JPH02158121A

JPH02158121A - Ｘ線リソグラフィー用マスク

Info

Publication number: JPH02158121A
Application number: JP63313357A
Authority: JP
Inventors: Yasusuke Yamamoto; 庸介山本; Toshiyuki Horiuchi; 敏行堀内; Kimikichi Deguchi; 出口　公吉
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: NTT Inc
Priority date: 1988-12-12
Filing date: 1988-12-12
Publication date: 1990-06-18
Anticipated expiration: 2013-09-10
Also published as: JP2796552B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】「産業上の利用分野」本発明は位置合わせ精度の良い、ｘ＆！リソグラフィー
用マスクに関するしのである。

「従来の技術およびその課題」従来のＸ線リソグラフィー用のマスクは、第９図のよう
に、ＸＩａ吸収係数の大きな材料を用いたマスクパター
ン１と、Ｘ線吸収係数の小さな材料を用いたメンブレン
膜２、およびこれらを支える基板３とから成り立ってい
た。

たとえば、Ｍ　１　’ｒ　（７）　Ｉｌ、１．５ｓｉＬ
ｈらは、基板３としてシリコン基板、メンブレン膜２と
してシリコン基板上面の、高濃度ボロン添加ンリコン領
域を選択的にエツチングし残した膜（シリコン−ボロン
−メンブレン膜）、マスクパターン！としてＸ線吸収係
数の大きなシリコンとは異種の材料、金を用いたマスク
を報告している（Ｕ、Ｓ、Ｉ’Ａ’ｒ。

３７４３８４２．１９７３．３７４２２２９，１９７３
；３？Ｎ２２３０．１９７３）　　（論文：　Ｄ、Ｌ、
５ｐｅａｒｓ　ａｎｄ　Ｉｌ、１．Ｓｍ１ｔｈ、”Ｉｌ
ｉｇｈ−ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ　ｐａｔｔｅｒｎｒｅｐ
ｌｉｃａｔｉｏｎ　ｕｓｉｎｇ　５ｏｒＬ　Ｘ−ｒａｙ
ｓ、＠ＥＩｃｃｔｒｏｎ、Ｉ、ｅｔＬ、、Ｖｏｌ、８．
ＰＰ、Ｉ　Ｏ２−Ｉ　０４　、ＦＯ１］、＋　９７２）
。

このほか、メンブレン膜２として、マイラーフィルムや
、アルミナ、シリコン窒化膜を用いた報告例が、またマ
スクパターン１としてタンタルあるいはクロムと金の２
層構成などを用いた報告例がある　（例えば　半導体研
究１４　編者；財団法人半導体研究振興会　発行所：株
式会社　工業調査会　１９７８年　ｐｐ、　Ｉ　５９　
　を参照のこと）。

このような従来のマスク構成によれば、マスクパターン
１の材料、メンブレン膜２の材料、および基板３の材料
にはお互いの間に、 ■膜の形成温度が室温となる場合には、線膨張係数とヤ
ング率の差に起因した応力 ■膜の堆積時に、結晶構造の変化や、高エネルギー原子
の飛び込みなどにより、唖自体が内包してしまう真性応
力などの応力が働く。とくにスバブタ蒸着や電子ビーム詠
着のように、基板の片面に模を堆積するような場合には
、基板の反りという形で、これらの応力を折込みながら
ね成長が起こるために、■■の分離が困難な、）９雑な
応力が発生４−ることになる。この大きな応力のために
、模同士が引っ張り合ってマスクパターンの大きな位置
ずれが発生する。中でも、メンブレン膜は極めて薄く、
しがも基板のなかに開いた窓に張られているだけなので
、わずかの応力によって歪みが発生してしまう。

特にマスクパターン１との応力がある場合には、マスク
パターンの形状や、大きさなどによって歪みの入り方が
変わり、これが、　“局ｊ１（的なパターン位置ずれ”
の原因になってしまう。

