JPH02159082A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
- Publication number
- JPH02159082A JPH02159082A JP31420288A JP31420288A JPH02159082A JP H02159082 A JPH02159082 A JP H02159082A JP 31420288 A JP31420288 A JP 31420288A JP 31420288 A JP31420288 A JP 31420288A JP H02159082 A JPH02159082 A JP H02159082A
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- JP
- Japan
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- layer
- film
- superlattice
- region
- mirror surface
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
- H01S5/162—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface with window regions made by diffusion or disordening of the active layer
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
乙の発明は、高性能化、高出力化をｉｉＪ能にする窓構
造を有ずろ半導体レーザの製造方法に関するものである
。
造を有ずろ半導体レーザの製造方法に関するものである
。
（従来の技術〕
第２図は、例えば特開昭６０−１０１９８９号公報に示
された従来の半導体レーザの構造を示す断１ｒｉｉ図で
ある。この図において、１はｎ形ＧａＡｓからなる基板
、２はｎ形Ａ Ｉ ＸＧ ａ ｌ−１１Ａ Ｓからなる
第１クラッド層、３はＡ Ｉ ｙＧ ａ 、、Ａ ５Ｇ
ａＡｓで構成された超格子層、４はｐ形Ａｊ。
された従来の半導体レーザの構造を示す断１ｒｉｉ図で
ある。この図において、１はｎ形ＧａＡｓからなる基板
、２はｎ形Ａ Ｉ ＸＧ ａ ｌ−１１Ａ Ｓからなる
第１クラッド層、３はＡ Ｉ ｙＧ ａ 、、Ａ ５Ｇ
ａＡｓで構成された超格子層、４はｐ形Ａｊ。
Ｇｏ、□Ａｓからなる第２クラッド層、５はｐ形ＧａＡ
ｓからなるコンタクト層、６は超格子が無秩序化された
領域、７は不純物拡散領域、８ａはｐ電極、８ｂｔ、ｔ
ｎｆＩ極、１５は襞間面である。
ｓからなるコンタクト層、６は超格子が無秩序化された
領域、７は不純物拡散領域、８ａはｐ電極、８ｂｔ、ｔ
ｎｆＩ極、１５は襞間面である。
次に動作について説明する。
ｐｐｎ電ｅＮ＋８８，８ｂ間に、ｐｎ接合に対シーｃ順
方向となる電圧を印加すると、超格子層３に電流が注入
されて発光する。レーザ光は超格子層３と第１クラッド
層２および第２クラッド層４との間の屈折率差によって
導波され、対向しているり開面１５により構成される共
振器によってレーザ発振にいｔこる。
方向となる電圧を印加すると、超格子層３に電流が注入
されて発光する。レーザ光は超格子層３と第１クラッド
層２および第２クラッド層４との間の屈折率差によって
導波され、対向しているり開面１５により構成される共
振器によってレーザ発振にいｔこる。
この構成では、不純物拡散によって無秩序化された領域
６の禁制帯幅が、超格子層３の実効的禁制帯幅よりも大
きくなっており、超格子層３から発光したレーザ光が、
無秩序化された領域６ではほとんど吸収されない、いオ
）ゆる窓構造を有している。このような窓構造を有した
Ａｔ１ＧａＡｓを中心とする短波長帯の半導体レーザは
、最大光出力および寿命を決定しているり開面１５にお
けろ劣化を防止でき、高出力動作が可能である。
６の禁制帯幅が、超格子層３の実効的禁制帯幅よりも大
きくなっており、超格子層３から発光したレーザ光が、
無秩序化された領域６ではほとんど吸収されない、いオ
