JPH02155223A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
- Publication number
- JPH02155223A JPH02155223A JP63309461A JP30946188A JPH02155223A JP H02155223 A JPH02155223 A JP H02155223A JP 63309461 A JP63309461 A JP 63309461A JP 30946188 A JP30946188 A JP 30946188A JP H02155223 A JPH02155223 A JP H02155223A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- ray
- container
- optical system
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
に関するものである。
Ｓ Ｄ）８６−１１３ ｒ Ｘ線リソグラフィ用高精
度位置合わせ法」に記載された構成が知られている。以
下、上記従来の露光装置について図面を参照しながら説
明する。
度位置合わせ法」に記載された構成が知られている。以
下、上記従来の露光装置について図面を参照しながら説
明する。
第２図において、１０１はフォトマスクであり、マスク
搬送装置（図示省略）により搬送され、露光位置でマス
クステージ１０２に支持される。１０３はフォトマスク
１０１に設けられたパターン、１０４はウェハであり、
ウェハ搬送装置（図示省略）により搬送され、ウェハス
テージ１０５上に支持される。 １０６はフォトマスク
１０１の上方に配置された露光用の光源である。１０７
は位置合わせ用の照明光学系、１０８は照明光学系１０
７からの光を導く光ファイバー、 １０９は光ファイバ
ー１０８で導かれた中の必要な光をフォトマスク１０１
の回折格子状の第１の位置合わせマーク１１０に入射さ
せる光学系である。１１１は、フォトマスク１０１の第
１の位置合わせマーク１１０で回折された回折光、１１
２はウェハ１０４に設けられ、回折光１１１が照射され
る回折格子状の第２の位置合わせマーク、１１３はウェ
ハ１０４からの回折光１１４を受光する一対のフォトデ
ィテクタ、１１５は恒温室である。
搬送装置（図示省略）により搬送され、露光位置でマス
クステージ１０２に支持される。１０３はフォトマスク
１０１に設けられたパターン、１０４はウェハであり、
ウェハ搬送装置（図示省略）により搬送され、ウェハス
テージ１０５上に支持される。 １０６はフォトマスク
１０１の上方に配置された露光用の光源である。１０７
は位置合わせ用の照明光学系、１０８は照明光学系１０
７からの光を導く光ファイバー、 １０９は光ファイバ
ー１０８で導かれた中の必要な光をフォトマスク１０１
の回折格子状の第１の位置合わせマーク１１０に入射さ
せる光学系である。１１１は、フォトマスク１０１の第
１の位置合わせマーク１１０で回折された回折光、１１
２はウェハ１０４に設けられ、回折光１１１が照射され
る回折格子状の第２の位置合わせマーク、１１３はウェ
ハ１０４からの回折光１１４を受光する一対のフォトデ
ィテクタ、１１５は恒温室である。
次に上記従来例の動作について説明する。
まず、フォトマスク１０１を光学手段等を用いてマスク
ステージ１０２における正規の露光位置に配置する。次
にウェハ１０４を支持したウェハステージ１０５を位置
合わせ位置に移動させる。これらフォトマスク１０１と
ウェハ１０４の位置合わせに際し、照明光学系１０７か
らの光を光ファイバー１０８、光学系１０９を介してフ
ォトマスク１０１の第１の位置合わせマーク１１０に照
射させる。この第１の位置合わせマーク１１０で生じた
回折光１１１はウェハ１０４上の第２の位置合わせマー
ク１１２に入射し、この第２の位置合わせマーク１１２
で生じた回折光は反射回折光１１４と共にフォトディテ
クタ１１３に入射する。ここで、第１と第２の位置合わ
せマーク１１０と１１２の位置関係が一致したときにフ
ォトディテクタ１１３の出力が最大になるので、このフ
ォトディテクタ１１３の出力からフォトマスク１０１と
ウェハ１０４の位置を測定し、その結果からウェハステ
ージ１０５をＸＳＹ、θの方向に移動させ、露光位置で
ウェハ１０４がフォトマスク１０１に対して正規の位置
になるように制御する。位置合わせ後、光源１０６から
の光をフォトマスク１０１に照射することにより、その
パターン１０３をウェハ１０４上に焼き付けていく。
ステージ１０２における正規の露光位置に配置する。次
にウェハ１０４を支持したウェハステージ１０５を位置
合わせ位置に移動させる。これらフォトマスク１０１と
ウェハ１０４の位置合わせに際し、照明光学系１０７か
らの光を光ファイバー１０８、光学系１０９を介してフ
ォトマスク１０１の第１の位置合わせマーク１１０に照
