JPH02163929A - 半導体薄膜形成装置 - Google Patents
半導体薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPH02163929A JPH02163929A JP31898688A JP31898688A JPH02163929A JP H02163929 A JPH02163929 A JP H02163929A JP 31898688 A JP31898688 A JP 31898688A JP 31898688 A JP31898688 A JP 31898688A JP H02163929 A JPH02163929 A JP H02163929A
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- Japan
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- thin film
- removal part
- semiconductor thin
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- Pending
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体薄膜を成長させる半導体薄膜形成装置
に関する。半導体薄膜形成装置は基板上に光を照射し薄
ＩＩｔＪ成長反応を促進することにより、部分的に厚い
、もしくは部分的にのみ成長した半導体薄膜を形成する
装置である。
に関する。半導体薄膜形成装置は基板上に光を照射し薄
ＩＩｔＪ成長反応を促進することにより、部分的に厚い
、もしくは部分的にのみ成長した半導体薄膜を形成する
装置である。
（従来技術及び発明が解決しようとする！Ｉ！題）オプ
トエレクトロニクス用をはじめとした半導体素子の高度
化５高機能化にともない、その作製プロセスは複雑化の
一途をたどっている。そのプロセスの簡易化のため、素
子構造の提案のみならず半導体薄膜製造プロセスの提案
もなされている。
トエレクトロニクス用をはじめとした半導体素子の高度
化５高機能化にともない、その作製プロセスは複雑化の
一途をたどっている。そのプロセスの簡易化のため、素
子構造の提案のみならず半導体薄膜製造プロセスの提案
もなされている。
たとえばアブライドフィジクスレターズ（Ａｐ９１ｉｅ
ｄＰｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）５２巻１３号（１
９８８年＞ １０６５頁にあるように、半導体Ｆ！膜を
形成する際に、有機金属分子線エピタキシー（以下、Ｍ
ＯＭＢＢと略称する。）装置内の半導体基板上に部分的
に光を照射することにより半導体基板上の一部に選択的
に半導体薄膜を形成する技術が開発されている。この半
導体薄膜形成方法においては所望の半導体薄膜パターン
を得るために、成長装置に設置された窓を通してレーザ
ービームを基板上に照射することが必要である。従来、
この種薄膜成長装置、たきえば分子線エピタキシー（Ｍ
ＢＥ）装置、ＭＯＭＢＥ装置の窓には開閉可能なシャッ
ターが設置され、膜成長前後、または成長中の必要なと
きにのみシャッターを開けて用いることにより、半導体
材料の付着による窓の曇りを防止していた。しかるに、
成長中にレーザー光を照射するためには薄膜成長中に長
時間にわたりシャッターを開けておく必要があり、数回
の成長で窓が不透明となり、レーザー光を入射できなく
なった。そのため、例えば週に一回程度薄膜成長装置を
リークし、窓を取り外して洗浄する必要があった。この
ように薄膜成長装置の真空を頻繁に破るため、成長した
薄膜のｌｌ！［は素子に用いるには不十分なものであっ
た。
ｄＰｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）５２巻１３号（１
９８８年＞ １０６５頁にあるように、半導体Ｆ！膜を
形成する際に、有機金属分子線エピタキシー（以下、Ｍ
ＯＭＢＢと略称する。）装置内の半導体基板上に部分的
に光を照射することにより半導体基板上の一部に選択的
に半導体薄膜を形成する技術が開発されている。この半
導体薄膜形成方法においては所望の半導体薄膜パターン
を得るために、成長装置に設置された窓を通してレーザ
ービームを基板上に照射することが必要である。従来、
