JPH0216499U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0216499U JPH0216499U JP9472788U JP9472788U JPH0216499U JP H0216499 U JPH0216499 U JP H0216499U JP 9472788 U JP9472788 U JP 9472788U JP 9472788 U JP9472788 U JP 9472788U JP H0216499 U JPH0216499 U JP H0216499U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- complementary bit
- semiconductor memory
- line
- bit lines
- dummy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Description
第１図は本考案の実施例を示すＤ―ＲＡＭの構
成図、第２図は従来のＤ―ＲＡＭの構成図である
。 ４……センスアンプ、ＢＬ，……ビツト線
、５……メモリセル、６……ダミーセル、ＷＬ…
…ワード線、ＤＷＬ，ＤＷＬ′……ダミーワード
線。
成図、第２図は従来のＤ―ＲＡＭの構成図である
。 ４……センスアンプ、ＢＬ，……ビツト線
、５……メモリセル、６……ダミーセル、ＷＬ…
…ワード線、ＤＷＬ，ＤＷＬ′……ダミーワード
線。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 複数の相補ビツト線と、該相補ビツト線と
直交する複数のワード線と、前記複数の相補ビツ
ト線と前記複数のワード線の交点に設けられたメ
モリセルと、前記相補ビツト線と直交する一対の
ダミーワード線と、該ダミーワード線と前記相補
ビツト線の交点に設けられた一対のダミーセルと
を有する半導体メモリに於いて、前記ダミーセル
が前記相補ビツト線の一端から他端までの実質的
長さの略半分の位置に配置され、各々の相補ビツ
ト線に接続されることを特徴とする半導体メモリ
。 (2) 前記相補ビツト線は、同一方向に平行に隣
接して延在することを特徴とする請求項第１項記
載の半導体メモリ。 (3) 前記相補ビツト線は、互いに逆方向に延在
されることを特徴とする請求項第１項記載の半導
体メモリ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9472788U JPH0216499U (ja) | 1988-07-18 | 1988-07-18 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9472788U JPH0216499U (ja) | 1988-07-18 | 1988-07-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0216499U true JPH0216499U (ja) | 1990-02-01 |
Family
ID=31319297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9472788U Pending JPH0216499U (ja) | 1988-07-18 | 1988-07-18 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0216499U (ja) |
-
1988
- 1988-07-18 JP JP9472788U patent/JPH0216499U/ja active Pending
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