射させる。この第１の位置合わせマーク１１０で生じた
回折光１１１はウェハ１０４上の第２の位置合わせマー
ク１１２に入射し、この第２の位置合わせマーク１１２
で生じた回折光は反射回折光１１４と共にフォトディテ
クタ１１３に入射する。ここで、第１と第２の位置合わ
せマーク１１０と１１２の位置関係が一致したときにフ
ォトディテクタ１１３の出力が最大になるので、このフ
ォトディテクタ１１３の出力からフォトマスク１０１と
ウェハ１０４の位置を測定し、その結果からウェハステ
ージ１０５をＸＳＹ、θの方向に移動させ、露光位置で
ウェハ１０４がフォトマスク１０１に対して正規の位置
になるように制御する。位置合わせ後、光源１０６から
の光をフォトマスク１０１に照射することにより、その
パターン１０３をウェハ１０４上に焼き付けていく。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、Ｘ線露光装置にあっては、露光する雰囲
気はＨｅであり、また、６４ＭＤＲＡＭのように０．２
５ミクロンのラインを描くには、フォトマスク１０１や
ウェハ１０４、その他の構造物の位置精度を保つ必要が
あり、そのためには、温度の変化を０．２程度に保たな
ければならず、したがって、フォトマスク１０１やウェ
ハ１０４などを恒温室１１５の中に配置する必要がある
。しかし、位置合わせのための光源であるレーザー管を
恒温室１１５の中に配置すると、発熱体であるため、温
度変化を生ずる。一方、レーザー管を恒温室１１５の外
に置くと、レーザー管からフォトマスク１０１までの光
学系の位置関係が外力、温度変化、振動、圧力変化など
によってずれやすく、マスク１０１とウェハ１０４の位
置合わせ精度に影響を与えるなどの課題がある。
気はＨｅであり、また、６４ＭＤＲＡＭのように０．２
５ミクロンのラインを描くには、フォトマスク１０１や
ウェハ１０４、その他の構造物の位置精度を保つ必要が
あり、そのためには、温度の変化を０．２程度に保たな
ければならず、したがって、フォトマスク１０１やウェ
ハ１０４などを恒温室１１５の中に配置する必要がある
。しかし、位置合わせのための光源であるレーザー管を
恒温室１１５の中に配置すると、発熱体であるため、温
度変化を生ずる。一方、レーザー管を恒温室１１５の外
に置くと、レーザー管からフォトマスク１０１までの光
学系の位置関係が外力、温度変化、振動、圧力変化など
によってずれやすく、マスク１０１とウェハ１０４の位
置合わせ精度に影響を与えるなどの課題がある。
本発明は、上記のような従来の課題を解決するためにな
されたもので、恒温室内の温度上昇を防止することがで
き、また、レーザー光源からマスクまでの位置関係が環
境の変化によって影響を受けるのを防止してマスクとウ
ェハの位置合わせ精度を向上させることができるように
したＸ線露光装置を提供することを目的とするものであ
る。
されたもので、恒温室内の温度上昇を防止することがで
き、また、レーザー光源からマスクまでの位置関係が環
境の変化によって影響を受けるのを防止してマスクとウ
ェハの位置合わせ精度を向上させることができるように
したＸ線露光装置を提供することを目的とするものであ
る。
課題を解決するための手段
本発明は、上記目的を達成するため、近接して対向され
たＸ線マスクとウェハの位置合わせのためのレーザー光
を発生するレーザー光源と、このレーザー光源を収めて
外部と隔絶し、レーザー光の出射用の窓を有する容器と
、上記容器の窓から出射したレーザー光を用い、露光領
域を遮らないように上記Ｘ線マスクに対して斜入射させ
るように配置され、Ｘ線マスクとウェハの位置合わせを
行うための位置合わせ光学系と、この位置合わせ光学系
を支持した支持体と、上記各部を収めた恒温室と、上記
容器内を冷却する手段とを備えたものである。
たＸ線マスクとウェハの位置合わせのためのレーザー光
を発生するレーザー光源と、このレーザー光源を収めて
外部と隔絶し、レーザー光の出射用の窓を有する容器と
、上記容器の窓から出射したレーザー光を用い、露光領
域を遮らないように上記Ｘ線マスクに対して斜入射させ
るように配置され、Ｘ線マスクとウェハの位置合わせを
行うための位置合わせ光学系と、この位置合わせ光学系
を支持した支持体と、上記各部を収めた恒温室と、上記
容器内を冷却する手段とを備えたものである。
作用
上記技術的手段による作用は次のようになる。
レーザー光源を容器に収めて外部と隔絶し、しかも、容
器内部を冷却するようにしているので、恒温室内の温度
上昇を防止することができ、また、上記レーザー光源か
らのレーザー光をＸ接マスクとウェハに導き、その反射
光を位置合わせの信号として得る英知合わせ光学系を同
じ支持体上に支持させているので、振動や熱膨張等に対
する影響を受けにくくなる。
器内部を冷却するようにしているので、恒温室内の温度
上昇を防止することができ、また、上記レーザー光源か
らのレーザー光をＸ接マスクとウェハに導き、その反射
光を位置合わせの信号として得る英知合わせ光学系を同
じ支持体上に支持させているので、振動や熱膨張等に対
する影響を受けにくくなる。
実施例
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の一実施例におけるＸ線露光装置を示す
一部破断概略正面図である。
一部破断概略正面図である。
第１図において、１はＸ線マスクであり、マスク搬送装
置（図示省略）により搬送され、露光位置でマスクステ
ージ２に支持される。３はＸ線マスク１に設けられたパ
ターン、４はウェハであり、ウェハ搬送装置（図示省略
）に搬送され、Ｘ、Ｙ、θ方向に移動可能なウェハステ
ージ５上に支持される。６はＸ線マスク１の上方に配置
された露光用のＸ線光源であり、Ｘ線７を出射する。８
はＸ線マスク１とウェハ４の位置合ねせを行うための光
源である。レーザー管であり、容器９に収められて外部
と遮断されている。１０は容器９内にホルダー１１によ
り支持された全反射ミラーであり、レーザー管８から出
射されたレーザー光１２を容器９に設けられた窓１３を
通って外部へ反射させる。１４はビームスプリッタ、ま
たは全反射ミラーであり、ホルダー１５に支持され、全
反射ミラー１０で反射されたレーザー光１２をＸ線マス
ク１側に反射する。
置（図示省略）により搬送され、露光位置でマスクステ
ージ２に支持される。３はＸ線マスク１に設けられたパ
ターン、４はウェハであり、ウェハ搬送装置（図示省略
）に搬送され、Ｘ、Ｙ、θ方向に移動可能なウェハステ
ージ５上に支持される。６はＸ線マスク１の上方に配置
された露光用のＸ線光源であり、Ｘ線７を出射する。８
はＸ線マスク１とウェハ４の位置合ねせを行うための光
源である。レーザー管であり、容器９に収められて外部
と遮断されている。１０は容器９内にホルダー１１によ
り支持された全反射ミラーであり、レーザー管８から出
射されたレーザー光１２を容器９に設けられた窓１３を
通って外部へ反射させる。１４はビームスプリッタ、ま
たは全反射ミラーであり、ホルダー１５に支持され、全
反射ミラー１０で反射されたレーザー光１２をＸ線マス
ク１側に反射する。
１６は回折格子が設けられた基準格子であり、全反射ミ
ラー１４で反射されたレーザー光１２を回折する。
ラー１４で反射されたレーザー光１２を回折する。
１７はフーリエ変換レンズであり、基準格子１６の回折
格子で回折された回折光のうち、±１次回折光のみをＸ
線マスク１とウェハ４上の位置合わせ用の回折格子１８
と１９に再び結像する。このフーリエ変換レンズ１７は
Ｘ線７の通過領域を遮らないように、±１次回折光をＸ
線マスク１に対して斜入射するよう配置されている。２
０と２１は第１と第２のフォトディテクタであり、Ｘ線
マスク１に対しフーリエ変換レンズ１７と対称的に配置
され、回折格子１８．１９からの回折光を検値する。２
２は恒温室であり、Ｘ線光源６を除く各部が収められ、
容器９内に空気を循環させて冷却するための空気用の配
管２３ａ、２３ｂが恒温室２２外に導かれている。２４
は支持体であり、恒温室２２の定盤２５に取り付けられ
、全反射レンズ１４のホルダー１５、フーリエ変換レン
ズ１７、フォトディテクタ２０．２１からなる位置合わ
せ光学系等が支持されている。
格子で回折された回折光のうち、±１次回折光のみをＸ
線マスク１とウェハ４上の位置合わせ用の回折格子１８
と１９に再び結像する。このフーリエ変換レンズ１７は
Ｘ線７の通過領域を遮らないように、±１次回折光をＸ
線マスク１に対して斜入射するよう配置されている。２
０と２１は第１と第２のフォトディテクタであり、Ｘ線
マスク１に対しフーリエ変換レンズ１７と対称的に配置
され、回折格子１８．１９からの回折光を検値する。２
２は恒温室であり、Ｘ線光源６を除く各部が収められ、
容器９内に空気を循環させて冷却するための空気用の配
管２３ａ、２３ｂが恒温室２２外に導かれている。２４
は支持体であり、恒温室２２の定盤２５に取り付けられ
、全反射レンズ１４のホルダー１５、フーリエ変換レン
ズ１７、フォトディテクタ２０．２１からなる位置合わ
せ光学系等が支持されている。
次に上記実施例の動作について説明する。
まず、Ｘ線マスク１とウェハ４をマスク搬送装置とウェ
ハ搬送装置によって各ステージ２．５における露光位置
に配置する。次にレーザー管８よリレーザー光１２を出
射させ、このレーザー光１２を全反射ミラー１０．１１
で反射させ、基準格子１６の回折格子で回折してフーリ
エ変換レンズ１７に導く。
ハ搬送装置によって各ステージ２．５における露光位置
に配置する。次にレーザー管８よリレーザー光１２を出
射させ、このレーザー光１２を全反射ミラー１０．１１
で反射させ、基準格子１６の回折格子で回折してフーリ
エ変換レンズ１７に導く。
フーリエ変換レンズ１７は、上記回折光のうち±１次回
折光を分離してＸ線マスク１とウェハ４の回折格子１８
と１９に斜入射させ、回折格子１８．１９からの回折光
を第１と第２のフォトディテクタ２０と２１に入射させ
