JPH073908B2 - 半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
半導体発光装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH073908B2 JPH073908B2 JP62179346A JP17934687A JPH073908B2 JP H073908 B2 JPH073908 B2 JP H073908B2 JP 62179346 A JP62179346 A JP 62179346A JP 17934687 A JP17934687 A JP 17934687A JP H073908 B2 JPH073908 B2 JP H073908B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- diffusion region
- conductivity type
- active layer
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
- H10H20/013—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
- H01S5/162—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface with window regions made by diffusion or disordening of the active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/037—Diffusion-deposition
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/095—Laser devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体発光装置、特に高出力半導体レーザ
が容易に得られる半導体発光装置の製造方法に関するも
のである。
が容易に得られる半導体発光装置の製造方法に関するも
のである。
第３図（ａ）〜（ｃ）は従来の高出力半導体レーザの一
例の構造を説明するための図であり、第３図（ａ）はそ
の上面図、第３図（ｂ）はそのＡ−Ａ′線の断面図、第
３図（ｃ）はそのＢ−Ｂ′線の断面図である。
例の構造を説明するための図であり、第３図（ａ）はそ
の上面図、第３図（ｂ）はそのＡ−Ａ′線の断面図、第
３図（ｃ）はそのＢ−Ｂ′線の断面図である。
これらの図において、１は例えばｎ形GaAsからなる基
板、２はｎ形A1yGa1-yAsからなる第１クラッド層、３は
ｎ形A1xGa1-xAsからなる活性層（ｘ＜ｙ）、４はｎ形A1
yGa1-yAsからなる第２クラッド層、５はｎ型GaAsからな
るコンタクト層、6,7はp+形の第１拡散領域およびｐ形
の第２拡散領域で、チップの中央部にストライプ状に形
成されており、端面および端面近傍の領域には形成され
ていない。
板、２はｎ形A1yGa1-yAsからなる第１クラッド層、３は
ｎ形A1xGa1-xAsからなる活性層（ｘ＜ｙ）、４はｎ形A1
yGa1-yAsからなる第２クラッド層、５はｎ型GaAsからな
るコンタクト層、6,7はp+形の第１拡散領域およびｐ形
の第２拡散領域で、チップの中央部にストライプ状に形
成されており、端面および端面近傍の領域には形成され
ていない。
ここでは、各電極を図示せずに省略したが、基板１側に
はｎ形電極が、また、コンタクト層５側にはｐ形電極が
形成される。
はｎ形電極が、また、コンタクト層５側にはｐ形電極が
形成される。
次に動作について説明する。
この半導体レーザでは、レーザ発振が活性層３内の第２
拡散領域７で生じる。活性層３内の第２拡散領域７の屈
折率は、活性層３のｎ形領域の屈折率よりも大きいた
め、レーザ光は活性層３内の第２拡散領域７を共振器方
向に沿って伝搬する。また、活性層３内の第２拡散領域
７のバンドギャップは、チップ端面近傍の拡散されてい
ない活性層３のｎ形領域よりもバンドギャップが小さく
なっているため、活性層３内の第２拡散領域７で発生し
た光は、バンドギャップが大きくなっているチップ端面
近傍の活性層３のｎ形領域で吸収されることなく、チッ
プ端面より外に放出される。
拡散領域７で生じる。活性層３内の第２拡散領域７の屈
折率は、活性層３のｎ形領域の屈折率よりも大きいた
め、レーザ光は活性層３内の第２拡散領域７を共振器方
向に沿って伝搬する。また、活性層３内の第２拡散領域
７のバンドギャップは、チップ端面近傍の拡散されてい
ない活性層３のｎ形領域よりもバンドギャップが小さく
なっているため、活性層３内の第２拡散領域７で発生し
た光は、バンドギャップが大きくなっているチップ端面
近傍の活性層３のｎ形領域で吸収されることなく、チッ
プ端面より外に放出される。
すなわち、この構造では通常の半導体レーザでみられる
ようなチップ端面近傍でのレーザ光吸収による熱的な端
面の損傷が防止され、高出力動作が可能となる。
ようなチップ端面近傍でのレーザ光吸収による熱的な端
面の損傷が防止され、高出力動作が可能となる。
上記のような従来の高出力半導体レーザでは、第２拡散
領域７が活性層３と第１クラッド層２の境界にちょうど
到達するように形成されていなければならないが、通常
形成される第２のクラッド層４およびコンタクト層５の
厚さは、ウエハ面内でばらつきが生じる。したがって、
コンタクト層５の表面側より第１拡散領域６と第２拡散
領域７を形成する場合、ウエハ面内の場所により第２拡
散領域７の先端が活性層３に到達しなかったり、逆に活
性層３を突き抜けて第１クラッド層２へ到達するという
ことが起こり、作製が難しく、歩留りが低いという問題
点があった。
領域７が活性層３と第１クラッド層２の境界にちょうど
到達するように形成されていなければならないが、通常
形成される第２のクラッド層４およびコンタクト層５の
