JPH0215519A - セラミックス超電導体の導電体接合膜形成法 - Google Patents
セラミックス超電導体の導電体接合膜形成法Info
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- JPH0215519A JPH0215519A JP63166364A JP16636488A JPH0215519A JP H0215519 A JPH0215519 A JP H0215519A JP 63166364 A JP63166364 A JP 63166364A JP 16636488 A JP16636488 A JP 16636488A JP H0215519 A JPH0215519 A JP H0215519A
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- conductive material
- oxide powder
- ceramic superconductor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、Ｂ１−Ｃａ −５ｒ−Ｃｕ −０系セラミ
ックス超電導体またはＴｔ−Ｃａ −Ｓｒ −Ｃｕ −
０系セラミックス超電導体に、良好な電気接合または接
触がなされるための導電体接合膜を形成する方法に関す
るものである。
ックス超電導体またはＴｔ−Ｃａ −Ｓｒ −Ｃｕ −
０系セラミックス超電導体に、良好な電気接合または接
触がなされるための導電体接合膜を形成する方法に関す
るものである。
近年、 Ｂ１−Ｃａ−Ｓｒ−Ｃｕ−０系セラミックス超
電導体およびＴＬ−Ｃａ−Ｂａ−Ｃｕ −０系セラミッ
クス超電導体が提案されたことは広く知られているとこ
ろである。
電導体およびＴＬ−Ｃａ−Ｂａ−Ｃｕ −０系セラミッ
クス超電導体が提案されたことは広く知られているとこ
ろである。
上記Ｂ１−Ｃａ −Ｓｒ−Ｃｕ −０系セラミックス超
電導体は、まず、原料粉末としてＢ１酸化物（以下。
電導体は、まず、原料粉末としてＢ１酸化物（以下。
Ｂｉ２Ｏ５で示す） 、 Ｃａ炭酸塩（以下、ＣａＣＯ
３で示す）。
３で示す）。
Ｓｒ炭酸塩（以下、 ＳｒＣＯ３で示す）およびＣｕ酸
化物（以下、 ＣＵＯで示す）の粉末を用意し、これら
原料粉末を所定の割合に配合し、混合し、この混合粉末
を温度ニア００〜８００℃の範囲内で大気中１２時間保
持の焼成処理したのち、粉砕してＢ１−Ｃａ−Ｓｒ −
Ｃｕ −０系超を専酸化物粉末とし、ついで。
化物（以下、 ＣＵＯで示す）の粉末を用意し、これら
原料粉末を所定の割合に配合し、混合し、この混合粉末
を温度ニア００〜８００℃の範囲内で大気中１２時間保
持の焼成処理したのち、粉砕してＢ１−Ｃａ−Ｓｒ −
Ｃｕ −０系超を専酸化物粉末とし、ついで。
この超電導酸化物粉末を原料粉末としてプレス成形によ
シ圧粉体とし、これを焼結することによシ製造されるこ
とはよく知られているところである。
シ圧粉体とし、これを焼結することによシ製造されるこ
とはよく知られているところである。
さらに、 ＴＬ−Ｃａ −Ｂａ−Ｃｕ −０系セラミッ
クス超電導体についても、原料粉末としてＴｔ酸化物（
以下、Ｔｂ２Ｏ３で示す） 、ＣａＣＯ３、ＢａＣＯ３
およびＣｕＯの各粉末を用意し、所定の割合に配合し、
混合した後、この混合粉末に６００〜７００℃の範囲内
の温度に大気中所定時間保持の焼成処理を施し。
クス超電導体についても、原料粉末としてＴｔ酸化物（
以下、Ｔｂ２Ｏ３で示す） 、ＣａＣＯ３、ＢａＣＯ３
およびＣｕＯの各粉末を用意し、所定の割合に配合し、