）ゆる窓構造を有している。このような窓構造を有した
Ａｔ１ＧａＡｓを中心とする短波長帯の半導体レーザは
、最大光出力および寿命を決定しているり開面１５にお
けろ劣化を防止でき、高出力動作が可能である。
第３図（ａ）〜（ｅ）は第２図に示しｔコ従来の半導体
レーザの製造方法を説明するための断面図である。これ
らの図において、第２図と同一符号は同一のものを示し
、１２はＳｉ、Ｎ４膜、１３はストライブ状の開口部で
ある。
レーザの製造方法を説明するための断面図である。これ
らの図において、第２図と同一符号は同一のものを示し
、１２はＳｉ、Ｎ４膜、１３はストライブ状の開口部で
ある。
次にその製造工程について説明する。。
まず、第３図（ａ）に示すように、基板１上に、例えば
ＭＯ−ＣＶＤ法等の気相成長法あるいはＭＢＥ法などで
第１クラッドＮ２からコンタクト層５までを順次形成す
る。次に第３図（ｂ）に示すように、コンタクト層５上
にＳｉ、Ｎ、膜１２を形成し、フォトリソグラフィ技術
とエツチング技術によってストライブ状の囲１−１部１
３を形成する９、さらに、この開口部１３よりＺｎを拡
散させて不純物拡散領域７を形成し、不純物拡散領域７
内の超格子ｊＭ３を均一に無秩序化された領域６とする
。
ＭＯ−ＣＶＤ法等の気相成長法あるいはＭＢＥ法などで
第１クラッドＮ２からコンタクト層５までを順次形成す
る。次に第３図（ｂ）に示すように、コンタクト層５上
にＳｉ、Ｎ、膜１２を形成し、フォトリソグラフィ技術
とエツチング技術によってストライブ状の囲１−１部１
３を形成する９、さらに、この開口部１３よりＺｎを拡
散させて不純物拡散領域７を形成し、不純物拡散領域７
内の超格子ｊＭ３を均一に無秩序化された領域６とする
。
次に、第３図（Ｃ）に示すようにＳｉ、Ｎ、膜１２を除
去した後、何間しやすいように基板１を研磨してウェハ
厚を１００μｍ程度にし、さらに表裏にｐ、ｎ電極８ａ
、８ｂを形成する。そして、す開によって共振器として
働く何間面１５を形成した後、各チップに分離する。
去した後、何間しやすいように基板１を研磨してウェハ
厚を１００μｍ程度にし、さらに表裏にｐ、ｎ電極８ａ
、８ｂを形成する。そして、す開によって共振器として
働く何間面１５を形成した後、各チップに分離する。
上記のような従来の半導体し・−ザは、何間によって共
振器が形成されるので、無秩序化された領域６の長さｔ
ｚＢｇ開の機械的精度によって規定される１、このり開
による方法では、何間の精度上、無秩序化された領域６
の長さｌを通常は１０μｍ以上にする必要があり、これ
トドに制御するのは困難であった。このため、アスティ
グマ子イズムが大きくなる、発振しきい値電圧が増大す
る等の問題があった。また、製造工程において、表向か
ら活性層までの拡散距離が３μｍ以上と長いため、深さ
方向の制御性に問題があった１、そこで、これらの問題
を解決するために、特願昭６１−３１５０９７号公報で
、コンタクト層から下クラッド層または活性層近傍まで
エツチングした後、このエツチング面から不純物拡散、
イオン？−Ｆ人等を行う方法も提案されている。しかし
、この方法は製造に要する時間が長くなるという問題が
あった。。
振器が形成されるので、無秩序化された領域６の長さｔ
ｚＢｇ開の機械的精度によって規定される１、このり開
による方法では、何間の精度上、無秩序化された領域６
の長さｌを通常は１０μｍ以上にする必要があり、これ
トドに制御するのは困難であった。このため、アスティ
グマ子イズムが大きくなる、発振しきい値電圧が増大す
る等の問題があった。また、製造工程において、表向か
ら活性層までの拡散距離が３μｍ以上と長いため、深さ
方向の制御性に問題があった１、そこで、これらの問題
を解決するために、特願昭６１−３１５０９７号公報で
、コンタクト層から下クラッド層または活性層近傍まで
エツチングした後、このエツチング面から不純物拡散、
イオン？−Ｆ人等を行う方法も提案されている。しかし
、この方法は製造に要する時間が長くなるという問題が
あった。。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、無秩序化された領域の長さを数μｍｍトド制御す
