JPH0216381B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0216381B2 JPH0216381B2 JP60127486A JP12748685A JPH0216381B2 JP H0216381 B2 JPH0216381 B2 JP H0216381B2 JP 60127486 A JP60127486 A JP 60127486A JP 12748685 A JP12748685 A JP 12748685A JP H0216381 B2 JPH0216381 B2 JP H0216381B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- discharge
- groove
- magnetic field
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は放電電極に係り、特にマグネトロン放
電およびホローカソード放電を発生させるための
放電電極に関する。
電およびホローカソード放電を発生させるための
放電電極に関する。
従来、スパツタリング等に用いられ、ターゲツ
ト等の電極部材を被処理物に飛散させるための放
電電極には、種々のものがあるが、通常、ターゲ
ツト表面に閉磁界を有するマグネトロン方式を用
いることが多い。このような放電電極は、通常陰
極として用いられ、この陰極と陽極との間に高電
界を印加してターゲツト表面上の閉磁界内でプラ
ズマ放電を起させ生成させるイオンによりターゲ
ツト材料が叩かれて被処理物上に膜を形成するも
のである。
ト等の電極部材を被処理物に飛散させるための放
電電極には、種々のものがあるが、通常、ターゲ
ツト表面に閉磁界を有するマグネトロン方式を用
いることが多い。このような放電電極は、通常陰
極として用いられ、この陰極と陽極との間に高電
界を印加してターゲツト表面上の閉磁界内でプラ
ズマ放電を起させ生成させるイオンによりターゲ
ツト材料が叩かれて被処理物上に膜を形成するも
のである。
しかし、上記マグネトロン方式の放電電極にお
いては、ターゲツト表面上に平行な磁界が存在す
ることが条件であるが、ターゲツト材料として、
鉄等の強磁性体を用いた場合には、平行でかつ閉
じた磁界を作るべき磁力線の大部分がターゲツト
内を通るため、ターゲツト表面上に平行な磁界を
得ることが困難であるという問題があつた。
いては、ターゲツト表面上に平行な磁界が存在す
ることが条件であるが、ターゲツト材料として、
鉄等の強磁性体を用いた場合には、平行でかつ閉
じた磁界を作るべき磁力線の大部分がターゲツト
内を通るため、ターゲツト表面上に平行な磁界を
得ることが困難であるという問題があつた。
本発明は上述した点に鑑みてなされたもので、
強磁性体ターゲツト、非磁性体ターゲツトにかか
わらず、安定したプラズマ放電を起こさせること
ができかつ均一な膜形成を行うことのできる放電
電極を提供することを目的とする。
強磁性体ターゲツト、非磁性体ターゲツトにかか
わらず、安定したプラズマ放電を起こさせること
ができかつ均一な膜形成を行うことのできる放電
電極を提供することを目的とする。
上記目的達成のため本発明に係る放電電極は、
電極上で放射状に発生する閉磁界内、ホローカソ
ード放電を生じさせるのに十分な深さで同心状に
配設された少なくとも1つの環状溝部を有する電
極部材を、上記磁界が上記溝部を貫通するように
配設したことをその特徴とするものであり、一般
に磁界が存在しない場合でも陰極に溝部が形成さ
れていると放電プラズマが上記溝部内に入つてホ
ローカソード放電と呼ばれる強烈な放電プラズマ
が起きることが知られているが、上記構成により
ホローカソード放電とマグネトロン放電とを生じ
させて低圧力でも安定した放電を得られるように
なされている。
電極上で放射状に発生する閉磁界内、ホローカソ
ード放電を生じさせるのに十分な深さで同心状に
配設された少なくとも1つの環状溝部を有する電
極部材を、上記磁界が上記溝部を貫通するように
配設したことをその特徴とするものであり、一般
に磁界が存在しない場合でも陰極に溝部が形成さ
れていると放電プラズマが上記溝部内に入つてホ
ローカソード放電と呼ばれる強烈な放電プラズマ
が起きることが知られているが、上記構成により
ホローカソード放電とマグネトロン放電とを生じ
させて低圧力でも安定した放電を得られるように
なされている。
以下、本発明の実施例を第1図乃至第7図を参
照して説明する。
照して説明する。
第1図は本発明の一実施例を示したもので、鉄
等の磁性材料からなる円板1の上面中心部および
外周部には、それぞれマグネツト2,2が固着さ
れ、この各マグネツト2,2の上面側には、円板
状のターゲツト3が配設されている。のターゲツ
ト3の上面には、第2図aに示すように、同心円
状に複数の溝4,4…が形成され、さらに、ター
ゲツト3には電源5が接続されている。なお、上
記溝4は1つであつてもよく、上記ターゲツト3
