JPH08107088A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH08107088A JPH08107088A JP23994694A JP23994694A JPH08107088A JP H08107088 A JPH08107088 A JP H08107088A JP 23994694 A JP23994694 A JP 23994694A JP 23994694 A JP23994694 A JP 23994694A JP H08107088 A JPH08107088 A JP H08107088A
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- wafer
- ultraviolet light
- irradiating
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 個々のチップにダイシングされたウェーハが
貼られたUVテープに紫外光を照射する際に, チップ表面
の欠けの発生を防止する。 【構成】 １）紫外光照射により粘着力が低減するUVテ
ープ上にウェーハを貼り，該ウェーハをダイシングして
個々のチップに分割し，該ウェーハの表面側を下に向け
て該UVテープを保持し，該UVテープの上側より紫外光を
照射する過程を有する， ２）紫外光照射により粘着力が低減するUVテープ上にウ
ェーハを貼り，該ウェーハをダイシングして個々のチッ
プに分割し，該ウェーハの表面側を上に向け且つ該UVテ
ープの下に紫外光透過板を敷いて該UVテープを保持し，
該紫外光透過板の下側より紫外光を照射する過程を有す
る。
貼られたUVテープに紫外光を照射する際に, チップ表面
の欠けの発生を防止する。 【構成】 １）紫外光照射により粘着力が低減するUVテ
ープ上にウェーハを貼り，該ウェーハをダイシングして
個々のチップに分割し，該ウェーハの表面側を下に向け
て該UVテープを保持し，該UVテープの上側より紫外光を
照射する過程を有する， ２）紫外光照射により粘着力が低減するUVテープ上にウ
ェーハを貼り，該ウェーハをダイシングして個々のチッ
プに分割し，該ウェーハの表面側を上に向け且つ該UVテ
ープの下に紫外光透過板を敷いて該UVテープを保持し，
該紫外光透過板の下側より紫外光を照射する過程を有す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
係り, 特に, UVテープに貼られた半導体基板をフルカッ
トし，紫外(UV)光を照射する方法に関する。
係り, 特に, UVテープに貼られた半導体基板をフルカッ
トし，紫外(UV)光を照射する方法に関する。
【０００２】ウェーハプロセスの終わったウェーハは,
UVテープに貼られて個々のチップにダイシングされる。
ダイシング後, UVテープに紫外光を照射してテープの粘
着力を消滅させることにより，チップを１個ずつ取り出
している。
UVテープに貼られて個々のチップにダイシングされる。
ダイシング後, UVテープに紫外光を照射してテープの粘
着力を消滅させることにより，チップを１個ずつ取り出
している。
【０００３】
【従来の技術】従来の紫外光照射方法は, UVテープに貼
られてウェーハ表面が上を向き, 紫外光はテープの下側
から照射されていた。
られてウェーハ表面が上を向き, 紫外光はテープの下側
から照射されていた。
【０００４】図５は従来例の説明図である。図におい
て， 1はUVテープ, 2はダイシングされた個々のチッ
プ, 3はUVテープを張り付けて固定するフレーム, 4は
紫外光ランプである。
て， 1はUVテープ, 2はダイシングされた個々のチッ
プ, 3はUVテープを張り付けて固定するフレーム, 4は
紫外光ランプである。
【０００５】紫外光の照射により，UVテープは約80〜10
0 ℃に加熱されるため，ウェーハの重量によりUVテープ
が上向凹に撓む。このために, ウェーハの切り込み面は
閉じる方向に変形するため，チップ表面のエッジは触れ
合い, 従ってチップエッジの欠けが発生する。
0 ℃に加熱されるため，ウェーハの重量によりUVテープ
が上向凹に撓む。このために, ウェーハの切り込み面は
閉じる方向に変形するため，チップ表面のエッジは触れ
合い, 従ってチップエッジの欠けが発生する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】近年， 8インチウェー
ハ, 12インチウェーハとウェーハは大口径化され，ウェ
ーハの重量が増し，紫外光の照射時にUVテープが大きく
撓みチップの表面側のエッジが触れ合って欠けることが
あり問題となっている。
ハ, 12インチウェーハとウェーハは大口径化され，ウェ
ーハの重量が増し，紫外光の照射時にUVテープが大きく
撓みチップの表面側のエッジが触れ合って欠けることが
あり問題となっている。
【０００７】本発明は個々のチップにダイシングされた
ウェーハが貼られたUVテープに紫外光を照射する際に,
チップ表面の欠けの発生を防止することを目的とする。
ウェーハが貼られたUVテープに紫外光を照射する際に,