厚さは、ウエハ面内でばらつきが生じる。したがって、
コンタクト層５の表面側より第１拡散領域６と第２拡散
領域７を形成する場合、ウエハ面内の場所により第２拡
散領域７の先端が活性層３に到達しなかったり、逆に活
性層３を突き抜けて第１クラッド層２へ到達するという
ことが起こり、作製が難しく、歩留りが低いという問題
点があった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、歩留りよく高出力の半導体発光装置を製造できる
半導体発光装置の製造方法を得ることを目的とする。
ので、歩留りよく高出力の半導体発光装置を製造できる
半導体発光装置の製造方法を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体発光装置の製造方法は、第１導電
形の基板上に第２導電形の第１クラッド層を成長させる
工程と、端面および端面近傍以外の領域の前記第１クラ
ッド層上から基板までのイオン注入または拡散を行って
共振器方向に沿ってストライプ状の第１導電形の第１拡
散領域を形成する工程と、第１クラッド層上に第２導電
形またはアンドープの活性層，第２導電形の第２クラッ
ド層，第２導電形のコンタクト層を順次成長させるとと
もに、第１拡散領域中の不純物を活性層と第２クラッド
層との境界まで拡散させて第１導電形の第２拡散領域を
形成する工程とを含むものである。
形の基板上に第２導電形の第１クラッド層を成長させる
工程と、端面および端面近傍以外の領域の前記第１クラ
ッド層上から基板までのイオン注入または拡散を行って
共振器方向に沿ってストライプ状の第１導電形の第１拡
散領域を形成する工程と、第１クラッド層上に第２導電
形またはアンドープの活性層，第２導電形の第２クラッ
ド層，第２導電形のコンタクト層を順次成長させるとと
もに、第１拡散領域中の不純物を活性層と第２クラッド
層との境界まで拡散させて第１導電形の第２拡散領域を
形成する工程とを含むものである。
この発明においては、基板上に第１クラッド層が形成さ
れた後、端面および端面近傍以外の領域の第１クラッド
層上から基板までのイオン注入または拡散が行われて共
振器方向に沿ってストライプ状の第１拡散領域が形成さ
れる。次いで、第１クラッド層上に活性層，第２クラッ
ド層，コンタクト層が順次形成される際に、第１拡散領
域中の不純物が活性層とクラッド層との境界まで拡散さ
れて第２拡散領域が形成される。
れた後、端面および端面近傍以外の領域の第１クラッド
層上から基板までのイオン注入または拡散が行われて共
振器方向に沿ってストライプ状の第１拡散領域が形成さ
れる。次いで、第１クラッド層上に活性層，第２クラッ
ド層，コンタクト層が順次形成される際に、第１拡散領
域中の不純物が活性層とクラッド層との境界まで拡散さ
れて第２拡散領域が形成される。
第１図（ａ）〜（ｃ）はこの発明の半導体発光装置に製
造によって得られた半導体発光装置の一実施例の構造を
説明するための図であり、第１図（ａ）はその上面図、
第１図（ｂ）はそのＡ−Ａ′線の断面図、第１図（ｃ）
はそのＢ−Ｂ′線の断面図である。
造によって得られた半導体発光装置の一実施例の構造を
説明するための図であり、第１図（ａ）はその上面図、
第１図（ｂ）はそのＡ−Ａ′線の断面図、第１図（ｃ）
はそのＢ−Ｂ′線の断面図である。
これらの図において、11は、例えばｐ形GaAsからなる基
板、12はｎ形A1yGa1-yAsからなる第１クラッド層、13は
ｎ形A1xGa1-xAsからなる活性層（ｘ＜ｙ）、14はｎ形A1
yGa1-yAsからなる第２クラッド層、15はｎ形GaAsからな
るコンタクト層、16はp+形の第１拡散領域、17はｐ形の
第２拡散領域である。
板、12はｎ形A1yGa1-yAsからなる第１クラッド層、13は
ｎ形A1xGa1-xAsからなる活性層（ｘ＜ｙ）、14はｎ形A1
yGa1-yAsからなる第２クラッド層、15はｎ形GaAsからな
るコンタクト層、16はp+形の第１拡散領域、17はｐ形の
第２拡散領域である。
ここでは、図示はしていないが基板11側にはｐ電極が、
コンタクト層15側にはｎ電極が形成される。
コンタクト層15側にはｎ電極が形成される。
また、第２図（ａ），（ｂ）はこの発明の半導体発光装
置の製造方法の一実施例を説明するための図である。こ
れらの図において、第１図（ａ）〜（ｃ）と同一符号は
同一部分を示す。
置の製造方法の一実施例を説明するための図である。こ
れらの図において、第１図（ａ）〜（ｃ）と同一符号は
同一部分を示す。
次に製造工程について説明する。
まず、基板11上に第１クラッド層12を結晶成長させた
後、端面および端面近傍以外の領域の第１クラッド層12
上から基板11までの拡散を行って第１拡散領域16をチッ
プ中央部に共振器方向に沿ってストライプ状に形成する
（第２図（ａ））。
後、端面および端面近傍以外の領域の第１クラッド層12
上から基板11までの拡散を行って第１拡散領域16をチッ
プ中央部に共振器方向に沿ってストライプ状に形成する
（第２図（ａ））。
次に、この第１クラッド層12上に活性層13,第２クラッ
ド層14,コンタクト層15を順次結晶成長させる。この２
回目の結晶成長時の熱処理により、ストライプ状に形成
された第１拡散領域16中のｐ形不純物は、活性層13中に
拡散されて第２拡散領域17を形成する。
ド層14,コンタクト層15を順次結晶成長させる。この２
回目の結晶成長時の熱処理により、ストライプ状に形成
された第１拡散領域16中のｐ形不純物は、活性層13中に
拡散されて第２拡散領域17を形成する。
したがって、この時、第２拡散領域17の先端が活性層13
と第２クラッド層14との境界にちょうど達するように、
２回目の結晶成長温度と時間を制御すれば、第１図
（ａ）〜（ｃ）に示した構造の半導体レーザを得ること
ができる（第２図（ｂ））。
と第２クラッド層14との境界にちょうど達するように、
２回目の結晶成長温度と時間を制御すれば、第１図
（ａ）〜（ｃ）に示した構造の半導体レーザを得ること