マスクパターン１とメンブレン膜２の間の応ツノの例と
しては、たとえば、出自らのタンタルによるマスクパタ
ーンとシリコン窒化膜によるマスクの報告では、タンタ
ルの応力がＩ　ｘ　Ｉ　Ｏ”　ｄｙｎ／Ｃ１のときに、
０．１７μｌのパターン位置ずれが発生したことが報告
されている（文献：　Ｋ、Ｄｃｇｕｃｈｉｅｔ、ａｌ、
、”０ｖｅｒｌａｙ　Ａｃｃｕｒａｃｙ　Ｅｖａｌｕａ
ｔｉｏｎ　ｉｎ　５ｔｅｐａｎｄ−Ｒｅｐｅａｔ　Ｘ−
ｒａｙ　Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ”　Ｊａｐ、　Ｊｏｕ
ｒｎａｌ＾ｐｐ１．　Ｐｈｙｇ、　Ｖｏｌ、２７　、Ｎ
ｏ、７　、Ｊｕｒｙ、　Ｉ　９８８　、Ｐｐ１２７５−
１２８０）。この応力による、パターン位置ずれの特徴
は、メンブレン膜２が薄いために、マスクパターン１の
形状や、分布、密度などの影響を受けて、きわめて　“
局部的なパターン位置ずれ“が起こることである。

メンブレン膜２と基板３の間の応力の例としては、たと
えば、Ｉｌ、１．Ｓｍ１ｌｈらのシリコン−ボロンメン
ブレン膜においても、ボロンの共１’？　結合半径がシ
リコンのそれよりも小さいために、マスク基板とシリコ
ン−ボロン−メンブレン膜の間に大きな応力が発生ずる
。その結果、２インヂウエハで６０から７０μｌという
、極めて大きなそりが発生ずることが報告されている　
（上記“半導体研究１４”の１８３ページを参照のこと
）。ごれをパターン位置ずれｍになおすと、メンブレン
；摸の大きさによってはＩμ肩程度の大きな値になる。

また、メンブレン窓の形状が円形でなく、矩杉であれば
、その角に近い部分では、複雑な　“局部的なパターン
位置ずれ”が起こる場合もある。

対策として、膜の堆積条件を変えて、応力の少ない膜を
形成しようとする努力がおこなわれているが、この様な
方法では、その材料の本来的な性質であるＸ線吸収係数
などら変化してしまうことになる。また現状では、室温
で計測して、基板のそりの少ない膜を形成することが行
われているが、これは、たまたま室温下で基板のそりと
膜応力がバランスを保っているだけで、マスクパターン
１を形成後に基板３の裏面をエツチングして、メンブレ
ン膜２を残すといった、いわゆるマスク工程が終了した
後に、再び顕在化してくる。その結果、マスクパターン
１、メンブレン膜２および基板３が互いに引っ張り合う
事になり、マスク全体に大きな歪みか生じる。このよう
な歪みは、そのままマスクパターン位置のずれとなって
現れる。このような、パターン位置のずれの様子は古マ
スクごとに、ランダムに変化４゛るのが通例で、これを
制御するのは大変難しい。

膜の性質をいじらずに応力の影ヤ号を避ける手法らある
程度報告されている。たとえば、メンブレン膜２とマス
ク１＆板３に働く応力対策としては、マスク基板３を厚
い板にしっかり固定したり、マスク基板の表面と裏面を
、同じ膜措成にするなどの手法で、ある程度回避するこ
とができる　（文献：　Ｋ、５ｕｚｕｋｉ　ｅｔ、ａｌ
、、”Ｉｌｉｇｈ　「１ａｔｎｃｓｓ　１ｎａｓｋ　ｆ
ｏｒ　５Ｌｅｐ　ａｎｄ　ｒｅｐｅａｔ　Ｘコミｙ　ｌ
ｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ″Ｊ、Ｖａｃ、Ｓｃｉ、Ｔｅｃｈ
ｎｏｌ、Ｌｌ　４　　（１）　　　Ｊａｎ／Ｆｅｂ　ｐ
ｌｌ、　２２　１−２２５（＋９８６）。