ることにより、アステ、ｆグマティズムを小さくでき、
また、しきい値電圧を小さくできるほか、製造に要する
時間の短縮がｉｉＪ能な半導体レーザの製造方法を得る
ことを目的とする。
ので、無秩序化された領域の長さを数μｍｍトド制御す
ることにより、アステ、ｆグマティズムを小さくでき、
また、しきい値電圧を小さくできるほか、製造に要する
時間の短縮がｉｉＪ能な半導体レーザの製造方法を得る
ことを目的とする。
この発明に係る半導体レーザの製造方法は、半導体基板
上に、第１クラッド層、超格子層または址子井戸層、第
２クラッド層を成長させる工程と、この第２クラッド層
上から第１クラッド層までエツチングにより溝を形成し
、共振制端面となるエツチドミラー面を形成する工程と
、このエツチドミラー面に不純物からなる膜を形成し、
この膜を拡散源として超格子＋１または量子井戸層の一
部を無秩序化する工程と、各チップ毎に分離するゴ［程
とを含むものである。。
上に、第１クラッド層、超格子層または址子井戸層、第
２クラッド層を成長させる工程と、この第２クラッド層
上から第１クラッド層までエツチングにより溝を形成し
、共振制端面となるエツチドミラー面を形成する工程と
、このエツチドミラー面に不純物からなる膜を形成し、
この膜を拡散源として超格子＋１または量子井戸層の一
部を無秩序化する工程と、各チップ毎に分離するゴ［程
とを含むものである。。
この発明においては、エツチドミラー面に形成された膜
から拡散される不純物により、超格子層または量子用ｐ
層の一部が無秩序化されて窓構造の領域が形成され、窓
構造の領域の長さは、拡散湿度と時間等により制御され
る。１ 〔実施例〕 第１図はこの発明の半導体レーザの製造方法の一実施例
を説明するための断面図である。
から拡散される不純物により、超格子層または量子用ｐ
層の一部が無秩序化されて窓構造の領域が形成され、窓
構造の領域の長さは、拡散湿度と時間等により制御され
る。１ 〔実施例〕 第１図はこの発明の半導体レーザの製造方法の一実施例
を説明するための断面図である。
これらの図において、第２図と同一符号は同一のものを
示し、９は不純物からなる膜、１０はエツチドミラー面
、１１はレジスト膜、１３はストライブ状の開口部、１
４は蒸着ビームである、。
示し、９は不純物からなる膜、１０はエツチドミラー面
、１１はレジスト膜、１３はストライブ状の開口部、１
４は蒸着ビームである、。
次に製造工程について説明する。
まず、第１図（ａ）に示すように、ｎ形ＧａＡｓからな
る基板１上に、例えばＭＯ−ＣＶＩ）法等の気相成長法
、あるいはＭ ｕ ｔε法で、ｎ形Ａ！、Ｇｎ＋−Ａｓ
からなる第１ ’／ ；７７ Ｆ層２． Ａｔ’Ｖにａ
ｌ−ｙＡｓ−ＧａＡｓで構成されｔ、＝超格子層３゜ｐ
形Ａ１ｗＧａ、 Ａｓからなる第２クラ・ラド層４、
ｐ形ＧａＡｓからなるコンタクト層５の各層を順次形成
する１、成長後、第１図（ｂ）に示すように、コンタク
ト層５上にレジスト膜１１ （または絶縁膜）を形成し
、このレジスｌ−欣１１にストライブ状の開口部１３を
設けろ、。
る基板１上に、例えばＭＯ−ＣＶＩ）法等の気相成長法
、あるいはＭ ｕ ｔε法で、ｎ形Ａ！、Ｇｎ＋−Ａｓ
からなる第１ ’／ ；７７ Ｆ層２． Ａｔ’Ｖにａ
ｌ−ｙＡｓ−ＧａＡｓで構成されｔ、＝超格子層３゜ｐ
形Ａ１ｗＧａ、 Ａｓからなる第２クラ・ラド層４、
ｐ形ＧａＡｓからなるコンタクト層５の各層を順次形成
する１、成長後、第１図（ｂ）に示すように、コンタク
ト層５上にレジスト膜１１ （または絶縁膜）を形成し
、このレジスｌ−欣１１にストライブ状の開口部１３を
設けろ、。
次に、第１図（ｅ）に示す８Ｌうに、レジスｌ−ｆｌｙ
ｌｌをマスクとしてＦｔｌＥ）去によりドライエッチン
グを行ッて、工・ソチンクミ：２−面１０を形ｂｔ す
る、。
ｌｌをマスクとしてＦｔｌＥ）去によりドライエッチン
グを行ッて、工・ソチンクミ：２−面１０を形ｂｔ す
る、。
エッヂンゲ後、第１図（ｄ）に示すようにＡＭに１つて
ウェハ上に不純物からなろ膜９を形成する３、この膜９
は次の拡散工程において不純物の拡散源となる１、なお
、ｙ！Ａ着の際、ウエノ）に対して垂直方向から焦合ビ
ーム１４が当たると、膜９はウェハ曲、つまりレノスト
