JPH02159079A - アクチュエータ用圧電材料及びその積層型変位素子 - Google Patents
アクチュエータ用圧電材料及びその積層型変位素子Info
- Publication number
- JPH02159079A JPH02159079A JP63313621A JP31362188A JPH02159079A JP H02159079 A JPH02159079 A JP H02159079A JP 63313621 A JP63313621 A JP 63313621A JP 31362188 A JP31362188 A JP 31362188A JP H02159079 A JPH02159079 A JP H02159079A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric material
- strain
- amount
- laminated
- piezoelectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は自動車のブレーキ装置等に使用するアクチュエ
ータ用の圧電材料、及びそれを用いた積層型変位素子に
関する。
ータ用の圧電材料、及びそれを用いた積層型変位素子に
関する。
電界を加えると機械的な歪みを生じる性質を有する物質
は一般に圧電材料と呼ばれ、電気機械変換素子としてバ
イモルフ、圧電火花素子、超音波振動子、圧電ブザー、
セラミックフィルター等に広く利用されている。またこ
のような用途に使用し得る圧電材料として、３ａＴ＋０
３、Ｐｂ（Ｚｒ、 Ｔ＋）Ｏｔし＋ＮｂＯ３，１ｉＴａ
ｏｉ等が知られている。
は一般に圧電材料と呼ばれ、電気機械変換素子としてバ
イモルフ、圧電火花素子、超音波振動子、圧電ブザー、
セラミックフィルター等に広く利用されている。またこ
のような用途に使用し得る圧電材料として、３ａＴ＋０
３、Ｐｂ（Ｚｒ、 Ｔ＋）Ｏｔし＋ＮｂＯ３，１ｉＴａ
ｏｉ等が知られている。
一般に圧電材料に電界をかけるとその結晶構造が変化し
、その結晶変態点において極大の歪量（電気機械結合定
数）を示す。結晶変態点は各圧電材料により異なるので
、目的の作動温度に応じ、適当な圧電材料を選択して用
いている。
、その結晶変態点において極大の歪量（電気機械結合定
数）を示す。結晶変態点は各圧電材料により異なるので
、目的の作動温度に応じ、適当な圧電材料を選択して用
いている。
最近、精密工作機械における位置決め、流体量制御バル
ブ、あるいは光学装置の光路長制御などの駆動源として
使用されるアクチュエータ用圧電材料にＢａＴｉＯ３系
磁器を使用することが提案されたく特開昭６２−１５４
６８０ 号）。
ブ、あるいは光学装置の光路長制御などの駆動源として
使用されるアクチュエータ用圧電材料にＢａＴｉＯ３系
磁器を使用することが提案されたく特開昭６２−１５４
６８０ 号）。
このＢａＴｉ０．系磁器は５ｉｎ２及びｉ、Ｏ，、さら
に必要に応じ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ等の希土類元素を添加し
たもので、磁器中に空間電荷を有し、この空間電荷とＢ
ａＴｉ０．の強誘電性とがあいまって、電界の印加に伴
う歪量が分極方向に依存せず、高い負電圧を印加しても
分極反転が起こらない等の特徴を有する。
に必要に応じ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ等の希土類元素を添加し
たもので、磁器中に空間電荷を有し、この空間電荷とＢ
ａＴｉ０．の強誘電性とがあいまって、電界の印加に伴
う歪量が分極方向に依存せず、高い負電圧を印加しても
分極反転が起こらない等の特徴を有する。
しかしながら、このＢａＴ＋Ｏｚ系磁器からなる圧電材
料は、Ｐｂ（Ｚｒ、 Ｔｉ）Ｏｓ のように例えば菱面
体晶系強誘電相と正方晶系強誘電相の結晶変態点が実際
の作動温度において得られず、実際の作動温度（約−３
０℃〜約＋７０℃）の範囲においては十分に大きな歪量
が得られないという問題がある。
料は、Ｐｂ（Ｚｒ、 Ｔｉ）Ｏｓ のように例えば菱面
体晶系強誘電相と正方晶系強誘電相の結晶変態点が実際
の作動温度において得られず、実際の作動温度（約−３
０℃〜約＋７０℃）の範囲においては十分に大きな歪量
が得られないという問題がある。
従って、本発明の目的は実際の作動温度において大きな
歪量を示すアクチュエータ用圧電材料を提供することで
ある。
歪量を示すアクチュエータ用圧電材料を提供することで
ある。