このように、マスクパターンの位置合イつ仕精度を向上
させるために、さまざまな工夫がされている。しかしな
がら、マスクパターン１とメンブレン′ｌｌＡ２の間に
働く応力の影響は、メンブレン膜２が薄いために、この
ような手法によって回避することはできない。しかも、
この応力が原因でおこる　“局部的なパターン位置ずれ
”はパターンの密度や線幅、ＩＦｅ状などによって影響
されるので、系統的な補正はきわめてＩｔ　Ｌ　＜、微
細なパターン位置グと、正確な位置合わｌを要求される
Ｘ線リソグラフィー技術の大きな問題となっていノー。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたらので、マスクパ
ターンの位置ずれの小さい、Ｘ線リソグラフィー用マス
クを提供することを目的としている。

１課題を解決するだめの手段Ｊｔ記課題を解決するための手段として、本発明のＸ線リ
ソグラフィー用マスクは、メンブレン膜とＸ線マスクパ
ターン材料として、ひとつの（オ科を用いたものである
。

１作用　」本発明のＸ線リソグラフィー用マスクは、上記（１■成
としたことにより、従来の異種材料多層膜（１ｖ１成の
マスクでは本質的に避けることが出来なかった、各材料
間の応力に起因した　“局部的なマスクパターンの位置
ずれ“を最小限におさえることが出来る。

「実施例」第１図は本発明の実施例を示す図であって、図中符号１
はマスクパターン、２はメンブレン膜、３は基板である
。本発明の特徴は、マスクパターンｌとメンブレン膜２
を総て同一の材料によって構成することにある。

このような構造になっているたｙ）に、本発明のＸ線リ
ソグラフィー用マスク（以下、マスクという）において
はマスクパターン１とメンブレン膜２の応力に起因した
、マスクパターンの位置１”れを無くせることは明らか
である。

このようなマスクの４Ｍ　造を実現するマスクプロセス
の概要を第２図の（ａ）〜（（１）に示す。まずマスク
基板３の上面にメンブレン１２、マスクパターン１とな
る材料膜４を堆積４゛る。同時に基ｌｌ１２３の裏面に
も基板をエツチングするときのマスクとなる膜５を堆積
４”る。ＣＶ　Ｉ）法などの気相成長法を用いれば、膜
４と５は同時に同一の模で、厚さも同じらのを堆ｆｓ’
ｔでき、内部応力（主に、１漠の堆積時に、結晶構造の
変化や高エネルギー原子の飛び込みなどにより膜自体が
内包してしまう真性応力）ら極めて小さく制御すること
が出来る。本発明においては、このように膜５の内部応
力を出来るだけ小さく制御することが最も大切なポイン
トとなる。さらに、この材料膜４の上面に通常のリソグ
ラフィー工程とエツチング工程によって、マスクパター
ンｌを凸形に形成する。そののち、基板の外枠部のみを
残して、膜５を開口し、これをマスクとして、裏面のメ
ンブレン窓領域の下の基板３を選択的にエツチングして
完成する。膜５は（（り図のように除去してもよいが、
表面の膜４との応力バランスをとるために、残してもよ
い。また積極的に応力バランスをとるために、膜４と膜
５の膜厚を個々に調整して形成してもよい。

第１の実施例のプロセス例として、高度に発達したシリ
コン［、ＩＳプロセスを用いて具体化したプロセスを以
下に説明する。まず基板となるシリコ１ン基板３の表面
に、シリコン窒化膜４，５をＣＶＤ法によって堆積する
。このシリコン窒化膜にマスクパターン１を形成する。

続いて、基板の裏面のメンブレン窓となる部分の窒化膜
５をエツチングし、露出したシリコン基板を水酸化カリ
ウム水溶液やエチレン・ジアミン・ピ【１カテクールに
よってエツチングする。エツチングはシリコン窒化膜４
の下面でストップするので、残ったシリコン窒化膜はメ
ンブレン膜２となる。最後に、裏面に残ったシリコン窒
化膜５を除去して第１図の実施例が完成する。模４．５
として、例えば酸素を適Ｉｎ含まり°たシリコン窒化膜
を用いれば、室温での基板と膜４．５の間の応力を小さ
く出来ろ。このほか、基板３と膜４．５としてはアルミ
ナとアルミニウムなどの上記プロセスを満たず様々な材
料の組合わＵが考えられる。

