JPH02155270A - イメージセンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、ファクシミリ、イメージスキャナ。

デジタル複写機等における原稿読取装置に使用するイメ
ージセンサにＨする。

（従来の技術） 従来のイメージセンサは、ＭＯＳ　、　ＣＣＤ　ナトＯ
ＩＣ技術を用いているが、それらのチップサイズは一般
に２０〜３０ｍと小さいので、読取画像の反射光像を縮
小投影するための光学系を必要とする。その九め、原稿
からイメージセンサとしてのＩＣセンナ迄の光路長が大
きくなシ、装置の小型化が困難であシ、また結像調整が
複雑である等の欠点を有していた。

これらの欠点を解決するために、イメージセンサのサイ
ズを読取原稿の幅と同一となして、読取原稿の表面にイ
メージセンサをほぼ密着させて画像を読み取るようにし
た。いわゆる密着型イメージセンサが開発され市場に出
ている。このような密着型センナでは、　５ｅ−Ａｓ−
Ｔｅ、　Ｃａ８−Ｃｄ５＠、　ａ−８１：Ｈを真空蒸着
法、プラズマＣＶＤ法等によって成膜させた無機系光導
電薄膜を、光電変換部に用いたシ、ＣＣＤなどのチップ
を複数個用いている。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、このような従来の密着型イメージセンサ
においては、無機系光導電薄膜を形成するためのいずれ
の方法においても高い真空雰囲気が必要とされるために
、成膜コストが高く、均一な長尺の一次元イメージセン
サ、あるいは均一な広面積の二次元イメージセンサを作
成することは困難でめった。ま九、ＣＣＤなどのチップ
を複数個用いると、製蓋が高価格となるので、民生用へ
の普及の妨げとなっていた。

本発明が解決しようとする課題は、かかる従来技術の問
題点を解決し、廉価に密着型イメージセンサを提供する
ととに６る。

（課題を解決するための手段） 本発明は、上記課題を解決する念めに、有機光導電体層
と、核層の上下に積層された表面金属電極と裏面金属電
極とを有し、前記有機光導電体層が電荷、発生剤と電荷
輸送剤とを含有することを特徴とするイメージセンサを
提供する。

本発明のイメージセンサの有機光導電体層は。

電荷発生剤を含有する電荷発生層と電荷輸送剤を含有す
る電荷輸送層を積層し九機能分離型であっても、電荷発
生剤と電荷輸送剤を１つの１に含有する単層型であって
も良い。

電荷発生剤としては、ａｋ々の顔料が使用でき。

例えは、アゾ系顔料、キノン系顔料、アズレニウム顔料
、スフウニアリウム系顔料、ピリリウム系顔料、シアニ
ン系顔料、ペリレン系顔料、インジゴ系顔料、ビスベン
ゾイミダゾール系顔料、フタロシアニン系顔料、キナク
シトン系顔料、キノリン系顔料等が挙げられる。

アゾ系顔料としては１例えは、一般式 （式中、２はＮｏ　　ＣＮ、Ｃｔ、Ｂｒ、Ｈ，ＣＨ５，
ＯＣＨ３゜０Ｃ２Ｈ５，０Ｈ１−Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２を表
わす。）で表わされる化合物の如きアゾ顔料；一般式ア
ルキル基を表わし、Ｒ９はフェニル基、ｆｆ１ｉ、換フ
ェニル基を表わし、Ｘ及びＹは各々独立的ＩＣＮｏ２、
ＣＮ、　Ｈ，ＣＨ，、ＯＣＨ３，ＱＣ２Ｈ５，０１（、
ＣＬ、Ｂｒ、　−Ｎ（ｃ２）Ｌ５）２を表わす。） で表わされる化合物の如きジスアゾ顔料が挙げられる。

