JPH0215393Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0215393Y2 JPH0215393Y2 JP1982161118U JP16111882U JPH0215393Y2 JP H0215393 Y2 JPH0215393 Y2 JP H0215393Y2 JP 1982161118 U JP1982161118 U JP 1982161118U JP 16111882 U JP16111882 U JP 16111882U JP H0215393 Y2 JPH0215393 Y2 JP H0215393Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- surface acoustic
- stem
- approximately
- adhesive member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の技術分野〕
本考案は弾性表面波デバイスに係り、特にステ
ムの形状に関するものである。
ムの形状に関するものである。
第１図ａ，ｂを参照して、弾性表面波デバイス
を説明する。第１図ａにおいて、LiTaO3，
LiNbO3、セラミツク等からなる圧電性基板２の
一主面上に互いに噛み合つたくし形の入力電極３
と、この入力電極３に連結されたシールド電極４
と、このシールド電極４を介して入力電極３に対
接され、同じく互いに噛み合つたくし形の出力電
極５とが配置され、弾性表面波素子１が構成され
ている。また、入力電極３は、ボンデイング線９
により絶縁ピン６と突起７に電気的に接続されて
いる。一方、出力電極５も、ボンデイング線９に
より絶縁ピン６に電気的に接続されている。
を説明する。第１図ａにおいて、LiTaO3，
LiNbO3、セラミツク等からなる圧電性基板２の
一主面上に互いに噛み合つたくし形の入力電極３
と、この入力電極３に連結されたシールド電極４
と、このシールド電極４を介して入力電極３に対
接され、同じく互いに噛み合つたくし形の出力電
極５とが配置され、弾性表面波素子１が構成され
ている。また、入力電極３は、ボンデイング線９
により絶縁ピン６と突起７に電気的に接続されて
いる。一方、出力電極５も、ボンデイング線９に
より絶縁ピン６に電気的に接続されている。
第１図ｂにおいて、弾性表面波素子１は基台例
えばステム１２上に硬化後の厚さ略20μｍ乃至略
30μｍの接着部材１１を介して載置されている。
また、絶縁ピン６はステム１２に絶縁性接着剤１
４を介して貫通植設されている。また突起７に対
応するステム１２の裏面１５に凹部１６が設けら
れ、この凹部にはアースピン１３が導電性接着剤
例えば銀ロウ１７を介してステム１２に植設され
ている。また、ステム１２は通常、矢印１９の方
向から打ち抜きプレス製形しているので、弾性表
面波素子１が配置されている側のステム１２の面
の周縁部は丸味１８を帯びている。この後、第２
図に示す通り、ステム１２上へシエル２０をかぶ
せて気密封じをし、弾性表面波デバイス２１が完
成される。この時、ステム１２上の丸味１８があ
るので、設計時よりもシエル２０とステム１２と
の接合面積が略20％乃至略25％減少しシエル２０
とステム１２とが完全に接合しない欠点があつ
た。また、従来の弾性表面波デバイス２１の重大
な欠点として第１図ｂにおいて、ステム１２は方
向１９から打ち抜きプレス製形されているので、
ステム１２の弾性表面波素子１が配置されている
ステム面２２に高低の差が略15μｍ乃至略40μｍ
の凹凸（以下うねりと称す）が発生する。このう
ねりにより、接着部材１１の厚さが一定でなくな
り、即ち接着部材１２の厚さが略15μｍ乃至略
40μｍとなり場所によつては接着部材１１の厚さ
が10μｍ以下の部分が顕著に発生する。この場
合、圧電性基板２内を伝播するスプリアス成分の
バルク波は、接着部材１１により吸収されにくく
なる問題を有する。さらに、接着部材１１の厚さ
が一定でなくなるので弾性表面波素子１と接着部
材１１との接着強度の分布は略0.7kg乃至略2.5Kg
であり接着強度1kg以下となる部位が存在する
と、振動などの要因によりステム１２から弾性表
面波素子１が乖離する現象が顕著に見られた。
えばステム１２上に硬化後の厚さ略20μｍ乃至略
30μｍの接着部材１１を介して載置されている。
また、絶縁ピン６はステム１２に絶縁性接着剤１
４を介して貫通植設されている。また突起７に対
応するステム１２の裏面１５に凹部１６が設けら
れ、この凹部にはアースピン１３が導電性接着剤
例えば銀ロウ１７を介してステム１２に植設され
ている。また、ステム１２は通常、矢印１９の方
向から打ち抜きプレス製形しているので、弾性表
面波素子１が配置されている側のステム１２の面
の周縁部は丸味１８を帯びている。この後、第２
図に示す通り、ステム１２上へシエル２０をかぶ
せて気密封じをし、弾性表面波デバイス２１が完
成される。この時、ステム１２上の丸味１８があ
るので、設計時よりもシエル２０とステム１２と
の接合面積が略20％乃至略25％減少しシエル２０
とステム１２とが完全に接合しない欠点があつ
た。また、従来の弾性表面波デバイス２１の重大