第３図は本発明の第２の実施例であって、マスク基板３
の表面にメンブレン膜２、裏面にメンブレン膜と同じ材
料の膜５があることを特徴とするマスクである。

第２図のプロセス（ａ）において膜４，５は同時に形成
でき、かつ（ｃ）において、裏面の窒化膜５はプロセス
の過程で自然に残り、かつ膜５は常に表面の模４とその
応力をバランスさ口るから、残しておいたほうがマスク
のそりの量を紘らずことができることは明らかである。

通常この膜５は表面の模４と同時に形成するので同じ膜
厚となるが、もっと積極的に堆積後のエツチングなどに
よって膜厚をかえたり、追加堆積を行うなどとして、メ
ンブレン膜２の張力の微小な調整をすることも可能であ
る。Ｘ線リソグラフィー用のマスクにおいては、実際の
使用に当たって、反射防止膜、応力調整ね、などを多層
にコーティングするが、これらの膜も含めて膜の堆積に
当たっては、マスクの両面に行うことによってそりを防
止し、ひいては、パターン位置精度の向上に役立てるこ
とが出来る。

第４図は本発明の第３の実施例であって、メンブレン膜
材料と結合して応力を変化さ仕うる材料を、メンブレン
膜およびＸ線用マスクパターン材料に微Ｍに添加した領
域６を設けたことを特徴とするマスクを示したしのであ
る。このメンブレン膜と結合して応力を変化さＵうる材
料としては、メンブレン膜の材料との結合性を１丁しか
っノ（有結合半径の異なる材料が使用されるが、この添
加材料の共ＦＴ結合半径がメンブレン膜材料の共ｆｉ結
合半径に対して小さい場合には、メンブレン膜の収縮が
起こり、一方共有結合半径の大きい添加材料ではメンブ
レン膜の延びが起こる。たとえば、シリコンメンブレン
膜にボ【１ンをイオン注入などによって添加すると、ボ
ロンはシリコンに比べて共ｆＩ゛結合半径が小さいため
に、メンブレン膜が収縮する。また逆に、アンチモンな
どは）（を結合半径が大きいために、メンブレン膜が延
びる。このような現象を利用して、メンブレン膜の張力
を所望の強さに制御することが出来る。

第５図は本発明の第４の実施例であって、基板材料と結
合して、基板３の裏面に応力を変化さＵ。

うる材料を添加した領域７を設けたことを特徴とするマ
スクを示したものである。これら第４図のマスクと同様
、基板裏面に発生ずる応力を利用ｊ７てメンブレン膜の
張力を所望の強さに制御するものである。このような手
法は、第２図のマスクにおいては、裏面に堆積されたメ
ンブレン膜にら同様な手法が適用できることは明らかで
ある。

第６図は本発明の第５の実施例であって、図中符号１は
マスクパターン、２はメンブレン膜、３は基板である。

本実施例の特徴は、基板３、マスクパターン１および、
メンブレン膜２を総て同一の材料によって構成すること
にある。このような構成とすることによって、マスクパ
ターンｌとメンブレン膜２の間の応力のみならず、基板
３とメンブレン膜２の間の応力を無くずことかでき、ひ
いては、パターン位置精度を向上させることが出来る。

このようなマスクの構造を実現するには、まずマスク材
料の両面を平坦に研磨して基板３を作製する。こののち
、上面に通常のリソグラフィー工程とエツチング工程に
よって、マスクパターン２を形成する。そののち、基板
の外枠部のみを残して、裏面のメンブレン領域の下のみ
を選択的にＵ、ツチングして、メンブレン膜２を残して
完成する。

第７図は本発明の第６の実施例であって、図中符号Ｉは
マスクパターン、２はメンブレン膜、３は基板で全て同
じ第１の材料によって形成されており、８は基板３とは
異なった、第２の材料からなり、ここでは中間膜８と称
する。第２の材料が具備すべき条件は以下の製作法にお
いて説明する。