膜１１の上部にのみ形成され、エツチドミラー面１０に
ほとんど形成されない１．そこで、ウェハに対して斜め
方向から蒸着ビーム１４を当てることにより、ストライ
ブ状のＩｊＦＪＩＩ部１３ 内の工・ツチドミラー面１
０上に膜９を形成する。
ウェハ上に不純物からなろ膜９を形成する３、この膜９
は次の拡散工程において不純物の拡散源となる１、なお
、ｙ！Ａ着の際、ウエノ）に対して垂直方向から焦合ビ
ーム１４が当たると、膜９はウェハ曲、つまりレノスト
膜１１の上部にのみ形成され、エツチドミラー面１０に
ほとんど形成されない１．そこで、ウェハに対して斜め
方向から蒸着ビーム１４を当てることにより、ストライ
ブ状のＩｊＦＪＩＩ部１３ 内の工・ツチドミラー面１
０上に膜９を形成する。
この後、第１図（ｅ）に示すように、レジスト膜１１を
除去する。この時、レジスト膜１１上に形成された膜９
もレジスト膜１１とともに剥離される。。
除去する。この時、レジスト膜１１上に形成された膜９
もレジスト膜１１とともに剥離される。。
そして、第１図（ｆ）に示すように、レジスト膜１１の
はく曙後、熱拡散により膜９を拡散源として不純物をエ
ツチドミラー面１０を通して素子内部に拡散させる。こ
の時、不純物による超格子層３の無秩序化が発生し、い
わゆる窓構造の領域６が形成される。この窓構造の領域
６の長さＩは、熱拡散時の条件、すなわち拡散温度と拡
散時間によって容易に制御できる。不純物としては熱拡
散により容易に超格子層３を無秩序化させることができ
るＳｌやＺｎ等が望ましい、。
はく曙後、熱拡散により膜９を拡散源として不純物をエ
ツチドミラー面１０を通して素子内部に拡散させる。こ
の時、不純物による超格子層３の無秩序化が発生し、い
わゆる窓構造の領域６が形成される。この窓構造の領域
６の長さＩは、熱拡散時の条件、すなわち拡散温度と拡
散時間によって容易に制御できる。不純物としては熱拡
散により容易に超格子層３を無秩序化させることができ
るＳｌやＺｎ等が望ましい、。
最後に、コンタクト層５上にｐ電極８ａ１基板１側にｎ
電極８ｂｌｅ蒸肴、スバ・ツタ等の手段により形成し、
ウエノ・をストライブ状の開口部１３に沿って種間して
分離することにより第１図（ｇ）に示すような素子が完
成する。
電極８ｂｌｅ蒸肴、スバ・ツタ等の手段により形成し、
ウエノ・をストライブ状の開口部１３に沿って種間して
分離することにより第１図（ｇ）に示すような素子が完
成する。
この発明によって得られる半導体レーザの動作は従来の
ものと同様である。しかし、その製造工程において決定
さ、れる超格子の無秩序化された領域６の長さｌは、工
、ソチドミラー向１０からの不純物による拡散の深さに
よって決定でき、長さｅを熱拡散時の条件によって容易
に１μｍ以下に制御できろ。
ものと同様である。しかし、その製造工程において決定
さ、れる超格子の無秩序化された領域６の長さｌは、工
、ソチドミラー向１０からの不純物による拡散の深さに
よって決定でき、長さｅを熱拡散時の条件によって容易
に１μｍ以下に制御できろ。
したがって、アステイグマテイズムが小さい、発振しき
い値′ｒｔｉ流が小さいといった特徴を有し、かつ窓構
造が設けられているため高出力動作が口Ｊ能な半導体レ
ーザが容易に得られる。
い値′ｒｔｉ流が小さいといった特徴を有し、かつ窓構
造が設けられているため高出力動作が口Ｊ能な半導体レ
ーザが容易に得られる。
特に、ｌｓ５μｍとずろと低アスティグマデフｆズム、
低しきい一電流の半導体レーザが得られる。
低しきい一電流の半導体レーザが得られる。
また、従来の半導体Ｌ・−ザのように、表面から精度よ
く数μｍの領域に拡散するという技術を要しないので、
素子歩留りも飛躍的に向上する。。
く数μｍの領域に拡散するという技術を要しないので、
素子歩留りも飛躍的に向上する。。
特に、蒸着させた膜９を、拡散源としていることから、
この膜９をそのまま端面保護膜としても用いろことが「
り能になり、端面保護膜形成工程を簡略化できる。
この膜９をそのまま端面保護膜としても用いろことが「
り能になり、端面保護膜形成工程を簡略化できる。
なお、上記実施例ではＡ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ −Ｇ