この種薄膜成長装置、たきえば分子線エピタキシー（Ｍ
ＢＥ）装置、ＭＯＭＢＥ装置の窓には開閉可能なシャッ
ターが設置され、膜成長前後、または成長中の必要なと
きにのみシャッターを開けて用いることにより、半導体
材料の付着による窓の曇りを防止していた。しかるに、
成長中にレーザー光を照射するためには薄膜成長中に長
時間にわたりシャッターを開けておく必要があり、数回
の成長で窓が不透明となり、レーザー光を入射できなく
なった。そのため、例えば週に一回程度薄膜成長装置を
リークし、窓を取り外して洗浄する必要があった。この
ように薄膜成長装置の真空を頻繁に破るため、成長した
薄膜のｌｌ！［は素子に用いるには不十分なものであっ
た。
本発明の目的は上記問題点を解決するため、半導体基板
に光を照射しながら半導体薄膜を選択的に成長させる装
置において、レーザー光をＭＯＭＢＥ装置内に導入する
ための窓への半導体材料の付着物を成長装置をリークす
ることなく除去し、良質な半導体薄膜を捷供可能とする
ためのものである。
に光を照射しながら半導体薄膜を選択的に成長させる装
置において、レーザー光をＭＯＭＢＥ装置内に導入する
ための窓への半導体材料の付着物を成長装置をリークす
ることなく除去し、良質な半導体薄膜を捷供可能とする
ためのものである。
（課題を解決するための手段）
本発明は上記目的を達成するため、有機金属分子線エピ
タキシー装置と、この有機金属分子線エピタキシー装置
内の基板を照射するためのレーザー光源と、このレーザ
ー光源のレーザー光を導入するための窓とを具備した半
導体ｙＩ膜形成装置において、前記窓内側の有機金属分
子線エピタキシー装置内に窓または窓内部に設置したガ
ラス板に接触して動く付着物の除去部を配設し、この付
着物の除去部を外部から操作可能とする構造としたこと
を特徴とする半導体薄膜形成装置を要旨とする。
タキシー装置と、この有機金属分子線エピタキシー装置
内の基板を照射するためのレーザー光源と、このレーザ
ー光源のレーザー光を導入するための窓とを具備した半
導体ｙＩ膜形成装置において、前記窓内側の有機金属分
子線エピタキシー装置内に窓または窓内部に設置したガ
ラス板に接触して動く付着物の除去部を配設し、この付
着物の除去部を外部から操作可能とする構造としたこと
を特徴とする半導体薄膜形成装置を要旨とする。
本発明は上記構成により、半導体基板に光を照射しなが
ら半導体Ｂ［を選択的に成長させるＭＯＭＢＥ装置にお
いて、ＭＯＭＢＥ装置内に窓または窓内側に設置したガ
ラス板に付着した半導体材料を削り落とすための可動部
分を設置し、これを装置外部から操作可能とじた３七を
最も主要な特徴とする。
ら半導体Ｂ［を選択的に成長させるＭＯＭＢＥ装置にお
いて、ＭＯＭＢＥ装置内に窓または窓内側に設置したガ
ラス板に付着した半導体材料を削り落とすための可動部
分を設置し、これを装置外部から操作可能とじた３七を
最も主要な特徴とする。
（実施例）
以下、図面に沿って本発明の実施例について説明する。
なお、実施例は一つの例示であって、本発明の精神を逸
脱しない範囲で種々の変更あるいは改良を行いうること
は言うまでもない。
脱しない範囲で種々の変更あるいは改良を行いうること
は言うまでもない。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。ｌはＭＯＭ
ＢＥ装置本体、２は窓、３は窓内部に設けたガラス板、
４はへローズ、５は取っ手、６は付着物の除去部をなす
プラスチック片、７はレーザー光、８は基板である。ベ
ローズ４は可撓性を存し、ＭＯＭＢＥ装置内を真空とし
た状態で外部から取っ手５を自由に操作可能とする。ま
た、レーザー光源は図示を省略しである０ＭＯＭＢＥ装
置内には薄膜の成長中には砒素、アリシン フォスフイ
ン等のＶ族元素あるいはトリメチルガリウム、トリエチ
ルガリウム等の■族元素が存在する。
ＢＥ装置本体、２は窓、３は窓内部に設けたガラス板、
４はへローズ、５は取っ手、６は付着物の除去部をなす
プラスチック片、７はレーザー光、８は基板である。ベ
ローズ４は可撓性を存し、ＭＯＭＢＥ装置内を真空とし
た状態で外部から取っ手５を自由に操作可能とする。ま
た、レーザー光源は図示を省略しである０ＭＯＭＢＥ装
置内には薄膜の成長中には砒素、アリシン フォスフイ
ン等のＶ族元素あるいはトリメチルガリウム、トリエチ
ルガリウム等の■族元素が存在する。
これらの元素が第１図の場合には、ガラス仮３の基Ｆｉ