本発明のもう１つの目的は、かかる圧電材料からなる薄
膜を電極技と交互に積層してなる積層型変位素子を提供
することである。
膜を電極技と交互に積層してなる積層型変位素子を提供
することである。
上記目的に鑑み鋭意研究の結果、本発明者等はＢａＴｉ
Ｏ３中の８ａを所定の割合のＳｒで置換することにより
キュリー点を低下することができ、もって実際の作動温
度における歪量を大きくすることができることを発見し
、本発明に想到した。
Ｏ３中の８ａを所定の割合のＳｒで置換することにより
キュリー点を低下することができ、もって実際の作動温
度における歪量を大きくすることができることを発見し
、本発明に想到した。
すなわち、本発明のアクチュエータ用圧電材料は下記一
般式： ％式％） （ただしＸ＝０．１〜０．５） により表される組成を有することを特徴とする。
般式： ％式％） （ただしＸ＝０．１〜０．５） により表される組成を有することを特徴とする。
また本発明のアクチュエータ用積層型変位素子は、下記
一般式： ％式％） （ただしＸ＝０．１〜０．５） により表される組成を有する圧電材料からなる複数の薄
板と、電極板とを交互に積層したことを特徴とする。
一般式： ％式％） （ただしＸ＝０．１〜０．５） により表される組成を有する圧電材料からなる複数の薄
板と、電極板とを交互に積層したことを特徴とする。
本発明を以下詳細に説明する。
本発明の圧電材料は下記一般式により表される組成を有
する。
する。
（Ｂａ＋−ｘ Ｓｒ、ｔ ）Ｔｉｎ３
（ただしｘ＝０．１〜０．５）
ＢａＴ＋Ｏｚ自身は１２０ ℃のキュリー点（Ｔｃ）を
有するが、Ｓｒの量が増大するにつれてキュリー点が低
下する。一般に作動温度において常誘電相（立方晶）と
強誘電相（正方晶）との共存状態にある場合、外部電場
の印加により常誘電相から強誘電相への相変化が起こり
、結晶の格子定数が大きく変化することにより大きな歪
みが発生する。この相転移歪が通常のＢａＴｌＯｓの圧
電歪に加わることにより、全体として大きな歪量が得ら
れる。
有するが、Ｓｒの量が増大するにつれてキュリー点が低
下する。一般に作動温度において常誘電相（立方晶）と
強誘電相（正方晶）との共存状態にある場合、外部電場
の印加により常誘電相から強誘電相への相変化が起こり
、結晶の格子定数が大きく変化することにより大きな歪
みが発生する。この相転移歪が通常のＢａＴｌＯｓの圧
電歪に加わることにより、全体として大きな歪量が得ら
れる。
大きな歪量を得るためにはキ、 ＩＪ−点は作動温度に
近いことが必要である。例えば作動温度が室温（２４℃
）の場合、圧電材料のキュリー点は２４℃に対して一１
Ｏ℃〜＋１５℃の範囲（１４〜３９℃の範囲）である必
要がある。この場合Ｓｒの量Ｘは０．２４〜０．３４の
範囲であり、このときの歪量はＢａＴｉ０．と比べて平
均で２０％、最大では４０％以上向上している。
近いことが必要である。例えば作動温度が室温（２４℃
）の場合、圧電材料のキュリー点は２４℃に対して一１
Ｏ℃〜＋１５℃の範囲（１４〜３９℃の範囲）である必
要がある。この場合Ｓｒの量Ｘは０．２４〜０．３４の
範囲であり、このときの歪量はＢａＴｉ０．と比べて平
均で２０％、最大では４０％以上向上している。
次に、作動温度が７０℃と比較的高い場合、キュリー点
は７０℃に対して一２０℃〜＋２３℃の範囲であり、こ
のときのＳｒの量Ｘは０．１〜０．２５の範囲である。
は７０℃に対して一２０℃〜＋２３℃の範囲であり、こ
のときのＳｒの量Ｘは０．１〜０．２５の範囲である。
逆に作動温度が一３０℃と低い場合、キュリー点は一３
０℃に対して一５℃〜＋７℃の範囲であり、このときの
Ｓｒの量は０．４５〜０．５ の範囲である。
０℃に対して一５℃〜＋７℃の範囲であり、このときの
Ｓｒの量は０．４５〜０．５ の範囲である。
一般に自動車等のアクチユエータとしては、作動温度は
一３０℃〜＋７０℃の範囲であるので、Ｓｒの量Ｘは０
．１〜０．５ の範囲にあればよい。
一３０℃〜＋７０℃の範囲であるので、Ｓｒの量Ｘは０
．１〜０．５ の範囲にあればよい。
本発明の（Ｂａ、−、Ｓｒｘ ）Ｔｉ口、系圧電材料は
次のようにして製造することができる。まず炭酸バリウ
ム粉末と炭酸ストロンチウム粉末と酸化チタン粉末とを
所定の割合で混合し、９００〜１２００℃で１〜５時間
仮焼した後粉砕することにより所望の組成の圧電材料粉
末を得る。この粉末を金型プレス、冷間静水圧プレス等
により所望の形状に成形した後、１３５０〜１５００℃
で１〜５時間焼結することにより圧電セラミックスとす
る。これを必要に応じ所望の厚さにスライスして使用す
る。