チップ表面の欠けの発生を防止することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は， １）紫外光照射により粘着力が低減するUVテープ上にウ
ェーハを貼り，該ウェーハをダイシングして個々のチッ
プに分割し，該ウェーハの表面側を下に向けて該UVテー
プを保持し，該UVテープの上側より紫外光を照射する過
程を有する半導体装置の製造方法，あるいは ２）紫外光照射により粘着力が低減するUVテープ上にウ
ェーハを貼り，該ウェーハをダイシングして個々のチッ
プに分割し，該ウェーハの表面側を上に向け且つ該UVテ
ープの下に紫外光透過板を敷いて該UVテープを保持し，
該紫外光透過板の下側より紫外光を照射する過程を有す
る半導体装置の製造方法，あるいは ３）前記紫外光透過板を敷く代わりに，該UVテープより
軟化点の高いテープを該UVテープの下側に貼りつけ，該
軟化点の高いテープの下側より紫外光を照射する過程を
有する前記２記載の半導体装置の製造方法，あるいは ４）前記紫外光透過板を敷く代わりに，該UVテープより
軟化点の高いテープを該ウェーハの上側に貼りつけ，該
UVテープの下側より紫外光を照射する過程を有する前記
２記載の半導体装置の製造方法，あるいは ５）UVテープに貼られたダイシング済のウェーハを垂直
に立てた状態で, 横方向より紫外光を照射する過程を有
する半導体装置の製造方法により達成される。
ェーハを貼り，該ウェーハをダイシングして個々のチッ
プに分割し，該ウェーハの表面側を下に向けて該UVテー
プを保持し，該UVテープの上側より紫外光を照射する過
程を有する半導体装置の製造方法，あるいは ２）紫外光照射により粘着力が低減するUVテープ上にウ
ェーハを貼り，該ウェーハをダイシングして個々のチッ
プに分割し，該ウェーハの表面側を上に向け且つ該UVテ
ープの下に紫外光透過板を敷いて該UVテープを保持し，
該紫外光透過板の下側より紫外光を照射する過程を有す
る半導体装置の製造方法，あるいは ３）前記紫外光透過板を敷く代わりに，該UVテープより
軟化点の高いテープを該UVテープの下側に貼りつけ，該
軟化点の高いテープの下側より紫外光を照射する過程を
有する前記２記載の半導体装置の製造方法，あるいは ４）前記紫外光透過板を敷く代わりに，該UVテープより
軟化点の高いテープを該ウェーハの上側に貼りつけ，該
UVテープの下側より紫外光を照射する過程を有する前記
２記載の半導体装置の製造方法，あるいは ５）UVテープに貼られたダイシング済のウェーハを垂直
に立てた状態で, 横方向より紫外光を照射する過程を有
する半導体装置の製造方法により達成される。
【０００９】
【作用】本発明では, ウェーハの表面側を下に向け，上
側より紫外光を照射するので,テープが上向凹に撓んで
も, ウェーハの切り込み面は開くのでチップのエッジが
触れ合うことはない。そのため，チップエッジの欠けは
発生しない。
側より紫外光を照射するので,テープが上向凹に撓んで
も, ウェーハの切り込み面は開くのでチップのエッジが
触れ合うことはない。そのため，チップエッジの欠けは
発生しない。
【００１０】次に，紫外光照射を従来通りにテープ下側
から照射する場合には以下のようにする。 (1) UVテープの下にガラス板を敷くので, テープが撓ん
でもテープは撓まないため，チップのエッジが触れ合う
ことはない。 (2) フルカット済のウェーハが貼られたUVテープの下側
に, 熱膨張係数の小さいテープを貼りつけて紫外光を照
射することにより，紫外光照射時の熱でウェーハ表面が
凹状に撓むことはなく, チップのエッジが触れ合うこと
はない。 (3）フルカット済のウェーハが貼られたUVテープのウェ
ーハ側表面に, 熱膨張係数の小さいテープを貼りつけて
UVテープに紫外光を照射することにより，紫外光照射時
の熱でウェーハ表面が凹状に撓むことはなく, チップの
エッジが触れ合うことはない。
から照射する場合には以下のようにする。 (1) UVテープの下にガラス板を敷くので, テープが撓ん
でもテープは撓まないため，チップのエッジが触れ合う
ことはない。 (2) フルカット済のウェーハが貼られたUVテープの下側
に, 熱膨張係数の小さいテープを貼りつけて紫外光を照
射することにより，紫外光照射時の熱でウェーハ表面が
凹状に撓むことはなく, チップのエッジが触れ合うこと
はない。 (3）フルカット済のウェーハが貼られたUVテープのウェ
ーハ側表面に, 熱膨張係数の小さいテープを貼りつけて
UVテープに紫外光を照射することにより，紫外光照射時
の熱でウェーハ表面が凹状に撓むことはなく, チップの
エッジが触れ合うことはない。
【００１１】また，フルカット済のウェーハを垂直に立
てた状態で, 横方向より紫外光を照射することにより，
ウェーハ表面が凹状に撓むことはなく, チップのエッジ
が触れ合うことはない。
てた状態で, 横方向より紫外光を照射することにより，
ウェーハ表面が凹状に撓むことはなく, チップのエッジ
が触れ合うことはない。
【００１２】
【実施例】図１は本発明の実施例１の説明図である。図
において， 1はUVテープ, 2はダイシングされた個々の
チップ, 3はUVテープを張り付けて固定するフレーム,
4は紫外光ランプである。
において， 1はUVテープ, 2はダイシングされた個々の
チップ, 3はUVテープを張り付けて固定するフレーム,
4は紫外光ランプである。
