JPH0215546A - 電子ビームパターン欠陥検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野」 この発明は、集束電子ビームによる、微細パターンの欠
陥検査装置に関するものであシ、特ＫＸ線マスク等の薄
膜構造の試料を検査する装置に関するものである。

〔従来の技術Ｊ 第２図は例えば、特開昭６１−２００４１５に示された
従来のパターン欠陥検査装置を示す模式断面図である。

図において（１）は電子銃、（２）は加速！極、（３）
は集束レンズ、（４）は偏向！極、（５）は対物レンズ
、（６）は検出器、（７）は試料ステージ、（８）は検
査される試料、（９）は真空試料室、（５）は走査信号
発生回路（１６）はステージ駆動回路、（１７）は欠陥
検出回路である。

次に動作について説明する。電子銃α）より発せられた
電子は、加速電極（２）によって加速され、集束レンズ
（３）、対物レンズ（５）によって集束ビームとなシ、
試料ステージ（７）上に載置された試料（８）上のパタ
ーンに照射される。入射電子ビームを試料（８）上に照
射することによって発生する反射電子、二次電子を検出
する検出器（６）からの信号を基に、欠陥検出回路（１
７）がパターンの種類、精度等によって、各種のア／Ｉ
／：ｒ′リズムによシ欠陥を検出する。ステージ駆動回
路（１６）は、欠陥検査領域に合わせて試料ステージ（
７）上の試料を移動させる。

〔発明が解決しようとする課題］ 従来の電子ビームパターン欠陥検査装置は、以上のよう
に構成されておｌＸ線マスクのような絶縁薄膜基板上の
パターンを検査する場合、電子の電荷による帯電現象を
引き起こす。この帯電の電界によシ後続の電子ビームの
軌道が曲げられ、日差す箇所に集束電子ビームが照射で
きないという問題点かあυ、その対策が必要であった。

この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、電子ビームによって絶縁薄膜基板上のパタ
ーンを検査する際に、発生する帯電現象を緩和し、微細
パターンの検査ｗＩ度の向上ができる電子ビームパター
ン欠陥検査装置を得ることを目的とする。

〔課題を解決するための手段」 この発明に係る電子ビームパターン欠陥検査装置は、従
来の電子ビームパターン欠陥検査装置の試料ステージの
裏面側に、ガス供給源、イオン化室、加速部のイオン照
射部を備えたものである。

〔作用Ｊ この発明におけるイオン照射部よシ発せられた正イオン
は、ｗｉ膜絶縁基板の裏面側に照射され、検査グローブ
である電子ビームの照射によって誘起される帯電を緩和
する。

〔実施例」 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は電子ビームパターン欠陥検査装置の模式断面図であ
る。図においてα）〜（９）、（１５）〜（１７）は第
２図の従来例に示したものと同等であるので説明の重複
を避ける。（１１）はガス供給源、（１２）はイオン化
室、（１３）はイオンの加速部、（１４）はイオンシャ
ワ一部である。

次に動作について説明する。電子銃（１）よシ発せられ
た電子は加速電極（２）によって加速され、集束レンズ
（３）、対物レンズ（５）によって集束せられ、試料ス
テージ（７）上に載った試料特にＸ線マスク等の薄膜絶
縁基板である資料（８）に形成されているパターン表面
を照射する。その間走査信号発生回路（１５）によシ駆
動される偏向電極（４）によシ、電子ビームは、試料（
８）上のパターン表面を走査される。

電子ビームをパターン表面上に照射することによシ発生
する。反射電子は、検出器（６）Ｋよシ検出せられ、検
出信号は、欠陥検出回路（１７）によシ処理され、欠陥
位置、形状等が検出される。この一連の手順中、ガス供
給源（１１）よシ、供給されたガスは、イオン化！　（
１２）内でイオンにされる。イオンは、加速部（１３）
によシ加速されてイオンシャワー部（１４）内をシャワ
ー状に、試料（８）の裏面に照射される。試料（８）表
面に、電子ビームを照射した際誘起される帯電は、電子
ビームの加速電圧、試料（８）の材質等によって、正又
は負にもなシ得るので薄膜絶縁基板が負に帯電している
場合には、正イオンの々ワーを薄膜絶縁基板が、正に帯
電している場合には負イオンのシャワーを照射すること
によシ、帯電を緩和することができる。

試料（８）裏面からイオンを照射している理由は、イオ
ンをパターン表面から照射し九場合も、同様の効果が得
られるが、イオン照射によシ、試料（８）上のパターン
が変形を受けるためであシ、裏面から照射しても、Ｘ線
マスク等の薄膜絶縁膜上のパターンを検査する際発生す
る帯電を充分緩和することができる。

〔発明の効果Ｊ 以上のように、この発明によれば、電子ビームパターン
欠陥検査装置Ｋ、イオンシャワー照射部を設置し、被検
査試料の裏面から、イオンを照射するようにし九ので、
検査グローブである電子ビームによる帯電を緩和するこ
とができ、ビームが曲げられず精度の高い検査上するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の一実施例による電子ビームパター
ン欠陥検査装置の模式断面図、第２図は従来の電子ビー
ムパターン欠陥検査装置の模式断面図である。 図においてα）は電子銃、■）は加速電極、（３）は集
束レンズ、（４）は偏向電極、（５）は対物レンズ、（
６）は検出器、（７）は試料ステージ、（８）は試料、
（９）は真空材料室、（１１）はガス供給源、（１２）
はイオン化室、（１３）は加速部、（１４）はイオンシ
ャワ一部、（１５）は走査信号発生回路、（１６）はス
テージ駆動回路、（１７）は欠陥検出回路である。 なお、 図中、 同一符号は、 同−又は相当部分を 示す。 代 理 人 大 岩 増 雄 第１図 ！ Ｉ電り鵜 ２−述を極 ３　棗零しンに ４璃Ｉ′１を湯 ５、片オワ１シスＪ ｌ挾二呑 ７　ｐ＼行ステージ ｇ　ト＼糟 デ鳥【八ｐｒ１ １７グ人夙ノ七“疎 １２４オシ４乙糺 ！３が１Ｌ＃ ｌす、イオンシャワー音ｐ Ｉ５え衾４２号Ｊ！Ｌ支Ｃ口ｙろ一 ７ｔ、ステーレ９％Ｌ動回外 １７尺１１支二！］ｇ）− 第２図 ！ 手 続 補 正 食 （自発） ２、発明の名称 電子ビームパターン欠陥検査装置 ３、補正をする者 代表者 士 Ｉじ１ 岐 守 哉 ４、代 理 人 ／で−ニ ５、　補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄。 ６、　補正の内容 ＋１）明細書の第２頁第７行に「（５）は走査信号発生
回路」とあるのを「αりは走査信号発生回路」に訂正す
る。 以　　上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 走査用偏向電極又はコイル、これらの電極又はコイルを
   駆動する走査信号発生回路、反射電子又は二次電子検出
   器、これらの検出器につながれた欠陥検出回路、位置検
   出機構とを備えたステージ駆動回路及び真空試料室とを
   備えた、電子ビームパターン欠陥検査装置に、ガス供給
   源・イオン化室・加速部等を含むイオン照射装置を、上
   記試料ステージの下部に設置し、試料の裏面からイオン
   をシャワー状に照射するようにしたことを特徴とする電
   子ビームパターン欠陥検査装置。