次のようにして製造することができる。まず炭酸バリウ
ム粉末と炭酸ストロンチウム粉末と酸化チタン粉末とを
所定の割合で混合し、９００〜１２００℃で１〜５時間
仮焼した後粉砕することにより所望の組成の圧電材料粉
末を得る。この粉末を金型プレス、冷間静水圧プレス等
により所望の形状に成形した後、１３５０〜１５００℃
で１〜５時間焼結することにより圧電セラミックスとす
る。これを必要に応じ所望の厚さにスライスして使用す
る。
本発明において上記圧電材料を単結晶とするのが好まし
い。圧電材料の単結晶化は、例えば所望の組成の圧電材
料の焼結体又は粉末を白金るつぼに入れ、高周波で加熱
溶融した後、チョクラルスキー法で単結晶を育成する方
法や、焼結体の円柱の一部の帯域（ゾーン）に高周波レ
ーザ光又はノ１０ゲン光を集中させることにより溶融さ
せ、単結晶する方法（ゾーンメルティング法）等により
行うことができる。単結晶化した（Ｂａ ５ｒ）Ｔｉｎ
、は特定の方向（Ｃ軸方向）において、より大きな歪量
を示すので、単結晶の圧電材料をＣ軸に垂直にスライス
し、それを積層することにより大きな歪量を示す変位素
子を作ることができる。
い。圧電材料の単結晶化は、例えば所望の組成の圧電材
料の焼結体又は粉末を白金るつぼに入れ、高周波で加熱
溶融した後、チョクラルスキー法で単結晶を育成する方
法や、焼結体の円柱の一部の帯域（ゾーン）に高周波レ
ーザ光又はノ１０ゲン光を集中させることにより溶融さ
せ、単結晶する方法（ゾーンメルティング法）等により
行うことができる。単結晶化した（Ｂａ ５ｒ）Ｔｉｎ
、は特定の方向（Ｃ軸方向）において、より大きな歪量
を示すので、単結晶の圧電材料をＣ軸に垂直にスライス
し、それを積層することにより大きな歪量を示す変位素
子を作ることができる。
本発明の圧電材料を用いた変位素子は以下のような構成
である。すなわち、圧電材料の薄板を電極板を介して複
数枚（ｎ枚）積層して、積層体とし、１枚おきの電極板
と接触する導電体を積層体の両側に設けた構造とする。
である。すなわち、圧電材料の薄板を電極板を介して複
数枚（ｎ枚）積層して、積層体とし、１枚おきの電極板
と接触する導電体を積層体の両側に設けた構造とする。
その−例を第１図及び第２図に示す。圧電材料１の間に
は正の電極板２と負の電極板３とが交互に配置されてお
り、正の電極板２は導電体４に、また負の電極板３は導
電体５にそれぞれ接続している。従って、導電体４．５
間に電圧を印加すれば、圧電効果により各薄板が歪み、
素子全体としてはそのｎ倍の歪量が得られる。各圧電材
料の薄板は０．２〜１ｍｍの厚さを有し、１００〜２０
０枚程度積層するのが好ましい。
は正の電極板２と負の電極板３とが交互に配置されてお
り、正の電極板２は導電体４に、また負の電極板３は導
電体５にそれぞれ接続している。従って、導電体４．５
間に電圧を印加すれば、圧電効果により各薄板が歪み、
素子全体としてはそのｎ倍の歪量が得られる。各圧電材
料の薄板は０．２〜１ｍｍの厚さを有し、１００〜２０
０枚程度積層するのが好ましい。
また電極板は、スクリーン印刷法、蒸着法、メツキ法、
ドクターブレード法等により、圧電材料の薄板上に形成
することができる。
ドクターブレード法等により、圧電材料の薄板上に形成
することができる。
圧電材料が単結晶の場合、各薄板をＣ軸に垂直に形成し
、それを積層する。このような構造とすることにより、
多結晶の圧電材料を使用する場合と比較して約３倍以上
の歪特性が得られる。
、それを積層する。このような構造とすることにより、
多結晶の圧電材料を使用する場合と比較して約３倍以上
の歪特性が得られる。
なお本明細書において用悟「圧電材料」は一般に電気既
械変換特性を有する材料を意味し、圧電セラミックスの
みならずいわゆる電歪材料をも包含するものである。
械変換特性を有する材料を意味し、圧電セラミックスの
みならずいわゆる電歪材料をも包含するものである。
本発明を以下の実施例によりさらに詳細に説明する。
実施例１
出発原料として炭酸バリウム、炭酸ストロンチウム及び
酸化チタンを用い、一般式： （Ｂａ、 Ｘ ５ｒｘ）
Ｔｉｅ、においてｘ＝Ｑ〜０．４の範囲内の各種の割合
で出発原料を配合した。得られた各混合物を５００ｋｇ
／ｃＩ１１の圧力で金型成形し、１４５０℃で２時間焼
結した。焼結体を厚さＱ、５ｍｍにスライスし、薄板と
した。これに金からなる電極板をスパッタ法により形成
し、全体として１０ｃｍの高さとなるように積層した。
酸化チタンを用い、一般式： （Ｂａ、 Ｘ ５ｒｘ）
Ｔｉｅ、においてｘ＝Ｑ〜０．４の範囲内の各種の割合