は、第2図bに示すように、四角形に形成して同
心状の溝4を形成するようにしてもよい。
等の磁性材料からなる円板1の上面中心部および
外周部には、それぞれマグネツト2,2が固着さ
れ、この各マグネツト2,2の上面側には、円板
状のターゲツト3が配設されている。のターゲツ
ト3の上面には、第2図aに示すように、同心円
状に複数の溝4,4…が形成され、さらに、ター
ゲツト3には電源5が接続されている。なお、上
記溝4は1つであつてもよく、上記ターゲツト3
は、第2図bに示すように、四角形に形成して同
心状の溝4を形成するようにしてもよい。
本実施例においては、上記のように構成された
放電電極を真空容器内に配置し、上記ターゲツト
3に対向する位置に被処理物(図示せず)を配置
する。そして、上記電源5から上記被処理物とタ
ーゲツト3との間に高電圧を印加することによ
り、第2図aに破線で示すように、溝4の内側で
電子が動き、電界が発生し、マグネツト2により
発生する放射状の磁界Aとの直交する部分すなわ
ち、溝4の内部にマグネトロンによるプラズマ6
が発生する。そして、このプラズマ6によりター
ゲツト3の内側面材料をイオンで叩くことにより
上記被処理物に被着させるものである。
放電電極を真空容器内に配置し、上記ターゲツト
3に対向する位置に被処理物(図示せず)を配置
する。そして、上記電源5から上記被処理物とタ
ーゲツト3との間に高電圧を印加することによ
り、第2図aに破線で示すように、溝4の内側で
電子が動き、電界が発生し、マグネツト2により
発生する放射状の磁界Aとの直交する部分すなわ
ち、溝4の内部にマグネトロンによるプラズマ6
が発生する。そして、このプラズマ6によりター
ゲツト3の内側面材料をイオンで叩くことにより
上記被処理物に被着させるものである。
したがつて、本実施例においては、第3図に示
すように、溝4の内部にホローカソード放電と上
記マグネトロン放電とが発生し、ターゲツト3の
溝4部分に電子が閉じ込められるので、プラズマ
6の放電が安定する。また、ターゲツト3の溝4
がすべてスパツタ源として機能するので、溝4の
数を多くすることにより、同一面内でのスパツタ
源を増すことができ、したがつて、より均一な膜
形成が可能となる。
すように、溝4の内部にホローカソード放電と上
記マグネトロン放電とが発生し、ターゲツト3の
溝4部分に電子が閉じ込められるので、プラズマ
6の放電が安定する。また、ターゲツト3の溝4
がすべてスパツタ源として機能するので、溝4の
数を多くすることにより、同一面内でのスパツタ
源を増すことができ、したがつて、より均一な膜
形成が可能となる。
なお、上記ターゲツト3の溝4の側面に上方に
拡がるテーパを形成するようにしてもよい。
拡がるテーパを形成するようにしてもよい。
また、第4図は本発明の他の実施例を示したも
ので、ターゲツト3を円筒状に形成し、このター
ゲツト3の内部には、複数の環状マグネツト2,
2…が軸方向に所定間隔を有するように配設され
ており、上記ターゲツト3の外周面には、軸方向
に直交する方向に複数の環状の溝4,4…が形成
されている。
ので、ターゲツト3を円筒状に形成し、このター
ゲツト3の内部には、複数の環状マグネツト2,
2…が軸方向に所定間隔を有するように配設され
ており、上記ターゲツト3の外周面には、軸方向
に直交する方向に複数の環状の溝4,4…が形成
されている。
本実施例においては、マグネツト2により軸方
向の磁界Aが発生し、ターゲツト3と図示しない
被処理物との間に高電圧を印加することにより、
溝4,4…の内部に電界を発生させ、溝4,4…
の内部にプラズマを発生させる。
向の磁界Aが発生し、ターゲツト3と図示しない
被処理物との間に高電圧を印加することにより、
溝4,4…の内部に電界を発生させ、溝4,4…
の内部にプラズマを発生させる。
したがつて、本実施例においても上記実施例と
同様に、強磁性体ターゲツトであつても安定した
プラズマ放電を得ることができ、さらに、面均一
なスパツタ源となるので、被処理物の均一な膜形
成を行なうことが可能となる。
同様に、強磁性体ターゲツトであつても安定した
プラズマ放電を得ることができ、さらに、面均一
なスパツタ源となるので、被処理物の均一な膜形
成を行なうことが可能となる。
さらに、第5図は本発明の他の家施例を示した
もので、マグネツト2の上面側には、鉄等の磁性
材料からなるターゲツト支持部材7,7…が所定
間隔を有するように同心円状に配設されており、
上記各ターゲツト支持部材7,7…の間隙部分に
は、断面形状ほぼU字状を有し内側に溝4が形成
された環状ターゲツト3,3…がそれぞれ着脱自
在に嵌合されている。
もので、マグネツト2の上面側には、鉄等の磁性
材料からなるターゲツト支持部材7,7…が所定
間隔を有するように同心円状に配設されており、
上記各ターゲツト支持部材7,7…の間隙部分に
は、断面形状ほぼU字状を有し内側に溝4が形成
された環状ターゲツト3,3…がそれぞれ着脱自
在に嵌合されている。
本実施例においても上記各実施例と同様に、被
