JPH02158149A

JPH02158149A - 両面実装型ｔａｂ用テープキャリア

Info

Publication number: JPH02158149A
Application number: JP63313599A
Authority: JP
Inventors: Mamoru Onda; 護御田
Original assignee: Hitachi Cable Ltd
Current assignee: Hitachi Cable Ltd
Priority date: 1988-12-12
Filing date: 1988-12-12
Publication date: 1990-06-18
Anticipated expiration: 2012-03-12
Also published as: JP2589358B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〈産業上の利用分野〉本発明は、両面に電子部品組み入れが可能な両面実装型
ＴＡＢ用テープキャリアに関するゆ〈従来の技術〉従来のＴＡＢ用テープキャリアは、片面のみにリードパ
ターンを形成させ、デバイスホールの下側から半導体集
積回路素子（以下、ＩＣ素子という）を取り付けていた
。　例えば、従来のＴＡＢテープキャリアの構造を第３
図に示す、　同図に示す従来の片面実装型ＴＡＢ用テー
プキャリア４０が第２図に示すリードパターンを有する
場合、従来のＴＡＢ用テープキャリアの構造は、標準３
５ｍｍ幅ポリイミドフィルム１２あるいはガラスエポキ
シ等の有機絶縁材料テープにまずＩＣ素子取付用デバイ
スホール２０を開口させその片面に厚さ１８〜３５μｍ
の銅箔１４を全面に貼付けて、フォトエツチング法によ
りインナーリード２２、アクタ−リード３０のパターン
を形成させる構造となっていた。

そして、第３図に示すように、この従来のＴＡＢ用テー
プキャリア４０はＩＣ素子１８をデバイスホール２０の
下側から取付け、インナーリード２２とＩＣ素子電極２
４とをギヤングボンデングする構造となっていた。

〈発明が解決しようとする課題〉ところで、ポリイミドフィルムまたはガラスエポキシな
どの有機絶縁材料テープの片面にのみ銅箔または銅合金
箔などの金属箔リードパターンを形成させている従来の
ＴＡＢ用テープキャリアには以下のような問題点があっ
た。

１、金属箔を片面からのみ貼付するために温度変化によ
り金属箔とポリイミドまたはガラスエポキシなどの有機
絶縁性材料との間の熱膨張係数が異なり、第３図に示す
ように、（＋）側または（−）側へのテープの反りがお
こっていた。このため、ＩＣ素子実装後、大きな温度変
動が存在する所で使用すると、テープの反りが繰り返え
され、インナーリードが繰り返し折り曲げられ、ＩＣ素
子とインナーリードとの間の接合が外れたり、インナー
リードが破断して故障を起こす原因となっており、実装
置Ｃ素子の信頼性を低下させていた。

２、片面実装型であるために°、片面しかＩＣ素子など
の部品取付ができず、実装密度が上げられなかった。

３、片面実装型であるため、部品取付のための金属箔が
テープの片面にしか貼着されておらずテープの折り曲げ
保持が出来なかった。　これは片面の銅箔などの金Ｒｒ
ｔｈの剛性のみでは、例えば、通常、厚さが１８〜３５
μｍの銅箔よりより厚い通常厚さが７５〜１２５μｍの
ポリイミドやガラスエポキシなどの有機絶縁材料テープ
の曲げ形状保持が出来ないためであった。

本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解消し、両面
実装可能な、また曲げ形状保持の出来る反りの小さい信
頼性の高いＴＡＢ用テープキャリアを提供することにあ
る。

く課題を解決するための手段〉上記目的を達成するために、本発明は、半導体集積回路
素子組み込み用デバイスホールを有する有機絶縁材料テ
ープと、該テープの両面に接着剤層を介して貼付けられ
た金属箔層とを備え、前記金属′ｆ３Ｆ！の少なくとも一方の面に前記半導体
集積回路素子ボンディング用のインナーリードとアウタ
ーリードを有する配線パターンを形成させたことを特徴
とする両面実装型ＴＡＢ用テープキャリアを提供するも
のである。