ができる（第２図（ｂ））。
すなわち、この発明では、第２クラッド層14,コンタク
ト層15を介して拡散を行わずに、あらかじめ第１クラッ
ド層12を介して第１拡散領域16を形成しておき、２回目
の結晶成長時の熱処理によって第１拡散領域16をソース
とする第２拡散領域17を形成するので、各層の厚さのば
らつきの影響を受けることがなく、活性層13,第２クラ
ッド層14,コンタクト層15の成長温度と成長時間とを制
御すれば、ウエハ面内全面において第２拡散領域17の先
端を活性層13と第２クラッド層14の境界に安定に到達さ
せることができ、歩留り良く高出力の半導体発光装置を
製造することができる。
ト層15を介して拡散を行わずに、あらかじめ第１クラッ
ド層12を介して第１拡散領域16を形成しておき、２回目
の結晶成長時の熱処理によって第１拡散領域16をソース
とする第２拡散領域17を形成するので、各層の厚さのば
らつきの影響を受けることがなく、活性層13,第２クラ
ッド層14,コンタクト層15の成長温度と成長時間とを制
御すれば、ウエハ面内全面において第２拡散領域17の先
端を活性層13と第２クラッド層14の境界に安定に到達さ
せることができ、歩留り良く高出力の半導体発光装置を
製造することができる。
次に動作について説明する。
この発明によって得られる半導体レーザの動作を従来の
ものと同様であり、レーザ発振は活性層13内の第２拡散
領域17で生じる。活性層13内の第２拡散領域17の屈折率
は活性層13の第２拡散領域17の形成されていないｎ形領
域の屈折率よりも大きいので、レーザ光は活性層13内の
第２拡散領域17を共振器方向に沿って伝搬する。
ものと同様であり、レーザ発振は活性層13内の第２拡散
領域17で生じる。活性層13内の第２拡散領域17の屈折率
は活性層13の第２拡散領域17の形成されていないｎ形領
域の屈折率よりも大きいので、レーザ光は活性層13内の
第２拡散領域17を共振器方向に沿って伝搬する。
また、レーザ光を発生する活性層13内の第２拡散領域17
のバンドギャップは、チップ端面近傍の活性層13のｎ形
領域のバンドギャップよりも小さい。したがって、活性
層13内の第２拡散領域17で発生したレーザ光は、チップ
端面近傍の活性層13のｎ形領域で吸収されることなくチ
ップ端面より外部に放出される。すなわち、レーザ光は
チップ端面近傍で吸収されないので、通常の半導体レー
ザで生じるようなレーザ光吸収による端面近傍の熱的損
傷を避けることができ、高出力動作が可能となる。
のバンドギャップは、チップ端面近傍の活性層13のｎ形
領域のバンドギャップよりも小さい。したがって、活性
層13内の第２拡散領域17で発生したレーザ光は、チップ
端面近傍の活性層13のｎ形領域で吸収されることなくチ
ップ端面より外部に放出される。すなわち、レーザ光は
チップ端面近傍で吸収されないので、通常の半導体レー
ザで生じるようなレーザ光吸収による端面近傍の熱的損
傷を避けることができ、高出力動作が可能となる。
なお、上記実施例では、GaAs/AlGaAs系の半導体発光装
置の製造方法を説明したが、この発明はこれに限定され
ることなく、例えばInP/InGaAsP系等の他の半導体発光
装置の製造方法に適用できることはもちろんである。
置の製造方法を説明したが、この発明はこれに限定され
ることなく、例えばInP/InGaAsP系等の他の半導体発光
装置の製造方法に適用できることはもちろんである。
また、上記実施例では、第１拡散領域16を拡散法により
形成した場合について述べたが、イオン注入法等により
形成しても良いことはもちろんである。
形成した場合について述べたが、イオン注入法等により
形成しても良いことはもちろんである。
〔発明の効果〕 この発明は以上説明したとおり、第１導電形の基板上に
第２導電形の第１クラッド層を成長させる工程と、端面
および端面近傍以外の領域の第１クラッド層上から基板
までのイオン注入または拡散を行って共振器方向に沿っ
てストライプ状の第１導電形の第１拡散領域を形成する
工程と、第１クラッド層上に第２導電形またはアンドー
プの活性層，第２導電形の第２クラッド層，第２導電形
のコンタクト層を順次成長させるとともに、第１拡散領
域中の不純物を活性層と第２クラッド層との境界まで拡
散させて第１導電形の第２拡散領域を形成する工程とを
含むもので、第２拡散領域の先端を活性層と第２クラッ
ド層の境界に安定に到達させることができ、歩留り良く
高出力の半導体発光装置を得ることができるという効果
がある。
第２導電形の第１クラッド層を成長させる工程と、端面
および端面近傍以外の領域の第１クラッド層上から基板
までのイオン注入または拡散を行って共振器方向に沿っ
てストライプ状の第１導電形の第１拡散領域を形成する
工程と、第１クラッド層上に第２導電形またはアンドー
プの活性層，第２導電形の第２クラッド層，第２導電形
のコンタクト層を順次成長させるとともに、第１拡散領
域中の不純物を活性層と第２クラッド層との境界まで拡
散させて第１導電形の第２拡散領域を形成する工程とを
含むもので、第２拡散領域の先端を活性層と第２クラッ
ド層の境界に安定に到達させることができ、歩留り良く
高出力の半導体発光装置を得ることができるという効果
がある。
第１図はこの発明の半導体発光装置の製造方法によって
得られた半導体発光装置の一実施例の構造を説明するた
めの図、第２図はこの発明の半導体発光装置の製造方法
の一実施例を説明するための図、第３図は従来の半導体
発光装置の一例の構造を説明するための図である。 図において、11は基板、12は第１クラッド層、13は活性
層、14は第２クラッド層、15はコンタクト層、16は第１
拡散領域、17は第２拡散領域である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
得られた半導体発光装置の一実施例の構造を説明するた
めの図、第２図はこの発明の半導体発光装置の製造方法
の一実施例を説明するための図、第３図は従来の半導体
