JPH0215649A - 半導体チツプのピツクアツプ装置 - Google Patents
半導体チツプのピツクアツプ装置Info
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- JPH0215649A JPH0215649A JP63165325A JP16532588A JPH0215649A JP H0215649 A JPH0215649 A JP H0215649A JP 63165325 A JP63165325 A JP 63165325A JP 16532588 A JP16532588 A JP 16532588A JP H0215649 A JPH0215649 A JP H0215649A
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- semiconductor
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- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H10P72/7416—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
- H10P72/7418—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding of passive members, e.g. a chip mounting substrate
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の組立、又は半導体チップの検
査１選別に用いる半導体チップのピックアップ装置に関
するものである。
査１選別に用いる半導体チップのピックアップ装置に関
するものである。
半導体装置の組立や、半導体チップ・ｂ検査、選別を行
う場合に、半導体チップをピックアップする従来の装置
について説明する。
う場合に、半導体チップをピックアップする従来の装置
について説明する。
第４図ＩＩＬ＋ Ｉｒｉ紫外線で接着力の弱くなる接着
剤を１表面に塗布したフィルム１１）（例えば、ＦＳＸ
［Ｆ］株式会社のＡｄｗｉｌｌ Ｄシリーズ■）の上に
半導体ウェハ（２ａ）を接着した状態全示す斜視図であ
る。半導体ウェハ（２ａ）ｉｊスクライバ−又はダイサ
ー（共に図示せず）を用いてスクライブ、又はダイシン
グ作業を行なった後、第４図ｆｂＩのヨウにフィルムＩ
ｌｌ ｋ ｓ フィルムエキスパンダー（図示せず）を
用いて図中矢印Ａのが向ＶＣエキスバンドすることによ
って、半導体ウニｚｑ（２ａ）を半導体チップ（２ｂ）
に分割する。しかる鏝、エキスバンドしたフィルム（１
）が元にもどらないように、クランプ治具（図示せず）
を用いて固定する。
剤を１表面に塗布したフィルム１１）（例えば、ＦＳＸ
［Ｆ］株式会社のＡｄｗｉｌｌ Ｄシリーズ■）の上に
半導体ウェハ（２ａ）を接着した状態全示す斜視図であ
る。半導体ウェハ（２ａ）ｉｊスクライバ−又はダイサ
ー（共に図示せず）を用いてスクライブ、又はダイシン
グ作業を行なった後、第４図ｆｂＩのヨウにフィルムＩ
ｌｌ ｋ ｓ フィルムエキスパンダー（図示せず）を
用いて図中矢印Ａのが向ＶＣエキスバンドすることによ
って、半導体ウニｚｑ（２ａ）を半導体チップ（２ｂ）
に分割する。しかる鏝、エキスバンドしたフィルム（１
）が元にもどらないように、クランプ治具（図示せず）
を用いて固定する。
次に、このようにエキバンドされたフィルム１１の上の
半導体チップ（２ｂ）を、半導体装置の組立や検査１選
別のためにフィルム…から取り出す作業（以下単にピッ
クアップと言う）を行うが、この工程の各手順を示す側
面図を第５図ないしｔｅｌに示す。
半導体チップ（２ｂ）を、半導体装置の組立や検査１選
別のためにフィルム…から取り出す作業（以下単にピッ
クアップと言う）を行うが、この工程の各手順を示す側
面図を第５図ないしｔｅｌに示す。