で出発原料を配合した。得られた各混合物を５００ｋｇ
／ｃＩ１１の圧力で金型成形し、１４５０℃で２時間焼
結した。焼結体を厚さＱ、５ｍｍにスライスし、薄板と
した。これに金からなる電極板をスパッタ法により形成
し、全体として１０ｃｍの高さとなるように積層した。
このようにして得られた積層型の変位素子に、２４℃に
おいて３．２にＶ／ｍｍの電界強度となるように電圧を
かけ、変位素子の歪量を測定した。これにより、圧電材
料中のＳｒの量Ｘと歪量（△１／ｌ）との関係を求めた
。結果を第３図に示す。
おいて３．２にＶ／ｍｍの電界強度となるように電圧を
かけ、変位素子の歪量を測定した。これにより、圧電材
料中のＳｒの量Ｘと歪量（△１／ｌ）との関係を求めた
。結果を第３図に示す。
第３図から明らかな通り、２４℃の作動温度の場合ｘ＝
０．２４〜０．３４の範囲において大きな歪量が得られ
ることがわかる。特に好ましいＳｒの割合は、ｘ＝０．
２７〜０．３３である。
０．２４〜０．３４の範囲において大きな歪量が得られ
ることがわかる。特に好ましいＳｒの割合は、ｘ＝０．
２７〜０．３３である。
実施例２
実施例１と同様にして、ｘ＝Ｑ〜０．５ となるように
（Ｂａｌ−ｘ Ｓｒ、）Ｔｉｎｓ 圧電セラミックスを
製造し、各Ｓｒ量におけるキュリー点（Ｔｃ）を測定し
た。結果を第４図に示す。
（Ｂａｌ−ｘ Ｓｒ、）Ｔｉｎｓ 圧電セラミックスを
製造し、各Ｓｒ量におけるキュリー点（Ｔｃ）を測定し
た。結果を第４図に示す。
第４図から明らかな通り、Ｓｒ量Ｘが増大するにつれて
キュリー点が低下する。
キュリー点が低下する。
実施例３
実施例１と同様にして、（Ｂａ、−ｘ Ｓｒ、）ＴｉＯ
ａ においてｘ＝Ｑ〜０．５ となるように圧電材料を
製造し、それから第１図に示す構造の変位素子を形成し
た。
ａ においてｘ＝Ｑ〜０．５ となるように圧電材料を
製造し、それから第１図に示す構造の変位素子を形成し
た。
得られた変位素子に一３０℃、＋２４℃及び＋７０℃の
作動温度において、３．２にｖ／ｆｆ１ｍ２ の電界強
度となるように電圧をかけ、歪量（ΔＩ！／ｌ＞を測定
した。
作動温度において、３．２にｖ／ｆｆ１ｍ２ の電界強
度となるように電圧をかけ、歪量（ΔＩ！／ｌ＞を測定
した。
各作動温度における歪量が０．６Ｘ１０−３以上となる
Ｓｒ量を求めた。結果を第５図に示す。
Ｓｒ量を求めた。結果を第５図に示す。
第５図から明らかなように、良好な歪特性を示す組成範
囲は作動温度により異なり、一般に作動温度が高くなる
に従ってＸが小さくなる。本実施例においては作動温度
とＸとは以下の関係がある。
囲は作動温度により異なり、一般に作動温度が高くなる
に従ってＸが小さくなる。本実施例においては作動温度
とＸとは以下の関係がある。
３０℃： ｘ＝０．４５〜０．５０
＋２４℃： ｘ＝０．２４〜０．３４＋７０℃：
ｘ＝０．１０〜０．２５〔発明の効果〕 以上に詳述した通り、本発明の圧電材料は（Ｂａ。
ｘ＝０．１０〜０．２５〔発明の効果〕 以上に詳述した通り、本発明の圧電材料は（Ｂａ。
Ｘ Ｓｒ、）Ｔｉ０３ 系圧電セラミックスにおいてＸ
＝０．１〜０．５ の範囲にあるので、実際の作動温度
（−３０℃〜＋７０℃）において大きな歪量を示す。
＝０．１〜０．５ の範囲にあるので、実際の作動温度
（−３０℃〜＋７０℃）において大きな歪量を示す。
このような圧電材料からなる積層型変位素子は、自動車
のプレーキー装置におけるアクチュエータや、精密機械
のアクチュエータ等に使用するのに適する。特に自動車
のブレーキ装置に用いる場合、車輪のブレーキによるロ
ックを防止する装置（アンチロックブレーキ装置）用の
アクチュエータとして使用するのに好適である。
のプレーキー装置におけるアクチュエータや、精密機械
のアクチュエータ等に使用するのに適する。特に自動車
のブレーキ装置に用いる場合、車輪のブレーキによるロ
ックを防止する装置（アンチロックブレーキ装置）用の
アクチュエータとして使用するのに好適である。
第１図は本発明の圧電材料からなる積層型変位素子の一
例を示す斜視図であり、 第２図は第１図の積層型変位素子の拡大部分断面図であ
り、 第３図は本発明の（Ｂａ＋−１１Ｓｒ、）Ｔ＋０．系圧
電材料における５ｒｌｘと歪量との関係を示すグラフで
あり、 第４図は本発明の（Ｂａ＋−１１ＳｒＭ）ＴｓＯ３系圧
電材料におけるＳｒ量Ｘとキｓ ’）−点（Ｔｃ）との
関係を示すグラフであり、 第５図は本発明の（Ｂａ＋−ｎ ＳｒＭ）ＴｔＯｔ系圧
電材料が大きな歪量を示すときの５ｒｌｌと作動温度と
の関係を示すグラフである。 １ ・・・・圧電材料薄板 ２．３ ・・・電極板 ４．５ ・・・外部導電体
