JPH0141224Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0141224Y2 JPH0141224Y2 JP1980012722U JP1272280U JPH0141224Y2 JP H0141224 Y2 JPH0141224 Y2 JP H0141224Y2 JP 1980012722 U JP1980012722 U JP 1980012722U JP 1272280 U JP1272280 U JP 1272280U JP H0141224 Y2 JPH0141224 Y2 JP H0141224Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cap
- conductive layer
- output
- surface wave
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders or supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1092—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は表面波装置に係り、セラミツク基板に
印刷形成した電極上に表面波素子を取付け、更に
該素子を金属キヤツプで覆うことにより製作が容
易で且つ性能を向上しうる装置を提供することを
目的とする。
印刷形成した電極上に表面波素子を取付け、更に
該素子を金属キヤツプで覆うことにより製作が容
易で且つ性能を向上しうる装置を提供することを
目的とする。
一般に、テレビジヨンの送信信号のチヤンネル
分離等に使用されるフイルタとしては例えばL、
C素子を組合わせたものがあるが、これによれば
Q値が低いためシヤープな特性を出しえないとい
う問題点があり、又所望の特性を出しえてもネツ
トワーク数が多くなり大型化してコストが高くな
つてしまうという問題点があつた。
分離等に使用されるフイルタとしては例えばL、
C素子を組合わせたものがあるが、これによれば
Q値が低いためシヤープな特性を出しえないとい
う問題点があり、又所望の特性を出しえてもネツ
トワーク数が多くなり大型化してコストが高くな
つてしまうという問題点があつた。
従来の表面波フイルタ装置としては、上記問題
点を解決するべく、圧電材料上にクシ型電極を形
成して得た表面波素子を、例えば4本の端子(2
本が入力用、他の2本は出力用)を垂直に植設さ
れた金属製基板(但し端子及び基板間は絶縁され
ている)上面に対し固着し、更に金属キヤツプに
より覆つた所謂CAN方式のものがあるが、これ
によれば表面波素子が完全に金属により取囲まれ
てシールドが完全であるという良い効果を有する
反面、端子間距離が小となるため、表面波素子を
通る伝達波以外に入力及び出力端子間で直接信号
が伝わる直達波が発生し、この二つの波の和又は
差の信号によりリツプル現象を生じるという欠点
があつた。
点を解決するべく、圧電材料上にクシ型電極を形
成して得た表面波素子を、例えば4本の端子(2
本が入力用、他の2本は出力用)を垂直に植設さ
れた金属製基板(但し端子及び基板間は絶縁され
ている)上面に対し固着し、更に金属キヤツプに
より覆つた所謂CAN方式のものがあるが、これ
によれば表面波素子が完全に金属により取囲まれ
てシールドが完全であるという良い効果を有する
反面、端子間距離が小となるため、表面波素子を
通る伝達波以外に入力及び出力端子間で直接信号
が伝わる直達波が発生し、この二つの波の和又は
差の信号によりリツプル現象を生じるという欠点
があつた。
本出願人は先に、上記欠点を解消するべく、実
願昭54−10373号「表面波装置」により1枚のセ
ラミツク基板上に信号入出力用及びアース用電極
を夫々印刷形成し、その上面に絶縁層をリング状
に付着形成した後、該アース用電極の露出部に表
面波素子を固着し、更に該表面波素子を覆つて接
着剤付き金属製キヤツプを該リング状絶縁層に接
着させた後樹脂によりモールドしたものを提案し
た。