、これらのフォトディテクタ２０．２１で検出した検出
強度から位置を測定し、Ｘ線マスク１、あるいはウェハ
４を移動させて正確な位置合わせを行う、このようにし
て位置合わせした後、Ｘ線光源６から出射するＸ線７に
より露光を行う。
折光を分離してＸ線マスク１とウェハ４の回折格子１８
と１９に斜入射させ、回折格子１８．１９からの回折光
を第１と第２のフォトディテクタ２０と２１に入射させ
、これらのフォトディテクタ２０．２１で検出した検出
強度から位置を測定し、Ｘ線マスク１、あるいはウェハ
４を移動させて正確な位置合わせを行う、このようにし
て位置合わせした後、Ｘ線光源６から出射するＸ線７に
より露光を行う。
このように、レーザー管８を容器９に収めて外部と隔絶
し、しかも、配管２３ａ、２３ｂにより容器９内に空気
を供給して内部を冷却することが可能であり、恒温室２
２内の温度上昇を防止することができる。また、レーザ
ー管８を恒温室２２内で位置合わせ光学系と同じ定盤２
５上に配置できるため、レーザー光１２の位置が変位す
るのを防止することができ、しかも、位置合わせ光学系
を同じ支持体２４に支持させてい４るので、振動や熱膨
張の影響を受けにくくなるので、高精度の位置測定が可
能となる。
し、しかも、配管２３ａ、２３ｂにより容器９内に空気
を供給して内部を冷却することが可能であり、恒温室２
２内の温度上昇を防止することができる。また、レーザ
ー管８を恒温室２２内で位置合わせ光学系と同じ定盤２
５上に配置できるため、レーザー光１２の位置が変位す
るのを防止することができ、しかも、位置合わせ光学系
を同じ支持体２４に支持させてい４るので、振動や熱膨
張の影響を受けにくくなるので、高精度の位置測定が可
能となる。
発明の効果
以上述べたように本発明によれば、レーザー光源を容器
に収めて外部と隔絶し、しかも、容器内部を冷却するよ
うにしているので、恒温室内の温度上昇を防止すること
ができ、また、上記レーザー光源からのレーザー光をＸ
線マスクとウェハに導き、その反射光を位置合わせの信
号として得る位置合わせ光学系を同じ支持体上に支持さ
せているので、振動や熱膨張等に対する影響を受けにく
くなる。したがって、高精度の位置検出を行い、高精度
の位置合わせを行うことができる。
に収めて外部と隔絶し、しかも、容器内部を冷却するよ
うにしているので、恒温室内の温度上昇を防止すること
ができ、また、上記レーザー光源からのレーザー光をＸ
線マスクとウェハに導き、その反射光を位置合わせの信
号として得る位置合わせ光学系を同じ支持体上に支持さ
せているので、振動や熱膨張等に対する影響を受けにく
くなる。したがって、高精度の位置検出を行い、高精度
の位置合わせを行うことができる。
第１図は、本発明の第１の実施例におけるＸ線露光装置
を示す一部破断概略正面図、第２図は従来の露光装置を
示す一部破断概略正面図である。 １・・・・・・Ｘ線マスク、４・・・・・・ウェハ、６
・・・・・・ｘｌ光源、７・・・・・・Ｘ線、８・・・
・・・レーザー管、９・・・・・・容器、１６・・・・
・・基準格子、１７・・・・・・フーリエ変換レンズ、
１８、１９・・・・・・回折格子、２０．２１・・・・
・・フォトディテクタ、２２・・・・・・恒温室、２４
・・・・・・支持体。
を示す一部破断概略正面図、第２図は従来の露光装置を
示す一部破断概略正面図である。 １・・・・・・Ｘ線マスク、４・・・・・・ウェハ、６
・・・・・・ｘｌ光源、７・・・・・・Ｘ線、８・・・
・・・レーザー管、９・・・・・・容器、１６・・・・
・・基準格子、１７・・・・・・フーリエ変換レンズ、
１８、１９・・・・・・回折格子、２０．２１・・・・
・・フォトディテクタ、２２・・・・・・恒温室、２４
・・・・・・支持体。
Claims (2)
- （１）近接して対向されたＸ線マスクとウェハの位置合
わせのためのレーザー光を発生するレーザー光源と、こ
のレーザー光源を収めて外部と隔絶し、レーザー光の出
射用の窓を有する容器と、上記容器の窓から出射したレ
ーザー光を用い、露光領域を遮らないように上記Ｘ線マ
スクに対して斜入射させるように配置され、Ｘ線マスク
とウェハの位置合わせを行うための位置合わせ光学系と
、この位置合わせ光学系を支持した支持体と、上記各部
を収めた恒温室と、上記容器内を冷却する手段とを備え
たＸ線露光装置。 - （２）位置合わせ光学系がレーザー光を回折する基準格
子と、この回折光のうち、±１次光をＸ線マスクとウェ
ハの回折格子に結像させるフーリエ変換レンズと、Ｘ線
マスクとウェハの回折格子からの回折光を受光するフォ