１ず、前述したようにフィルムＩｌｌには接着剤が壁布
されており、半導体ウエノ５ｒ２ａ）のスクライプ、ダ
イシング、エキスノ（ンド作業時に半導体ウェハ（２ａ
）や半導体チップ（２ｂ）がフィルム…からはずれない
よう、強力に接着されているので、第５図ｔａｌのよう
に水銀ランプ（３）により紫外、１ｊｌ１４１をフィル
ム（１）の裏面全体シこ１に射してフィルムｉｌ＋の接
着力を低下させる。
されており、半導体ウエノ５ｒ２ａ）のスクライプ、ダ
イシング、エキスノ（ンド作業時に半導体ウェハ（２ａ
）や半導体チップ（２ｂ）がフィルム…からはずれない
よう、強力に接着されているので、第５図ｔａｌのよう
に水銀ランプ（３）により紫外、１ｊｌ１４１をフィル
ム（１）の裏面全体シこ１に射してフィルムｉｌ＋の接
着力を低下させる。
次ＶＣ？Ｐ、５図１ｂ＋のようＶＣ，ピックアップしよ
うとする半導体テップ（２ｂ）の真上シζダイコレット
６）金、また真下に突き上げ用針、５１ ｊｉ設置する
。
うとする半導体テップ（２ｂ）の真上シζダイコレット
６）金、また真下に突き上げ用針、５１ ｊｉ設置する
。
さらＶＣ第５図１０１のようＶＣ１突き上げ用針＋ｌｌ
ｌで半導体チップ（ｓ＋ｂ）ｉ突き上げてフィルムＩｌ
ｌと半導体チップ（２ｂ）の接着面を若干はがす。次Ｖ
Ｃ第５図圏のようにダイコレット１６１ヲ下げて、半導
体チップ（１）Ｋはとんど接触すると同時に、ダイコレ
ット（６）に接続した真空ポンプ（図示せず）をｔｌＥ
ＩＪ作させて、半導体チップ（２ｂ）を真空吸着する。
ｌで半導体チップ（ｓ＋ｂ）ｉ突き上げてフィルムＩｌ
ｌと半導体チップ（２ｂ）の接着面を若干はがす。次Ｖ
Ｃ第５図圏のようにダイコレット１６１ヲ下げて、半導
体チップ（１）Ｋはとんど接触すると同時に、ダイコレ
ット（６）に接続した真空ポンプ（図示せず）をｔｌＥ
ＩＪ作させて、半導体チップ（２ｂ）を真空吸着する。
最後ＶＣ突き上げ用針・６）？下げ、ダイコレラ） ＋
６１ （Ｈ上げると第５図ｔｅｌのようにグイコレット
８１に半導体チップ（２ｂ）か真空吸着されて、ピック
アップが完了する。
６１ （Ｈ上げると第５図ｔｅｌのようにグイコレット
８１に半導体チップ（２ｂ）か真空吸着されて、ピック
アップが完了する。
従来の半導体チップのピックアップ装置は以上のように
構成されていたが、フィルム山と半導体チップ（ｌａ）
の接着力は、フィルム１１１に半導体ウェハ（２ａ）を
接着する時の榮件（接着方法、及び接着温度）、及び半
導体ウェハ〔２ａ）のフィルム…と接触する面の面状態
により接着強度が異なるため、半導体チップ（２ｂ）ｆ
ピックアップするために、紫外線を照射して接着力を低
下させた場合、接着力の低下不足で接着力が強いままで
あると、ピックアップすることができない。
構成されていたが、フィルム山と半導体チップ（ｌａ）
の接着力は、フィルム１１１に半導体ウェハ（２ａ）を
接着する時の榮件（接着方法、及び接着温度）、及び半
導体ウェハ〔２ａ）のフィルム…と接触する面の面状態
により接着強度が異なるため、半導体チップ（２ｂ）ｆ
ピックアップするために、紫外線を照射して接着力を低
下させた場合、接着力の低下不足で接着力が強いままで
あると、ピックアップすることができない。
また、紫外線照射が過度で、接着力が弱＜／Ｉ−Ｄ過ぎ
ると、ピックアップしようとする半導体チップ（２ｂ）
以外のチップもフィルム…からはずれてしまう。また、
ピックアップ作業を一次中断して保管するような場合、
フィルム…の接着力が低下しているため、保管中や移動
中の撮動により半導体チップ（２ｂ）がフィルム…から
はずれるという事故が発生していた。さらに半導体チッ
プ（２ｂ）のチップサイズが大きくなった場合、接着力
の面内分布ＶＣより第６図のようにチップが斜めになり
正確にピックアップできないことがあり、その対策とし
て第７図の様な構造ノ）ピックアップ装置が考案されて
いる。すなわち、ピックアップする直前に光７アイパー
（７）で導いた紫外線（４１ヲ半導体チップ〔２ｂ）の
裏面に照射しフィルムＩｌ＋との接着力Ｖｔ下させてか
らピックアップするため、ピックアップしようとする半
導体チップ（ａｂ）以外の半導体チップとフィルム…の
接着力に低下しないので、上記従来のようなピックアッ
プ不良や、保管中に半導体チップ（２ｂ）がフィルムＩ
ＩＩからはずれるような事故は生じない。
ると、ピックアップしようとする半導体チップ（２ｂ）
以外のチップもフィルム…からはずれてしまう。また、
ピックアップ作業を一次中断して保管するような場合、
フィルム…の接着力が低下しているため、保管中や移動
中の撮動により半導体チップ（２ｂ）がフィルム…から
はずれるという事故が発生していた。さらに半導体チッ
プ（２ｂ）のチップサイズが大きくなった場合、接着力
の面内分布ＶＣより第６図のようにチップが斜めになり
正確にピックアップできないことがあり、その対策とし
て第７図の様な構造ノ）ピックアップ装置が考案されて
いる。すなわち、ピックアップする直前に光７アイパー
（７）で導いた紫外線（４１ヲ半導体チップ〔２ｂ）の
裏面に照射しフィルムＩｌ＋との接着力Ｖｔ下させてか
らピックアップするため、ピックアップしようとする半
導体チップ（ａｂ）以外の半導体チップとフィルム…の
接着力に低下しないので、上記従来のようなピックアッ
プ不良や、保管中に半導体チップ（２ｂ）がフィルムＩ
ＩＩからはずれるような事故は生じない。
しかし、第７図ｒＣ示した装置では、半導体チップ１個
づつにピックアップする直前に紫外線を照射するため、
例えば半導体チン１１個当りに紫外線照射を８秒行なう
とし、第４図に示した半導体ウェハ（２ａ）１枚当り半
導体チップ（２ｂ）が１万チツプあるとすると、紫外線
照射時間の合計は約５．６時間掛かシ非常ＶＣ作采能率
が悪く上記のような不具合の対策が課題であった。
づつにピックアップする直前に紫外線を照射するため、
例えば半導体チン１１個当りに紫外線照射を８秒行なう
とし、第４図に示した半導体ウェハ（２ａ）１枚当り半
導体チップ（２ｂ）が１万チツプあるとすると、紫外線
照射時間の合計は約５．６時間掛かシ非常ＶＣ作采能率
が悪く上記のような不具合の対策が課題であった。
この発明は上記のような課玖を解決するためになされた
もので、ピックアップしようとする半導体チップ（１）
及びそのｌ＠〜数個手前の半導体チップ（２ｂ）の裏面
にフィルム（１１の接着力をピックアップに必要な接着
力Ｖこ低下するまで紫外線を段階的に同時に照射するこ
とで、大幅に作業時間を短縮できる半導体チップのピッ
クアップ装置を得ることを目的とする。
もので、ピックアップしようとする半導体チップ（１）
及びそのｌ＠〜数個手前の半導体チップ（２ｂ）の裏面
にフィルム（１１の接着力をピックアップに必要な接着
力Ｖこ低下するまで紫外線を段階的に同時に照射するこ
とで、大幅に作業時間を短縮できる半導体チップのピッ
クアップ装置を得ることを目的とする。
この発明による半導体チップのピックアップ装置は、ピ
ックアップしようとする半導体チップ及び、その１＠〜
数個手前の半導体チップの裏面に、それぞれ紫外線を段
階的Ｋかつ同時に照射するようにしたものである。
ックアップしようとする半導体チップ及び、その１＠〜
数個手前の半導体チップの裏面に、それぞれ紫外線を段
階的Ｋかつ同時に照射するようにしたものである。
この発明による半導体チップのピックアップ装置は、ピ
ックアップしようとする半導体チップ及び、その１個〜
数個手前の半導体チップの裏面に、それぞれ紫外線を段
階的にかつ同時に照射できるのでピックアップ作業の作
業時間は大幅に減少させることができる。
ックアップしようとする半導体チップ及び、その１個〜
数個手前の半導体チップの裏面に、それぞれ紫外線を段
階的にかつ同時に照射できるのでピックアップ作業の作
業時間は大幅に減少させることができる。
第１図は、この発明による半導体チップのピックアップ
＃ｅｉｆｔの一実施例の模式則面図である。
＃ｅｉｆｔの一実施例の模式則面図である。
図において、ピックアップしようとする半導体チップｒ
２ｂｘ）の４上にグイコレット（６）、真下に９１上げ