この実施例においてら、マスクパターン１、メンブレン
ｖＪ２、および基板３のすべては、ひとつの材料によっ
て構成されており、中間膜８の影成法によっては、第１
の実施例と同様、膜の応力に起因したマスクパターンの
位置ずれを、はとんど無くずことか出来る。

このようなマスクの構造を実現するプロセスを第８図に
示す。まずマスク材料の両面を平坦に研磨して基板３を
作製する。こののち、表裏面に同時に第２の模を形成し
、続いて、第１の材料を形成する。次に、上面に通常の
リソグラフィー工程とエツチング工程によって、マスク
パターン１を形成する。さらに、基板の外枠部のみを残
して、裏面のメンブレン領域の下のみを選択的にエツチ
ングし、続いて、露出した中間膜８をエツチングして、
メンブレン膜２を残して完成する。

第６の実施例のプロセス例として、高度に発達したシリ
コンＬＳＩプロセスを用いて具体化したプロセスを以下
に説明する。まず基板となるシリコン基板３の表面を熱
酸化して、中間ねとなるシリコン酸化Ｖ４８を作製する
。次に、多結晶状態のシリコンをＣＶＤ法によって表裏
面に堆積する。

この多結晶シリコン模にマスクパターンＩを形成する。

続いて、基板の裏面の多結晶シリコンと酸化膜のメンブ
レン窓となる部分を開口し、さらに基板３を水酸化カリ
ウム水溶液やエチレン・ジアミン・ピロカテコールによ
ってエツチングすれば、シリコン酸化膜８の下面でエツ
チングをストップさせることが出来る。そののち、シリ
コン酸化膜８を希弗酸などによってエツチングする。こ
のとき、多結晶シリコンからなるメンブレン膜２はエツ
チングされない。

以上は第６の実施例の一例を示したものであって、中間
膜として、選択的エツチング族の知られている様々な材
料が選べることは明らかである。

たとえば、第１材料としてシリコン酸化物、第２の材料
として多結晶シリコンを用いても、同様のプロセスを組
めることは明らかである。この他、シリコンＬ　Ｓ　Ｉ
プロセスに限定してら、第１、第２の材料として、アモ
ルファ、スシリコン、シリコン窒化膜、シリコンと酸素
と窒素の混合膜（ＳＯＮＩＩＱ）、アルミニウムとアル
ミナの組み合わＵなど様々な材料を用いることかできる
。これらの選択的エツチング液としては燐酸などがある
。

また、これら中間膜を形成するに当たっては、堆積法ば
かりでなく、例えば、シリコン基板の表裏面への酸素や
窒素のイオン注入と、その後の熱処理によって形成する
手法が考えられる。この場合の特徴は、基板の表面にシ
リコン単結品情報を残した状態で、中間層を形成できる
ので、この工程に続いて行なわれる、シリコン膜堆積に
おいて、より基板３の物性に近いシリコンの堆ｈ１ｔが
可能になるということである。また中間膜８は複数の唖
から成り立っていてら良い。

第６の実施例は、第１の実施例と同様、マスクパターン
１とメンブレン膜２の堆積温度と、常温間の熱膨張の差
に起因する膜の応力は無く、この材料間の応力によって
マスクパターンｌに歪みが発生ずることはない。また、
中間膜８ら表裏面同時に模形成が行なわれるために、中
間膜の応力に起因した基板のそりは発生しない。したが
って、基ＩｒＬ３とマスクパターン１／メンブレン膜２
との間には、基板３の反りに起因した応力は発生しない
。マスク出来上がりの状態においては、基板３の外枠の
表裏面に中間膜８が残るが表裏で応力をバランスさせて
いる上に、この部分の基板３が充分厚くできるので、た
とえ応力が存在したとしても、機械的な変形にいたるよ
うなことはない。さらに、基板３の厚さが充分あれば、
基本的には中間膜８は基板裏面にある必要はないことも
明らかである。