混合した後、この混合粉末に６００〜７００℃の範囲内
の温度に大気中所定時間保持の焼成処理を施し。
粉砕してＴｔ−Ｃａ−Ｂａ−Ｃｕ −０系超１！樽酸化
物粉末とし、この超電導酸化物粉末を用いて上記Ｂｉ
−Ｃａ−Ｓｒ−Ｃｕ−０系超電専酸化物と同様に製造す
る仁とができることも知られている。
物粉末とし、この超電導酸化物粉末を用いて上記Ｂｉ
−Ｃａ−Ｓｒ−Ｃｕ−０系超電専酸化物と同様に製造す
る仁とができることも知られている。
このようにして得られたＢ１−Ｃａ −Ｓｒ−Ｃｕ−〇
系セラミックス超１！導体またはＴＬ−Ｃａ −Ｂａ
−Ｃｕ −０系セラミックス超１！導体にリード線を接
合する場合には、上記セラミックス超電導体の電気的接
合部表面に、 Ａｇ 、 Ａｕ、Ｃｕ等を蒸着すること
によシ導電体接合膜を形成し、上記蒸着による導電体接
合膜の表面１ｃＩｎハンダ等でリード線をろう付けし。
系セラミックス超１！導体またはＴＬ−Ｃａ −Ｂａ
−Ｃｕ −０系セラミックス超１！導体にリード線を接
合する場合には、上記セラミックス超電導体の電気的接
合部表面に、 Ａｇ 、 Ａｕ、Ｃｕ等を蒸着すること
によシ導電体接合膜を形成し、上記蒸着による導電体接
合膜の表面１ｃＩｎハンダ等でリード線をろう付けし。
セラミックス超電導体への電流の供給および流出を行な
っていた。
っていた。
ところが、上記Ｂ１−Ｃａ −Ｓｒ −Ｃｕ −０系ま
たはＴｔ−Ｃａ−Ｂａ−Ｃｕ−０系セラミックス超電導
体への蒸着による導電体接合膜の形成は、蒸着が真空雰
囲気中の高温で行なわれるために、上記セラミックス超
電導体中に内在する酸素が飛散し、安定していると言わ
れているＢｉ −Ｃａ −Ｓｒ −Ｃｕ−０系またはＴ
Ａ −Ｃａ−Ｂａ −Ｃｕ −０系セラミックス超電導
体の超電導特性が不安定かつ劣化し、この蒸着膜形成中
の酸素飛散を防止するために可能な限シ室温に近い温度
で行なうと、付着強度の弱い蒸着膜が形成されると１い
う問題点があった。
たはＴｔ−Ｃａ−Ｂａ−Ｃｕ−０系セラミックス超電導
体への蒸着による導電体接合膜の形成は、蒸着が真空雰
囲気中の高温で行なわれるために、上記セラミックス超
電導体中に内在する酸素が飛散し、安定していると言わ
れているＢｉ −Ｃａ −Ｓｒ −Ｃｕ−０系またはＴ
Ａ −Ｃａ−Ｂａ −Ｃｕ −０系セラミックス超電導
体の超電導特性が不安定かつ劣化し、この蒸着膜形成中
の酸素飛散を防止するために可能な限シ室温に近い温度
で行なうと、付着強度の弱い蒸着膜が形成されると１い
う問題点があった。
そこで１本発明者等は、上記セラミックス超電導体の超
電導特性を不安定かつ劣化せしめることなくセラミック
ス超電導体の表面に導電体接合膜を形成すべく研究を行
なった結果。
電導特性を不安定かつ劣化せしめることなくセラミック
ス超電導体の表面に導電体接合膜を形成すべく研究を行
なった結果。
焼結前のＢｉ −Ｃａ −３ｒ −Ｃｕ −０系超を導
酸化物粉末またはＴｔ−Ｃａ −Ｂａ −Ｃｕ −０系
超電導酸化物粉末の成形体（例えば、圧粉体、ドクター
ブレード法により得られたシート状成形体、スクリーン
印刷法により得られた印刷体等）の表面に、導電材料ペ
ーストを塗布し、上記導電材料は−ストを塗布した成形
体を焼結すると、上記超電導酸化物粉末の成形体は焼結
してセラミックス超電導体になると同時に上記塗布され
た導電材料は−ストは焼付けられ、Ｂ１−Ｃａ−Ｓｒ
−Ｃｕ −０系またはＴＬ−Ｃａ −Ｂａ−Ｃｕ −０
系セラミックス超電導体の表面に付着強度のすぐれた導
電体接合膜が形成されるという知見を得たのである。
酸化物粉末またはＴｔ−Ｃａ −Ｂａ −Ｃｕ −０系
超電導酸化物粉末の成形体（例えば、圧粉体、ドクター
