JPH02165125A - 表示装置 - Google Patents

表示装置

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JPH02165125A
JPH02165125A JP63321361A JP32136188A JPH02165125A JP H02165125 A JPH02165125 A JP H02165125A JP 63321361 A JP63321361 A JP 63321361A JP 32136188 A JP32136188 A JP 32136188A JP H02165125 A JPH02165125 A JP H02165125A
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tft
defective
tfts
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Yojiro Matsueda
洋二郎 松枝
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Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明はアクティブマトリクス型の表示装置に関する。
特に、冗長性を持たせた画素の欠陥救済方式に関する。
［従来の技術］ 従来の、冗長方式を用いたアクティブマトリクス方式の
表示装置の例としては、「ジャパン・デイスプレィ８６
．Ｐ２Ｏ３−２０９，小倉他」等がある。第２図は能動
素子にＴＦＴを用いた場合の回路図の例で、信号線Ｘｎ
と走査線Ｙｎの交点に２つのＴＦＴＩＩ、１２があり、
液晶の容１ｌ１７に画像信号を書き込む。
［発明が解決しようとする課題及び目的コしかし、前述
の従来技術には以下に述べるような課題がある。第２図
において、ＴＦＴＩＩ、１２のゲート・ドレイン間容ｆ
ｉ１３．１４の大きさをそれぞれＣ３、Ｃ４とし、液晶
容ｔ１７の大きさをＣＯとする。走査線Ｙｎが選択から
非選択状態になるとき、走査線Ｙｎの電位の変化量をＶ
Ｇとすると、Ｐ点すなわち画素電極の電位は、△ｇｏ　
＝ＶＧ　Ｘ　（Ｃ３＋Ｃ４）　／　（Ｃ３＋Ｃ４＋ＣＯ
） で表される電圧だけ変化する。一方、ＴＦＴＩ２が不良
であることが判明し、ＴＦＴＩ２を切断してＴＦＴＩＩ
のみで駆動する場合には、この電圧は、 △Ｖｌ　　＝ＶＧ　ＸＣ３／　（Ｃ３＋ＣＯ’）となる
。△ＶＯ≠△Ｖ１であるから、ＴＦＴＩ個で駆動する場
合とＴＦＴ２個で駆動する場合とでは、画素に印加され
る電圧が異なる。特に、中間調表示においては透過率の
差が顕著である。従って、冗長方式を用いても画素欠陥
を救済できない。
本発明の表示装置はこの様な課題を解決するものであり
、その目的とするところは、画素欠陥を完全に救済し、
無欠陥化できるような冗長方式を実現することである。
［課題を解決するための手段］ 本発明の表示装置は、各画素に保持容量を備え、前記各
画素の保持容量の一部を必要に応じて分離できることを
特徴とする。
［作用］ 本発明の上記の構成によれば、不良能動素子を切断する
場合、保持容量の一部を同時に切断する。
この時、切断する容量の大きさを最適化することにより
、正常な画素と同じ透過率を得ることができる。すなわ
ち画素欠陥を完全に救済できる。
［実施例］ 本実施例を以下図面に基づいて説明する。第１図は本発
明の表示装置の回路図の例である。本実施例では能動素
子にＴＦＴを用い、電気光学材料に液晶を用い、各画素
に２つのＴＦＴＩ、２を配置した冗長方式を採用してい
る。これら２つのＴＦＴはソース電極が共通の信号線Ｘ
ｍに、ゲート電極が共通の走査線Ｙｎに、ドレイン電極
が共通の画素電極Ｐ点に接続されているため、電気的に
等価である。７は液晶の容量で、５．６は保持容量であ
る。
一般に、アクティブマトリクス方式の表示装置には数万
〜数百万もの能動素子が大面積に配置されるため、無欠
陥で作製するのがきわめて困難である。しかし、隣接す
る２つの能動素子が共に不良となる確率は非常に低いた
め、本実施例のような冗長方式を採用すれば、不良素子
を切断して不良画素を救済することができる。第１図に
おいてＴＦＴＩ、２のゲート・ドレイン間の容量３．４
の大きさをそれぞれＣ３、Ｃ４、保持容ｆｉ５．６の大
きさをそれぞれＣ５、Ｃ６、液晶容量７の大きさを０７
とする。簡単のためＴＦＴＩ、２のサイズが等しく Ｃ３＝０４　　、、、（１） であり、保持容量については Ｃ３＝０６＋　　０７　　、、、（２）の関係が成り立
つとする。また、ＴＦＴの書き込み能力は１個で十分で
あるとする。この時、以下の順序で画素欠陥を救済する
。まず、電気的あるいは光学的に不良ＴＦＴのアドレス
を求める。具体的には、ＴＦＴ基板状態での検出方法と
してはプローブ針を画素電極上と走査線及び信号線上に
当ててすべてのＴＦＴの特性を調べる方法、パターン認
識装置を用いてピンホールや異物を検出する方法、走査
線や信号線に適当な信号を与えて間接的に求める方法等
があり、パネル状態での検出方法としては表示される画
像パターンから求める方法がある。例えば、ＴＦＴのゲ
ート・ソース間またはゲート・ドレイン間にショートが
あれば、走査線の選択パルスが信号線に現れるからその
夕イミングよりアドレスを求めることができる。また、
ＴＦＴのソース・ドレイン間にショートがあれば、すべ
ての走査線を非選択にした状態で信号線の画像信号が画
素電極に印加されるため画像表示パターンから簡単に求
まる。各画素の２つのＴＦＴは電気的に等価であるから
、パターン認識以外の方法でアドレスを求めた場合には
、外観検査によって不良ＴＦＴを特定する。次に、不良
と思われるＴＦＴをレーザ・トリミング等を用いて切断
するとともにその画素の保持容ＪＩＣ５を切断する。こ
こで、Ｃ５を切断することにより、ＴＦＴｌ個で駆動す
る画素とＴＦＴ２個で駆動する画素に同じ電圧を印加で
き、不良画素が全く正常な画素となることを説明する。
走査線Ｙｎが選択から非選択状態になる時、ＴＦＴのゲ
ート・ドレイン間容量Ｃ３、Ｃ４と保持容ＪＩＣ５、Ｃ
６及び液晶容１ｔｃ７の間の容量分割によって画素電極
Ｐの電位はある電圧だけシフトする。この電圧はΔＶＯ
＝ＶＧ　Ｘ　（Ｃ３＋Ｃ４）　／　（Ｃ３＋Ｃ４＋Ｃ５
＋Ｃ６＋Ｃ７）　　、、、（３）で表される。ここでＶ
Ｇは走査線Ｙの電位の変化量である。一方、丁ＦＴＩが
不良であることが判明しＴＦＴｌと０５を切断した場合
のこの電圧は、△Ｖｌ　＝ＶＧ　ＸＣ４／　（Ｃ４＋Ｃ
６＋Ｃ７’）、、（４） で表される。また、ＴＦＴ２が不良であることが判明し
ＴＦＴ２と０５を切断した場合のこの電圧は、 △Ｖ２　　＝ＶＧ　　ＸＣ３／　（Ｃ３＋Ｃ６＋Ｃ７）
、、（５） で表される。　（１）、　（２）、　（３）、　（４）
、（５）から、 △ＶＯ＝△Ｖ１＝△Ｖ２　　、　　、、　　（６）が得
られる。これは、ＴＦＴｌ個で駆動する画素とＴＦＴ２
個で駆動する画素に同じ電圧を印加できることを示す。
すなわち、不良画素を全く正常な画素にすることができ
るのである。
一般に、１画素あたりＮ個の能動素子を備えた表示装置
において、１画素あたりの電気光学材料の容量をＣＯ１
保持容量をＣｓ、ｉ番目の能動素子のゲート・ドレイン
間容量をＣｉ、残りＮ−１個の能動素子のゲート・ドレ
イン間容量をＣｎ　−１とする。この場合、　（３）式
におけるシフト電圧は、 ΔＶＯ＝ＶＧ　　ｘ　（Ｃｉ　　＋Ｃｎ−１）　／　（
Ｃｉ　＋Ｃｎ−１＋Ｃｓ　＋ＣＱ　　）　　、　　、　
、　　（６）で表される。一方、ｉ番目の能動素子が不
良であることが判明し、ｉ番目の能動素子と保持容量の
一部ｃｐを切断した場合のシフト電圧は、ΔＶｉ　＝Ｖ
Ｇ　ｘＣｎ−１／　（Ｃｎ−１＋Ｃｓ　＋Ｃ０−Ｃｐ　
　）、、、（７） で表される。この時、切断した保持容量の大きさが Ｃｐ　＝　（Ｃｏ　十〇ｓ　）　×Ｃｉ　／　（Ｃｉ　
＋Ｃｎ−１）、、、（８） で表されるならば、　（６）（７）（８）式より、Δｖ
Ｏ＝△Ｖｉ　　、、、（９） が得られる。すなわち、　（８）式に相当する前記保持
容量を必要に応じて分離できれば、ｉ番目の能動素子を
分離して残りＮ−１個の能動素子で画素を駆動しても、
Ｎ個の能動素子で駆動する場合と同じ電圧を印加できる
。
第３図は、他の回路図の例である。この例では画素電極
Ｐ点と前段の走査線Ｙ　ｎ−１との間に保持容量を作り
こんでいるが基本的な動作は第１図の例と同じである。
２個のＴＦＴ２１．２２のゲート・ドレイン間容量２３
．２４の大きさをそれぞれＣ３、Ｃ４とし、３つの部分
からなる保持容量２５．２６．２７の大きさをそれぞれ
Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７とし、液晶容量３０の大きさをＣＯと
する。
この時、 Ｃ３＝Ｃ４、、、（１０） Ｃ５＝Ｃ６＝Ｃ７＝ＣＯ、、、（１１）という関係が成
立していれば、２つのＴＦＴのいずれか一方と、３つの
保持容量のうち任意の２つを分離することによって、他
の画素と同じ電圧を印加できる。例えば、ＴＦＴ２１が
不良であることが判明した場合には、ＴＦＴ２１を分離
すると共に保持容量２５及び２６、または２６及び２７
、または２５及び２７を分離する。また、保持容量２５
が不良であることが判明した場合には、保持容量２５及
び２６、または２５及び２７を分離すると共に、ＴＦＴ
２１またはＴＦＴ２２を分離する。この様に、ＴＦＴと
保持容量のどちらに不良を生じても救済することができ
る。救済できないのは、２つのＴＦＴ２１と２２が同時
に不良になる場合と、３つの保持容量が同時に不良にな
る場合であるが、この様なことが発生する確率は極めて
低いため、画素欠陥のほとんどを救済できる。
第４図は他の回路図の例である。この例では、３７．３
８の２つの保持容量にはＭＯ８容量を用いているが、基
本的な動作は第１図の例と同じである。３個のＴＦＴ３
１．３２．３３のゲート・ドレイン間容！Ｌ３４．３５
．３６の大きさをそれぞれＣ４、Ｃ５、Ｃ６とし、２つ
の部分からなる保持容量３７．３８の大きさをそれぞれ
Ｃ７、Ｃ８とし、液晶容Ｍ４０の大きさをＣＯとする。
この時、 Ｃ４＝０５＝０６　　、、、　　（１２）Ｃ７＝Ｃ８＝
ＣＯ、、、（１３） という関係が成立していれば、３つのＴＦＴの任意の１
個と、２つの保持容量のうちいずれか一方を分離するこ
とによって、他の画素と同じ電圧を印加できる。例えば
、ＴＦＴ３１が不良であることが判明した場合には、Ｔ
ＦＴ３１を分離すると共に保持容ｔ３７、または３８を
分離する。また、保持容量３７が不良であることが判明
した場合には、保持容量３７を分離すると共にＴＦＴ３
１またはＴＦＴ３２またはＴＦＴ３３を分離する。この
様に、ＴＦＴと保持容量のどちらに不良を生じても救済
することができる。救済できないのは、３つのＴＦＴ３
１．３２．３３が同時に不良になる場合と、２つの保持
容量が同時に不良になる場合であるが、この様なことが
発生する確率は極めて低いため、画素欠陥のほとんどを
救済できる。
第５図は他の回路図の例である。本実施例では能動素子
にＴＦＴを用い、電気光学材料に液晶を用い、各画素に
２つのＴＦＴ４１．４２を配置し、さらに信号線も２本
配置した冗長方式を採用している。これら２つのＴＦＴ
は、ゲート電極が共通の走査線Ｙｎに、ドレイン電極が
共通の画素電極Ｐ点に接続されているが、ソース電極は
それぞれ信号線Ｘ２ｍ−１、Ｘ　２ｍに接続されている
。液晶容ｊ１５０の大きさをＣＯ１保持容ｊ１４５．４
６．４７の大きさをそれぞれＣ３、Ｃ４、ＴＦＴのソー
ス・ドレイン間容量４３．４４の大きさをそれぞれＣ３
、Ｃ４とする。これらの間に Ｃ３＝Ｃ４、、、（１０） Ｃ５＝Ｃ６＝Ｃ７＝ＣＯ、、、（１１）という関係が成
立していれば、前述のように２つのＴＦＴのいずれか一
方と、３つの保持容量のうち任意の２つを分離すること
によって、他の画素と同じ電圧を印加できる。この例に
おいては信号線にも冗長性を有しているため、次に述べ
るような特徴を持つ。まず第一の特徴は、不良ＴＦＴの
アドレスを簡単に正確に求めることができるという点で
ある。電気的に求める方法としては各画素電極に直接ブ
ロービングする方法と、信号線及び走査線に適当な信号
を与え間接的に求める方法がある。また光学的に求める
方法としては、完成体において、奇数番目の信号線のみ
を用いて表示させた場合と、偶数番目の信号線のみを用
いて表示させた場合とを比較すれば極めて簡単に求めら
れる。第２の特徴は、信号線の断線や信号線と走査線間
の短絡が救済されるという点である。２本の信号線Ｘ２
ｍ−１とＸ　２ｍの終端を短絡し同じ信号を与えてやれ
ば、２箇所以上で断線していない限り自動的に断線は救
済される。また、信号線と走査線が短絡している場合に
は、短絡部の前後で信号線を切断すると、同様にして救
済される。
第６図は他の回路図の例である。本実施例では能動素子
にＴＦＴを用い、電気光学材料に液晶を用い、各画素に
２つのＴＦＴ５１．５２を配置し、さらに走査線も２本
配置した冗長方式を採用している。これら２つのＴＦＴ
は、ソース電極が共通の信号線Ｘｍに、ドレイン電極が
共通の画素電極Ｐ点に接続されているが、ゲート電極は
それぞれ走査線Ｙ　２ｎ　−１、Ｙ　２ｎに接続されて
いる。液晶容１６０の大きさをＣＯ１保持容ｆｉ４５．
４６．４７の大きさをそれぞれＣ５、Ｃ６、Ｃ７、ＴＦ
Ｔのソース・ドレイン間容量５３．５４の大きさをそれ
ぞれＣ３、Ｃ４とする。これらの間に０３　＝Ｃ４、、
（１０） Ｃ５＝ＣＢ＝Ｃ７＝ＣＯ、、、（１１）という関係が成
立していれば、前述のように２つのＴＦＴのいずれか一
方と、３つの保持容量のうち任意の２つを分離すること
によって、他の画素と同じ電圧を印加できる。この例に
おいては走査線にも冗長性を有しているため、次に述べ
るような特徴を持つ。第１の特徴は、不良ＴＦＴのアド
レスを簡単に正確に求めることができるという点である
。電気的に求める方法としては各画素電極に直接ブロー
ビングする方法と、信号線及び走査線に適当な信号を与
え間接的に求める方法がある。
また光学的に求める方法としては、完成体において、奇
数番目の走査線のみを用いて表示させた場合と、偶数番
目の走査線のみを用いて表示させた場合とを比較すれば
極めて簡単に求められる。第２の特徴は、信号線の断線
や信号線と走査線間の短絡が救済されるという点である
。２本の走査線Ｙ　２ｎ　−１とＹ　２ｎの終端を短絡
し同じ信号を与えてやれば、２箇所以上で断線していな
い限り自動的に断線は救済される。また、信号線と走査
線が短絡している場合には、短絡部の前後で走査線を切
断すると、同様にして救済される。
第７図は、表示装置の１画素分の平面図の例である。こ
の例では１画素に２つのＴＦＴを備えており、それぞれ
のソース１０３は信号線Ｘｍに、ドレイン１０４は画素
電極１０１に接続され、ゲート１０２は走査線Ｙｎの配
線そのものである。
１０５に示す半導体膜及び絶縁膜は、チャネルとゲート
絶縁膜である。共通電極１１１及び１１２は、絶縁膜を
介して画素電極１０１との間で保持容量を形成し、その
大きさをそれぞれＣ５、Ｃ６とする。また、画素電極１
０１は、電気光学材料を介して対向電極との間に容量を
形成し、その大きさをＣＯとする。この図は第１図に対
応しており、２つのＴＦＴの大きさは等しいから第１式
は成り立つ、また、Ｃｏ、Ｃ５、Ｃ６の間に第２式が成
り立つとする。もし、左側のＴＦＴが不良であることが
判明した場合には、１１３の部分をレーザー・トリミン
グ等を用いて切断し、同時に１１５の部分も切断して共
通電極の一部１１１を分離する。同様に右側のＴＦＴが
不良であることが判明した場合には、１１４と１１５の
部分を切断する。
第８図は第７図中のＡＢにおける断面図の例である。共
通電極１１１及び１１２は絶縁膜１０９を介して画素電
極１０１の下側に設けられ、電気光学材料に不要な電圧
を印加しないようにしである。逆スタガ形のＴＦＴを用
いる場合には、ゲート１０２上にゲート絶縁膜１０７と
半導体膜１０６が設けられ、半導体膜上の一部にソース
１０３とドレイン１０４が接続される。共通電極及び画
素電極に透明導電膜を用いると透過型の表示装置になる
が、絶縁基板１１０の代わりに半導体基板を用い、画素
電極に金属材料を用いると反射型の表示装置になる。
第９図は、表示装置の１画素分の平面図の他の例である
。この例では１画素に３つのＴＦＴを備えており、それ
ぞれのソース１２３は信号線Ｘｍに、ドレイン１２４は
画素電極１２１に、ゲート１２２は走査線Ｙｎに接続さ
れている。１２５に示す半導体膜はチャネルであり、チ
ャネルの膜厚を一定にするためのエツチングストッパー
が１２８である。保持容量電極１３１及び１３２は、絶
縁膜を介して前段の走査線Ｙｎ−１との間で容量を形成
し、画素電極１０１は、電気光学材料を介して対向電極
との間に容量を形成する。、ＴＦＴを分離する場合には
１３３．１３４．１３５の部分を、保持容量を分離する
場合には１３６．１３７の部分をそれぞれレーザ・トリ
ミング等を用いて分離する。
第１０図は第９図中のＡＢにおける断面図の例である。
保持容量電極１３１及び１３２は絶縁膜１２９を介して
前段の走査線１３９の上側に設けられ、電気光学材料に
不要な電圧を印加しないようにしており、表示品質と信
頼性の向上に寄与している。逆スタガ形のＴＦＴを用い
る場合には、ゲート１２２上に絶縁膜１２９と半導体膜
１２５が設けられる。ソース１２３とドレイン１２４は
、不純物を多量に注入した半導体膜１２６を介して半導
体膜１２５に接続される。半導体膜１２５のチャネル部
上にはエツチングストッパー１２８がある。透明導電膜
からなる画素電極１２１はドレイン１２４と保持容量電
極１３１に接続されている。より歩留まりを向上させる
ためには、絶縁膜１２９を２層化してピンホールを減ら
すこともできる。
第１１図は、表示装置の１画素分の平面図の他の例であ
る。この例では、１画素あたり２つのＴＦＴを備えると
ともに２本の信号線を備えた冗長方式を採用している。
２つのＴＦＴのソース１４３．１７３はそれぞれ信号線
Ｘ　２ｍ−１とＸ２ｍに、ドレイン１４４．１７４は共
通の画素電極１２１に、ゲート１４２．１７２は共通の
走査線Ｙｎに接続されている。一方、保持容量は３つの
部分からなるＭＯ３容量で形成されている。半導体材料
からなるＭＯ３容量電極１７０がｎ型なら正の電圧をｐ
型なら負の電圧を共通電極１６０に印加すると、半導体
材料の表面に反転層が形成され、ＭＯ８容量として働く
。ＭＯ８容量とＴＦＴの導電型が同じであれば、ＴＦＴ
の形成と同時にＭＯ３容量を作ることができる。１６１
．１６４はＴＦＴのソースと信号線を、１６２．１６３
はドレインと画素電極を、１６５はