JPH02156083A - スパッタ装置 - Google Patents
スパッタ装置Info
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- JPH02156083A JPH02156083A JP31138088A JP31138088A JPH02156083A JP H02156083 A JPH02156083 A JP H02156083A JP 31138088 A JP31138088 A JP 31138088A JP 31138088 A JP31138088 A JP 31138088A JP H02156083 A JPH02156083 A JP H02156083A
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、高周波スパッタ装置に関する。
（従来の技術）
薄膜形成に用いられる高周波スパッタ装置においては、
アルゴン等の希ガスを収容した真空容器内に、基板ホル
ダに支持された被処理物たる基板と薄膜物質のターゲッ
トとが対向配置される。そして、真空容器はゼロ電位に
され、ターゲットには高圧の高周波電圧（ＲＦ電圧）が
印加される。
アルゴン等の希ガスを収容した真空容器内に、基板ホル
ダに支持された被処理物たる基板と薄膜物質のターゲッ
トとが対向配置される。そして、真空容器はゼロ電位に
され、ターゲットには高圧の高周波電圧（ＲＦ電圧）が
印加される。
通常、工業用加熱電源用周波数１３．５６ＭＨｚが印加
電圧の周波数として使用される。真空容器と基板ホルダ
間には、数１００ｐＦ程度のストレーキャパシタが存在
する。このストレーキャパシタの上記周波数に対するイ
ンピーダンスは数１０Ω程度であるから、真空容器と基
板ホルダ及び基板とは実質的に短絡され同じゼロ電位に
あるとみなして差支えない。この真空容器、基板ホルダ
及び基板はアース電極と呼ばれる。
電圧の周波数として使用される。真空容器と基板ホルダ
間には、数１００ｐＦ程度のストレーキャパシタが存在
する。このストレーキャパシタの上記周波数に対するイ
ンピーダンスは数１０Ω程度であるから、真空容器と基
板ホルダ及び基板とは実質的に短絡され同じゼロ電位に
あるとみなして差支えない。この真空容器、基板ホルダ
及び基板はアース電極と呼ばれる。
高周波電圧の極性の切替わりに応じて、アース電極とタ
ーゲットとは交互に陰極となり、また陽極となる。この
両電極間でグロー放電が生じ、希ガスをプラズマ化する
。このプラズマのイオンがターゲットが陰極時にターゲ
ットに衝突することによりスパッタ処理が行われる。
ーゲットとは交互に陰極となり、また陽極となる。この
両電極間でグロー放電が生じ、希ガスをプラズマ化する
。このプラズマのイオンがターゲットが陰極時にターゲ
ットに衝突することによりスパッタ処理が行われる。
プラズマからの陰極に対する照射光量とターゲットへの
印加電圧レベルとに比例して放電電流の大きさが定まる
。その場合、アース電極（真空容器および基板）の方が
ターゲットより面積が大きいから照射光量が多い。この
アース電極とターゲットとの面積の相違に起因する照射
光量の違いにより、整流作用が生じてターゲットの陰極
時に放電電流がより多く流れようとする。一方、ブロッ
キングコンデンサが放電電流の直流成分をブロックする
ため、アース電極が陰極時の放電電流とターゲットが陰
極時の放電電流とは同量にされる。
印加電圧レベルとに比例して放電電流の大きさが定まる
。その場合、アース電極（真空容器および基板）の方が
ターゲットより面積が大きいから照射光量が多い。この
アース電極とターゲットとの面積の相違に起因する照射
光量の違いにより、整流作用が生じてターゲットの陰極
時に放電電流がより多く流れようとする。一方、ブロッ
キングコンデンサが放電電流の直流成分をブロックする
ため、アース電極が陰極時の放電電流とターゲットが陰
極時の放電電流とは同量にされる。
そのため、ターゲットへの印加電圧のピーク値は、ター
ゲットが陰極の時に高く、アース電極が陰極の時に低く
なるようにマイナス側へ偏る。従って、ターゲットが陰
極である時の放電の消費電力は大きく、逆にアース電極
が陰極である時の消費電力は小さい。
ゲットが陰極の時に高く、アース電極が陰極の時に低く
なるようにマイナス側へ偏る。従って、ターゲットが陰
極である時の放電の消費電力は大きく、逆にアース電極
が陰極である時の消費電力は小さい。
このようなグロー放電中に、何らかの原因によりアーク
放電が発生することがある。アーク放電は陰極からの熱
電子放出であり、これは陰極から出る火花として視覚的
に観測される。このアーク放電の発生を最少限とするた
めに、アークカット回路が従来から知られている。アー
クカット回路は、グロー放電中の消費電力の変化からア
ーク放電の発生を検出して、高周波電圧の供給を一瞬断
つものである。上述のようにターゲットが陰極の時のグ
ロー放電の消費電力は比較的大きいから、この時のアー
ク放電の発生は顕著な消費電力の変化を生じさせる。従
って、ターゲットから発生するアーク放電はアークカッ
ト回路により容易に検出されてカットされる。しかし、
アース電極が陰極の時のアーク放電の発生は、顕著な消
費電力の変化を生じさせない。そのため、アース電極か
ら発生するアーク放電はアークカット回路には検出され
難くカットが困難である。
放電が発生することがある。アーク放電は陰極からの熱
電子放出であり、これは陰極から出る火花として視覚的
に観測される。このアーク放電の発生を最少限とするた
めに、アークカット回路が従来から知られている。アー
クカット回路は、グロー放電中の消費電力の変化からア
ーク放電の発生を検出して、高周波電圧の供給を一瞬断
つものである。上述のようにターゲットが陰極の時のグ
ロー放電の消費電力は比較的大きいから、この時のアー
ク放電の発生は顕著な消費電力の変化を生じさせる。従
って、ターゲットから発生するアーク放電はアークカッ
ト回路により容易に検出されてカットされる。しかし、
アース電極が陰極の時のアーク放電の発生は、顕著な消
費電力の変化を生じさせない。そのため、アース電極か
ら発生するアーク放電はアークカット回路には検出され
難くカットが困難である。
（発明が解決しようとする課題）
上述のように、アース電極から生じるアーク放電はアー
クカットロ路によりカットすることが困難である。アー
ス電極のうち、特に基板でアーク放電が生じた場合、基
板はアーク放電の箇所で破壊されてしまう。また、アー
ス電極のうち、基板ホルダの基板固定用治具等でアーク
放電が生じた場合、そのアーク放電箇所からの噴出物が
基板表面の被膜に付着してこれを台無しにしてしまう。
クカットロ路によりカットすることが困難である。アー
ス電極のうち、特に基板でアーク放電が生じた場合、基
板はアーク放電の箇所で破壊されてしまう。また、アー
ス電極のうち、基板ホルダの基板固定用治具等でアーク
放電が生じた場合、そのアーク放電箇所からの噴出物が
基板表面の被膜に付着してこれを台無しにしてしまう。
また、アーク放電がなく正常にスパッタ処理が行われて
いる時にも、従来の高周波スパッタには次のようないく
つかの問題点が存在する。上述のように放電電流はター
ゲットとアース電極との間を双方向に流れるから、基板
にも高周波電流が流れる。この基板に流れる電流により
基板が発熱し、基板温度の制御を困難にする。また、ア
ース電極に向かって放電電流が流れる時、ターゲットの
スパッタ蒸発は生じないから、この時の消費電力は無駄
な電力である。さらに、このアース電極に向かう放電電
流によりアース電極のスパッタ蒸発が生じ、蒸発したア
ース電極物質が基板表面の被膜を汚染してしまう。
いる時にも、従来の高周波スパッタには次のようないく
つかの問題点が存在する。上述のように放電電流はター
ゲットとアース電極との間を双方向に流れるから、基板
にも高周波電流が流れる。この基板に流れる電流により
基板が発熱し、基板温度の制御を困難にする。また、ア
ース電極に向かって放電電流が流れる時、ターゲットの
スパッタ蒸発は生じないから、この時の消費電力は無駄
な電力である。さらに、このアース電極に向かう放電電
流によりアース電極のスパッタ蒸発が生じ、蒸発したア
ース電極物質が基板表面の被膜を汚染してしまう。
従って、本発明の第１の目的は、基板および基板ホルダ
から発生するアーク放電を有効に防止することにある。
から発生するアーク放電を有効に防止することにある。
また、第２の目的は、基板に流れる高周波電流を低減し
、基板の温度制御を容易にし、さらには高温での処理に
適さない例えばプラスチックのような材料に対しても高
周波スッパタが適用できるようにすることにある。
、基板の温度制御を容易にし、さらには高温での処理に
適さない例えばプラスチックのような材料に対しても高
周波スッパタが適用できるようにすることにある。
第３の目的は、ターゲットのスパッタ蒸発に寄与しない
無駄な電力を出来るだけ少なくしてスツバタレートの向
上を図ることにある。
無駄な電力を出来るだけ少なくしてスツバタレートの向
上を図ることにある。
さらに、第４の目的は、アース電極のスパッタ蒸発を出
来るだけ無くし基板表面被膜の汚染を防止することにあ
る。
来るだけ無くし基板表面被膜の汚染を防止することにあ
る。
（課題を解決するための手段）
本発明は、高周波電源からの高周波電圧を、マツチング
ボックスを含む伝送路を介して、真空容器内に配された
ターゲットに印加して、真空容器内に配置されたホルダ
に支持された被処理物にスパッタ蒸着処理を施すものに
おいて、真空容器と被処理物を支持したホルダとの間に
、この両者間のストレーキャパシタと組合わされて高周
波電圧の周波数においてほぼ共振周波数ををする並列共
振回路を形成するインダクタが接続されているスパッタ
装置を提供する。
ボックスを含む伝送路を介して、真空容器内に配された
ターゲットに印加して、真空容器内に配置されたホルダ
に支持された被処理物にスパッタ蒸着処理を施すものに
おいて、真空容器と被処理物を支持したホルダとの間に
、この両者間のストレーキャパシタと組合わされて高周
波電圧の周波数においてほぼ共振周波数ををする並列共
振回路を形成するインダクタが接続されているスパッタ
装置を提供する。
更に、本発明は、上記要件に加えて、複数のターゲット
が真空容器内に配され、各ターゲットに互いに位相差を
有する高周波電圧が印加されるように、高周波電源また
は伝送路が構成されているスパッタ装置を提供する。
が真空容器内に配され、各ターゲットに互いに位相差を
有する高周波電圧が印加されるように、高周波電源また
は伝送路が構成されているスパッタ装置を提供する。
（作 用）
真空容器はゼロ電位にされ、ターゲットには高周波電圧
が印加される。真空容器とホルダ間のインダクタとスト
レーキャパシタからなる並列共振回路により、ホルダ及
び基板は高周波について真空容器から実質的に絶縁され
る。従って、基板及びホルダには高周波電流が殆ど流れ
なくなる。そのため、基板及びホルダからのアーク放電
の発生、および基板の発熱が低減する。
が印加される。真空容器とホルダ間のインダクタとスト
レーキャパシタからなる並列共振回路により、ホルダ及
び基板は高周波について真空容器から実質的に絶縁され
る。従って、基板及びホルダには高周波電流が殆ど流れ
なくなる。そのため、基板及びホルダからのアーク放電
の発生、および基板の発熱が低減する。
基板が真空容器から絶縁されたことにより、アース電極
の面積が減少するから、アース電極とターゲットとの面
積の相違に基づく整流比が悪化する。整流比の悪化は、
無駄な消費電力を増加させ、また真空容器からのアーク
放電の発生および真空容器のスパッタ蒸発による基板の
汚染の可能性を助長する。そこで、真空容器内に複数の
ターゲットを配し、それらの各々に対して互いに位相差
を有する高周波電圧を印加するようにすることが望まし
い。印加電圧の位相差によりターゲット相互間に電位差
が生じ、この電位差によりターゲット相互間にて放電が
生じ、ターゲットと真空容器間の放電は減少する。従っ
て、真空容器に流れる高周波電流が減少するため、整流
比の悪化の影響が減少する。つまり、無駄な消費電力が
少なくなり、また真空容器からのアーク放電の発生およ
び真空容器のスパッタ蒸発が抑制される。
の面積が減少するから、アース電極とターゲットとの面
積の相違に基づく整流比が悪化する。整流比の悪化は、
無駄な消費電力を増加させ、また真空容器からのアーク
放電の発生および真空容器のスパッタ蒸発による基板の
汚染の可能性を助長する。そこで、真空容器内に複数の
ターゲットを配し、それらの各々に対して互いに位相差
を有する高周波電圧を印加するようにすることが望まし
い。印加電圧の位相差によりターゲット相互間に電位差
が生じ、この電位差によりターゲット相互間にて放電が
生じ、ターゲットと真空容器間の放電は減少する。従っ
て、真空容器に流れる高周波電流が減少するため、整流
比の悪化の影響が減少する。つまり、無駄な消費電力が
少なくなり、また真空容器からのアーク放電の発生およ
び真空容器のスパッタ蒸発が抑制される。
（実施例）
以下、実施例により説明する。
第１図は、本発明に係るスパッタ装置の一実施例の構成
を示す。
を示す。
同図において、１は真空容器であり、この容器１にはガ
ス注入口１２および排気口１３が設けられており、真空
容器１内部は所定のガスがほぼ真空に近い状態で収容さ
れている。この真空容器内１には絶縁物２を介して基板
ホルダ３が設置されており、この基板ホルダ３に被処理
物たる基板４が取付けられている。また、真空容器１内
には、絶縁物５１．５２を介して２つのターゲットホル
ダ６１．６２が並設されており、このターゲットホルダ
６１．６２に２つのスパッタガンのターゲットＴＩ、Ｔ
２が取付けられている。これらターゲットＴＩ、Ｔ２と
基板４とは対向するように配置されている。また、ター
ゲットＴＩ、Ｔ２は、相互間でグロー放電が良好に生じ
るような距離間隔で配置されている。
ス注入口１２および排気口１３が設けられており、真空
容器１内部は所定のガスがほぼ真空に近い状態で収容さ
れている。この真空容器内１には絶縁物２を介して基板
ホルダ３が設置されており、この基板ホルダ３に被処理
物たる基板４が取付けられている。また、真空容器１内
には、絶縁物５１．５２を介して２つのターゲットホル
ダ６１．６２が並設されており、このターゲットホルダ
６１．６２に２つのスパッタガンのターゲットＴＩ、Ｔ
２が取付けられている。これらターゲットＴＩ、Ｔ２と
基板４とは対向するように配置されている。また、ター
ゲットＴＩ、Ｔ２は、相互間でグロー放電が良好に生じ
るような距離間隔で配置されている。
基板ホルダ３と真空容器１間には、半固定のインダクタ
Ｌが接続されている。このインダクタＬは、基板ホルダ
３と真空容器１間のストレーキャパシタＣ（通常、数１
００ｐ程度）と組合さって並列共振回路を構成する。こ
の並列共振回路の共振周波数がターゲットＴＩ、Ｔ２へ
の印加電圧の周波数（工業用加熱用電源周波数１３．５
６ＭＨｚ）と一致するよう、半固定インダクタＬのイン
ダクタンスが調整される。
Ｌが接続されている。このインダクタＬは、基板ホルダ
３と真空容器１間のストレーキャパシタＣ（通常、数１
００ｐ程度）と組合さって並列共振回路を構成する。こ
の並列共振回路の共振周波数がターゲットＴＩ、Ｔ２へ
の印加電圧の周波数（工業用加熱用電源周波数１３．５
６ＭＨｚ）と一致するよう、半固定インダクタＬのイン
ダクタンスが調整される。
真空容器１はゼロ電位にされる。ターゲットＴＩ、Ｔ２
には、高周波電圧発生器Ｏ８Ｃから工業用加熱用電源周
波数１３．５６ＭＨｚの高周波電圧が印加される。高周
波電圧発生器Ｏ８ＣとターゲットＴＩ、Ｔ２間の伝送路
は、電圧発生器Ｏ８Ｃ側から見て、ドライブケーブルＣ
Ｃ１、電圧増幅器ＰＡ、出カケ−プルＣＧ２、マツチン
グボックスＭＢ、及び高周波トランスＴｒを要素として
有する。ドライブケーブルＣＣ１は電圧増幅器ＰＡの入
力インピーダンスと等しい特性インピーダンスを有して
いる。電圧増幅器ＰＡは電圧発生器Ｏ８Ｃからの高周波
電圧を所望レベルの高電圧に増幅するもので、ゲイン調
整により印加電圧レベルを調節できる。マツチングボッ
クスＭＢは伝送路を送られてきた高周波電力を最大能率
でスパッタガンに印加するようにインピーダンスを整合
するためのマツチング回路を存し、マツチング回路は直
流電流をブロックするブロッキングコンデンサを含む。
には、高周波電圧発生器Ｏ８Ｃから工業用加熱用電源周
波数１３．５６ＭＨｚの高周波電圧が印加される。高周
波電圧発生器Ｏ８ＣとターゲットＴＩ、Ｔ２間の伝送路
は、電圧発生器Ｏ８Ｃ側から見て、ドライブケーブルＣ
Ｃ１、電圧増幅器ＰＡ、出カケ−プルＣＧ２、マツチン
グボックスＭＢ、及び高周波トランスＴｒを要素として
有する。ドライブケーブルＣＣ１は電圧増幅器ＰＡの入
力インピーダンスと等しい特性インピーダンスを有して
いる。電圧増幅器ＰＡは電圧発生器Ｏ８Ｃからの高周波
電圧を所望レベルの高電圧に増幅するもので、ゲイン調
整により印加電圧レベルを調節できる。マツチングボッ
クスＭＢは伝送路を送られてきた高周波電力を最大能率
でスパッタガンに印加するようにインピーダンスを整合
するためのマツチング回路を存し、マツチング回路は直
流電流をブロックするブロッキングコンデンサを含む。
トランスＴｒはバランとして機能するように構成され、
高周波電圧発生器Ｏ５Ｃからの単一の高周波電圧を１８
０度の位相差を持つ平衡２相の高周波電圧に変換してタ
ーゲットＴＩ。
高周波電圧発生器Ｏ５Ｃからの単一の高周波電圧を１８
０度の位相差を持つ平衡２相の高周波電圧に変換してタ
ーゲットＴＩ。
Ｔ２に分配する。
次に、作用を説明する。
高周波電圧発生器Ｏ８Ｃから出力された高周波電圧はト
ランスＴｒにより１８０度の位相差をもつ２つの高周波
電圧に変換され、この高周波電圧は夫々ターゲットＴｌ
、Ｔ２に印加される。この２つの高周波電圧の位相差に
起因するターゲットＴＩ、’ＴＩ間の電位差によって、
ターゲットＴＩ。
ランスＴｒにより１８０度の位相差をもつ２つの高周波
電圧に変換され、この高周波電圧は夫々ターゲットＴｌ
、Ｔ２に印加される。この２つの高周波電圧の位相差に
起因するターゲットＴＩ、’ＴＩ間の電位差によって、
ターゲットＴＩ。
１２間でグロー放電が発生しプラズマＰを形成する。放
電電流はプラズマＰを通して、ターゲットＴ１からター
ゲットＴ２へ、またその逆方向へと交互に流れ、ターゲ
ットＴＩ、Ｔ２にて交互にスパッタ蒸発が行われる。こ
うしてターゲットＴＩ。
電電流はプラズマＰを通して、ターゲットＴ１からター
ゲットＴ２へ、またその逆方向へと交互に流れ、ターゲ
ットＴＩ、Ｔ２にて交互にスパッタ蒸発が行われる。こ
うしてターゲットＴＩ。
１２間で盛んに放電が行われるの対し、ターゲットＴＩ
、Ｔ２と真空容器１間での放電は減少する。
、Ｔ２と真空容器１間での放電は減少する。
基板ホルダ３と真空容器１間のインダクタし及びストレ
ーキャパシタＣから成る並列共振回路は、印加高周波電
圧の周波数にほぼ共振点を有し、基板４及び基板ホルダ
３を真空容器１から実質的に絶縁する。そのため、ター
ゲットＴｌ、Ｔ２と基板４及び基板ホルダ３との間での
放電は殆ど生じない。
ーキャパシタＣから成る並列共振回路は、印加高周波電
圧の周波数にほぼ共振点を有し、基板４及び基板ホルダ
３を真空容器１から実質的に絶縁する。そのため、ター
ゲットＴｌ、Ｔ２と基板４及び基板ホルダ３との間での
放電は殆ど生じない。
このように、放電は主としてターゲットＴｌ。
１２間で発生し、ターゲットＴＩ、Ｔ２と真空容器１間
での放電は比較的少なく、ターゲットＴＩ。
での放電は比較的少なく、ターゲットＴＩ。
Ｔ２と基板４及び基板ホルダ３との間での放電は殆ど無
い。従って、真空容器１に流れる高周波電流は少なく、
また基板４及び基板ホルダ３を流れる高周波電流は殆ど
ゼロである。基板４及び基板ホルダ３を流れる電流が殆
どゼロとなる結果、基板４及び基板ホルダ３からのアー
ク放電の発生が有効に防止される。また、基板の発熱が
少なくなるため、基板の温度制御が容品になり、さらに
は、高温処理に不適な材料に対して高周波スパッタを適
用できる可能性が生じる。
い。従って、真空容器１に流れる高周波電流は少なく、
また基板４及び基板ホルダ３を流れる高周波電流は殆ど
ゼロである。基板４及び基板ホルダ３を流れる電流が殆
どゼロとなる結果、基板４及び基板ホルダ３からのアー
ク放電の発生が有効に防止される。また、基板の発熱が
少なくなるため、基板の温度制御が容品になり、さらに
は、高温処理に不適な材料に対して高周波スパッタを適
用できる可能性が生じる。
基板４が真空容器１から絶縁されてアース電極に含まれ
なくなった結果、アース電極とターゲットＴＩ、Ｔ２と
の面積比は、従来装置よりも低くなる。そのため、アー
ス電極（つまり真空容器１）とターゲットＴＩ、Ｔ２間
の放電の整流比が悪化する。整流比の悪化は、真空容器
とターゲット間で放電が行われた従来装置においては、
真空容器からのアーク放電の発生及び真空容器のスパッ
タ蒸発による基板の汚染を助長する。しかし、この実施
例では、放電は主としてターゲットＴｌ。
なくなった結果、アース電極とターゲットＴＩ、Ｔ２と
の面積比は、従来装置よりも低くなる。そのため、アー
ス電極（つまり真空容器１）とターゲットＴＩ、Ｔ２間
の放電の整流比が悪化する。整流比の悪化は、真空容器
とターゲット間で放電が行われた従来装置においては、
真空容器からのアーク放電の発生及び真空容器のスパッ
タ蒸発による基板の汚染を助長する。しかし、この実施
例では、放電は主としてターゲットＴｌ。
Ｔ２相互間で生じ、真空容器１に流れる高周波電流は少
ないため、整流比が悪化しても上記のような悪影響は生
じない。
ないため、整流比が悪化しても上記のような悪影響は生
じない。
尚、上記実施例ではターゲット数が２個であったが、３
個以上であってもよい。
個以上であってもよい。
以上説明したように、本発明によれば、真空容器から基
板を実質的に絶縁して基板に高周波電流が殆ど流れない
ようにしたので、基板からのアーク放電の発生及び基板
の発熱が防止され、製品品質の向上、基板温度制御の容
易化および高温処理に不適な材質への高周波スパッタの
適用可能性の発生という効果が得られる。
板を実質的に絶縁して基板に高周波電流が殆ど流れない
ようにしたので、基板からのアーク放電の発生及び基板
の発熱が防止され、製品品質の向上、基板温度制御の容
易化および高温処理に不適な材質への高周波スパッタの
適用可能性の発生という効果が得られる。
さらに、複数のターゲットを設けそれらターゲット相互
間で主として放電が生じるようにした構成によれば、真
空容器に流れる電流が減少するため、アース電極の面積
減少に起因する整流比の悪化の影響が防止でき、無駄な
消費電力の減少、真空容器からのアーク放電の抑制及び
真空容器のスパッ蒸発による基板汚染の防止という効果
が得られる。
間で主として放電が生じるようにした構成によれば、真
空容器に流れる電流が減少するため、アース電極の面積
減少に起因する整流比の悪化の影響が防止でき、無駄な
消費電力の減少、真空容器からのアーク放電の抑制及び
真空容器のスパッ蒸発による基板汚染の防止という効果
が得られる。
第１図は本発明に係るスッパッタ装置の一実施例の構成
を示す回路図である。 １・・・真空容器、３・・・基板ホルダ、４・・・基板
、ＴＩ、Ｔ２・・・ターゲット、Ｌ・・・インダクタ、
Ｃ・・・ストレーキャパシタ、Ｏ２０・・・高周波電圧
発生器、ＣＣ１・・・ドライブケーブル、ＰＡ・・・電
圧増幅器、ＣＣ２・・・出カケープル、ＭＢ・・・マツ
チングボックス、Ｔ「・・・高周波トランス。
を示す回路図である。 １・・・真空容器、３・・・基板ホルダ、４・・・基板
、ＴＩ、Ｔ２・・・ターゲット、Ｌ・・・インダクタ、
Ｃ・・・ストレーキャパシタ、Ｏ２０・・・高周波電圧
発生器、ＣＣ１・・・ドライブケーブル、ＰＡ・・・電
圧増幅器、ＣＣ２・・・出カケープル、ＭＢ・・・マツ
チングボックス、Ｔ「・・・高周波トランス。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、高周波電源からの高周波電圧を、マッチングボック
スを含む伝送路を介して、真空容器内に配されたターゲ
ットに印加して、前記真空容器内に配されたホルダに支
持された被処理物にスパッタ蒸着処理を施すものにおい
て、前記真空容器と前記被処理物を支持したホルダとの
間に、この両者間のストレーキャパシタと組合わされて
前記高周波電圧の周波数においてほぼ共振周波数を有す
る並列共振回路を形成するインダクタが接続されている
ことを特徴とするスパッタ装置。 ２、請求項１記載の装置において、複数のターゲットが
前記真空容器内に配され、各ターゲットに互いに位相差
を有する高周波電圧が印加されるように、前記高周波電
源または前記伝送路が構成されていることを特徴とする
スパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31138088A JPH02156083A (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | スパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31138088A JPH02156083A (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | スパッタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02156083A true JPH02156083A (ja) | 1990-06-15 |
Family
ID=18016481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31138088A Pending JPH02156083A (ja) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | スパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02156083A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020027241A (ko) * | 2000-10-04 | 2002-04-13 | 스트라타코스 존 지. | 수동 바이폴라 아크 제어 시스템 및 방법 |
| JP6280677B1 (ja) * | 2017-06-27 | 2018-02-14 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
| WO2019004188A1 (ja) * | 2017-06-27 | 2019-01-03 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JPWO2019003309A1 (ja) * | 2017-06-27 | 2019-06-27 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置 |
| JP2019194986A (ja) * | 2017-06-27 | 2019-11-07 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
| WO2022066839A3 (en) * | 2020-09-23 | 2022-06-16 | Advanced Energy Industries, Inc. | Alternating current (ac) dual magnetron sputtering |
| US11600469B2 (en) | 2017-06-27 | 2023-03-07 | Canon Anelva Corporation | Plasma processing apparatus |
| US11600466B2 (en) | 2018-06-26 | 2023-03-07 | Canon Anelva Corporation | Plasma processing apparatus, plasma processing method, and memory medium |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58213875A (ja) * | 1982-06-07 | 1983-12-12 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | スパツタリング方法 |