例を示す斜視図であり、 第２図は第１図の積層型変位素子の拡大部分断面図であ
り、 第３図は本発明の（Ｂａ＋−１１Ｓｒ、）Ｔ＋０．系圧
電材料における５ｒｌｘと歪量との関係を示すグラフで
あり、 第４図は本発明の（Ｂａ＋−１１ＳｒＭ）ＴｓＯ３系圧
電材料におけるＳｒ量Ｘとキｓ ’）−点（Ｔｃ）との
関係を示すグラフであり、 第５図は本発明の（Ｂａ＋−ｎ ＳｒＭ）ＴｔＯｔ系圧
電材料が大きな歪量を示すときの５ｒｌｌと作動温度と
の関係を示すグラフである。 １ ・・・・圧電材料薄板 ２．３ ・・・電極板 ４．５ ・・・外部導電体
Claims (3)
- （１）下記一般式： （Ｂａ＿１＿−＿ｘＳｒ＿ｘ）ＴｉＯ＿３ （ただしｘ＝０．１〜０．５） により表される組成を有することを特徴とするアクチュ
エータ用圧電材料。 - （２）下記一般式： （Ｂａ＿１＿−＿ｘＳｒ＿ｘ）ＴｉＯ＿３ （ただしｘ＝０．１−０．５） により表される組成を有する圧電材料からなる複数の薄
板と、電極板とを交互に積層したことを特徴とするアク
チュエータ用積層型変位素子。 - （３）請求項２に記載の積層型変位素子において、前記
圧電材料が単結晶であり、かつ前記薄板の結晶軸が一致
していることを特徴とする積層型変位素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63313621A JPH02159079A (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | アクチュエータ用圧電材料及びその積層型変位素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63313621A JPH02159079A (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | アクチュエータ用圧電材料及びその積層型変位素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02159079A true JPH02159079A (ja) | 1990-06-19 |
Family
ID=18043523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63313621A Pending JPH02159079A (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | アクチュエータ用圧電材料及びその積層型変位素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02159079A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002208743A (ja) * | 2001-01-10 | 2002-07-26 | Tdk Corp | 積層体変位素子 |
| US7309450B2 (en) | 2001-06-15 | 2007-12-18 | Tdk Corporation | Piezoelectric porcelain and method for preparation thereof |
| EP2113952A2 (en) | 2008-03-31 | 2009-11-04 | TDK Corporation | Piezoelectric ceramic and piezoelectric element employing it |
| US8231803B2 (en) | 2008-03-26 | 2012-07-31 | Tdk Corporation | Piezoelectric ceramic and piezoelectric ceramic composition |
-
1988
- 1988-12-12 JP JP63313621A patent/JPH02159079A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002208743A (ja) * | 2001-01-10 | 2002-07-26 | Tdk Corp | 積層体変位素子 |
| US7309450B2 (en) | 2001-06-15 | 2007-12-18 | Tdk Corporation | Piezoelectric porcelain and method for preparation thereof |
