JPH02157189A - エピタキシアル成長反応器 - Google Patents

エピタキシアル成長反応器

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JPH02157189A
JPH02157189A JP1265302A JP26530289A JPH02157189A JP H02157189 A JPH02157189 A JP H02157189A JP 1265302 A JP1265302 A JP 1265302A JP 26530289 A JP26530289 A JP 26530289A JP H02157189 A JPH02157189 A JP H02157189A
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epitaxial growth
growth reactor
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platform
baffle plate
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、半導体ウェファを支持する台を収容しこの台
の中央部とその周辺部との間でガスを循環させる空所を
有するエピタキシアル成長反応器であって、前記の空所
は、ほぼ平坦で前記の台に対し平行な蓋部材により動作
中閉じられ、前記の台を囲むそらせ板であってこの台の
周辺に沿って規則的に分布された孔があけられている当
該そらせ板を具えるガス収集冠部材が設けられているエ
ピタキシアル成長反応器に関するものである。
（従来の技術） このような反応器はフランス国特許第Ａ−８８０３６８
８号（特願平１−６７７６３号）明細書に記載されてい
る。
このフランス国特許明細書に記載されている反応器では
、冠（クラウン）部月は石英より成る円形冠部材であり
、この円形冠部材が垂直のそらせ板を構成しており、こ
の垂直のそらせ板が前記の台を囲むとともにこのそらせ
板に規則的に離間したスリットが設けられ、このそらせ
板が反応器の空所の底部上に配置されている。
（発明が解決しようとする課題） 堅い（剛固な）材料より成るこのような冠部材には、冠
部材と蓋部材との間で選択した空所が大きくなればなる
程ガスがこの空所を通過してこの空所によごれとなる堆
積体を残すおそれが大きくなり、一方前記の空所が狭く
なればなる程、この空所より広い堅い異物が、蓋部材を
押して閉める前に不運にも冠部材上に落ちていると、蓋
部材にひび割れを生ぜしめるおそれが大きくなる。この
場合満足な折衷策がない。この場合、ゴム製のバッキン
グを用いることは温度の点で全くできないこと勿論であ
る。
本発明は、蓋部材に対し良好な気密性を確保でき、蓋部
材に対し過大な力を及ぼすおそれがなく、処理すべき半
導体ウェファの水準で反応器中に生じる温度に耐え、使
用するガスに化学的に耐えるガス収集用の冠部材を提供
するものである。
（課題を解決するための手段） 本発明は、半導体ウェファを支持する台を収容しこの台
の中央部とその周辺部との間でガスを循環させる空所を
有するエピタキシアル成長反応器であって、前記の空所
は、ほぼ平坦で前記の台に対し平行な蓋部材により動作
中閉じられ、前記の台を囲むそらせ板であってこの台の
周辺に沿って規則的に分布された孔があけられている当
該そらせ板を具えるガス収集冠部材が設けられているエ
ピタキシアル成長反応器において、前記のそらせ板が上
側部分と下側部分とを有し、上側部分の下側縁部が可能
なずベリ運動で下側部分の上側縁部に押圧され、弾性手
段が前記の上側部分を前記の下側部分に対して上昇せし
めてこの上側部分を前記の蓋部材に押圧するようになっ
ていることを特徴とする。
本発明の極めて有利な実施態様では、前記の冠部材を、
前記の台を囲む管路とし、この管路は前記の台の側に、
２つのプレート縁部を有する弾性プレートを具え、これ
らのプレート縁部が互いに固着されることなく接合して
おり、これらプレート縁部が前記のそらせ板の上側部分
の前記の下側縁部及び下側部分の前記の上側縁部を構成
するように前記の弾性手段を形成する。
このようにすることにより、管路の成る壁部が、前述し
たそらせ板を構成する他の部分に対してばねとして作用
するようになる。
この管路を得るためには、−枚のプレートを出発材料と
し、多角形断面の閉管路を構成するために水平の折曲線
に沿って折曲げ且つ規則的に離間した垂直の折曲線に沿
って折曲げた前記のプレトの部分から管路を形成し、こ
の管路が前記の台を囲む通常の多角形形状となるように
するが有利である。
このプレートはモリブデンより成るプレートとするのが
好ましい。
ガスと蓋部材とが接触する領域を減少させるためには、
管路が傾斜した天板を有し、そのリッジが前記の台の側
に位置するようにするのが有利である。
特定の実施例では、前記の冠部材が前記のそらせ板の下
側部分に連結された水平部分を有し、この冠部材が前記
の水平部分により前記の台の縁部上に配置されるように
する。
この場合、冠部材が台上に配置されているライン（冠部
材と台との接触ライン）は、台の縁部と冠部材との間に
ガスが浸入するのを回避しうるほぼ気密の封止ラインを
構成する。
（実施例） 以下図面につき説明するに、第１及び２図に示す反応器
はほぼ円筒状をしており、垂直軸線を存している。また
本発明にとって重要な素子のみを示しである。
この反応器には約２５ｃｍの直径を有する固定の円形台
４が設けられており、この円形台は回転ディスクシステ
ム（図示せず）を支持するものであり、この回転ディス
クシステム上には半導体ウェファが配置される。この回