キノン系顔料としては１例えは、ア／トアントロン、ヒ
ランスロン、ジベンズピレンキノン、ピレンキノン、　
３．４．９．１０−ジベンズピレンキノン。

臭素化アントアントロン、臭素化ジベンズピレンキノン
、臭素化ピランスロン、アントラキノンチアゾール、フ
ラパンスロン等が挙ケラれる。

ビリリウム系顔料としては、例えば、一般式Ｒ−ＮＨ−
Ｃ−ＣＨ−を表わし　１７及びＲ８は低級（式中、　Ｒ
”、　Ｒｂ、　Ｒｃ、　Ｒｄ及ヒｎ”　Ｒ各＆ｆｉ立的
に水素原子、炭素原子数１〜１５の脂肪族基又は芳香族
基を表わし、更に、Ｒ＆と妙の対及びＨｄとＲｅの対は
、協同してヒリリューム核を形成する閉壊し九アリール
項を形成するに必要な原子群を表わす。Ｘは、イオウ、
酸素又はセレンを表わし、２は陰イオン官能基を表わす
。） で表わされる化合物等が挙げられる。

シアニン系顔料としては５例えは、−数式は水素原子、
メチル基、エチル基を表わす。）で表わされる化合物等
が挙げられる。

ペリレン系顔料としては１例えは、−数式（式中、Ｒは
メチル基、エチル基又はアリル基を表わし、ＸはＣＬ、
　Ｂｒ、　Ｉを表わし、Ｙ及び２は各々独立的に酸素、
イオウ又はセレンを表わし、Ａは ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝　を表わし、Ｑ
（式中、Ｑはアルキル基、アリル基、アルキルアリル基
、アルコキシル基、複素環置換基又はハロゲン原子を表
わす。） で表わされる化合物及び−数式 （式中、２はＣｔ又はメトキシ基である。）で表わされ
る化合物等が挙げられる。

インジゴ系顔料としては、例えば、−数式又は−数式 υ 又は−数式 （式中、Ｒはアルキル基、アリール基、アミン基又はハ
ロゲン原子を表わし、Ｘ及びＹは、各々独立的ＫＮＨ，
Ｏ，Ｓ、　８・又はＴ・を表わす。）で表わされる化合
物等が挙げられる。

ビスペンシイミダゾール系顔料としては１例え（式中、
Ｒ９及びＲ１０は、各々独立的に置換されていてもよい
アルキル基、置換されていてもよいアリール基、ハロゲ
ン原子、ニトロ基又はアミン基を表わし、更に碩ンゼン
項と共に組合壌を形成してもよい。） で表わされる化合物、　１．４．５．８−テトラカルが
ン酸す７タリ／とへテロ環ジアミンとの反応によって得
られるヘテロ環を有する化合物等が挙げられる。

フタロシアニン系顔料としては１例えば、一般式（式中
、　ｘ、、　ｘ２．　ｘ、及びＸ４　は各々独立的に・
・ログン原子、ニトロ基、アミン基、アルキル基又はア
リール基を表わし、ｎ、ｍ、Ｌ及びｋは各々独立的に０
〜４の整数を表わし１Ｍは、水素原子、ナトリウム、カ
リウム、銅、鉄、ベリリウム、マグネシウム、カルシウ
ム、亜鉛、カドミウム、バリウム、水銀、アルミニウム
、インジウム、ランタン、ネオジム、サマリウム、ユー
ロピウム、カドミウム、ジスプロシウム、ホルミウム、
エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテニウム、
チタン、スズ、ハフニウム、鉛、トリウム、バナジウム
、アンチモン、クロム、モリブデン、ウラン、マンがン
、鉄、コバルト、ニッケル、ロジウム、パラジウム、オ
ヌミウム、白金及びこれらの酸化物を表わし、Ｘは０〜
２の整数を表わす。）で表わされる化合物等が挙げられ
る。

キナクリドン系顔料としては１例えば、−数式で表わさ
れる化合物又はメチル基もしくは塩素原子で置換された
上記化合物等が挙げられる。

キノリン系顔料としては１例えば、−数式（式中、Ｘは
Ｉ又はＢｒを表わし、Ｑはキノリン環を表わし、ｎは０
〜３の整数を表わす。）で表わされる化合物等が挙げら
れる。