ブレード法により得られたシート状成形体、スクリーン
印刷法により得られた印刷体等）の表面に、導電材料ペ
ーストを塗布し、上記導電材料は−ストを塗布した成形
体を焼結すると、上記超電導酸化物粉末の成形体は焼結
してセラミックス超電導体になると同時に上記塗布され
た導電材料は−ストは焼付けられ、Ｂ１−Ｃａ−Ｓｒ
−Ｃｕ −０系またはＴＬ−Ｃａ −Ｂａ−Ｃｕ −０
系セラミックス超電導体の表面に付着強度のすぐれた導
電体接合膜が形成されるという知見を得たのである。
この発明は、かかる知見にもとづいてなされたものであ
って。
って。
ｉｌ） Ｂ ｉ ２０３粉末、 ＣａＣＯ３粉末、
ＳｒＣＯ３粉末およびＣｕＯ粉末を所定の割合に配合し
、混合したのち、この混合粉末を焼成処理し、粉砕して
Ｂ１−Ｃａ −Ｓｒ−Ｃｕ−０系超′＃Ｌ４酸化物粉末
とし、この超を専酸化物粉末を成形して成形体とし。
ＳｒＣＯ３粉末およびＣｕＯ粉末を所定の割合に配合し
、混合したのち、この混合粉末を焼成処理し、粉砕して
Ｂ１−Ｃａ −Ｓｒ−Ｃｕ−０系超′＃Ｌ４酸化物粉末
とし、この超を専酸化物粉末を成形して成形体とし。
ついで上記成形体の表向に、４ｍ材料イーストを塗布し
た後、焼結することによすＢ１−Ｃａ−Ｓｒ−Ｃｕ−０
系セラミックス超電導体に導電体接合膜を形成する方法
。
た後、焼結することによすＢ１−Ｃａ−Ｓｒ−Ｃｕ−０
系セラミックス超電導体に導電体接合膜を形成する方法
。
および
（２） Ｔｔ２０３粉末、 ＣａＣＯ３粉末、 Ｂａ
ＣＯ３粉末およびＣｕＯ粉−末を所定の割合に配合し、
混合したのち。
ＣＯ３粉末およびＣｕＯ粉−末を所定の割合に配合し、
混合したのち。
この混合粉末を焼成処理し、粉砕してＴｊｔ−Ｃａ −
Ｂａ−Ｃｕ−０系超電導酸化物粉末とし、この超電導酸
化物粉末を成形して成形体とし。
Ｂａ−Ｃｕ−０系超電導酸化物粉末とし、この超電導酸
化物粉末を成形して成形体とし。
ついで上記成形体の表面に、導電材料Ｒ−ストを塗布し
た後、焼結することによりＴｔ−Ｃａ −Ｂａ −Ｃｕ
−０系セラミックス超電導体に導電体接合膜を形成する
方法。
た後、焼結することによりＴｔ−Ｃａ −Ｂａ −Ｃｕ
−０系セラミックス超電導体に導電体接合膜を形成する
方法。
に特徴を有するものである。
上記成形体とは、 Ｂ１−Ｃａ −Ｓｒ −Ｃｕ −０
系超電導酸化物粉末またはＴＬ−Ｃａ −Ｂａ −Ｃｕ
−０系超電導酸化物粉末をプレス成形して得られた圧
粉体、ドクターブレード法により得られた上記超電導酸
化物粉末に一スト層を加熱乾燥して得られたシート状成
形体、スクリーン印刷法によシ得られた印刷体。
系超電導酸化物粉末またはＴＬ−Ｃａ −Ｂａ −Ｃｕ
−０系超電導酸化物粉末をプレス成形して得られた圧
粉体、ドクターブレード法により得られた上記超電導酸
化物粉末に一スト層を加熱乾燥して得られたシート状成
形体、スクリーン印刷法によシ得られた印刷体。
泥しよう法による射出成形体の乾燥体等、 Ｂｉ’−Ｃ
ａ−Ｓｒ−Ｃｕ−０系超電導酸化物粉末またはＴｔ−Ｃ
ａ−Ｂａ−Ｃｕ−０系超電導酸化物粉末を適当な方法で
所定の形状に成形したものをいう。
ａ−Ｓｒ−Ｃｕ−０系超電導酸化物粉末またはＴｔ−Ｃ
ａ−Ｂａ−Ｃｕ−０系超電導酸化物粉末を適当な方法で
所定の形状に成形したものをいう。
さらに、上記導電材料ペーストとはｈ ＡｇまたはＡｇ
合金、 ＡｕまたはＡｕ合金、 Ｐｄ’ｆｉたはＰｄ合
金等の良導電材料粉末を有機溶剤に混合したものである
が。
合金、 ＡｕまたはＡｕ合金、 Ｐｄ’ｆｉたはＰｄ合
金等の良導電材料粉末を有機溶剤に混合したものである
が。
一般に、平均粒径：０，５〜１０μ溝のＡｇ粉末釦有ｍ
ｉＪ剤、Ｎえば、エチルセルロース、テレピン油。