処理物の均一な膜形成を行なうことができ、さら
に、ターゲツ3,3…の交換を極めて簡単に行な
うことができる。また、各ターゲツト3,3…を
異なる物質で形成すれば、合金の膜形成も容易に
行なうことが可能となる。
処理物の均一な膜形成を行なうことができ、さら
に、ターゲツ3,3…の交換を極めて簡単に行な
うことができる。また、各ターゲツト3,3…を
異なる物質で形成すれば、合金の膜形成も容易に
行なうことが可能となる。
また、第6図は本発明の他の実施例を示したも
ので、強磁性体からなるターゲツト3を、マグネ
ツト2の上面側に、半径方向に所定間隙を有しこ
の間隙部分が溝として作用するように同心円状に
配設するようになされており、上記間隙部分の下
方には、石英板等からなる絶縁板8が配設されて
いる。
ので、強磁性体からなるターゲツト3を、マグネ
ツト2の上面側に、半径方向に所定間隙を有しこ
の間隙部分が溝として作用するように同心円状に
配設するようになされており、上記間隙部分の下
方には、石英板等からなる絶縁板8が配設されて
いる。
本実施例においては、ターゲツト材料を強磁体
で形成した場合でも、磁力線がターゲツト3の内
部を通ることがなく、必ず各ターゲツト3,3…
の間隙部分に磁界Aが発生するため、確実にかつ
均一に溝すなわち間隙部分にプラズマを発生させ
ることが可能となる。
で形成した場合でも、磁力線がターゲツト3の内
部を通ることがなく、必ず各ターゲツト3,3…
の間隙部分に磁界Aが発生するため、確実にかつ
均一に溝すなわち間隙部分にプラズマを発生させ
ることが可能となる。
なお、第7図に示すように、ターゲツト3の側
面にテーパを形成するようにしてもよく、これに
より、ターゲツト材料の上方への飛散が円滑に行
なわれる。
面にテーパを形成するようにしてもよく、これに
より、ターゲツト材料の上方への飛散が円滑に行
なわれる。
以上述べたように本発明に係る放電電極は、放
射状に発生する閉磁界内に、ホローカソード放電
を生じさせるのに十分な深さで同心状に配設され
た少なくとも1つの環状溝を有する電極部材を、
上記磁界が上記溝部を貫通するように配設するよ
うに構成し、上記溝部にホローカソード放電とマ
グネトロン放電を発生させるようにしたので、強
磁性体の電極部材であつても安定したプラズマ放
電を発生させることができ、さらに、上記溝部に
均一にプラズマが発生するので、平面で均一な電
極部材として機能し、被処理物の均一な膜形成を
行なうことができる等の効果を奏する。
射状に発生する閉磁界内に、ホローカソード放電
を生じさせるのに十分な深さで同心状に配設され
た少なくとも1つの環状溝を有する電極部材を、
上記磁界が上記溝部を貫通するように配設するよ
うに構成し、上記溝部にホローカソード放電とマ
グネトロン放電を発生させるようにしたので、強
磁性体の電極部材であつても安定したプラズマ放
電を発生させることができ、さらに、上記溝部に
均一にプラズマが発生するので、平面で均一な電
極部材として機能し、被処理物の均一な膜形成を
行なうことができる等の効果を奏する。
第1図乃至第7図はそれぞれ本発明の一実施例
を示したもので、第1図、第4図および第7図は
それぞれ縦断面図、第2図a,bはそれぞれター
ゲツトの斜視図、第3図はホローカソードによる
放電作用を示す溝部分の縦断面図、第5図および
第6図はそれぞれ一部の縦断面図である。 1……円板、2……マグネツト、3……ターゲ
ツト、4……溝、5……電源、6……プラズマ、
7……ターゲツト支持部材、8……絶縁板。
を示したもので、第1図、第4図および第7図は
それぞれ縦断面図、第2図a,bはそれぞれター
ゲツトの斜視図、第3図はホローカソードによる
放電作用を示す溝部分の縦断面図、第5図および
第6図はそれぞれ一部の縦断面図である。 1……円板、2……マグネツト、3……ターゲ
ツト、4……溝、5……電源、6……プラズマ、
7……ターゲツト支持部材、8……絶縁板。
Claims (1)
- 1 電極上で放射状に発生する閉磁界内に、ホロ
ーカソード放電を生じさせるのに十分な深さで同
心状に配設された少なくとも1つの環状溝部を有
する電極部材を、上記磁界が上記溝部を貫通する
ように配置したことを特徴とする放電電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12748685A JPS61284572A (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | 放電電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12748685A JPS61284572A (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | 放電電極 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61284572A JPS61284572A (ja) | 1986-12-15 |