前記金属箔層の片面は、配線パターンの形成されない金
属箔層であるのが好ましい。

また、前記金属箔層の片面は、チップ型回路部品搭載可
能な配線パターンを形成させた金属箔層であるのが好ま
しい。

また、前記金属箔層は、銅箔または銅合金箔からなる層
であるのが好ましい。

また、前記チップ型回路部品はチップ型のコンデンサー
　抵抗またはコイルであるのが好ましい。

以下に、本発明をさらに詳細に説明する。

本発明に用いられる有機絶縁材料テープは、フィルム状
の所定幅の長尺のテープであって、加工性がよく、耐熱
性、耐放射線性、耐湿性などを有し、絶縁性に優れた有
機高分子材料製のテープであれば何でもよく、有機絶縁
材料としては、例えば、代表的にポリイミド、ガラスエ
ポキシ、エポキシ樹脂、エポキシポリイミド、ポリイミ
ドシリコーン、感光性ポリイミドなどを挙げることがで
きる。　このテープの厚さはＴＡＢ用テープキャリアに
用いられるテープ厚さを有していればよく、特に限定さ
れないが、例えば、通常７５〜１２５μｍ程度とすれば
よい。

また、本発明に用いられる金属箔としては、導電性のよ
い金属製でフォトエツチング法などにより、リードパタ
ーンあるいは配線パターンを形成できる金属箔であれば
、いかなるものでもよく、例えば、代表的に銅箔、銅合
金箔などが挙げられる。

ま乍、この金Ｒ箔の厚さは特に制限的ではなく、ＴＡＢ
用テープキャリアとして必要な厚さを両面の金属箔の配
線パターン、剛性等により適宜選択すればよいが、例え
ば、！８〜３５μｍ程度とすればよい。

本発明に用いるチップ型回路部品は、ＩＣ素子が搭載さ
れた面の裏側の面に搭載可能なチップ型であって、電子
回路を構成する回路部品であれば何でもよく、例えば、
代表的に、チップ型のコンデンサー　抵抗、コイルおよ
びこれらを集積したもの等を挙げることができる。

本発明において、ＩＣ素子が＃ＩｆＩｌｌされた面の裏
側の面に搭載されるものは、搭載可能であれば上記のチ
ップ型回路部品に限定されず、例えば、表面と同じＩＣ
素子あるいは他のＩＣ素子を始めとして各種部品、回路
、電子デバイス、半導体デバイス、光デバイスなどを挙
げることができる。

また、本発明において、片面あるいは両面の金属箔層に
形成される配線パターンは、第２図に示すＩＣ素子用リ
ードパターンに限定されないことは勿論、搭載される部
品、回路、デバイス、素子などに応じ適宜必要な配線パ
ターンをフォトエツチング法などにより形成すればよい
。

本発明の最も特徴とするところは、有機絶縁材料テープ
の両面に接着剤な介して金属箔を貼り配線パターンを形
成させたことにあるが、本発明はこれに限定されず、片
面にはＩＣ素子用のリードパターンを形成し、他方の片
面は金属箔を貼付けたのみでも良い、　この場合この面
は剛性の他、シールド導体や静電気排除導体の役目を果
す。

本発明に用いられる接着剤は、金属箔を有機絶縁材料テ
ープに好適に貼り付けることができればどのようなもの
でもよく、絶縁性を有し、耐熱性、耐湿性を有するもの
が好ましく、例えば、代表的にエポキシ系接着剤、ウレ
タン系接着剤、シリコーン樹脂系接着剤などが挙げられ
る。

〈実施例〉以下に、本発明に係る両面実装型ＴＡＢ用テープキャリ
アを添付の図面に示す好適実施例に基づいてさらに詳細
に説明するが、本発明はこれに限定されるわけではない
。