転ディスクシステムに対する説明としては、前述したフ
ランス国特許第Ａ３８０３６８８号又はフランス国特許
第Ａ−２５９６０７０号明細書を参照しうる。
この円形台４は、反応ガスが半導体ウェファと接触する
空間内に配置されている。この空間は垂直軸線を有する
円筒体１９を以って構成され、この円筒体１９が円形台
４を囲んでいる。この円筒体の下側区分及び上側区分に
は、プレートより成る底部材７及びほぼ平坦な蓋部材８
がそれぞれ配置されている。これら部材の気密性は環状
封止部材２０により得る。蓋部材８は持ち上げて処理す
べき半導体ウェファを円形台４上の適所に配置するよう
にすることができる。この蓋部材は動作中図示の状態で
円形台に対し実際上平行であり、この動作中反応ガスが
入口１　（この入口の詳細な説明に関しては前記のフラ
ンス国特許第Ａ−８８０３６８８号明細書を参照しうる
）を経て内部空間中に導入され、円形台４上でその周辺
に向は径方向に移動し、この周辺に設けられ規則的に離
間した孔１２があけられているガス収集冠部材１７．１
８によって収集される。
この冠部材の部分Ａ（第２図）を第３図に詳細に示しで
ある。この冠部材は、閉容器を構成するように折曲げた
モリブデン製の弾性プレートを以って構成する。このプ
レートの一方の縁部２から平坦プレート部分に順次に符
号１７．　５．１８．　９゜３．１０を付し、これらプ
レート部分は水平折曲線１３にそって互いに連結されて
いる。プレート縁部２及び３は円形台４の側で互いに固
着することなく接合されている。従って、管路が形成さ
れる。
この冠部材の本質的素子は上側のプレート部分１７の下
側縁部２が下側のプレート部分の上側縁部３に対して可
能なすべり運動で押圧されているこれらプレート部分１
７及び３より成る垂直のそらせ板である。プレート部分
３に連結された水平のプレート部分１０は冠部材を円形
台４上に配置せしめる作用をする。更に、上側のプレー
ト部分５、すなわち管路の天板は傾斜させ、その縁部６
を円形台４の側に位置させる。
管路は縦の折曲線１４により順次の部分に分割され、こ
れら部分は互いに成る角度を成し、管路全体が円形台を
囲む多角形体を構成する（第２図に部分的に示すこの多
角形体は２４面を有する多角形体である）。
冠部材を反応器内で円形台上に配置すると（その蓋部材
８はまだ配置されていない）、冠部材の最高位部分６は
反応器の円筒体１９の上側面よりもわずかに高位置を占
める。従って、蓋部材８を適所に配置すると、蓋部材８
がプレート部分（天板）５の最高位部分（リッジ）６に
当接する。固定の円形台４上に配置されたプレート部分
１０と、プレート部分３，９．１８．５とは、上側部分
１７を下側部分３に対して上昇せしめようとするばねを
構成し、従ってこの上側部分１７を蓋部材８に押圧する
。
管路に及ぼされる下方の力は水平のプレート部分１０に
加えられ、これによってもこのプレート部分１０を円形
台４にしっかり接触させることに注意すべきである。
第１図の断面図から明らかなように、入口１を通して導
入されるガスは冠部材の最高位部分（リッジ）６と蓋部
材８との間を通過しえず、また水平のプレート部分１０
と円形台４との間も通過しえない。従って、ガスは孔１
２のみを通過し、蓋部材上でも円形台の周辺部上でもよ
ごれとなる堆積体を形成しない。
堅い小片、例えば破損した半導体片が冠部材の上に落ち
ていても、壁部９．１８．６が弾性的である為にこの半
導体片により蓋部材（この蓋部材は石英から成り、従っ
てもろく且つ高価である）にひび割れを生せしめるおそ
れがない。
直径的に互いに対向して配置した２つの管部材２９は管
路１６の内部に挿入されており、これら管部材によりガ
スを外部に放出せしめる。
孔１２をあける代わりに、第３図の右下部に示すように
プレート部分１７に下側折返し突起部１５を設け、これ
ら突起部１５が可動の縁部２を固定の縁部３から離れる
ように移動させ、これにより縁部２及び３間に溝を形成
し、この溝をガスが通過しうるようにする。
第４図は、管路全体をいかにして１つの切断片より成る
プレートから形成しうるかを示す。例えば２４個の同一
部分があり、そのうちの端部分のみを示しである。破線
で示す折曲線に第３図と同じ符号１３．１４を付してあ
り、また管路のプレート部分１０．　３．　９．１８．
　５．　６．１７にも第３図と同じ符号を付し、いかに
管路が得られるかを直ちに理解しうるようにした。折曲
線は例えばレーザによって形成した孔の点線を以ってマ
ーキングする。
これにより、手作業でプレートを孔の点線に沿って折曲
げる。孔２１はガス放出のための管（２９）を通すため
のものである。管路を円形台を囲むように封止するため
に、この管路の両端をベンチ或いはその他の何らかの機
械的工具により互いに固定させる。
本発明は上述した実施例に限定されず、幾多の変更を加
えうろこと勿論である。例えば、管路を、互いにはんだ
付けした金属円形細条を以って構成することができる。
また、管路の底部９を反応器の底部７上に配置すること
もできるが、この場合には前述した欠点を有する。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明によるほぼ円筒状の反応器を示す断面
図、 第２図は、第１図の反応器を、蓋部材を除去して示す部
分的平面図、 第３図は、ガス収集用の冠部材の一部を拡大して示す斜
視図、 第４図は、管路を折曲げにより形成するプレートの一部
を示す平面図である。 １・・・入口　　　　　　４・・・円形台７・・・底部
材　　　　　８・・・蓋部材１５・・・突起部　　　　
　１６・・・管路１９・・・円筒体　　　　　２０・・
・環状封止部材２９・・・管部材 特許出願人　　工ヌ　ベー　フィリップスフルーイラン
ペンファブリケン