電荷輸送剤としては、例えば、４−ジメチルアミノ−ぺ
／ジリデンーイソニコチン酸ヒドラジド、アントラセン
−９−アルデヒド−フェニル酢酸−ヒドラシンの如きヒ
ドラゾン系化合物；１−フェニル−５−（ｐ−メトキシ
スチル）−５−（ｐ−メトキシフェニル）−ピラゾリン
の如きピラゾリン！化合物；　２，５−ビス−（ｐ−ア
ミノ−フェニル−（１）　）　−１，３，４−オキサジ
アゾールの如きオキサジアゾール系化合物；　２−　（
４’−ジメチル−アミノフェニル）−ベンゾオキサゾー
ルの如きオキサゾール系化合物の他、トリフェニルアミ
ン系化合物、トリフェニルメタン系化合物及びポリビ二
ルカルノ！ゾール、ポリシラン化合物の如き高分子半導
体等が挙げられるが、特にポリシラン化合物が好ましい
。

ポリシラン化合物としては、−数式 （式中、Ｒ、Ｒ，Ｒ、Ｒ，Ｒ及びＲは各々狐立的にアル
キル基、アリール基、置換アルキル基、置換アリール基
及びアルコキシル基を表わし１ｍ、ｎ及びｐは化合物中
の七ツマーユニットの割合を表わす数である。） で表わされる化合物が挙げられる。

上記−数式で表わされるポリシラン化合物の具体例とし
ては、ポリ（メチルフェニルシラン）。

ポリ（メチルフェニルシリレンーコージメチルシラン）
、／す（シクロヘキシルメチルシラン）、ポリ（ターシ
ャリ−ブチルメチルシラン）、ポリ（フェニルエチルシ
ラン）、ポリ（ｎ−プロピルメチルシラン）、ポリ（ｐ
−トリルメチルシラン）。

ポリ（シクロトリメチレンシラン）、Ｉす（シクロテト
ラメチレンシラン）、ポリ（シクロペンタメチレンシラ
ン）、ポリ（ジーｔ−プチルーコージメチルシラン）、
ポリ（ジフェニルーコーフェニルメチルシラン）、ポリ
（シアノエチルメチルシラン）、ポリ（２−アセトキシ
エテルメチルシラン）、ポリ（２−カルデメトキシエチ
ルメチルシラン）、ポリ（フェニルメチルシラン）等が
挙げられる。

ポリシラン化合物は１例えば、ジノ・ログノシラン、ジ
ハロｒノジシラン又はジハロゲノトリシランを、ナトリ
ウム、リチウム、マグネシウムの如き金属又は合金と反
応させて、脱ハロゲン重縮合唱せることによって製造す
ることができる。

ポリシラン化合物の分子量は、３００，０００〜１．０
００，０００の範囲が好ましい。

有機光導電体層を形成する任意成分として、樹脂バイン
ダーが挙げられる。樹脂バインダーとしては１例えば、
ポリエステル、ポリビニルブチラール、ポリビニルカル
バゾール、ポリカー？ネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
ヒドロキシエーテル樹脂等が挙げられる。

機能分離型の電荷発生層を形成する任意成分として１色
素増感剤あるいは化学増感剤を用いることができる。

色素増感剤としては１例えは、マラカイトグリーン、ク
リスタルバイオレット、メチルバイオレット、ナイトブ
ルー　ビクトリアブルー　ローダミンＢ、カブリブルー
　メチレンブルー　フクシン、ローズペ／ガル、ポリメ
チン色素、チオキサンチン系顔料等が挙げられる。

化学増感剤としては１例えば、ｐ−ベンゾキノン、２．
５−’）クロルベンゾキノン、ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸ジアンハイドライド、２．６−ジクロルベンゾ
キノン、クロルアニル、ナフトキノン−（１，４）　、
　２．３−ジクロルナフトキノン−（１，４）　、アン
トラキノン、２−メチルアントラキノン、１．４−ジメ
チル−アントラキノン、１−クロルアントラキノン、ア
ントラキノン−２−カルがン酸、１．５−ジクロルアン
トラキノン、１−３ｔ　ＯＡ／　−４−ニトロアントラ
キノン、フェナントレン−キノン、アセナフテンキノン
、ピラントレンキノン、クリセン−キノン、チオ−、ナ
フテン−キノン、アントラキノン−１，８−ジスルホン
酸及びアントラキノン−２−アルデヒドの如きキノン類
；ドリフタロイル−ベンゼン、４−ニトロペンジアルデ
ヒド、２．６−シクロルベンズアルテヒド。