| JPH0216381B2 true JPH0216381B2 (ja) | 1990-04-17 |
Family
ID=14961132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12748685A Granted JPS61284572A (ja) | 1985-06-12 | 1985-06-12 | 放電電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61284572A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4601104B2 (ja) * | 1999-12-20 | 2010-12-22 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
| KR100397751B1 (ko) * | 2001-07-18 | 2003-09-13 | 한전건 | 자성체 재료 코팅용 마그네트론 원 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57158381A (en) * | 1981-03-27 | 1982-09-30 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Magnetron sputtering device |
-
1985
- 1985-06-12 JP JP12748685A patent/JPS61284572A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61284572A (ja) | 1986-12-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2537210B2 (ja) | 高密度プラズマの発生装置 | |
| US6497803B2 (en) | Unbalanced plasma generating apparatus having cylindrical symmetry | |
| US4100055A (en) | Target profile for sputtering apparatus | |
| US4564435A (en) | Target assembly for sputtering magnetic material | |
| US4601806A (en) | Magnetron cathode for sputtering ferromagnetic targets | |
| US6224725B1 (en) | Unbalanced magnetron sputtering with auxiliary cathode | |
| GB1420061A (en) | Sputtering method and apparatus | |
| US5330632A (en) | Apparatus for cathode sputtering | |
| GB1438851A (en) | Ion particle accelerator | |
| GB2051877A (en) | Magnetically Enhanced Sputtering Device and Method | |
| JPH0216381B2 (ja) | ||
| JPS6012426B2 (ja) | 磁界圧着形マグネトロンスパッタリング装置 | |
| JPH0241584B2 (ja) | ||
| JPH0925570A (ja) | スパッタリング式被膜コーティング・ステーション、スパッタリング式被膜コートする方法、および真空処理装置 | |
| KR850008362A (ko) | 스퍼터코팅 장치 및 방법 | |
| JPH0241583B2 (ja) | ||
| JPH0693442A (ja) | マグネトロン・スパッタカソード | |
| JPS63140078A (ja) | スパツタリングによる成膜方法 | |
| WO2001092595A1 (en) | Unbalanced plasma generating apparatus having cylindrical symmetry | |
| JPS5943546B2 (ja) | スパツタリング装置 | |
| JPH0317907B2 (ja) | ||
| JPH0241585B2 (ja) | ||
| JPH05202471A (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 | |
| JPS63219579A (ja) | スパツタ装置 | |
| GB2241710A (en) | Magnetron sputtering of magnetic materials in which magnets are unbalanced |