願昭54−10373号「表面波装置」により1枚のセ
ラミツク基板上に信号入出力用及びアース用電極
を夫々印刷形成し、その上面に絶縁層をリング状
に付着形成した後、該アース用電極の露出部に表
面波素子を固着し、更に該表面波素子を覆つて接
着剤付き金属製キヤツプを該リング状絶縁層に接
着させた後樹脂によりモールドしたものを提案し
た。
上記先願例によれば、予め入力用電極と出力用
電極を離間させて配設しておくことにより、上記
直達波を防止してリツプル現象を抑えることがで
き、又上記CAN方式と同様に、表面波素子はキ
ヤツプにより略完全に外気と遮断されるため、表
面波素子と端子又は電極とを結線する細径のアル
ミニウム等のワイヤが外気中の水分と反応して腐
食しワイヤボンデイング部分が外れたり接触抵抗
が大となつて特性劣化を生ずる等の不都合を防止
することができる。
電極を離間させて配設しておくことにより、上記
直達波を防止してリツプル現象を抑えることがで
き、又上記CAN方式と同様に、表面波素子はキ
ヤツプにより略完全に外気と遮断されるため、表
面波素子と端子又は電極とを結線する細径のアル
ミニウム等のワイヤが外気中の水分と反応して腐
食しワイヤボンデイング部分が外れたり接触抵抗
が大となつて特性劣化を生ずる等の不都合を防止
することができる。
しかるに上記先願例によれば、絶縁層及び金属
キヤツプ間に接着剤の層が介在し、モールド層、
接着層を順次介して若干の水分がキヤツプ内に浸
透し、未だ上記特性劣化の防止が不完全であり、
又キヤツプの接着のために、例えば200℃の雰囲
気中で1時間程度キヤツプを基板に押圧させる作
業が必要で作業工数が大になると共に、押圧圧力
により絶縁層が破壊されキヤツプ及び電極が導通
してしまうというおそれがあり、又キヤツプの周
縁に該基板に対向接着される鍔部を設ける必要が
あるため、該鍔部の分基板面積が大となり装置が
大型化する等の問題点があつた。
キヤツプ間に接着剤の層が介在し、モールド層、
接着層を順次介して若干の水分がキヤツプ内に浸
透し、未だ上記特性劣化の防止が不完全であり、
又キヤツプの接着のために、例えば200℃の雰囲
気中で1時間程度キヤツプを基板に押圧させる作
業が必要で作業工数が大になると共に、押圧圧力
により絶縁層が破壊されキヤツプ及び電極が導通
してしまうというおそれがあり、又キヤツプの周
縁に該基板に対向接着される鍔部を設ける必要が
あるため、該鍔部の分基板面積が大となり装置が
大型化する等の問題点があつた。
また、表面波素子は金属製のキヤツプにより覆
われるためシールド性は向上するものの、キヤツ
プはアース電位とはされておらず確実なシールド
を行なうには到らず、外乱が侵入する虞れがある
という問題点があつた。更に、表面波装置は形状
の小なる装置であるため、基板上の所定位置にキ
ヤツプを適宜位置決めして取付ける作業が困難で
あるという問題点があつた。
われるためシールド性は向上するものの、キヤツ
プはアース電位とはされておらず確実なシールド
を行なうには到らず、外乱が侵入する虞れがある
という問題点があつた。更に、表面波装置は形状
の小なる装置であるため、基板上の所定位置にキ
ヤツプを適宜位置決めして取付ける作業が困難で
あるという問題点があつた。
本考案は上記先願例の問題点を解決したもので
あり、以下図面と共にその実施例につき説明す
る。
あり、以下図面と共にその実施例につき説明す
る。
第1図は本考案になる表面波装置の1実施例を
構成する基板及び金属キヤツプの斜視図であり、
以下その製造工程順に説明する。
構成する基板及び金属キヤツプの斜視図であり、
以下その製造工程順に説明する。
図中、表面波装置1はテレビジヨンの中間周波
数のバンドパスフイルタ、或いはビデオ信号等の
高周波信号に変換するRFモジユレータ等のバン
ドパスフイルタとして使用されるものであり、基
板2を有する。
数のバンドパスフイルタ、或いはビデオ信号等の
高周波信号に変換するRFモジユレータ等のバン
ドパスフイルタとして使用されるものであり、基
板2を有する。
基板2は生シート状の状態で、第1図、第3図
に示す如く、両側近傍部に1対の凹部2aを加工
