JPS63202022A - リゾグラフイによるパターンの形成のための露光マスク - Google Patents

リゾグラフイによるパターンの形成のための露光マスク

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JPS63202022A
JPS63202022A JP63024066A JP2406688A JPS63202022A JP S63202022 A JPS63202022 A JP S63202022A JP 63024066 A JP63024066 A JP 63024066A JP 2406688 A JP2406688 A JP 2406688A JP S63202022 A JPS63202022 A JP S63202022A
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JP
Japan
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exposure mask
support layer
lithography
light
support frame
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JP63024066A
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JPH0351287B2 (ja
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ハインツ・クラウス
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Dr Johannes Heidenhain GmbH
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はりゾグラフィによるパターンの形成のための露
光マスクにして、１つの支持枠には形成されるべきパタ
ーンに相応する構造部を備えた支持体層が配設されてい
る前記露光マスクに関するものである。
この種の露光マスクは特に半導体ウェハ及び半導体成分
並びに光学格子のｘ′！ｒ！Ａリソグラフィ又はイオン
ビームリソグラフィによる製造に役立つ。
（従来の技術） 西独間特許公開公報３２３２４９９及び西独間特許公開
公報３４２７４９９からリソグラフィによるパターンの
製造のための同種の露光マスクが公知であり、その際支
持枠内に形成されるべきパターンに相応した光吸収性の
構造部を備えた光透過性の支持体層が配設されている。
西独間特許公開公報３１５００５６にはＸ線リソグラフ
ィ又はイオンビームリソグラフィのための同種の露光マ
スクが記載されている。光透過性の支持体層のための支
持枠は露光されるべき半導体基板の光学的アラインメン
トのためのマークを有する。
しかし形成されるべきパターンの特にＸ線リソグラフィ
によって得られることができる高い分解能は露光マスク
の形成されるべきパターンに相応する構造部の極端に高
い寸法保持性の要請と結びついている。
製造及びそのような露光マスクの使用の際に種々の理由
、例えば露光の際の構造部における支持体層の熱的負荷
又は支持枠における固定の際のその構造部を備えた支持
体層の応力によって可変の応力成分が生じ、応力成分は
支持体層の再生不可能な最終的な傷に繋がり、その結果
露光マスクの構造部の寸法保持性は最早保証されない。
西独間特許公開公報３４２５０６５はこの種の最終的な
機械的な傷が応力の補償された支持体層によって回避さ
れるＸ線リソグラフィのための露光マスクが記載されて
いる。この支持体層はこれらの応力補償のための２つの
相異なる材料によって配量された珪素層から成る。しか
しこの応力補償は特別の材料を必要とし、かつ製造技術
的に比較的コスト高である。
（発明の課題） 本発明の課題は冒頭に記載された種類の露光マスクを応
力成分の発生の際に構造部の寸法保持性が確保されるよ
うに形成することである。
（課題の解決のための手段） 本発明の課題は支持体層が構造部と支持枠との間の縁範
囲において弾性的範囲を有することによって解決される
。
（発明の効果） 本発明により得られる利点は特に、構造部と支持枠との
間の支持体層の縁範囲に弾性的範囲が存在することによ
って簡単な方法で発生する応力成分の補償が得られるこ
と番ごある。構造部を備えた構造範囲を取り囲しでいる
少なくとも２列の孔によるこの弾性的範囲の形成は簡単
な方法で可能になり、その結果製造技術的なコストはか
からず同時に支持体層に好適な材料について制限はない
。
有利な構成は他の請求項にも記載されている。
（実施例） 第１図には露光マスクが横断面でそして第２図には露光
マスクが平面図で示されている。この露光マスクは高い
分解能を有するパターン、特に光学格子並びに半導体ウ
ェハ及び半導体成分のＸ線リソグラフィ又はイオンビー
ムリソグラフィによる製造のために役立つ。
例えば・インバーから成るリング状支持枠１内に例えば
ニッケルから成る光吸収性の支持体層２がねじ４により
締付リング３を介して固定されている。この支持枠１内
での支持体層２の固定は、支持枠１の内方範囲５で支持
体層２の平面度を保証するために、支持体層の弛みにを
防止するように幾らかの予圧を以て行われる。
支持枠１の内方範囲５において支持体層２はリソグラフ
ィによる方法で形成された光透過構造部８を備えた構造
部範囲７を有する。
しかし締め付はリング３による支持枠１における支持体
層２の固定の際に支持体層２において応力成分が生じ得
、この応力成分は支持体層２における再生不可能な最終
的な傷に繋がり得、その結果露光マスクの支持体層２の
構造部範囲７における構造部８の寸法保持性は最早保証
されない。このような可変の応力成分は露光マスクの使
用の際でも露光の際の支持体層２の熱的負荷によって発
生し得る。
この種の応力成分の補償のために、本発明によれば、支
持体Ｎ２は構造部８を備えた構造部範囲７は支持枠１と
の間の縁範囲９に弾性的範囲１０を有することが提案さ
れる。この弾性的範囲１０は支持体層２における孔（パ
ーフォレーション）１１によって形成され、孔は構造部
８を備えた構造部範囲７を少なくとも２列に取り囲む。
第１図及び第２図において、好適な実施形において孔１
１は構造部８を備えた構造部範囲７を２列にかつこの両
列において隙間が相互にずらされている。列方向に延在
する孔１１はこの形態によってばね要素を形成し、ばね
要素は構造部８を備えた構造部範囲７を支持枠１及び締
め付はリング３から生ずる応力成分から遮断する。
図示の方法で露光マスクは光透過支持体層をも有し、こ
の支持体層の上に光吸収性の構造部が設けられる。その
ような露光マスクは例えば西独国特許公開公！１３３４
２７４４９に記載されている。
【図面の簡単な説明】
第１図は露光マスクの横断面図、そして第２図は露光マ
スクの平面図である。 図中符号 １　・・・・支持枠 ２　・・・・支持体層 ８　・・・・構造部 ９　・・・・縁範囲 １０・・・・弾性的範囲