【００１３】この場合は, ウェーハの重量によりテープ
の撓みは従来例と反対になり，ウェーハの切り込み面は
開くため，チップ表面のエッジは触れ合うことなく, 従
ってチップの欠けは発生しない。
の撓みは従来例と反対になり，ウェーハの切り込み面は
開くため，チップ表面のエッジは触れ合うことなく, 従
ってチップの欠けは発生しない。
【００１４】以下に，従来例と同様にUVテープの下側か
ら紫外光を照射する場合の実施例を説明する。図２は本
発明の実施例２の説明図である。
ら紫外光を照射する場合の実施例を説明する。図２は本
発明の実施例２の説明図である。
【００１５】この例では，UVテープの下に石英ガラスや
紫外光カットフィルタ等の紫外光透過板 5を敷いてUVテ
ープの下側から紫外光を照射することにより，UVテープ
の撓みを防止している。
紫外光カットフィルタ等の紫外光透過板 5を敷いてUVテ
ープの下側から紫外光を照射することにより，UVテープ
の撓みを防止している。
【００１６】図３は本発明の実施例３の説明図である。
この例では，UVテープの下側に熱膨張係数がUVテープよ
りも小さく且つ紫外光を透過するテープ 6を貼り付けて
テープの下側から紫外光を照射することにより，テープ
の撓みを防止している。
この例では，UVテープの下側に熱膨張係数がUVテープよ
りも小さく且つ紫外光を透過するテープ 6を貼り付けて
テープの下側から紫外光を照射することにより，テープ
の撓みを防止している。
【００１７】図４は本発明の実施例４の説明図である。
この例では，チップの表面に熱膨張係数がUVテープより
も小さいテープ 7を貼り付けてUVテープの下側から紫外
光を照射することにより，テープの撓みを防止してい
る。
この例では，チップの表面に熱膨張係数がUVテープより
も小さいテープ 7を貼り付けてUVテープの下側から紫外
光を照射することにより，テープの撓みを防止してい
る。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば, ダイシングされたウェ
ーハが貼られたUVテープに紫外光を照射する際に, チッ
プ表面の欠けの発生を防止することができる。この結
果, チップの信頼性と製造歩留を向上できる。
ーハが貼られたUVテープに紫外光を照射する際に, チッ
プ表面の欠けの発生を防止することができる。この結
果, チップの信頼性と製造歩留を向上できる。
【図１】 本発明の実施例１の説明図
【図２】 本発明の実施例２の説明図
【図３】 本発明の実施例３の説明図
【図４】 本発明の実施例４の説明図
【図５】 従来例の説明図
1 UVテープ 2 ダイシングされた個々のチップ 3 UVテープを張り付けて固定するフレーム 4 紫外光ランプ 5 紫外光を透過する板 6 熱膨張係数がUVテープよりも小さく且つ紫外光を透
過する粘着テープ 7 熱膨張係数がUVテープよりも小さい粘着テープ
過する粘着テープ 7 熱膨張係数がUVテープよりも小さい粘着テープ
Claims (5)
- 【請求項１】 紫外光照射により粘着力が低減するUVテ
ープ上にウェーハを貼り，該ウェーハをダイシングして
個々のチップに分割し，該ウェーハの表面側を下に向け
て該UVテープを保持し，該UVテープの上側より紫外光を
照射する過程を有することを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - 【請求項２】 紫外光照射により粘着力が低減するUVテ
ープ上にウェーハを貼り，該ウェーハをダイシングして
個々のチップに分割し，該ウェーハの表面側を上に向け
且つ該UVテープの下に紫外光透過板を敷いて該UVテープ
を保持し，該紫外光透過板の下側より紫外光を照射する
過程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記紫外光透過板を敷く代わりに，該UV
テープより軟化点の高いテープを該UVテープの下側に貼
りつけ，該軟化点の高いテープの下側より紫外光を照射
する過程を有することを特徴とする請求項２記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記紫外光透過板を敷く代わりに，該UV
テープより軟化点の高いテープを該ウェーハの上側に貼
りつけ，該UVテープの下側より紫外光を照射する過程を
有することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製
造方法。 - 【請求項５】 UVテープに貼られたダイシング済のウェ
ーハを垂直に立てた状態で, 横方向より紫外光を照射す
る過程を有することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23994694A JPH08107088A (ja) | 1994-10-04 | 1994-10-04 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23994694A JPH08107088A (ja) | 1994-10-04 | 1994-10-04 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08107088A true JPH08107088A (ja) | 1996-04-23 |