された後焼成硬化される。続いて第1図中右上り
斜線で示す如く、基板2上面に銀ペーストにより
1対の入力用電極3,4と1対の出力用電極5,
6と−のアース用電極7とを印刷形成した後仮乾
燥される。
に示す如く、両側近傍部に1対の凹部2aを加工
された後焼成硬化される。続いて第1図中右上り
斜線で示す如く、基板2上面に銀ペーストにより
1対の入力用電極3,4と1対の出力用電極5,
6と−のアース用電極7とを印刷形成した後仮乾
燥される。
次いで、第1図中梨地模様で示す如く、基板2
の電極3〜7の一部を含んだ上面に例えば所定厚
さの硼珪酸ガラス製の絶縁層8を印刷形成される
が、このとき絶縁層8はアース用電極7の上端7
a及び下端7bの部分には付着されず、該上端7
a、下端7bは露出したままである。またこの
時、第1図及び第2図に示されるように、各入出
力用電極3〜6の内、後にワイヤーボンデイング
が実施されたり、端子ピンが配設される所定部分
も絶縁層8は付着されず露出されたままである。
続いて基板2は仮乾燥された後800〜900℃の温度
で焼成され上記電極3〜7、絶縁層8が安定化さ
れる。
の電極3〜7の一部を含んだ上面に例えば所定厚
さの硼珪酸ガラス製の絶縁層8を印刷形成される
が、このとき絶縁層8はアース用電極7の上端7
a及び下端7bの部分には付着されず、該上端7
a、下端7bは露出したままである。またこの
時、第1図及び第2図に示されるように、各入出
力用電極3〜6の内、後にワイヤーボンデイング
が実施されたり、端子ピンが配設される所定部分
も絶縁層8は付着されず露出されたままである。
続いて基板2は仮乾燥された後800〜900℃の温度
で焼成され上記電極3〜7、絶縁層8が安定化さ
れる。
次いで、絶縁層8上面の上記アース用電極上端
7a、下端7bを含んだ上面に銀ペーストにより
第1図中左上りの斜線で示す如くリング状の導電
層9が印刷形成され、仮乾燥の後上記800〜900℃
の温度で焼成される。このとき導電層9は上記ア
ース用電極7の上端7a、下端7bにおいて該ア
ース用電極7と導通してアース電位となる。
7a、下端7bを含んだ上面に銀ペーストにより
第1図中左上りの斜線で示す如くリング状の導電
層9が印刷形成され、仮乾燥の後上記800〜900℃
の温度で焼成される。このとき導電層9は上記ア
ース用電極7の上端7a、下端7bにおいて該ア
ース用電極7と導通してアース電位となる。
次いで板状圧電材料10表面にくし歯状の入力
及び出力電極11a,11bを形成してなる表面
波素子12がアース用電極7の中央露出部上面
に、所定の導電接合材料により接合された後150
℃〜180℃の温度で乾燥し固着される。その後素
子12の入力電極11aの1対のくし歯部を夫々
径寸法30μ〜40μ程度のワイヤ13により基板1
の入力用電極3,4に対し超音波ボンダーにより
ボンデイングされる。同様に出力電極11bも基
板1の出力用電極5,6に対しワイヤボンデイン
グされる。
及び出力電極11a,11bを形成してなる表面
波素子12がアース用電極7の中央露出部上面
に、所定の導電接合材料により接合された後150
℃〜180℃の温度で乾燥し固着される。その後素
子12の入力電極11aの1対のくし歯部を夫々
径寸法30μ〜40μ程度のワイヤ13により基板1
の入力用電極3,4に対し超音波ボンダーにより
ボンデイングされる。同様に出力電極11bも基
板1の出力用電極5,6に対しワイヤボンデイン
グされる。
一方、第1図に示す如く、しんちゆう板等の材
料により、両側下端に1対の凸部14aを有する
金属キヤツプ14が、上記基板2に対し表面波素
子12を覆い且つ1対の凸部14aが夫々1対の
凹部2aに係合される状態で容易に位置決め取付
けられる。このときキヤツプ14のリング状下端
は上記リング状導電層9に大略一致する。
料により、両側下端に1対の凸部14aを有する
金属キヤツプ14が、上記基板2に対し表面波素
子12を覆い且つ1対の凸部14aが夫々1対の
凹部2aに係合される状態で容易に位置決め取付
けられる。このときキヤツプ14のリング状下端