| US8231803B2 (en) | 2008-03-26 | 2012-07-31 | Tdk Corporation | Piezoelectric ceramic and piezoelectric ceramic composition |
| EP2113952A2 (en) | 2008-03-31 | 2009-11-04 | TDK Corporation | Piezoelectric ceramic and piezoelectric element employing it |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6620752B2 (en) | Method for fabrication of lead-based perovskite materials | |
| EP2255397B1 (en) | Piezoelectric material | |
| US9543501B2 (en) | Metal oxide | |
| JP2518703B2 (ja) | 積層型複合圧電体およびその製造方法 | |
| KR0147245B1 (ko) | 강유전체박막 및 그 제조방법 | |
| Safari et al. | Ferroelectricity: Materials, characteristics & applications | |
| WO2005037508A2 (en) | Compositions for high power piezoelectric ceramics | |
| EP0539151B1 (en) | Dielectric ceramics composite material | |
| CN102649643A (zh) | 铌镥酸铅-锆钛酸铅压电陶瓷材料 | |
| Vilarinho | Functional materials: properties, processing and applications | |
| JP3260116B2 (ja) | 圧電材料およびその製造方法およびそれを用いた圧電振動子および圧電発音体 | |
| JP5876974B2 (ja) | 圧電／電歪磁器組成物の製造方法 | |
| WO2017203211A1 (en) | Temperature stable lead-free piezoelectric/electrostrictive materials with enhanced fatigue resistance | |
| Ha et al. | Effects of ZnO on piezoelectric properties of 0.01 PMW–0.41 PNN–0.35 PT–0.23 PZ ceramics | |
| US5788876A (en) | Complex substituted lanthanum-lead-zirconium-titanium perovskite, ceramic composition and actuator | |
| JPH02159079A (ja) | アクチュエータ用圧電材料及びその積層型変位素子 | |
| JP3650872B2 (ja) | 結晶配向ビスマス層状ペロブスカイト型化合物及びその製造方法 | |
| JP2003277143A (ja) | 圧電セラミックス | |
| Kim | Grain size effect on the dielectric and piezoelectric properties in compositions which are near the morphotropic phase boundary of Lead Zirconate-Titanate based ceramics | |
| JP2002321975A (ja) | 圧電磁器 | |
| JP2002265262A (ja) | 圧電磁器 | |
| JPH045874A (ja) | 強誘電体薄膜およびその製造方法 | |
| Okazaki | Recent developments in piezoelectric ceramics in japan | |
| JP2002326870A (ja) | 圧電磁器 | |
| Xu et al. | Ferroelectric phase transition in relaxor ferroelectric single crystals 0.76 PMN-0.24 PT |