２−エトキシ−１−ナフトアルテヒド、アントラセン−
９−フルテヒド、ピレン−３−アルデヒドオキシインド
ール−３−アルテヒド、ピリジン−２，６−ジアルデヒ
ド、ビフェニル−４−アルデヒドの如きアルテヒド類；
例えＦｉ４−クロル−３−二トロベンゼンーフオスホニ
ツクアシク）”　Ｃ）　如Ｐｉ有機７オスホニツクアシ
ツド類：例えば４−ニトロフェノールの如きニトロフェ
ノール類；ピクリン酸；例えば無水酢酸、無水コ・・り
酸、無水マレイン酸、無水７タール酸、無水テトラクロ
ルフタル酸、ピレン−３，４，９，１０−テトラカルボ
ン酸及びクリセン−２，３，８，９−無水テトラカルが
ン酸の如き無水酸類；周期律表のＩＢ、ｎ族乃至■族の
金属及びメタロイドのノ・ログン化金属例えば塩化アル
ミニウム、塩化亜鉛、塩化第二鉄、四塩化錫。

（塩化第二錫）、三塩化砒素、塩化第一錫、五塩化アン
チモン、塩化マグネシウム、臭化マグネシウム、臭化カ
ルシウム、沃化カルシウム、臭化ストロンチウム、臭化
クローム、塩化第一マンガン、塩化第一コバルト、塩化
第二コバルト、臭化第二銅、塩化セリウム、塩化トリウ
ム、三沢化砒素；例えば三弗化ホウ素及び三塩化ホウ素
の如きノ・ロダン化ホウ素化合物；例えばアセトフ二ノ
ン、ベンゾフェノン、２−７セチルーナフタリン、ベン
ジル、ペンゾイシ、５−ベンゾイルーアセナフテン、９
−７セチルーアントラセン、９−ベンゾイル−アントラ
セン、４−（４−ジメチルアミノ−シナモイル）−１−
アセチルベンゼン、アセトアセチックアシッド−アニリ
ド、インダンジオン−（１，３）、（１−３−ジケト−
ヒドロキノン）。

アセナフテンキノン−ジクロライド、アニシル、２．２
−ピリジル及びフリルの如きケトン類等が挙げられる。

有機光導電体層の厚さは、任意の厚さであり得るが、単
層型の場合、０．１〜１０μｍの範囲が好ましい。機能
分離型の場合、電荷発生層の厚さは、０５０１〜０．５
μｍの範囲が好ましく、電荷輸送層の厚さは、０．１〜
ｌＯμｍの範囲が好ましい。

本発明のイメージセンサの製造方法としては、ガラス、
セラミック％ポリエチレンなどの基板に、スパッタリン
グ、蒸着等の方法によシ、アルミニウム、クロム、ニッ
ケル等の金属薄膜を形成した裏面金属電極上に、上記有
機光導電体層を形成し。

更に有機光導電体層上に、スパッタリング、蒸着等の方
法によｆｉ、ＩＴｏ、ｒＲ化インジウム、酸化スズ等の
金属酸化物の透明薄膜から成る表面金属電極を形成する
方法が挙げられる。

（作用） 第１図忙おいて、有機光導電体層（２）と透明な表面金
属電極（３）及び裏面電極（４）とは、各々シｌットキ
ー接合をし１両電極間に電圧印加し九際に生じる暗電流
を押さえている・ 第２図は、本発明のイメージセンサの光電変換部を表面
電極（３）側から見た平面図であり、１列に配列された
複数のビットのうち、４ビツト（ｋｌ〜に４）のみを示
したものである。

このように構成した密着型イメージセンサにおいて、原
稿の読取画像面で反射した光源からの光は、透明金属電
極（３）を通って、有機光導電体層（２）中の電荷発生
剤に吸収され、電荷担体を発生させる。従って、各ビッ
トを構成する表面金属電極（３）と裏面金属電極（４）
とを結線し、５ｖ程度の低電圧を印加しておけば、各ビ
ットには原稿画像の対応する画素ビットの情報に応じ九
電流が流れるので、これらを画像信号として取シ出すこ
とができる。