用針（５）及び、半導体チップ（ｇｂｚ）のＡ面にのみ
紫外１（４ｂ）２照射できるように光ファイバー（７ｂ
）を設置する。また、半導体チップ（２１）ｌ）の次に
、ピックアップしようとする半導体チップ（ｇ’ｂ２）
の真下にもう１つの光７アイＡ −（７ａ）を設け、半
導体チップ（１２）の長面にのみ紫外線（４ａ）を照射
できるように調整しておく。
２ｂｘ）の４上にグイコレット（６）、真下に９１上げ
用針（５）及び、半導体チップ（ｇｂｚ）のＡ面にのみ
紫外１（４ｂ）２照射できるように光ファイバー（７ｂ
）を設置する。また、半導体チップ（２１）ｌ）の次に
、ピックアップしようとする半導体チップ（ｇ’ｂ２）
の真下にもう１つの光７アイＡ −（７ａ）を設け、半
導体チップ（１２）の長面にのみ紫外線（４ａ）を照射
できるように調整しておく。
ここで、フィルム（！）の接着剤の接着力と紫外線照射
時間の関係は第８図のようになっている。
時間の関係は第８図のようになっている。
第８図において、半導体チップをピックアップするのに
最適な接着力をＢとし、その時の紫外線照射時間をＤと
し、紫外線照射時間が／２Ｄの時の時の接着力をＤとす
ると、この発明による半導体チップのピックアップ装置
で半導体チップをピックアップするには、第８図ｔｊＬ
ｌのようにまず、ピックアップしようとする半導体チッ
プ（ｇｂｘ）を元ファイバー（７ａ）の真上に設置し、
紫外線（４ａ） ｆ第８図のＶ２Ｄの時間だけ照射して
フィルム１１）の接着力をＣにまで低下させる。次ＶＣ
第３図（ｂ＋のようにピックアップしようとする半導体
チップ（ｉ９ｂｌ）をグイコレット１６）の真下に設置
する。次ＶＣ半導体チップｒｉｂｘ）の裏面に光ファイ
バー（７ｂ）で紫外線（４ｂ）（ｉｌ−フィルムＩＩ＋
の接着力が第２南のＢになるまで照射する。これと同時
に光ファイバー（７ａ）の上には次にピックアップする
半導体チップｒ２Ｍ）がくるので、紫外線（４ａ）を第
８図の１／２Ｄの時間だけ照射してフィルム１１１の接
着力をＯＫまで低下させておく。次に６を米例の第５図
ｆｂ＋〜ｌｅｌと同様の方法で半導体チップ（２ｂｌ）
をピックアップする。そして更に第８図１０１のように
半導体チップ（ｇｂｌ）をグイコレット（６１の真下に
設置し光ファイバー（７ｂ）で紫外線（４ｂ）を、また
次にピックアップする半導体チップ（２１）３）の裏面
に光ファイバー（７ａ）で紫外線（＋ａ）；ｉそれぞれ
同時に照射する。
最適な接着力をＢとし、その時の紫外線照射時間をＤと
し、紫外線照射時間が／２Ｄの時の時の接着力をＤとす
ると、この発明による半導体チップのピックアップ装置
で半導体チップをピックアップするには、第８図ｔｊＬ
ｌのようにまず、ピックアップしようとする半導体チッ
プ（ｇｂｘ）を元ファイバー（７ａ）の真上に設置し、
紫外線（４ａ） ｆ第８図のＶ２Ｄの時間だけ照射して
フィルム１１）の接着力をＣにまで低下させる。次ＶＣ
第３図（ｂ＋のようにピックアップしようとする半導体
チップ（ｉ９ｂｌ）をグイコレット１６）の真下に設置
する。次ＶＣ半導体チップｒｉｂｘ）の裏面に光ファイ
バー（７ｂ）で紫外線（４ｂ）（ｉｌ−フィルムＩＩ＋
の接着力が第２南のＢになるまで照射する。これと同時
に光ファイバー（７ａ）の上には次にピックアップする
半導体チップｒ２Ｍ）がくるので、紫外線（４ａ）を第
８図の１／２Ｄの時間だけ照射してフィルム１１１の接
着力をＯＫまで低下させておく。次に６を米例の第５図
ｆｂ＋〜ｌｅｌと同様の方法で半導体チップ（２ｂｌ）
をピックアップする。そして更に第８図１０１のように
半導体チップ（ｇｂｌ）をグイコレット（６１の真下に
設置し光ファイバー（７ｂ）で紫外線（４ｂ）を、また
次にピックアップする半導体チップ（２１）３）の裏面
に光ファイバー（７ａ）で紫外線（＋ａ）；ｉそれぞれ
同時に照射する。
このようにピックアップしようとする半導体チップ及び
その次にピックアップする半導体チップにそれぞれ段階
的ン（、かつ同時に紫外１ｉを照射できるので、第６図
に示した従来のピックアップ装置に比べ紫外線照射時間