第６図の実施例は第１の実施例に比較してプロセスは多
くなる。しかし基板３の裏面をエツチングして、メンブ
レン膜２を残す工程で、中間１１１８によってエツチン
グをストップさせ易い為に、容易に薄くて均一なメンブ
レン膜２を形成出来るという特徴がある。

第５、第６の実施例においても、第２、第３、第４の実
施例と同様の手法によって、メンブレン膜２の張力を調
整することが可能なのは言うまでしない。

これらの実施例の設計指針の共通した部分を以下にのべ
ろ。本発明では、マスクパターンの厚さ【ｐを、メンブ
レン膜の厚さＬｍより乙充分νく４−ることによってマ
スクコントラスト　（Ｘｌｌ線量比）Ｒを実現する。

これらの膜厚ｔ　ｐ　、ｔ　ｍをどのような値に設定す
ればよいかについて以下に説明する。なお以下の説明で
は、マスクパターンの凸部の高さをｔｐとして定義する
。すなわちマスクパターンの部分の膜厚は、下のメンブ
レン膜厚を加えて（ｔ　ｐ　十Ｌｍ）である。一般にＸ
ｆｉＩが吸収係数ξ　（７１ｚ−’）、厚さｔの材料を
透過する場合に、入射光強度を■。、透過光強度を］と
すると！＝Ｉ＋ｅｘρ（−ξＥ）であられされる。したがって、マスクコントラストＲはＲ＝　　１　　ｓ／　Ｉ　　ｐ＝　ｃｘｐ（−ξ　・を
鋤）／ｅｘｐ（−ξ　（Ｌｍ＋　Ｌｔｄ）　　）＝ｅｘ
ｐ（ξ・ｊｐ　）となる。ここで１ｐはマスクパターン１とその下のメン
ブレン膜２を透過したＸ線の強度、Ｉ−はメンブレン膜
２を透過したＸ線の強度である。

これらの式から、本発明のマスクでは以下の特徴がある
ことがわかる。すなわち、本実施例では、マスク材料と
使用するＸ線の波長が決まれば、吸収係数ξが決まるの
で、あるマスクコントラストをねらう場合、マスク製作
工程で制御しなければならないのは、マスクパターン１
の段差高さｔｐだけであるということがわかる。従って
、メンブレン膜形成時における加工誤差がマスクパター
ンｌの段差高さ【ｐに比べて無視できる範囲であれば、
メンブレン膜の厚さ１ｍは、充分厚くしてらマスクコン
トラストには影響しない。

らちろん、メンブレン膜２の厚さＬｍはリソグラフィー
におけるＸ線露光時間′ｌ゛に関係する。レノストの潜
像を実現しうる最小のＭ先光量を、Ｑ　ｌｌｌ１ｎ、マ
スクに入射するＸ線の強度を１゜とすれば、レジストへ
の最小露光時間’Ｉ’　ｗｉｎはＴ　ｗｉｎ　＝　（Ｑ
　ｓｉｎ　／　Ｉ　ｎ）　ｅｘｐ　（ξ・（論）となる
。メンブレン膜のνさ【−はこのｌ’ａ＋ｉｎがＬＳＩ
の製造プロセスのなかで現実的な短さであれば良い。

これに比べて、従来のマスクでは、マスクパターン１と
メンブレン膜２、各々の模を堆ｂｉする際に材料の組成
制御が難しく、−・定の吸収係数を保証しにくい上に、
膜の厚さの制御も必要となる。

すなわち、膜１．２の吸収係数と膜厚という４つのパラ
メーターに左右される。従って本実施例は、従来マスク
に比べてマスクコントラストを制御し易いという特徴が
ある。

実際にどの程度のｔｐを実現しなければならないかを考
えるために、上の式を変形して、ｔｐ＝Ｉｎ　　（１）
／ξ の式を得る。Ｒとして仮に１０を代入した場合には、Ｌｐ＝２．３／ξ となる。たとえばマスク材料としてシリコン基板を用い
、銅の特性Ｘ線（波長１３．３人）を用いた場合、ξは
およそ０．５μｍ１−Ｉなので、ｔｐは４．６μ層とし
たときにマスクコントラスト１０を実現できる。また炭
素の特性Ｘ線（波長４４゜８人）を用いた場合、ξは１
０μ「１となるので、ｔｐ＝０．２３μｌのときにマス
クコントラスト１０を実現できる。マスク材料としては
、その硬度やＸ線の吸収係数、加工のしやすさなどから
、シリコンやシリコン窒化模、アルミニラ１１などを自
由に選択することかできる。