は上記リング状導電層9に大略一致する。
続いて、第2図に示す如く、キヤツプ14の外
周下端を全周にわたり半田15により半田付け
し、キヤツプ14及び導電層9を導通固着する。
又第1図中基板2の各電極3〜7に端子ピン21
a〜21eを半田付固着する。更に第2図に示す
如く、基板2表面及びキヤツプ14に樹脂をモー
ルドし、モールド層22を形成してパツケージを
施す。
周下端を全周にわたり半田15により半田付け
し、キヤツプ14及び導電層9を導通固着する。
又第1図中基板2の各電極3〜7に端子ピン21
a〜21eを半田付固着する。更に第2図に示す
如く、基板2表面及びキヤツプ14に樹脂をモー
ルドし、モールド層22を形成してパツケージを
施す。
かくして、上記表面波装置1が完成するが、こ
れによれば金属キヤツプ14及び絶縁層8間には
金属製の導電層9が介在し、しかも導電層9及び
キヤツプ14の継ぎ目は半田15により覆われて
いるため、外気中の水分はモールド層22を浸透
しうるもののキヤツプ14内には極めて進入し難
く特性劣化を略完全に防止しえ、又キヤツプ14
を半田15により固着するようにしているため取
付けに要する時間が短く作業工数を低減しえ、又
キヤツプ14の押圧作業は不要で絶縁層8の破壊
によるキヤツプ14及び入出力用電極3〜6の短
絡等の不都合がなくなり、又キヤツプ14は上記
半田付けによりキヤツプ周縁に鍔部を設けること
は不要となり基板2面積を小として装置1を小型
化しえ、又キヤツプ14は上記の如く導電層9、
アース用電極7の上端7a,7bを介して該アー
ス用電極7に導通されて確実にアース電位となつ
ているため、シールド性能が大で装置1の性能を
向上しえ、又上記先願例と同様に、第1図中ホツ
ト側入力用電極及び端子3,21aとホツト側出
力用電極及び端子6,21eとが互いに基板2の
両側近傍に大なる距離離間して配設されているた
め直達波が減少しリツプル現象を抑えることがで
きる。
れによれば金属キヤツプ14及び絶縁層8間には
金属製の導電層9が介在し、しかも導電層9及び
キヤツプ14の継ぎ目は半田15により覆われて
いるため、外気中の水分はモールド層22を浸透
しうるもののキヤツプ14内には極めて進入し難
く特性劣化を略完全に防止しえ、又キヤツプ14
を半田15により固着するようにしているため取
付けに要する時間が短く作業工数を低減しえ、又
キヤツプ14の押圧作業は不要で絶縁層8の破壊
によるキヤツプ14及び入出力用電極3〜6の短
絡等の不都合がなくなり、又キヤツプ14は上記
半田付けによりキヤツプ周縁に鍔部を設けること
は不要となり基板2面積を小として装置1を小型
化しえ、又キヤツプ14は上記の如く導電層9、
アース用電極7の上端7a,7bを介して該アー
ス用電極7に導通されて確実にアース電位となつ
ているため、シールド性能が大で装置1の性能を
向上しえ、又上記先願例と同様に、第1図中ホツ
ト側入力用電極及び端子3,21aとホツト側出
力用電極及び端子6,21eとが互いに基板2の
両側近傍に大なる距離離間して配設されているた
め直達波が減少しリツプル現象を抑えることがで
きる。
次に上記表面波装置1を効率的に製造する手順
につき説明する。まず第4図に示す如く、大寸法
のセラミツク基板23に夫々複数のx方向スナツ
プライン24a、y方向スナツプライン24bを
刻入して複数の上記単体基板2相当部を形成す
る。次いで、複数の基板2相当部に同時に上記電
極3〜7、絶縁層8、導電層9を順次形成した
後、順次表面波素子12、キヤツプ14を接合し
た後、スナツプライン24a,24bに沿つて分
離し複数の上記表面波装置1を形成する。これに
よれば大量生産的に製造でき製造コストを低減し
うる。
につき説明する。まず第4図に示す如く、大寸法
のセラミツク基板23に夫々複数のx方向スナツ
プライン24a、y方向スナツプライン24bを
刻入して複数の上記単体基板2相当部を形成す
る。次いで、複数の基板2相当部に同時に上記電
極3〜7、絶縁層8、導電層9を順次形成した
後、順次表面波素子12、キヤツプ14を接合し
た後、スナツプライン24a,24bに沿つて分