-
1988
- 1988-12-09 JP JP31138088A patent/JPH02156083A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58213875A (ja) * | 1982-06-07 | 1983-12-12 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | スパツタリング方法 |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020027241A (ko) * | 2000-10-04 | 2002-04-13 | 스트라타코스 존 지. | 수동 바이폴라 아크 제어 시스템 및 방법 |
| JP2019194986A (ja) * | 2017-06-27 | 2019-11-07 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US11569070B2 (en) | 2017-06-27 | 2023-01-31 | Canon Anelva Corporation | Plasma processing apparatus |
| WO2019003312A1 (ja) * | 2017-06-27 | 2019-01-03 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP6457707B1 (ja) * | 2017-06-27 | 2019-01-23 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JPWO2019003309A1 (ja) * | 2017-06-27 | 2019-06-27 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置 |
| JP6280677B1 (ja) * | 2017-06-27 | 2018-02-14 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US11961710B2 (en) | 2017-06-27 | 2024-04-16 | Canon Anelva Corporation | Plasma processing apparatus |
| WO2019004188A1 (ja) * | 2017-06-27 | 2019-01-03 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US11600469B2 (en) | 2017-06-27 | 2023-03-07 | Canon Anelva Corporation | Plasma processing apparatus |
| US11784030B2 (en) | 2017-06-27 | 2023-10-10 | Canon Anelva Corporation | Plasma processing apparatus |
| US11626270B2 (en) | 2017-06-27 | 2023-04-11 | Canon Anelva Corporation | Plasma processing apparatus |
| US11756773B2 (en) | 2017-06-27 | 2023-09-12 | Canon Anelva Corporation | Plasma processing apparatus |
| US11600466B2 (en) | 2018-06-26 | 2023-03-07 | Canon Anelva Corporation | Plasma processing apparatus, plasma processing method, and memory medium |
| WO2022066839A3 (en) * | 2020-09-23 | 2022-06-16 | Advanced Energy Industries, Inc. | Alternating current (ac) dual magnetron sputtering |
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