またＸ線として、シンクロトロン放射光を利用すれば、
Ｘ線の強度および波長も、かなり高範囲に選択すること
が出来る。本発明のマスクのようにマスクパターンの高
さｔｐが比較的大きいマスクでは、点光源Ｘ線源を用い
ると、マスクパターンの影の部分が大きくなり、ぼけの
原因となる。

しかし、シンクロトロン放射光のように平行性の強いＸ
線であればこの様な心配はない。

「発明の効果」以上説明したように、本発明のマスクはマスクパターン
、メンブレン膜をひとつの材料によって構成しているた
めに、膜の応力に起因したマスクパターンの位置ずれを
本質的に無く仕るという効果がある。

またマスクコントラストが、マスク材料のＸ線吸収係数
とパターンの段差高さだけに依存４−るので、所望のコ
ントラストを実現１．易いという効果かある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例を示すマスクの断面図で
ある。第２図は第１の実施例のマスクのプロセスフローである
。第３図は本発明の第２の実施例を示すマスクの断面図で
ある。第４図は本発明の第３の実施例を示すマスクの断面図で
ある。第５図は本発明の第４の実施例を示すマスクの断面図で
ある。第６図は本発明の第５の実施例を示すマスクの断面図で
ある。第７図は第６の実施例のマスクのプロセスフＣ’Ｊ−で
ある。第８図は本発明の第６の実施例を示すマスクの断面図で
ある。第９図は従来のＸ線マスクの例を示す断面図である。・マスクパターン、・・・・メンブレン膜、・・・・・基板、・・・・・マスクパターンとメンブレン膜となる膜、・
・・４と同材料の実面積、・・・異なった材料が添加されたメンブレン膜の領域、７・・・・・・Ｗなった材料が添加された基板裏面領域
、８・・・・中間層。ソ　７ス７心−７出願人　　日本電信電話株式会社

Claims

【特許請求の範囲】

（１）メンブレン膜とＸ線マスクパターン材料として、
ひとつの材料を用いたことを特徴とするＸ線リソグラフ
ィー用マスク。
（２）メンブレン膜とＸ線マスクパターン材料として、
ひとつの材料を用いたＸ線リソグラフィー用マスクにお
いて、基板の裏面にメンブレン膜と同じ材料膜があるこ
とを特徴とするＸ線リソグラフィー用マスク。
（３）メンブレン膜とＸ線マスクパターン材料として、
ひとつの材料を用いたＸ線リソグラフィー用マスクにお
いて、メンブレン膜とＸ線マスクパターンに異なった材
料を添加したことを特徴とするＸ線リソグラフィー用マ
スク。
（４）メンブレン膜とＸ線マスクパターン材料として、
ひとつの材料を用いたＸ線リソグラフィー用マスクにお
いて、マスク基板の裏面にマスク基板材料とは異なった
材料を添加した領域があることを特徴とするＸ線リソグ
ラフィー用マスク。
（５）メンブレン膜とＸ線マスクパターン材料として、
ひとつの材料を用いたＸ線リソグラフィー用マスクにお
いて、同じ材料をマスク基板として用いたことを特徴と
するＸ線リソグラフィー用マスク。
（６）メンブレン膜とＸ線マスクパターン材料として、
ひとつの材料を用い、かつ同じ材料をマスク基板として
用いたＸ線リソグラフィー用マスクにおいて、メンブレ
ン窓以外の基板の上に、この材料と同じエッチング手段
でエッチングを行った場合そのエッチング速度が遅い第
２の材料膜があり、さらにその上にメンブレン膜がある
ことを特徴とするＸ線リソグラフィー用マスク。