ｉＪ剤、Ｎえば、エチルセルロース、テレピン油。
ブチルカルピトールアセテ−）、ＰＶＡ（ポリビニルア
ルコール）等に混合したＡｇペーストが最も多く使用さ
れる。
ルコール）等に混合したＡｇペーストが最も多く使用さ
れる。
つぎに、この発明を実施例にもとづいて具体的に説明す
る。
る。
原料粉末として、いずれも平均粒径：ｌＯμ准のＢｉ２
Ｏ３粉末、 ’ｒｚ２ｏ３粉末、 ＣａＣＯ３粉末、Ｓ
ｒｃｏ ３扮末、 ＢａＣＯ３粉末およびＣｕＯ粉末
を用意した。
Ｏ３粉末、 ’ｒｚ２ｏ３粉末、 ＣａＣＯ３粉末、Ｓ
ｒｃｏ ３扮末、 ＢａＣＯ３粉末およびＣｕＯ粉末
を用意した。
実施例１
これら原料粉末のうちＢｉ２Ｏ３粉末、 ＣａＣＯ３粉
末。
末。
ＢｒＣＯ５粉末およびＣｕＯ粉末ｔ’ｓ ５ｉ２ｏ３粉
末：５３．４％、 ＣａＣＯ３粉末： ｌ Ｌ ５ ％
、 ＳｒＣＯ３粉末：１６．９チおよびＣｕＯ粉末二
１８，２チ（以上重量％）の割合で配合し、混合し、こ
の混合粉末を大気中、温度二８００℃、１２時間保持の
条件で焼成処理を行なってＢ１−Ｃａ −Ｓｒ −Ｃｕ
−０系超電導酸化物を作成し、ついで、このＢｉ −
Ｃａ −Ｓｒ −Ｃｕ −０系超電導酸化物を粉砕して
、平均粒径：５μ講のＢｉ −Ｃａ −Ｓｒ−Ｃｕ−０
系超電導酸化物粉末を製造した。
末：５３．４％、 ＣａＣＯ３粉末： ｌ Ｌ ５ ％
、 ＳｒＣＯ３粉末：１６．９チおよびＣｕＯ粉末二
１８，２チ（以上重量％）の割合で配合し、混合し、こ
の混合粉末を大気中、温度二８００℃、１２時間保持の
条件で焼成処理を行なってＢ１−Ｃａ −Ｓｒ −Ｃｕ
−０系超電導酸化物を作成し、ついで、このＢｉ −
Ｃａ −Ｓｒ −Ｃｕ −０系超電導酸化物を粉砕して
、平均粒径：５μ講のＢｉ −Ｃａ −Ｓｒ−Ｃｕ−０
系超電導酸化物粉末を製造した。
このＢ１−Ｃａ−３ｒ−Ｃｕ −０系超電導酸化物粉末
をプレス成形して、たて：３１１１Ｘ横二８鵡Ｘ長さ＝
３０ｕ＋の圧粉体を２個成形し、この２個の圧粉体のう
ちの一方の圧粉体の両端部にＡｇペーストを塗布し、他
方の圧粉体にはＡｇペーストを塗布せずに。
をプレス成形して、たて：３１１１Ｘ横二８鵡Ｘ長さ＝
３０ｕ＋の圧粉体を２個成形し、この２個の圧粉体のう
ちの一方の圧粉体の両端部にＡｇペーストを塗布し、他
方の圧粉体にはＡｇペーストを塗布せずに。
共に大気中、温度＝８５０℃、１５時間保持の条件にて
焼結した。
焼結した。
上記Ａｇペーストは、平均粒径：３μｍ１２）Ａｇ扮末
に、有機溶剤としてブチルカルピトールアセテートおよ
びエチルセルロースを２０ｆｆｉ量１添加混合して製造
したものを用いた。
に、有機溶剤としてブチルカルピトールアセテートおよ
びエチルセルロースを２０ｆｆｉ量１添加混合して製造
したものを用いた。
上記焼結された圧粉体は、 Ｂ１−Ｃａ −Ｓｒ−Ｃｕ
−０系セラミックス超電専体とな）、上記一方の圧粉
体の両端に塗布したＡｇペーストは、上記セラミックス
超電導体の両端に付着強度のすぐれたＡｇ薄膜として焼
付けられていた。
−０系セラミックス超電専体とな）、上記一方の圧粉
体の両端に塗布したＡｇペーストは、上記セラミックス
超電導体の両端に付着強度のすぐれたＡｇ薄膜として焼
付けられていた。
上記セラミックス超電導体の両端部表面に形成されたＡ
ｇ薄膜にＩｎろう材を用いてＡｇワイヤを接続し、上記
セラミックス超電導体の超電導特性を測定した。その結
果を第１表に示す。
ｇ薄膜にＩｎろう材を用いてＡｇワイヤを接続し、上記
セラミックス超電導体の超電導特性を測定した。その結
果を第１表に示す。
従来例１
一方、従来例として、上記実施例１で製造した他方のＡ
ｇ＃膜のないセラミックス超電導体の両端部に、通常の