離し複数の上記表面波装置1を形成する。これに
よれば大量生産的に製造でき製造コストを低減し
うる。
尚上記金属キヤツプ14は予め例えばすずメツ
キを施しておき、半田15の半田付けをより確実
にするようにしてもよい。
キを施しておき、半田15の半田付けをより確実
にするようにしてもよい。
又半田15の形成はキヤツプ14外周に逐次半
田付けする方法に限らず、予めキヤツプ14外形
と一致する半田製リングを該キヤツプ14外周に
嵌合配設した後加熱溶融させて形成するようにし
てもよい。
田付けする方法に限らず、予めキヤツプ14外形
と一致する半田製リングを該キヤツプ14外周に
嵌合配設した後加熱溶融させて形成するようにし
てもよい。
上述の如く、本考案になる表面波装置によれ
ば、該キヤツプ及び絶縁層間には金属製の該導電
層が介在し、しかも導電層及びキヤツプの継ぎ目
は半田により覆われるため外気中の水分はキヤツ
プ内に極めて進入し難く特性劣化を防止しえ、又
キヤツプ取付けを半田により行なつているため、
作業工数を低減しうると共に、絶縁層の破壊のお
それなくキヤツプ及び入出力用電極の短絡のおそ
れなく製品歩留まりを向上しえ、又キヤツプの隅
肉的半田付けによりキヤツプに鍔部を設けること
は不要で装置を小型化しえ、又キヤツプは導電層
を介してアース用電極と導通し確実にアース電位
となつているため、シールド性能が大で性能を向
上し得、更に絶縁基板に位置決め凹部が形成され
ると共に金属製キヤツプには位置決め凸部が形成
されており、従つて金属製キヤツプの位置決めは
位置決め凸部を位置決め凹部に係合させるだけで
容易に行なうことができ取付作業性を向上しうる
等の特長を有するものである。
ば、該キヤツプ及び絶縁層間には金属製の該導電
層が介在し、しかも導電層及びキヤツプの継ぎ目
は半田により覆われるため外気中の水分はキヤツ
プ内に極めて進入し難く特性劣化を防止しえ、又
キヤツプ取付けを半田により行なつているため、
作業工数を低減しうると共に、絶縁層の破壊のお
それなくキヤツプ及び入出力用電極の短絡のおそ
れなく製品歩留まりを向上しえ、又キヤツプの隅
肉的半田付けによりキヤツプに鍔部を設けること
は不要で装置を小型化しえ、又キヤツプは導電層
を介してアース用電極と導通し確実にアース電位
となつているため、シールド性能が大で性能を向
上し得、更に絶縁基板に位置決め凹部が形成され
ると共に金属製キヤツプには位置決め凸部が形成
されており、従つて金属製キヤツプの位置決めは
位置決め凸部を位置決め凹部に係合させるだけで
容易に行なうことができ取付作業性を向上しうる
等の特長を有するものである。
第1図は本考案になる表面波装置の1実施例を
構成する基板及び金属キヤツプの斜視図、第2図
及び第3図は夫々上記装置の縦断正面部分図及び
縦断側面部分図、第4図は上記装置を複数個一体
に製造する工程を示す図である。 1……表面波装置、2,23……基板、3,4
……入力電極、5,6……出力電極、7……アー
ス用電極、7a,7b……アース用電極上下端、
8……絶縁層、9……導電層、12……表面波素
子、13……ワイヤ、14……金属キヤツプ、1
5……半田、21a〜21e……端子ピン、22
……モールド層、24a,24b……スナツプラ
イン。
構成する基板及び金属キヤツプの斜視図、第2図
及び第3図は夫々上記装置の縦断正面部分図及び
縦断側面部分図、第4図は上記装置を複数個一体
に製造する工程を示す図である。 1……表面波装置、2,23……基板、3,4
……入力電極、5,6……出力電極、7……アー
ス用電極、7a,7b……アース用電極上下端、
8……絶縁層、9……導電層、12……表面波素
子、13……ワイヤ、14……金属キヤツプ、1
5……半田、21a〜21e……端子ピン、22
……モールド層、24a,24b……スナツプラ
イン。
Claims (1)
- 位置決め凹部が形成されてなる絶縁基板と、
夫々導電材料により該基板上面に付着形成された
信号入出力用及びアース用の複数の電極と、該信
号入出力用電極の端子との接続部及び表面波素子
との接続部を露出させ、かつ該アース用電極の上