第１図は、本発明の両面実装型ＴＡＢ用テープキャリア
の断面図である０本実施例は、有機絶縁材料テープとし
てテープ状のポリイミドフィルム、金属箔として銅箔を
用いるものである。

同図に示すように、両面実装型ＴＡＢ用テープキャリア
１０はポリイミドフィルム１２の両面に銅箔層１４．１
６を接着剤を用いて貼着し、表面銅箔層１４はポリイミ
ドフィルム１２に空けられたＩＣ素子１８取付用のデバ
イスホール２０に突出するイ・ンナーリード２２を有す
るリードパターンすなわちＩＣ素子用配線パターンを形
成したものである。　そして、ＴＡＢ用テープキャリア
１０は、ＩＣ素子電極（例えばＡｕバンブ）２４とイン
ナーリード２２とを一度にギヤングボンデングし、点線
で示す領域を封止レジン２６で封止するものである。

このような両面実装型ＴＡＢ用テープキャリアｌＯの表
面は、従来のＴＡＢ用テープキャリアの表面と同様なも
のであフてよく、例えば、第２図に示すような表面構成
を有する。　長尺のポリイミドフィルム１２にはその中
央に実装置Ｃ素子用のデバイスホール２０が空けられ、
両側に所定間隔でパイロットホール２８が連続して設け
られる。　デバイスホール２０の周囲には、デバイスホ
ール２０に延長するインナーリード２ｚとポリイミドフ
ィルムに貼着されているアウターリード３０からなる銅
箔製リード３２が所定のリードパターンで形成されてい
る。　これらのり−ド３２が表面鋼？ａｌｔ４を形成す
る。

一方、本発明の両面実装型ＴＡＢ用テープキャリア１０
の裏面銅箔層１６には、表面と同様の配線パターンある
いは図示しない所定の配線パターンが形成されている。

　あるいは、裏面銅箔層１６は何の配線パターンも形成
されない銅箔のままであってもよい、　もちろん必要で
あれば、デバイスホール２０やパイロットホール２８は
間けられていてもよい。

（実施例１）第１図に示す断面形状を有する本発明の両面実装型ＴＡ
Ｂ用テープキャリア１０としてインナーリード１００ビ
ン用のものを製造した。

このＴＡＢ用テープキャリア１０の製造方法はまず裏面
銅箔層１６を有する（銅箔の厚さ３５μｍ）ポリイミド
フィルム１２をパンチング加工してデバイスホール２０
を形成させる。′！Ａ面銅面層箔層１６イロットホール
２８の部分を除いて３５ｍｍ幅ポリイミドフィルム１２
の全面にエポキシ系接着剤を用いて貼付けられている。

　デバイスホール加工後、表面銅箔層Ｉ４を同様に貼付
けて、フォトレジスト法により所定のリードパターンに
インナーリード２２およびアクタ−リード３０を形成さ
せた。

（比較例１）裏面銅箔層１６を貼着していない以外は実施例１と全く
同様の１００ビン用の従来のＴＡＢ用テープキャリアを
製作した。

ここで、ポリイミドフィルムの厚さは、実施例１および
比較例１の両方共１２５μｍの厚さとした。

この両者のＴＡＢ用テープキャリアに対してｔＣ素子１
８を接合して点線の領域をボッティングレジン（エポキ
シ系）２６で封止した。

封止後両者の信頼性試験として温度サイクル試験を実施
した。

また、温度サイクル時−５０℃および１５０℃の低高温
の両側でフィルムの反り量の変化を調べた。調査結果を
表１に示す。

表１の結果から明らかなように、比較例１の従来型のＴ
ＡＢテープは、高温、低温の温度変化で銅箔とポリイミ
ドの熱膨張係数が異なるために、第３図に示す様に（＋
）側および（−）側に反りの変化がくり返されたことが
わかる。