８に対向する面に付着し、ガラス板３は徐々に不透明と
なり、レーザー光７のＭＯＭＢＥ装置への導入を阻害す
る。このとき、取っ手５をもって、プラスチック片６を
ガラス（反３の基板８に対向する面に押し当てこするこ
とにより、ガラス板３への付着物を除去できる０本実施
例ではプラスチック片６の材質としてポリイミドを用い
たが、真空中でガスが出難く、ガラス板３に傷をつけな
いものであれば、他プラスチック材料でもよく、さらに
必ずしもプラスチックに限らなくてもよい。
８に対向する面に付着し、ガラス板３は徐々に不透明と
なり、レーザー光７のＭＯＭＢＥ装置への導入を阻害す
る。このとき、取っ手５をもって、プラスチック片６を
ガラス（反３の基板８に対向する面に押し当てこするこ
とにより、ガラス板３への付着物を除去できる０本実施
例ではプラスチック片６の材質としてポリイミドを用い
たが、真空中でガスが出難く、ガラス板３に傷をつけな
いものであれば、他プラスチック材料でもよく、さらに
必ずしもプラスチックに限らなくてもよい。
第２図は、本発明の他の実施例の断面図である。
１はＭＯＭＢＥ装置本体、２は窓、４はベローズ、５は
取っ手、７はレーザー光、８は基板、９はモーター、ｌ
Ｏは付着物の除去部をなすブラシ、１１はリード線であ
る。第１図の時と同様に、モーター９によりブラシＩＯ
を回転させるとともに、取っ手５により窓２の内側に接
触させながら移動させることにより、窓２の付着物を除
去できる。
取っ手、７はレーザー光、８は基板、９はモーター、ｌ
Ｏは付着物の除去部をなすブラシ、１１はリード線であ
る。第１図の時と同様に、モーター９によりブラシＩＯ
を回転させるとともに、取っ手５により窓２の内側に接
触させながら移動させることにより、窓２の付着物を除
去できる。
以上説明したようなｔＲ造になっているため、薄膜成長
−回毎に窓を透明に、または薄膜成長中においても窓を
きれいにすることができ、常に同一の光導入条件を保つ
ことができる。
−回毎に窓を透明に、または薄膜成長中においても窓を
きれいにすることができ、常に同一の光導入条件を保つ
ことができる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明は有機金属分子線エピタキ
シー装置と、この有機金属分子線エビタキシー装置内の
基板を照射するためのレーザー光源と、このレーザー光
源のレーザー光を導入するための窓とを具備した半導体
薄膜形成装置において、前記窓内側の有機金属分子線エ
ピタキシー装置内に窓または窓内部に設置したガラス板
に接触して動く付着物の除去部を配設し、この付着物の
除去部を外部から操作可能とする構造としたことにより
、ＭＯＭＢＥ装置内の窓または窓内側に設置したガラス
板に付着する半導体材料を削り落とすための部材を配設
することにより、同一条件で半導体薄膜を形成する回数
を増やすことが可能である。したがって、レーザー光を
走査させたりパターンを投影することにより光導波路や
レーザーなどの様々なパターンをｆｆ１画でき、オプト
エレクトロニクス用半導体部品の作製に有用であるばか
りでなく、シリコン上へのパターン化されたＧａＡｓ薄
膜や１ｎＰＦ１ｉ膜の形成などにも有用である。また、
ＭＢＥ装置やＭＯＭＢＥ装置において、成長中に成長部
を観察するための窓を、本発明の構造に変更することに
より、長時間の観察も可能となる。
シー装置と、この有機金属分子線エビタキシー装置内の
基板を照射するためのレーザー光源と、このレーザー光
源のレーザー光を導入するための窓とを具備した半導体
薄膜形成装置において、前記窓内側の有機金属分子線エ
ピタキシー装置内に窓または窓内部に設置したガラス板
に接触して動く付着物の除去部を配設し、この付着物の
除去部を外部から操作可能とする構造としたことにより
、ＭＯＭＢＥ装置内の窓または窓内側に設置したガラス
板に付着する半導体材料を削り落とすための部材を配設
することにより、同一条件で半導体薄膜を形成する回数
を増やすことが可能である。したがって、レーザー光を
走査させたりパターンを投影することにより光導波路や
レーザーなどの様々なパターンをｆｆ１画でき、オプト
エレクトロニクス用半導体部品の作製に有用であるばか
りでなく、シリコン上へのパターン化されたＧａＡｓ薄
膜や１ｎＰＦ１ｉ膜の形成などにも有用である。また、
ＭＢＥ装置やＭＯＭＢＥ装置において、成長中に成長部
を観察するための窓を、本発明の構造に変更することに