な欠点として第１図ｂにおいて、ステム１２は方
向１９から打ち抜きプレス製形されているので、
ステム１２の弾性表面波素子１が配置されている
ステム面２２に高低の差が略15μｍ乃至略40μｍ
の凹凸（以下うねりと称す）が発生する。このう
ねりにより、接着部材１１の厚さが一定でなくな
り、即ち接着部材１２の厚さが略15μｍ乃至略
40μｍとなり場所によつては接着部材１１の厚さ
が10μｍ以下の部分が顕著に発生する。この場
合、圧電性基板２内を伝播するスプリアス成分の
バルク波は、接着部材１１により吸収されにくく
なる問題を有する。さらに、接着部材１１の厚さ
が一定でなくなるので弾性表面波素子１と接着部
材１１との接着強度の分布は略0.7kg乃至略2.5Kg
であり接着強度1kg以下となる部位が存在する
と、振動などの要因によりステム１２から弾性表
面波素子１が乖離する現象が顕著に見られた。
本考案の弾性表面波デバイスは、上述の問題点
に鑑みて、弾性表面波素子とステムとを接着する
接着部材の厚さを一定にすることにある。
に鑑みて、弾性表面波素子とステムとを接着する
接着部材の厚さを一定にすることにある。
本考案の弾性表面波デバイスは、弾性表面波素
子が載置固定されるステム面の凹凸を略10μｍ以
下にすることにより、弾性表面波素子とステムと
を接着する接着部材の厚さを一定にするものであ
る。
子が載置固定されるステム面の凹凸を略10μｍ以
下にすることにより、弾性表面波素子とステムと
を接着する接着部材の厚さを一定にするものであ
る。
本考案の弾性表面波デバイスの基本的構造は第
１図ａ，ｂと同様なので詳細な説明は省略する。
１図ａ，ｂと同様なので詳細な説明は省略する。
本考案の弾性表面波デバイス３１は、弾性表面
波素子１を接着部材１１を介してステム１２に載
置固定されたステム面３３のうねりが略10μｍ以
下の平坦を有する。また、このステム面３３に対
向するステム裏面３４の周縁部３５はステム裏面
３５から打ち抜きプレスをしたために丸味３５を
帯びている。
波素子１を接着部材１１を介してステム１２に載
置固定されたステム面３３のうねりが略10μｍ以
下の平坦を有する。また、このステム面３３に対
向するステム裏面３４の周縁部３５はステム裏面
３５から打ち抜きプレスをしたために丸味３５を
帯びている。
上述の構造の弾性表面波デバイス３１はステム
面３３のうねりが略10μｍ以下とされているの
で、接着部材１２の硬化後の厚さは略20μｍ乃至
略30μｍが容易に得られる。また、うねりが略
10μｍの部分がステム面３３に発生しても接着部
材１２の厚さは略10μｍ乃至略30μｍにすぎない。
従つて、本考案の弾性表面波デバイス３１では、
圧電性基板２内を伝播するスプリアス成分のバル
ク波は、接着部材１１により均一に吸収される。
その上、振動などの要因によりステム面３３から
弾性表面波素子１が乖離する現象はほとんど見ら
れなくなつた。この理由は、接着部材１１の厚さ
が一定となり、弾性表面波素子１と接着部材１１
との接着強度の分布は略1.2Kg乃至略2.4Kgとな
り接着強度1Kg以下の部位が全く存在しないため
である。さらに、接着部材１１の厚さが一定とな
つたので、デバイス入力電極容量の分布におい
て、従来の弾性表面波デバイスと異なり、本考案
の弾性表面波デバイスの規格容量分布即ち規格容
量はその±10％に容易に管理することができる。
その上、ステム面３３の円周部即ちシエルシーリ
ング部３６が丸味を帯びないので、シエルを接合
するシエルシーリングの面積が従来の弾性表面波
デバイスに比べて略20％以上広くなり、シエル２
０とステム１２との溶接強度が向上した。従来の
弾性表面波デバイスでは１万個あたりのリーク不
良が略0.02％乃至略0.05％発生するに対し、本考
案の弾性表面波デバイスのリーク不良の発生率は
0.00％であつた。
面３３のうねりが略10μｍ以下とされているの
で、接着部材１２の硬化後の厚さは略20μｍ乃至
略30μｍが容易に得られる。また、うねりが略
10μｍの部分がステム面３３に発生しても接着部
材１２の厚さは略10μｍ乃至略30μｍにすぎない。
従つて、本考案の弾性表面波デバイス３１では、
圧電性基板２内を伝播するスプリアス成分のバル
ク波は、接着部材１１により均一に吸収される。
その上、振動などの要因によりステム面３３から
弾性表面波素子１が乖離する現象はほとんど見ら
れなくなつた。この理由は、接着部材１１の厚さ
が一定となり、弾性表面波素子１と接着部材１１
との接着強度の分布は略1.2Kg乃至略2.4Kgとな
り接着強度1Kg以下の部位が全く存在しないため
である。さらに、接着部材１１の厚さが一定とな
つたので、デバイス入力電極容量の分布におい
て、従来の弾性表面波デバイスと異なり、本考案
の弾性表面波デバイスの規格容量分布即ち規格容
量はその±10％に容易に管理することができる。
その上、ステム面３３の円周部即ちシエルシーリ
ング部３６が丸味を帯びないので、シエルを接合
するシエルシーリングの面積が従来の弾性表面波
デバイスに比べて略20％以上広くなり、シエル２
０とステム１２との溶接強度が向上した。従来の
弾性表面波デバイスでは１万個あたりのリーク不
良が略0.02％乃至略0.05％発生するに対し、本考