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、半導体ウェファを支持する台を収容しこの台の中央
    部とその周辺部との間でガスを循環させる空所を有する
    エピタキシアル成長反応器であって、前記の空所は、ほ
    ぼ平坦で前記の台に対し平行な蓋部材により動作中閉じ
    られ、前記の台を囲むそらせ板であってこの台の周辺に
    沿って規則的に分布された孔があけられている当該そら
    せ板を具えるガス収集冠部材が設けられているエピタキ
    シアル成長反応器において、前記のそらせ板が上側部分
    と下側部分とを有し、上側部分の下側縁部が可能なすべ
    り運動で下側部分の上側縁部に押圧され、弾性手段が前
    記の上側部分を前記の下側部分に対して上昇せしめてこ
    の上側部分を前記の蓋部材に押圧するようになっている
    ことを特徴とするエピタキシアル成長反応器。 ２、請求項１に記載のエピタキシアル成長反応器におい
    て、前記の冠部材を、前記の台を囲む管路とし、この管
    路は前記の台の側に、２つのプレート縁部を有する弾性
    プレートを具え、これらのプレート縁部が互いに固着さ
    れることなく接合しており、これらプレート縁部が前記
    のそらせ板の上側部分の前記の下側縁部及び下側部分の
    前記の上側縁部を構成していることを特徴とするエピタ
    キシアル成長反応器。 ３、請求項２に記載のエピタキシアル成長反応器におい
    て、前記の管路は、多角形断面の閉管路を構成するため
    に水平の折曲線に沿って折曲げ且つ規則的に離間した垂
    直の折曲線にそって折曲げた一枚のプレートを以って構
    成され、これにより管路が前記の台を囲む通常の多角形
    形状を有するようになっていることを特徴とするエピタ
    キシアル成長反応器。 ４、請求項２または３に記載のエピタキシアル成長反応
    器において、前記の管路が傾斜した天板を有し、そのリ
    ッジが前記の台の側に位天板を有し、そのリッジが前記
    の台の側に位置していることを特徴とするエピタキシャ
    ル成長反応器。 ５、請求項２〜４のいずれか一項に記載のエピタキシャ
    ル成長反応器において、前記のプレートがモリブデンよ
    り成るプレートであることを特徴とするエピタキシャル
    成長反応器。 ６、請求項１〜５のいずれか一項に記載のエピタキシャ
    ル成長反応器において、前記の冠部材が前記のそらせ板
    の下側部分に連結された水平部分を有し、この冠部材が
    前記の水平部分により前記の台の縁部上に配置されるよ
    うになっていることを特徴とするエピタキシャル成長反
    応器。
JP1265302A 1988-10-14 1989-10-13 エピタキシアル成長反応器 Granted JPH02157189A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

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FR8813565A FR2638020B1 (fr) 1988-10-14 1988-10-14 Reacteur d'epitaxie a collecteur de gaz ameliore
FR8813565 1988-10-14

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JPH02157189A true JPH02157189A (ja) 1990-06-15
JPH0585520B2 JPH0585520B2 (ja) 1993-12-07

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FR (1) FR2638020B1 (ja)

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