より、長時間の観察も可能となる。
第１図は本発明の一実施例の断面図、
本発明の他の実施例の断面図である。
１・・・・・ＭＯＭＢＢ装置本体
２・・・・・宜
３・・・・・ガラス板
４・・・・・ベローズ
５・・・・・取っ手
６・・・・・プラスチック片
７・・・・・レーザー光
８・・・・・基板
９・ ・・・・モーター
１０・・・・・ブラシ
１１・ ・ ・ ・ ・ リード線
第２図は
Claims (1)
- 有機金属分子線エピタキシー装置と、この有機金属分子
線エピタキシー装置内の基板を照射するためのレーザー
光源と、このレーザー光源のレーザー光を導入するため
の窓とを具備した半導体薄膜形成装置において、前記窓
内側の有機金属分子線エピタキシー装置内に窓または窓
内部に設置したガラス板に接触して動く付着物の除去部
を配設し、この付着物の除去部を外部から操作可能とす
る構造としたことを特徴とする半導体薄膜形成装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31898688A JPH02163929A (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | 半導体薄膜形成装置 |
| PCT/JP1989/000827 WO1990001794A1 (fr) | 1988-08-15 | 1989-08-15 | Procede de formation d'un mince film semi-conducteur et appareil de realisation dudit procede |
| EP89909240A EP0394462B1 (en) | 1988-08-15 | 1989-08-15 | Method of forming a semiconductor thin film and apparatus therefor |
| US07/477,870 US5186750A (en) | 1988-08-15 | 1989-08-15 | Method and apparatus for forming semiconductor thin films |
| US07/935,067 US5273932A (en) | 1988-08-15 | 1992-08-25 | Method for forming semiconductor thin films where an argon laser is used to suppress crystal growth |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31898688A JPH02163929A (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | 半導体薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02163929A true JPH02163929A (ja) | 1990-06-25 |
Family
ID=18105215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31898688A Pending JPH02163929A (ja) | 1988-08-15 | 1988-12-16 | 半導体薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02163929A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09106950A (ja) * | 1995-10-12 | 1997-04-22 | Nec Corp | 結晶成長装置および結晶プロセス装置 |
-
1988
- 1988-12-16 JP JP31898688A patent/JPH02163929A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09106950A (ja) * | 1995-10-12 | 1997-04-22 | Nec Corp | 結晶成長装置および結晶プロセス装置 |
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