発光装置の一例の構造を説明するための図である。 図において、11は基板、12は第１クラッド層、13は活性
層、14は第２クラッド層、15はコンタクト層、16は第１
拡散領域、17は第２拡散領域である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】第１導電形の基板上に第２導電形の第１ク
ラッド層を成長させる工程と、端面および端面近傍以外
の領域の前記第１クラッド層上から前記基板までのイオ
ン注入または拡散を行って共振器方向に沿ってストライ
プ状の第１導電形の第１拡散領域を形成する工程と、前
記第１クラッド層上に第２導電形またはアンドープの活
性層，第２導電形の第２クラッド層，第２導電形のコン
タクト層を順次成長させるとともに、前記第１拡散領域
中の不純物を前記活性層と前記第２クラッド層との境界
まで拡散させて第１導電形の第２拡散領域を形成する工
程とを含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方
法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62179346A JPH073908B2 (ja) | 1987-07-16 | 1987-07-16 | 半導体発光装置の製造方法 |
| US07/216,832 US4888782A (en) | 1987-07-16 | 1988-07-08 | Semiconductor light emitting device |
| US07/411,748 US4960730A (en) | 1987-07-16 | 1989-09-25 | Method of making a semiconductor light emitting device using out-diffusion from a buried stripe |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62179346A JPH073908B2 (ja) | 1987-07-16 | 1987-07-16 | 半導体発光装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6421989A JPS6421989A (en) | 1989-01-25 |
| JPH073908B2 true JPH073908B2 (ja) | 1995-01-18 |
Family
ID=16064235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62179346A Expired - Lifetime JPH073908B2 (ja) | 1987-07-16 | 1987-07-16 | 半導体発光装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4888782A (ja) |
| JP (1) | JPH073908B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0828498B2 (ja) * | 1989-10-02 | 1996-03-21 | 株式会社東芝 | 半導体素子とその製造方法 |
| US5138624A (en) * | 1989-11-16 | 1992-08-11 | The Boeing Company | Multiwavelength LED and laser diode optical source |
| US5126281A (en) * | 1990-09-11 | 1992-06-30 | Hewlett-Packard Company | Diffusion using a solid state source |
| JPH0582463A (ja) * | 1991-03-25 | 1993-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | Ｐ形不純物の拡散方法及び半導体レーザ |
| US5185754A (en) * | 1991-07-29 | 1993-02-09 | Spectra Diode Laboratories, Inc. | Spectrally stable laser diode with internal reflector |
| FR2859820B1 (fr) * | 2003-09-17 | 2006-06-09 | Commissariat Energie Atomique | Structure multi-zones apte a subir un recuit par irradiation lumineuse et procede de mise en oeuvre de ladite structure |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5574195A (en) * | 1978-11-28 | 1980-06-04 | Nec Corp | Manufacturing semiconductor laser |
| DE3065856D1 (en) * | 1979-02-13 | 1984-01-19 | Fujitsu Ltd | A semiconductor light emitting device |
| US4511408A (en) * | 1982-04-22 | 1985-04-16 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Semiconductor device fabrication with disordering elements introduced into active region |
