた可
撓性をもち、実用上十分な貯蔵安定性を示した。プリプ
レグシート中の樹脂含有量は４３重量％である。

次に、上記のプリプレグシートから切り出したテープを
銅板に巻回して絶縁層を施し、１２０〜１８０℃で所定
の時間で硬化した。

この絶縁体の室温時の曲げ強度を測定し、曲げ強度が一
定になった歪み１０ａ＋＋時の値は６０ｋｇであった。

また、銅板との剪断接着力は１９ｋｇ’／ａＪであった
。

〈実施例１１〉 実施例１の含弗素フェノキシ樹脂（Ｂ）２５０重量部と
、２，２−ビス（４−（４−マレイミドフェノキシ）フ
ェニル〕へキサフルオロプロパン６０重量部を、Ｎ−メ
チル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）とメチルエチルケトン
（ＭＥＫ）等景況液に溶解して、８重量パーセントのワ
ニス１０１００Ｏを調整した。次いで、ガラス繊維布（
日東紡社製ＷＦ−２３０）に浸漬した。含浸プリプレグ
シートを１００〜１２０℃で約三時間加熱乾燥してプリ
プレグを得た。このプリプレグの樹脂含有量は４８重量
パーセントであった。

次に得られたプリプレグ六枚を重さね１５０〜１６０℃
、５０ｋｇ−ｆ／ｃｄ、二時間の条件で圧縮成形した。

成形品の引張り強度は２６ｋｇ／ｄ、ａｔ１００℃（Ａ
ＳＴＭ、Ｄ−６３８）　、曲げ強度は、２３ｋｇ／ａＪ
、　ａ　ｔ　１００℃（ＡＳＴＭ、Ｄ−７９０）、アイ
ゾツト衝撃強度（ノツチ付）は。

１２ｋｇ−ｆ／ａｌ、ａ　ｔ　（ＡＳＴＭ、Ｄ−２５６
）であった。

〈実施例１２〉 実施例１の含弗素フェノール樹脂（Ｅ）を、ジメチルホ
ルムアミドに溶解して２．０重量パーセント溶液を調整
した。次に、十分に洗浄した透電導電膜にもつポリエチ
レンテレフタレートフィルム上に、スピンナを用いて、
３５００ｒｐ＠で均一に塗布後、１２０℃で１５分間乾
燥してジメチルホルムアミドを蒸発させ、膜厚６５０人
の配向制御膜を形成した。この膜をフェルトで一定方向
にラビングし、配向制御膜をもつ基板フィルムを作成し
た。

このようにして作成した二枚のフィルムの配向制御膜を
対向させて配置し、これらのフィルムをポリエステル系
接着剤よりなる封着剤で接着して液晶表示素子を作成し
た。この素子の配向制御膜間に、フェニルシクロヘキサ
ン系の液晶（メルク社製、ＺＬＩ−１１３２）を配置し
、二枚の直交偏光板間で液晶の配向性を調べたところ、
良好な配向性を示した。

〔発明の効果〕

本発明の含弗素フェノキシ樹脂は、耐熱性、耐湿性、接
着性、並びに低誘電率化、摺動特性の向上効果が大きい
。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例の半導体装置の断面図、第
２図、第３図は１本発明の半導体装置の素子の一部分断
面図である。 １・・・リード線、２・・・半導体素子、３・・・保護
被覆樹脂、３−１・・・第−層保護被覆樹脂、３−１１
・・・第二層保護被覆樹脂、４−１・・・第−層配線、
４−１１・・・第二層配線、５・・・ポリイミド系樹脂
、６・・・モールド樹脂、７・・・熱酸化膜。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. １．式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＿ｆは、▲数式、化学式、表等があります▼
   （ｎは０〜５０である。）、▲数式、化学式、表等があ
   ります▼ （Ｒ′，Ｒ″，Ｒ′″はＣＦ＿３， Ｃ＿２Ｆ＿５，Ｃ＿３Ｆ＿７，Ｃ＿４Ｆ＿９の中のいず
   れかである。）のいずれかである。〕で表わされる化学
   構造を含む含弗素フェノキシ樹脂。
2. ２．特許請求項第１項の式〔 I 〕で表わされる化学構
   造を含む含弗素フェノキシ樹脂を、含むことを特徴とす
   る樹脂組成物。
3. ３．特許請求項第１項の樹脂組成物で、少なくとも素子
   の一部が被覆されることを特徴とする半導体装置。