Family
ID=17052181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23994694A Withdrawn JPH08107088A (ja) | 1994-10-04 | 1994-10-04 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08107088A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1014452A4 (en) * | 1998-02-25 | 2001-11-14 | Seiko Epson Corp | METHOD TO SEPARATE A THIN-LAYER COMPONENT, METHOD TO TRANSFER A THIN-LAYER COMPONENT, THIN-LAYER COMPONENT, ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY |
| SG100709A1 (en) * | 2000-05-31 | 2003-12-26 | Disco Corp | Semiconductor wafer assembly and machining apparatus having chuck tables for holding the same |
| JP2004281430A (ja) * | 2003-03-12 | 2004-10-07 | Nitto Denko Corp | 紫外線照射方法およびそれを用いた装置 |
| US7985626B2 (en) | 2004-05-10 | 2011-07-26 | Advanced Chip Engineering Technology Inc. | Manufacturing tool for wafer level package and method of placing dies |
-
1994
- 1994-10-04 JP JP23994694A patent/JPH08107088A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1014452A4 (en) * | 1998-02-25 | 2001-11-14 | Seiko Epson Corp | METHOD TO SEPARATE A THIN-LAYER COMPONENT, METHOD TO TRANSFER A THIN-LAYER COMPONENT, THIN-LAYER COMPONENT, ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY |
| US6700631B1 (en) | 1998-02-25 | 2004-03-02 | Seiko Epson Corporation | Method of separating thin-film device, method of transferring thin-film device, thin-film device, active matrix substrate, and liquid crystal display device |
| US6885389B2 (en) | 1998-02-25 | 2005-04-26 | Seiko Epson Corporation | Method of separating thin film device, method of transferring thin film device, thin film device, active matrix substrate and liquid crystal display device |
| SG100709A1 (en) * | 2000-05-31 | 2003-12-26 | Disco Corp | Semiconductor wafer assembly and machining apparatus having chuck tables for holding the same |
| JP2004281430A (ja) * | 2003-03-12 | 2004-10-07 | Nitto Denko Corp | 紫外線照射方法およびそれを用いた装置 |
| KR101011890B1 (ko) * | 2003-03-12 | 2011-02-01 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 자외선 조사방법 및 그것을 사용한 장치 |
| US7985626B2 (en) | 2004-05-10 | 2011-07-26 | Advanced Chip Engineering Technology Inc. | Manufacturing tool for wafer level package and method of placing dies |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020115 |