ａ Ａ ｓで構成された超格子層のみについて説明した
が、Ａ ｅ 、Ｇ ａ、−ＸＡｓ−ＡＪｌｙＧ ａｌ−
ｙＡｓ （ｘ′ｆ−ｙ）超格子層で構成された超格子層
についても同様に適用できろ、。
ａ Ａ ｓで構成された超格子層のみについて説明した
が、Ａ ｅ 、Ｇ ａ、−ＸＡｓ−ＡＪｌｙＧ ａｌ−
ｙＡｓ （ｘ′ｆ−ｙ）超格子層で構成された超格子層
についても同様に適用できろ、。
また、上記以外の他の材料で構成される超格子層や多重
量子井戸層を備えた半導体レーザについても同様に適用
できろことはいうまでもない。
量子井戸層を備えた半導体レーザについても同様に適用
できろことはいうまでもない。
乙の発明は以上説明したとおり、半導体基板上に、第１
クラッド層、超格子層または量子井戸層。
クラッド層、超格子層または量子井戸層。
第２クラッド層を成長させる工程と、この第２クラッド
層−ヒから第１クラ・ラド層までエツチングにより溝を
形成し、共振器端面となるエツチドミラー面を形成する
工程と、このエツチドミラー面に不純物からなる膜を形
成し、乙の膜を拡散源として超１各子層または量子井戸
層の一部を無秩序化する工程と、各千・ツブ毎に分離す
る工程とを含むので、窓構造の領域の長さを熱拡散時の
条件によって容易に制御できるほか、不純物からなる膜
を端面保護膜として用いることができ、製造工程の短縮
が図れるという効果がある。
層−ヒから第１クラ・ラド層までエツチングにより溝を
形成し、共振器端面となるエツチドミラー面を形成する
工程と、このエツチドミラー面に不純物からなる膜を形
成し、乙の膜を拡散源として超１各子層または量子井戸
層の一部を無秩序化する工程と、各千・ツブ毎に分離す
る工程とを含むので、窓構造の領域の長さを熱拡散時の
条件によって容易に制御できるほか、不純物からなる膜
を端面保護膜として用いることができ、製造工程の短縮
が図れるという効果がある。
第１図はこの発明の半導体レーザの製造方法の一実施例
を示す断面図、第２図は従来の半導体し・−ザの構造を
示す断面図、第３図は従来の半導体Ｌ・−ザの製造方法
を示す断面図である。 図において、１はｎ形ＧａＡｓ基板、２はＩＩ形Ａｔ）
、Ｇｎ、−ｘＡｓ第１クラッド層、３はＡＩＩＶＧａ、
−Ａｓ−ＧａＡｓで構成された超格子層、４ばρ形Ａ／
、Ｇａ、−、Ａｓ第２クラッド層、５ばｐ形ＧａＡｓコ
ン々り１・層、６は超格子が無秩序化された領域、７は
不純物拡散領域、８ａはｐ形電極、８ｂはｎ形電極、９
は不純物からなる膜、１０はエツチドミラー面、１１は
レジスｌ−膜、１３はストライブ状の間口部、１４は蒸
着ビームである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
を示す断面図、第２図は従来の半導体し・−ザの構造を
示す断面図、第３図は従来の半導体Ｌ・−ザの製造方法
を示す断面図である。 図において、１はｎ形ＧａＡｓ基板、２はＩＩ形Ａｔ）
、Ｇｎ、−ｘＡｓ第１クラッド層、３はＡＩＩＶＧａ、
−Ａｓ−ＧａＡｓで構成された超格子層、４ばρ形Ａ／
、Ｇａ、−、Ａｓ第２クラッド層、５ばｐ形ＧａＡｓコ
ン々り１・層、６は超格子が無秩序化された領域、７は
不純物拡散領域、８ａはｐ形電極、８ｂはｎ形電極、９
は不純物からなる膜、１０はエツチドミラー面、１１は
レジスｌ−膜、１３はストライブ状の間口部、１４は蒸
着ビームである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体基板上に、第１クラッド層、超格子層または量子
井戸層、第２クラッド層を成長させる工程と、この第２
クラッド層上から前記第１クラッド層までエッチングに
より溝を形成し、共振器端面となるエッチドミラー面を
形成する工程と、このエッチドミラー面に不純物からな
る膜を形成し、この膜を拡散源として前記超格子層また
は量子井戸層の一部を無秩序化する工程と、各チップ毎