案の弾性表面波デバイスのリーク不良の発生率は
0.00％であつた。
次に第４図ａ，ｂを参照して本考案の弾性表面
波デバイスの製造方法について説明する。
波デバイスの製造方法について説明する。
第４図ａにおいて、ステム基板を矢印４４の方
向から打ち抜きプレス製形しステム４１を製造す
る。その際、アースピン用の凹部４３と絶縁ピン
用の貫通孔４２とを同時に形成する。また、一枚
のステム基板から多数のステム４１を製造するこ
とも可能である。
向から打ち抜きプレス製形しステム４１を製造す
る。その際、アースピン用の凹部４３と絶縁ピン
用の貫通孔４２とを同時に形成する。また、一枚
のステム基板から多数のステム４１を製造するこ
とも可能である。
次に第４図ｂにおいて、アースピン５１を銀ロ
ウ５２を介してステム４１に取着する。それと同
時に絶縁ピン５３を絶縁ガラス５４を介してステ
ム４１に取着する。ステム面５５の弾性表面波素
子５６をマウントする部分に粘度120CPS乃至
150CPSの熱硬化型２液性エポキシ接着剤を弾性
表面波素子５６と略同等の面積に略100μｍ乃至
略120μｍ程度の厚みにスピンコートする。その
後、接着剤塗膜上に弾性表面波素子５６を載置さ
せる。次に１時間乃至２時間125℃乃至150℃で加
熱処理し接着剤を熱硬化させ、ステム面５５に弾
性表面波素子５６を接着固定させる。この時、硬
化後の接着剤（以下接着部材と称する）５７は略
20μｍ乃至略30μｍの厚みになる。次に、弾性表
面波素子５６の入力電極のアース電極側をステム
面５５に設けられた突起５９にボンデイングワイ
ヤー５８で電気的に接続する。また、弾性表面波
素子５６の入力電極の反対側電極は、絶縁ピン５
３へボンデイングワイヤー５８で電気的に接続す
る。これと同時に、出力電極の両側の電極は各々
ステム絶縁ピンとボンデイングワイヤーで電気的
に接続する。最後に、ステム面５５の周縁部６１
とシエル６２とを溶接し気密封止する。このよう
にして、本考案の弾性表面波デバイス６３は製造
される。
ウ５２を介してステム４１に取着する。それと同
時に絶縁ピン５３を絶縁ガラス５４を介してステ
ム４１に取着する。ステム面５５の弾性表面波素
子５６をマウントする部分に粘度120CPS乃至
150CPSの熱硬化型２液性エポキシ接着剤を弾性
表面波素子５６と略同等の面積に略100μｍ乃至
略120μｍ程度の厚みにスピンコートする。その
後、接着剤塗膜上に弾性表面波素子５６を載置さ
せる。次に１時間乃至２時間125℃乃至150℃で加
熱処理し接着剤を熱硬化させ、ステム面５５に弾
性表面波素子５６を接着固定させる。この時、硬
化後の接着剤（以下接着部材と称する）５７は略
20μｍ乃至略30μｍの厚みになる。次に、弾性表
面波素子５６の入力電極のアース電極側をステム
面５５に設けられた突起５９にボンデイングワイ
ヤー５８で電気的に接続する。また、弾性表面波
素子５６の入力電極の反対側電極は、絶縁ピン５
３へボンデイングワイヤー５８で電気的に接続す
る。これと同時に、出力電極の両側の電極は各々
ステム絶縁ピンとボンデイングワイヤーで電気的
に接続する。最後に、ステム面５５の周縁部６１
とシエル６２とを溶接し気密封止する。このよう
にして、本考案の弾性表面波デバイス６３は製造
される。
本考案の弾性表面波デバイスは、弾性表面波素
子が載置固定されるステム面の凹凸を略10μｍ以
下にすることにより、弾性表面波素子とステムと
を接着する接着部材の厚さを一定にし、圧電性基
板内を伝播するスプリアス成分のバルク波を接着
部材により効果的に均一に吸音することができ
る。
子が載置固定されるステム面の凹凸を略10μｍ以
下にすることにより、弾性表面波素子とステムと
を接着する接着部材の厚さを一定にし、圧電性基
板内を伝播するスプリアス成分のバルク波を接着
部材により効果的に均一に吸音することができ
る。
第１図ａは弾性表面波デバイスの原理構造を示
す模式平面図、第１図ｂは第１図ａのＸーX′断
面を示す断面図、第２図は従来の弾性表面波デバ
イスを示す断面図、第３図は本考案の弾性表面波
デバイスの実施例を示す模式断面図、第４図ａ，
ｂは本考案の弾性表面波デバイスの製造方法を説
明するための模式図である。 ２……圧電性基板、３……入力電極、５……出
力電極、１１，５７……接着部材、１２，４１…
…ステム、２２，３３，５５……ステム面、１
５，３７……ステム裏面、１８，３２……丸味。
す模式平面図、第１図ｂは第１図ａのＸーX′断
面を示す断面図、第２図は従来の弾性表面波デバ
イスを示す断面図、第３図は本考案の弾性表面波
デバイスの実施例を示す模式断面図、第４図ａ，
ｂは本考案の弾性表面波デバイスの製造方法を説
明するための模式図である。 ２……圧電性基板、３……入力電極、５……出
力電極、１１，５７……接着部材、１２，４１…
…ステム、２２，３３，５５……ステム面、１
５，３７……ステム裏面、１８，３２……丸味。
Claims (1)
- 圧電性基板の一主面にそれぞれ少なくとも入力
電極及び出力電極が形成された弾性表面波素子を
接着部材を介して基台に載置固定された弾性表面
波デバイスにおいて、前記弾性表面波素子が載置
固定された前記基台面の凹凸は略10μｍ以下であ