暗電流低減のため、電極と有機光導電体層との間をブロ
ッキング接触の形にしており、その結果。

１ピ２）当りの光電流が小さく、信号の検出方法として
は、蓄積型が好ましい。なお１．［動方式としては、直
接駆動型又はマトリックス駆動型が好ましい。

（実施例） 実施例１ ガラス基体（１）上に、第２図に示したノナターンのア
ルミニウム製の裏面金属電極（４）を蒸着法によ？）　
３００　ｎｍの厚さに形成し念。次に、ポリビニルブチ
ラール樹脂（種水化学社製「エスレツクＢＢＨ−３Ｊ）
１重量部、式 で表わされるベンジジン系ジスアゾ顔料２重量部とをジ
オキサ７８０重量部及びアセトン２０重量部から成る混
合溶剤に分散させ、この分散液を用いて前記電極（４）
上に乾燥ｍ膜厚０．１μｍとなるように！１１布、乾燥
させて電荷発生Ｎ（５）を形成した。

更に、ポリ（メチルフェニルシラン）（分子量１９０．
０００）１０重量部、トルエン６０重量部、ナト２ヒド
ロフ２フ３０重量部から成る溶液を前記電荷発生層（５
）上に塗布、乾燥させて電荷輸送層（６）を形成するこ
とにより、厚さ１μｍの有機光導電体層（２）を形成し
た。

次に、前記有機光導電体層（２）上Ｋ、スパッタリング
法により１５０　ｎｍの厚さＫ　ＩＴＯを形成して。

表面金１４１！極（３）を形成して、受光部を得た。

このようにして得られた層構造を有する受光部を蓄積型
の読出回路に組み込んで密着型イメージセンサを製造し
、その性能を評価した。その結果、緑色ＧａＰＩＪＤを
光源とし、１００ルツクスの光を照。

射した時に、光応答速度１００μ秒、光電流１ｎＡ／ビ
ット、Ｉｊｌｌ暗電流比１０５を得、Ａ４判の原稿を１
０秒（５ミリ秒／ライン）で読み取ることができた。

実施例２ 実施例１と同様にしてアルミニウム製の裏面金属電極（
４）を得た。次に、α型チタニル７タロシアニン１重量
部を塩化タデレフ４０重量部、　１．１．２−トリク四
ロエタン６０重量部から成る混合溶剤に分散し、この分
散液１重量部とポリ（メチルフェニル−１−コーゾメチ
ルシラン）（分子量９００．０００）１０重量部、トル
エン６０重量部及びテトラヒドロ７ラン４０重量部から
成る溶液１重量部をよく混合し、前記電極（４）上に乾
燥塗膜厚１μｍとなるように塗装、乾燥させて有機光導
電体層（２）を形成した。

更に、前記有機光導電体層（２）上に、スパッタリング
法によ’）　１５０　ｎｍの厚さＫ　ＩＴＯを形成して
、表面金属電極（３）を形成して、受光部を得た。

このようにして得られた層構造を有する受光部を１発光
波長５７０　ｎｍのＬＥＤを光源とする蓄積型の読出回
路に組み込んで密着型イメージセンサを製造し、その性
能を評価した。その結果、１００ルツクスの光を照射し
た時に、光応答速度１００μ秒、光電流１ｎＡ／ピッ）
、Ｆ！Ａ暗電流比ＩＯを得、Ａ４判の原稿を１０秒（５
ミリ秒／ライン）で読み取ることができた。

（発明の効果） 本発明によれば、光電変換部を有機光導電体を用いて構
成しているので、安価でしかも大面積のイメージセンサ
を作製することができる。すなわち、有機光導電体は、
無機光導電体と違って、塗布によって成膜でき、柔軟性
に富むので基体を自由に遺ぶことができるので、安価な
イメージセンサを得ることができる。そして、Ｉｋ布に
よって。