に分離する工程とを含むことを特徴とする半導体レーザ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31420288A JPH02159082A (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31420288A JPH02159082A (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02159082A true JPH02159082A (ja) | 1990-06-19 |
Family
ID=18050500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31420288A Pending JPH02159082A (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02159082A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0475618A3 (en) * | 1990-09-13 | 1992-05-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of fabricating semiconductor laser device |
| EP0742617A1 (en) * | 1995-05-08 | 1996-11-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser and method of manufacturing the semiconductor laser |
| US5608750A (en) * | 1993-07-29 | 1997-03-04 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser device and a method for the manufacture thereof |
-
1988
- 1988-12-12 JP JP31420288A patent/JPH02159082A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0475618A3 (en) * | 1990-09-13 | 1992-05-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of fabricating semiconductor laser device |
| US5171707A (en) * | 1990-09-13 | 1992-12-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of fabricating semiconductor laser device using the light generated by the laser to disorder its active layer at the end surfaces thereby forming window regions |
| US5608750A (en) * | 1993-07-29 | 1997-03-04 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser device and a method for the manufacture thereof |
| EP0742617A1 (en) * | 1995-05-08 | 1996-11-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser and method of manufacturing the semiconductor laser |
| US5677922A (en) * | 1995-05-08 | 1997-10-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser with crystalline window layer |
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