ることを特徴とする弾性表面波デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16111882U JPS5967028U (ja) | 1982-10-26 | 1982-10-26 | 弾性表面波デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16111882U JPS5967028U (ja) | 1982-10-26 | 1982-10-26 | 弾性表面波デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5967028U JPS5967028U (ja) | 1984-05-07 |
| JPH0215393Y2 true JPH0215393Y2 (ja) | 1990-04-25 |
Family
ID=30354181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16111882U Granted JPS5967028U (ja) | 1982-10-26 | 1982-10-26 | 弾性表面波デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5967028U (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5558540A (en) * | 1978-10-25 | 1980-05-01 | Nec Home Electronics Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS57156873A (en) * | 1981-03-23 | 1982-09-28 | Fujitsu Ltd | Manufacture of metallic stem |
-
1982
- 1982-10-26 JP JP16111882U patent/JPS5967028U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5967028U (ja) | 1984-05-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3328102B2 (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 | |
| JP3222220B2 (ja) | チップ型圧電共振子の製造方法 | |
| JP2002217673A (ja) | Ｓａｗデバイスとその製造方法及びこのｓａｗデバイスを用いた電子部品 | |
| KR100378919B1 (ko) | 범프 전극을 갖는 탄성 표면파 장치 및 그 장치의 제조방법 | |
| JPH07112142B2 (ja) | 圧電共振子の封止構造 | |
| KR20010020699A (ko) | 전자 부품 | |
| JP2001094390A (ja) | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 | |
| JPH0215393Y2 (ja) | ||
| JPH0818390A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| CN107113967B (zh) | 基板、基板的制造方法以及弹性波装置 | |
| JPH0141224Y2 (ja) | ||
| JPH05291864A (ja) | 弾性表面波素子実装回路とその製造方法 | |
| JPS6333729B2 (ja) | ||
| US11973486B2 (en) | Electronic component and method for manufacturing the same | |
| JPH11251867A (ja) | 表面弾性波フイルタおよびその製造方法 | |
| JP2000332572A (ja) | 圧電デバイス | |
| JP3546506B2 (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
| US20220190805A1 (en) | Electronic component and method for manufacturing the same | |
| JP2000353934A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPS62242405A (ja) | 複合電子部品 | |
| JP3431524B2 (ja) | 気密パッケージ、その製造用金属キャップ、その金属キャップの製造方法および気密パッケージの製造方法 | |
| JP3608471B2 (ja) | 超音波探触子とその製造方法 | |
| JPH07202475A (ja) | 電子部品 | |
| JPH07154185A (ja) | 弾性表面波装置およびその製造方法 | |
| JP2001257236A (ja) | 電子デバイスの製造方法 |