JPH0241583B2 - - Google Patents

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JPH0241583B2
JPH0241583B2 JP12748585A JP12748585A JPH0241583B2 JP H0241583 B2 JPH0241583 B2 JP H0241583B2 JP 12748585 A JP12748585 A JP 12748585A JP 12748585 A JP12748585 A JP 12748585A JP H0241583 B2 JPH0241583 B2 JP H0241583B2
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JP
Japan
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electrode
discharge
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magnetic field
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JP12748585A
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JPS61284571A (ja
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は放電電極に係り、特にスパツタリング
等蒸発源を飛散させるための放電電極に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
従来、スパツタリング等に用いられターゲツト
等の蒸発源を被処理物に飛散させるための放電電
極には、種々のものが適用されているが、通常、
例えば同心円状にマグネツトを配置しこのマグネ
ツトの上面に平板状ターゲツトを配置するように
したものが用いられている。このような放電電極
は、この電極と被処理物との間に高周波電圧を印
加し、プラズマ放電を発生させることにより、上
記蒸発源の材料を飛散させて被処理物に膜を形成
するものである。
しかし、上記電極においては、部分的にプラズ
マが発生するため、蒸発源の飛散個所が均一では
なく、均一な膜形成を行なうことが困難であつ
た。
また、従来、上記マグネツトを偏心回転させて
プラズマの発生部分を移動させるようにしたもの
もあるが、完全に均一な蒸発源の飛散を確保する
ことができないという問題があつた。
〔発明の目的〕
本発明は上記した点に鑑みてなされたもので、
均一なプラズマ放電を発生させることのできる放
電電極を提供することを目的とするものである。
〔発明の概要〕
上記目的を達成するため本発明の放電電極は、
放射状に発生する閉磁界内に、同心状に配設され
た少なくとも1つの環状溝部を有する電極部材を
上記磁界が上記溝部を貫通するように配設し、こ
の電極部材を同心円状にそれぞれ絶縁部材を介し
て複数配設するとともに上記各電極部材にそれぞ
れ放電電源を接続し、上記電極部材の放電電流を
それぞれ独立に制御するようにしたことをその特
徴とするものである。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明す
る。
第1図は本発明をスパツタリング装置に適用し
た場合の一実施例を示したもので、鉄等の磁性材
料からなる円板1の上面中心部および外周部に
は、それぞれマグネツト2,2が固着され、これ
ら各マグネツト2,2の上面側には、鉄等の磁性
材料からなるターゲツト支持部材3,3,3,3
が所定間隔を有するように同心円状に配設されて
いる。上記各ターゲツト支持部材3,3,3,3
の間隙部分には、断面形状ほぼU字状を有し内側
に溝4aが形成されたの環状ターゲツト4,4,
4が、それぞれ着脱自在に嵌合されており、各タ
ーゲツト4,4,4と各ターゲツト支持部材3,
3,3,3との間には、石英等の絶縁体5,5…
が介設されている。また、上記各ターゲツト4,
4,4の下面側には、それぞれ電極6,6,6が
接続され、これら各電極6,6,6には、それぞ
れ独立した放電電源7,7,7がリード線8,
8,8を介して接続されている。さらに、上記各
ターゲツト支持部材3,3,3,3の下面側に
は、冷却装置9,9…が取付けられている。
本実施例においては上記のように構成された放
電電極を真空容器内に配置し、上記ターゲツト
4,4…に対向する位置に被処理物(図示せず)
を配置する。そして、各放電電源7,7,7から
各電極6,6,6に高周波電圧を印加することに
より、マグネツト2による中心部から上記マグネ
ツト4,4…の内部貫通するように放射状に発生
する磁界と、上記各ターゲツト4,4…の内側に
発生する電界とが直交する部分にプラズマ10が
発生する。このプラズマ10によりターゲツト4
の内側面材料をイオン化して被処理物に被着させ
るものである。
したがつて、本実施例においては、ターゲツト
4の内側に電子が閉じ込められるため、プラズマ
の放電が安定する。また、各ターゲツト4の内側
部分がそれぞれスパツタ源となるので、平面で均
一なスパツト源となり、被処理物への均一な膜形
成が可能となる。さらに、本実施例においては、
各ターゲツト4,4…にそれぞれ別個の放電電源
7,7…が接続されているので、各ターゲツト
4,4…毎に細かい放電電流の制御を行なうこと
ができ、極めて均一なスパツタ源となりうる。
また、上記各ターゲツト4,4…を異なる物質
で形成するようにすれば、各ターゲツト4,4…
の放電電力の制御により、合金物質の膜形成が可
能となる。
なお、上記ターゲツトを、第2図に示すよう
に、内側面にテーパを形成するようにしてもよ
く、これにより、ターゲツト材料の上方への飛散
が円滑に行なわれる。
また、上記実施例においては、本発明に係る放
電電極をスパツタリング装置の放電陰極に適用し
た例を示したが、イオンエツチング等のイオン源
に適用することもできる。
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明に係る放電電極は、環
状溝部を有する複数の電極部材を、それぞれ絶縁
部材を介して、同心円状にかつ放射状磁界が上記
溝部を貫通するように配設し、これら各電極部材
にそれぞれ放電電源を接続し、上記各電極部材の
放電電流をそれぞれ独立に制御するように構成し
たので、上記各電極部材への放電電流をそれぞれ
別個に制御することにより、各電極部材の内側に
均一にプラズマ放電を発生させることができ、例
えばスパツタリング装置に適用すれば、均一な面
蒸発源となり均一に膜形成を行なうことが可能と
なり、さらに、各蒸発源を異なる物質を形成すれ
ば、合金物質の膜形成もできる等の効果を奏す
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す縦断面図、第
2図はターゲツトの他の実施例を示す縦断面図で
ある。 1…円板、2…マグネツト、3…ターゲツト支
持部材、4…ターゲツト、5…絶縁体、6…電
極、7…放電電源、8…リード線、9…冷却装
置、10…プラズマ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 放射状に発生する閉磁界内に、同心状に配設
    された少なくとも1つの環状溝部を有する電極部
    材を上記磁界が上記溝部を貫通するように配設
    し、この電極部材を同心円状にそれぞれ絶縁部材
    を介して複数配設するとともに上記各電極部材に
    それぞれ放電電源を接続し、上記電極部材の放電
    電流をそれぞれ独立に制御するようにしたことを
    特徴とする放電電極。
JP12748585A 1985-06-12 1985-06-12 放電電極 Granted JPS61284571A (ja)

Priority Applications (1)

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JP12748585A JPS61284571A (ja) 1985-06-12 1985-06-12 放電電極

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JP12748585A JPS61284571A (ja) 1985-06-12 1985-06-12 放電電極

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JPS61284571A JPS61284571A (ja) 1986-12-15
JPH0241583B2 true JPH0241583B2 (ja) 1990-09-18

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JP2797111B2 (ja) * 1989-03-27 1998-09-17 東京エレクトロン株式会社 スパッタ装置
JP2657170B2 (ja) * 1994-10-24 1997-09-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2000144399A (ja) * 1998-10-30 2000-05-26 Applied Materials Inc スパッタリング装置
CN107523831B (zh) * 2017-09-30 2019-01-18 江阴康强电子有限公司 粗化浸镀子槽

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