を約半分にすることができる。
その次にピックアップする半導体チップにそれぞれ段階
的ン（、かつ同時に紫外１ｉを照射できるので、第６図
に示した従来のピックアップ装置に比べ紫外線照射時間
を約半分にすることができる。
ここで第１図の実施例では、ピックアップしようとする
半導体チップ（８ｔ＋１ ）とその次にピックアップし
ようとする半導体チップ（２ｂ２）すなわち１個手前の
半導体チップの合計２個の半導体チップに同時に紫外４
Ｉｒ４ａ）（４ｂ）を照射しフィルム１１１の接着力を
低下することで、従来装置に比べ紫外線照射（時間を約
半分にすることができたが、同様な考え方でピックアッ
プしようとする半導体チップと、その２個手曲まで又は
３（１〜手前までの半導体チップに紫外線を照射するよ
うにすると、８個又は４個の半導体チップに同時に紫外
線を照射できるので、ピックアップ作業時間を約ぢ又は
約気に短縮することができる。
半導体チップ（８ｔ＋１ ）とその次にピックアップし
ようとする半導体チップ（２ｂ２）すなわち１個手前の
半導体チップの合計２個の半導体チップに同時に紫外４
Ｉｒ４ａ）（４ｂ）を照射しフィルム１１１の接着力を
低下することで、従来装置に比べ紫外線照射（時間を約
半分にすることができたが、同様な考え方でピックアッ
プしようとする半導体チップと、その２個手曲まで又は
３（１〜手前までの半導体チップに紫外線を照射するよ
うにすると、８個又は４個の半導体チップに同時に紫外
線を照射できるので、ピックアップ作業時間を約ぢ又は
約気に短縮することができる。
ここで、紫外線を照射する時間は、半導体チップの大き
さ、フィルムに塗布した接着剤の種類及び紫外線の波長
と強度により適宜選べば艮い。
さ、フィルムに塗布した接着剤の種類及び紫外線の波長
と強度により適宜選べば艮い。
また、第１図の実施列では、水銀ランプよりの紫外線を
光ファイバーで半導体チップの裏面ｌこ照射し九が、ミ
ラーとレンズの光学系を用いても良い。更に実施例では
紫外線照射により、接着力の低下する接着剤を塗布した
フィルム金柑いたが、紫外線以外の光、例えば可視光や
赤外線、Ｘ猟を照射することで接着力の低下する接着剤
を用いても艮く、その場合、照射する光は可視光や赤外
線、Ｘ＠を用いることはいうまでもない。
光ファイバーで半導体チップの裏面ｌこ照射し九が、ミ
ラーとレンズの光学系を用いても良い。更に実施例では
紫外線照射により、接着力の低下する接着剤を塗布した
フィルム金柑いたが、紫外線以外の光、例えば可視光や
赤外線、Ｘ猟を照射することで接着力の低下する接着剤
を用いても艮く、その場合、照射する光は可視光や赤外
線、Ｘ＠を用いることはいうまでもない。
以上のように、この発明に、よる半導体チップのピック
アップ装置を用いると、半導体チップのフィルムとの接
着力を複数個にわたり段階的に、かつ同時に低下させる
ことができるので、作業時間を大幅に短縮することがで
きる。
アップ装置を用いると、半導体チップのフィルムとの接
着力を複数個にわたり段階的に、かつ同時に低下させる
ことができるので、作業時間を大幅に短縮することがで
きる。
第１図はこの発明による半導体チップのピックアップ装
置の一実施例を示す模式側面図、第２図はフィルムの接
着力と紫外線照射時間の関係？示す図、第３図はこの発
明による半導体チップのビックアンプ装置の操作手順を
示す模式声ＩＪ面図、第４図は半導体ウェハを半導体チ
ップに分割する従来のエキスバンド工程を説明する斜視
図、・π５図は従来の半導体チップのピックアンプ装置
の操作手順を示す模式側面図、第６図はピックアップ不
良の状態を示す模式側面図、第７図は従来のピックアッ
プ装置の他の一例を示す模式側面図である。 図において田はフィルム、ｒ２ｂｚ）〜（ＩＩｂａ）
ｔｄ半導体チップ、（４ａ）、（４ｂ）は紫外線、ｊ５
１は突き上げ用針、１６１汀ダイコレツ） 、 ｒ７
ａ）（７ｂ）は光ファイバーである なお、図中、同一符号は同一 又は相当部分を示す。
置の一実施例を示す模式側面図、第２図はフィルムの接