| US4786951A (en) * | 1985-02-12 | 1988-11-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor optical element and a process for producing the same |
| US4654090A (en) * | 1985-09-13 | 1987-03-31 | Xerox Corporation | Selective disordering of well structures by laser annealing |
| JPH07112091B2 (ja) * | 1986-03-06 | 1995-11-29 | 株式会社東芝 | 埋め込み型半導体レ−ザの製造方法 |
| US4771010A (en) * | 1986-11-21 | 1988-09-13 | Xerox Corporation | Energy beam induced layer disordering (EBILD) |
| US4824798A (en) * | 1987-11-05 | 1989-04-25 | Xerox Corporation | Method of introducing impurity species into a semiconductor structure from a deposited source |
| US4830983A (en) * | 1987-11-05 | 1989-05-16 | Xerox Corporation | Method of enhanced introduction of impurity species into a semiconductor structure from a deposited source and application thereof |
-
1987
- 1987-07-16 JP JP62179346A patent/JPH073908B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-07-08 US US07/216,832 patent/US4888782A/en not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-09-25 US US07/411,748 patent/US4960730A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4960730A (en) | 1990-10-02 |
| US4888782A (en) | 1989-12-19 |
| JPS6421989A (en) | 1989-01-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4819245A (en) | Semiconductor laser device having substriped channels for forming an active layer which is thin in an inside portion | |
| US4841532A (en) | Semiconductor laser | |
| JPS5940592A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPH073908B2 (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| US5173913A (en) | Semiconductor laser | |
| US4759025A (en) | Window structure semiconductor laser | |
| JP2542570B2 (ja) | 光集積素子の製造方法 | |
| JPH0426558B2 (ja) | ||
| JPH0758402A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS5839085A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS6362292A (ja) | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 | |
| JP2518221B2 (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPH0634426B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
| KR100278623B1 (ko) | 반도체 레이저 소자 및 제조방법 | |
| JP2538258B2 (ja) | 半導体レ―ザ | |
| JPS5834988A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPH02119285A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| GB2188775A (en) | A window semiconductor laser device and an epitaxial growth process for its production | |
| JPH0410705Y2 (ja) | ||
| KR100244239B1 (ko) | 레이저 다이오드 및 그 제조방법 | |
| JPS6136720B2 (ja) | ||
| JPH0677594A (ja) | 半導体レーザー | |
| JPS63222476A (ja) | 端面発光ダイオ−ドの製造方法 | |
| JPS5968989A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS6123386A (ja) | 半導体レ−ザ |