端若しくは下端のいずれか一端、又は該上端と下
端の双方を露出させると共に端子と接続される部
分を露出させて該信号入出力用及び該アース用電
極上面に付着形成された絶縁層と、該絶縁層の上
面に該信号入出力用の複数の電極と電気的に絶縁
された状態で、かつ該アース用電極の露出部分と
導通するように形成されたリング状の導電層と、
該アース用電極の露出部上面に固着され、該信号
入出力用電極の露出部に対し夫々導通を取られた
表面波素子と、上記位置決め凹部と係合する位置
決め凸部が形成されると共に、該表面波素子を覆
つて該導電層上面に配設され、かつ外周全体にわ
たり該導電層との継ぎ目を覆うよう半田付けがさ
れることにより、該導電層上面に導通固着される
金属製キヤツプとより構成してなる表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980012722U JPH0141224Y2 (ja) | 1980-02-04 | 1980-02-04 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980012722U JPH0141224Y2 (ja) | 1980-02-04 | 1980-02-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56116723U JPS56116723U (ja) | 1981-09-07 |
| JPH0141224Y2 true JPH0141224Y2 (ja) | 1989-12-06 |
Family
ID=29609285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1980012722U Expired JPH0141224Y2 (ja) | 1980-02-04 | 1980-02-04 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0141224Y2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60124110A (ja) * | 1983-12-08 | 1985-07-03 | Alps Electric Co Ltd | 弾性表面波素子 |
| JP4618492B2 (ja) * | 2004-12-24 | 2011-01-26 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波センサ |
| JP2011009808A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶振動子 |
| JP2013145964A (ja) * | 2012-01-13 | 2013-07-25 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 |
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| JP6347605B2 (ja) * | 2013-12-27 | 2018-06-27 | 京セラ株式会社 | 圧電発振器 |
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|---|---|---|---|---|
| JPS553854Y2 (ja) * | 1977-09-03 | 1980-01-29 | ||
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-
1980
- 1980-02-04 JP JP1980012722U patent/JPH0141224Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56116723U (ja) | 1981-09-07 |
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