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、リソグラフィによるパターンの形成のための露光マ
    スクにして、１つの支持枠内には形成されるべきパター
    ンに相応する構造部を備えた支持体層が配設されている
    前記露光マスクにおいて、支持体層（２）は構造部（８
    ）と支持枠（１）の間の縁範囲（９）に弾性的範囲（１
    ０）を有することを特徴とする露光マスク。 ２、弾性的範囲（１０）は支持体層（２）における孔（
    １１）によって形成されている請求項１記載の露光マス
    ク。 ３、孔（１１）は構造部（８）を少なくとも２列で取り
    囲んでいる、請求項１又は２記載の露光マスク。 ４、少なくとも２つの隣接した列の孔（１１）は相互に
    位置をずらされている、請求項３記載の露光マスク。 ５、光吸収支持体層（２）内に光透過性の構造部（８）
    が配設されている、請求項１記載の露光マスク。 ６、光透過性の支持体層上に光吸収性の構造部が配設さ
    れている、請求項１記載の露光マスク。
JP63024066A 1987-02-06 1988-02-05 リゾグラフイによるパターンの形成のための露光マスク Granted JPS63202022A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3703582A DE3703582C1 (de) 1987-02-06 1987-02-06 Bestrahlungsmaske zur lithographischen Erzeugung von Mustern
DE3703582.7 1987-02-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63202022A true JPS63202022A (ja) 1988-08-22
JPH0351287B2 JPH0351287B2 (ja) 1991-08-06

Family

ID=6320354

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63024066A Granted JPS63202022A (ja) 1987-02-06 1988-02-05 リゾグラフイによるパターンの形成のための露光マスク

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4950568A (ja)
EP (1) EP0278076B1 (ja)
JP (1) JPS63202022A (ja)
DE (3) DE8717448U1 (ja)

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US4950568A (en) 1990-08-21
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