トディテクタとを備えた請求項（１）記載のＸ線露光装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63309461A JPH02155223A (ja) | 1988-12-07 | 1988-12-07 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63309461A JPH02155223A (ja) | 1988-12-07 | 1988-12-07 | Ｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02155223A true JPH02155223A (ja) | 1990-06-14 |
Family
ID=17993272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63309461A Pending JPH02155223A (ja) | 1988-12-07 | 1988-12-07 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02155223A (ja) |
-
1988
- 1988-12-07 JP JP63309461A patent/JPH02155223A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5550633A (en) | Optical measuring apparatus having a partitioning wall for dividing gas flow in an environmental chamber | |
| JP4332486B2 (ja) | 時間を節約する高さ測定を用いた、基板にマスク・パターンを繰り返し投影する方法および装置 | |
| TW391035B (en) | Proximity exposure device provided with gap setting mechanism | |
| TWI436167B (zh) | A moving body system, a pattern forming apparatus, an exposure apparatus and a measuring apparatus, and an element manufacturing method | |
| US5162642A (en) | Device for detecting the position of a surface | |
| US4853745A (en) | Exposure apparatus | |
| US6016186A (en) | Alignment device and method with focus detection system | |
| JP2001510577A (ja) | 干渉計システムおよびそのようなシステムを含むリソグラフィー装置 | |
| WO1999039375A1 (en) | Illumination meter and exposure system | |
| JP2001217190A (ja) | リソグラフィ装置において使用するための位置検出システム | |
| JPH11505673A (ja) | アラインメント装置及びこの装置が設けられているリソグラフィ装置 | |
| JPH11251226A (ja) | Ｘ線投影露光装置 | |
| US5838450A (en) | Direct reticle to wafer alignment using fluorescence for integrated circuit lithography | |
| JPH02307281A (ja) | 波長検出装置 | |
| KR101185462B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
| TW519687B (en) | Alignment apparatus, alignment method, exposure apparatus and exposure method | |
| US6356616B1 (en) | Apparatus and methods for detecting position of an object along an axis | |
| NL2005309A (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method. | |
| US5726757A (en) | Alignment method | |
| JPH02155223A (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JP3203676B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| JPS62140418A (ja) | 面位置検知装置 | |
| JP3735849B2 (ja) | 露光装置 | |
| JPH11233416A (ja) | Ｘ線投影露光装置 | |
| JPH09306813A5 (ja) |