着力と紫外線照射時間の関係？示す図、第３図はこの発
明による半導体チップのビックアンプ装置の操作手順を
示す模式声ＩＪ面図、第４図は半導体ウェハを半導体チ
ップに分割する従来のエキスバンド工程を説明する斜視
図、・π５図は従来の半導体チップのピックアンプ装置
の操作手順を示す模式側面図、第６図はピックアップ不
良の状態を示す模式側面図、第７図は従来のピックアッ
プ装置の他の一例を示す模式側面図である。 図において田はフィルム、ｒ２ｂｚ）〜（ＩＩｂａ）
ｔｄ半導体チップ、（４ａ）、（４ｂ）は紫外線、ｊ５
１は突き上げ用針、１６１汀ダイコレツ） 、 ｒ７
ａ）（７ｂ）は光ファイバーである なお、図中、同一符号は同一 又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 透明又は半透明のフィルムに、紫外線の照射により接着
力の低下する接着剤を用いて接着された半導体チップを
ピックアップする装置においてピックアップする直前ま
でに紫外線を照射しフィルムの接着力を初期値よりは低
く、しかもピックアップに必要な接着力より高い接着力
に保持する工程とピックアップする直前に再度紫外線を
照射しフィルムの接着力をピックアップするのに必要な
接着力に低下させた後ピックアップする工程とを備えた
ことを特徴とする半導体チップのピックアップ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63165325A JPH0215649A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 半導体チツプのピツクアツプ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63165325A JPH0215649A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 半導体チツプのピツクアツプ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0215649A true JPH0215649A (ja) | 1990-01-19 |
Family
ID=15810187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63165325A Pending JPH0215649A (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 半導体チツプのピツクアツプ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0215649A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018515942A (ja) * | 2015-10-20 | 2018-06-14 | ゴルテック インコーポレイテッド | マイクロ発光ダイオードの搬送方法、製造方法、装置及び電子機器 |
| JP2023170500A (ja) * | 2022-05-19 | 2023-12-01 | リンテック株式会社 | 電磁波照射装置および電磁波照射方法 |
-
1988
- 1988-07-01 JP JP63165325A patent/JPH0215649A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018515942A (ja) * | 2015-10-20 | 2018-06-14 | ゴルテック インコーポレイテッド | マイクロ発光ダイオードの搬送方法、製造方法、装置及び電子機器 |
| JP2023170500A (ja) * | 2022-05-19 | 2023-12-01 | リンテック株式会社 | 電磁波照射装置および電磁波照射方法 |
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