長尺、あるいは広面積の均一な有機光導電体の層を簡単
に形成できるので、長尺−次元あるいは広面積二次元の
密着型イメージセンサを容易に作成することができる。

また１本発明によれば１色素の添加によってカラーセン
サへの展開を容易に行なうことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は１本発明による密着型イメージセンサの断面図
であシ、第２図はその平面図であり、第３図〜第５図は
有機光導電体層の構成例である。 １・・・基体、２・・・有機光導電体層、３・・・表面
金属電極、４・・・裏面金属電極、５，９・・・電荷発
生層、７・・・電荷発生剤、６．１０・・・電荷輸送層
、８・・・電荷輸送剤。 第 第 図 図 第 第 第 図 図 図 手　続　補　正　書（自発） 平成１年３月誹己日 特許庁長官　吉　１）文　毅　殿 １、事件の表示 昭和６３年特許願第３０８８４０号 −１発明の名称 イメージセンサ ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 〒１７４　　東京都板橋区坂下三丁目３５番５８号（２
８８）大日本インキ化学工業株式会社代表者　　川　　
村　　茂　　邦 ４、代理人 〒１０３　　東京都中央区日本橋三丁目７番２０号１正
の対象 ６、補正の内容 （１）明細書第３頁第２行目における ｒ　Ｃａ５−ＣｄＳｅ、　Ｊ　ヲ ｒ　Ｃｄ５−ＣｄＳｅ　、　Ｊに 補正す゛る。 （２）　　明細書第４頁第１１行目〜第１３行目におけ
る 「アズレニウム顔料・・・シアニン系顔料」を「アズレ
ニウム染料、スフウニアリウム系染料、ピリリウム系染
料、シアニン系染料」に補正する。 （３）　　明細書第６頁第２行目〜第４行目における「
Ｘ及びＹは・・・を表わす。」を 「ＸはＮＯ２，ＣＮ　、　Ｈ、ＣＨ，、ＯＣＨ３，ＱＣ
２Ｈ５，Ｏｆ（。 ＣＬ　＋　Ｂｒ　ｅ　−Ｎ（Ｃ２Ｈ５）　２を表わし、
ＹはＯＨを表わす。」に 補正する。 （４）　明細書第７頁第２行目における「ヒリリーーム
核」を 「ピリリウム核」に 補正する。 （５）　　明細書第７頁第７行目における「シアニン系
顔料」を 「シアニン系染料」に 補正する。 （６）明Ｍ書第８頁第６行目〜第７行目における「複素
環置換基又はハロダン原子」を 「置換基を有する複素環」に 補正する。 （７）明細書第１Ｏ頁最下行の構造式を「 に補正する。 （８）明細書筒１．３頁第１４行目〜第１５行目におけ
る 「ポリ（メチルフェニルシリレンーコージメチルシラン
）」を 「ポリ（メチルフェニルーコージメチルシラン）」に 補正する。 （９）　　明細書筒１４頁躯１７行目〜第１８行目にお
ける ｒ　３００，０００〜１，０００，０００Ｊをｒ　５０
，０００〜２，０００，０００　Ｊに補正する。 ０１　　明細書＠２０頁第１０行目における「ベンジジ
ン系」を 「スチルベン系」忙 補正する。 ａυ　明細書第２０頁第１６行目におけるｒ１９０，０
ＯＯＪを ｒ　７０，０００　Ｊに 補正する。 αの　明細書第２２頁第１行目〜第４行目における 「ポリ（メチルフェニル−１−コージメ￥ルシラン）・
・・４０重量部」を 「ポリ（メチルフェニルーコージメチルシラン）（分子
量５００，０００）１０重量部、トルエン６０重量部及
びテトラヒドロフラン３０重量部Ｊに 補正する。 以上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、有機光導電体層と、該層の上下に積層された表面金
   属電極と裏面金属電極とを有し、前記有機光導電体層が
   電荷発生剤と電荷輸送剤とを含有することを特徴とする
   イメージセンサ。 ２、電荷輸送剤がポリシラン化合物である請求項１記載
   のイメージセンサ。 ３、ポリシラン化合物が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３、Ｒ＾４、Ｒ＾５及び
   Ｒ＾６は各々独立的にアルキル基、アリール基、置換ア
   ルキル基、置換アリール基及びアルコキシル基を表わし
   、ｍ、ｎ及びｐは化合物中のモノマーユニツトの割合を
   表わす数である。） で表わされる化合物である請求項２記載のイメージセン
   サ。