これに対して本発明のものは温度変化による反りの変動
がないことがわかる。　片面銅箔型の従来措造のものは
３００サイクルで試験ＩＣ個数１１個の全部がインナー
リード破断により故障をおこした。　これは温度サイク
ルによる銅箔と封止レジンとの間の熱膨張差起因の熱疲
労の他に反りのくり返しが付加的に加わったことによる
ものと思われる。　表１から明らかなように実施例１で
は６００ｈの耐温度サイクル試験をクリアした。

（実施例２）実施例１で得た両面実装型ＴＡＢ用テープキャリアの裏
面銅箔層に、表面と“同一の１００ビンリードパターン
を試験的に形成させた。

但し、デバイスホールに延長するインナーリードは形成
しなかった。

この場合も、実施例１と同様にｒｃ素子実装後、温度サ
イクル試験を実施したが、実施例１と同様の結果が得ら
れた。

〈発明の効果〉以上、詳述したように、本発明によれば、有機絶縁材料
フィルムの両側に金属箔層を有するので、温度変化があ
っても前記有機絶縁材料フィルムと前記金属箔との熱膨
張係数の差に起因するインナーリードの反りやその反動
を小さくでき、ＩＣ素子と前記インナーリードの接合部
や前記インナーリード自身の破断を防止できるので、温
度サイクルに対する信頼性を高めることがで酋る。

また、本発明によれば、ＩＣ素子を取り付けない裏面の
金属箔を長尺に連続した電気的に連続導通したパターン
とすることができるので、ポリイミドなどの有機絶縁材
料テープの静電気の除電作用の役目をなすことができる
。　ボリイミドなどの有機絶縁材料は非常に静電気を帯
びやすいために、従来のＴＡＢ用テープキャリアではこ
れを除電する目的で金属性の薄箔帯状のスペーサーをテ
ープ間に介在させる必要があったが、これを省略できる
。

また、本発明によれば、裏面配線パターンにチップ型の
コンデンサー　抵抗およびコイル等を搭載できるので、
実装密度を大幅に向上でき、ハイブリッドＩＣの製造を
容易にすることができる。

また、本発明によれば、両面に金属箔が貼着されて、剛
性があるので、曲げ成型による形状の保持が可能である
。　これはカメラ、液晶機器等に収納する場合非常に有
利である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に係る両面実行型ＴＡＢ用テープキャ
リアの一実施例の断面図である。第２図は、ＴＡＢ用テープキャリアの表面の平面図であ
る。第３図は、従来のＴＡＢ用テープキャリアの断面図であ
る。符合の説明１０・・・両面実装型ＴＡＢ用テープキャリア、１２・
・・ポリイミドフィルム、１４・・・表面銅箔層、１６・・・裏面銅箔層、１８・・・ＸＣ素子、２０・・・デバイスホール、２２・・・インナーリード、２４・・・ＩＣ素子電極、２６・・・封止レジン、２８・・・パイロットホール、３０・・・アクタ−リード、３２・・・リード、

Claims

【特許請求の範囲】

（１）半導体集積回路素子組み込み用デバイスホールを
有する有機絶縁材料テープと、該テープの両面に接着剤
層を介して貼付けられた金属箔層とを備え、前記金属箔層の少なくとも一方の面に前記半導体集積回路素子ボンディング用のインナーリードと
アウターリードを有する配線パターンを形成させたこと
を特徴とする両面実装型ＴＡＢ用テープキャリア。
（２）前記金属箔層の片面は、配線パターンの形成され
ない金属箔層である請求項１に記載の両面実装型ＴＡＢ
用テープキャリア。
（３）前記金属箔層の片面は、チップ型回路部品搭載可
能な配線パターンを形成させた金属箔層である請求項１
に記載の両面実装型ＴＡＢ用テープキャリア。
（４）前記金属箔層は、銅箔または銅合金箔からなる層
である請求項１ないし３のいずれかに記載の両面実装型
ＴＡＢ用テープキャリア。
（５）前記チップ型回路部品はチップ型のコンデンサー
、抵抗またはコイルである請求項１ないし４のいずれか
に記載の両面実装型ＴＡＢ用テープキャリア。