蒸着法によりＡｇ蒸着薄膜を形成し、上記Ａｇ蒸着薄膜
にＩｎろう材を用いてＡｇワイヤを接続し、上記セラミ
ックス超１ＪＬ纏体の超電導特性を測定し、その結果も
第１表に示した。
ｇ＃膜のないセラミックス超電導体の両端部に、通常の
蒸着法によりＡｇ蒸着薄膜を形成し、上記Ａｇ蒸着薄膜
にＩｎろう材を用いてＡｇワイヤを接続し、上記セラミ
ックス超１ＪＬ纏体の超電導特性を測定し、その結果も
第１表に示した。
第
表
実施例２
上記原料粉末のうち、Ｔｔ、２０３粉末、 ＣａＣＯ３
粉末。
粉末。
Ｂ ａ ＣＯ５粉末、およびＣｕＯ粉末を。
’ｒｚ２ｏ３粉末： ３５．４ ％ 、 ＣａＣＯ３
粉末：１５，５％。
粉末：１５，５％。
ＢａＣＯ３粉末：３０．６％およびＣｕＯ扮末二１８．
５ ％（以上重量Ｌｓ）の割合で配合し、混合し、この
混合粉末を酸素雰囲気中、温度二り００℃、１０時間保
持の条件で焼成処理し、 Ｔｔ−Ｃａ−Ｂａ−Ｃｕ −
０系超電導酸化物を作成し、ついで、このＴＬ−Ｃａ
−Ｂａ−Ｃｕ−０糸類１１Ｌ４ｍ化物を粉砕して平均粒
径：５μｍのＴＡ −Ｃａ−Ｂａ −Ｃｕ −０系超電
導酸化物粉末を製造した。
５ ％（以上重量Ｌｓ）の割合で配合し、混合し、この
混合粉末を酸素雰囲気中、温度二り００℃、１０時間保
持の条件で焼成処理し、 Ｔｔ−Ｃａ−Ｂａ−Ｃｕ −
０系超電導酸化物を作成し、ついで、このＴＬ−Ｃａ
−Ｂａ−Ｃｕ−０糸類１１Ｌ４ｍ化物を粉砕して平均粒
径：５μｍのＴＡ −Ｃａ−Ｂａ −Ｃｕ −０系超電
導酸化物粉末を製造した。
このＴｔ−Ｃａ −Ｂａ −Ｃｕ −０系超を４酸化物
粉末をプレス成形して、たて：５Ｂ×横：８ＵＩＸ長さ
２３０１０ｍの圧粉体を２個成形し、この２ｍの圧粉体
のうち、一方の圧粉体の両端部にＡｇペーストを塗布し
、他方の圧粉体にはＡｇバーストを塗布せずに。
粉末をプレス成形して、たて：５Ｂ×横：８ＵＩＸ長さ
２３０１０ｍの圧粉体を２個成形し、この２ｍの圧粉体
のうち、一方の圧粉体の両端部にＡｇペーストを塗布し
、他方の圧粉体にはＡｇバーストを塗布せずに。
共に酸素雰囲気中、温度：９００℃、３時間保持の条件
にて焼結した。
にて焼結した。
上記Ａｇば一ストは、平均粒径：３μｍのＡｇ粉末に、
有機溶剤としてブチルカルピトールアセテートおよびエ
チルセルロースを２０重量％添加混合して製造したもの
を用いた。
有機溶剤としてブチルカルピトールアセテートおよびエ
チルセルロースを２０重量％添加混合して製造したもの
を用いた。
上記焼結された圧粉体は、 Ｔ４−Ｃａ −Ｂａ−Ｃ’
ｕ −０系セラミックス超電導体となり、上記一方の圧
粉体の両端に塗布したＡｇイーストは、上記セラミック
ス超ｔ４体の両端に付着強度のすぐれたＡｇＷ膜として
焼付けられていた。
ｕ −０系セラミックス超電導体となり、上記一方の圧
粉体の両端に塗布したＡｇイーストは、上記セラミック
ス超ｔ４体の両端に付着強度のすぐれたＡｇＷ膜として
焼付けられていた。
上記セラミックス超電導体の両端部表面に形成されたＡ
ｇ薄膜にＩｎろう材を用いてＡｇワイヤを接続し、上記
セラミックス超電導体の超電導特性を測定した。その結
果を第２表に示す。
ｇ薄膜にＩｎろう材を用いてＡｇワイヤを接続し、上記
セラミックス超電導体の超電導特性を測定した。その結
果を第２表に示す。
従来例２
一方、従来例として、上記実施例２で製造したＡｇ薄膜
のない他方のＴＬ−Ｃａ−Ｂａ−Ｃｕ −０系セラミッ
クス超ＭＬ４体の両端部に１通常の蒸着法によ９ｋｇＭ
Ｍ薄膜を形成し、上記Ａｇ蒸着薄膜にＩｎろう材を用い
てＡｇワイヤを接続し、上記セラミックス超電導体の超
１導特性を測定し、その結果も４２表に示した。
のない他方のＴＬ−Ｃａ−Ｂａ−Ｃｕ −０系セラミッ
クス超ＭＬ４体の両端部に１通常の蒸着法によ９ｋｇＭ
Ｍ薄膜を形成し、上記Ａｇ蒸着薄膜にＩｎろう材を用い
てＡｇワイヤを接続し、上記セラミックス超電導体の超
１導特性を測定し、その結果も４２表に示した。
第 ２ 表
上記第１表および第２表の結果からｓ Ａｇ薄膜をセラ
ミックス超電導体表面に従来例の蒸着法により形成する
と、セラミックス超電導体の超電導特性が劣化するに対
し、この発明の実施例１および実施例２のようにＡｇ−
Ｊニーストを、 Ｂ１−Ｃａ−Ｓｒ −Ｃｕ−０系超ｔ
４酸化物粉末またはＴｔ−Ｃａ−Ｂａ−Ｃｕ −０系超
電導酸化物粉末の圧粉体を焼結と同時に焼付けてＡｇ接
合膜を形成するとセラミックス超１碑体の超１！導特性
の劣化がみられないことがわかる。
ミックス超電導体表面に従来例の蒸着法により形成する
と、セラミックス超電導体の超電導特性が劣化するに対
し、この発明の実施例１および実施例２のようにＡｇ−
Ｊニーストを、 Ｂ１−Ｃａ−Ｓｒ −Ｃｕ−０系超ｔ
４酸化物粉末またはＴｔ−Ｃａ−Ｂａ−Ｃｕ −０系超
電導酸化物粉末の圧粉体を焼結と同時に焼付けてＡｇ接
合膜を形成するとセラミックス超１碑体の超１！導特性
の劣化がみられないことがわかる。
この実施例では、 Ｂ１−Ｃａ−Ｓｒ−Ｃｕ −０系超
電導酸化物粉末またはＴｔ−Ｃａ −Ｂａ −Ｃｕ −
０系超電導酸化物粉末の圧粉体を焼結すると同時に塗布
されたＡｇペーストを焼付けてＡｇ薄膜を形成したが、
上記超電導酸化物粉末ペーストを、ドクターブレード法
によう成形して得られたシート状成形体または印刷法に
より基板上に印刷した印刷体の表面にＡｇペーストを塗
布し、上記シート状成形体または印刷体を焼結すると同
時にＡｇ薄膜を形成してもよいっ〔発明の効果〕 上述の如く、この発明によると、リード線等をセラミッ
クス超電導体に接合するための導電体接合膜は、Ｂｉ
−、Ｃａ −５ｒ−Ｃｕ −０系超電導酸化物粉末また
はＴＬ−Ｃａ −Ｂａ−Ｃｕ −０系超電導酸化物粉末
の成形体を焼結すると同時に焼付けられて形成されるた
めに、従来のような蒸ン＃膜形成工程を省略することが
でき、しかも導電体接合膜が形成されたセラミックス超
電導体の超を纒特性の劣化がみられないというすぐれた
効果を奏するものである。
電導酸化物粉末またはＴｔ−Ｃａ −Ｂａ −Ｃｕ −
０系超電導酸化物粉末の圧粉体を焼結すると同時に塗布
されたＡｇペーストを焼付けてＡｇ薄膜を形成したが、
上記超電導酸化物粉末ペーストを、ドクターブレード法
によう成形して得られたシート状成形体または印刷法に
より基板上に印刷した印刷体の表面にＡｇペーストを塗
布し、上記シート状成形体または印刷体を焼結すると同
時にＡｇ薄膜を形成してもよいっ〔発明の効果〕 上述の如く、この発明によると、リード線等をセラミッ
クス超電導体に接合するための導電体接合膜は、Ｂｉ
−、Ｃａ −５ｒ−Ｃｕ −０系超電導酸化物粉末また
はＴＬ−Ｃａ −Ｂａ−Ｃｕ −０系超電導酸化物粉末
の成形体を焼結すると同時に焼付けられて形成されるた
めに、従来のような蒸ン＃膜形成工程を省略することが
でき、しかも導電体接合膜が形成されたセラミックス超
電導体の超を纒特性の劣化がみられないというすぐれた
効果を奏するものである。
Claims (2)
- （１）Ｂｉ−Ｃａ−Ｓｒ−Ｃｕ−Ｏ系超電導酸化物粉末
を成形して得られた成形体の表面に導電材料ペーストを
塗布したのち焼結することを特徴とするセラミックス超
電導体の導電体接合膜形成法。 - （２）Ｔｌ−Ｃａ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系超電導酸化物粉末
を成形して得られた成形体の表面に導電材料ペーストを
塗布したのち焼結することを特徴とするセラミックス超
電導体の導電体接合膜形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63166364A JP2748412B2 (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | セラミックス超電導体の導電体接合膜形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63166364A JP2748412B2 (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | セラミックス超電導体の導電体接合膜形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0215519A true JPH0215519A (ja) | 1990-01-19 |
| JP2748412B2 JP2748412B2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=15830029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63166364A Expired - Lifetime JP2748412B2 (ja) | 1988-07-04 | 1988-07-04 | セラミックス超電導体の導電体接合膜形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2748412B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0341782A (ja) * | 1989-07-10 | 1991-02-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 酸化物超電導体膜の電極形成方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01257183A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-13 | Ube Ind Ltd | 安定化された高温超電導セラミックスの線材およびテープの製造法 |
-
1988
- 1988-07-04 JP JP63166364A patent/JP2748412B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01257183A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-13 | Ube Ind Ltd | 安定化された高温超電導セラミックスの線材およびテープの製造法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0341782A (ja) * | 1989-07-10 | 1991-02-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 酸化物超電導体膜の電極形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2748412B2 (ja) | 1998-05-06 |
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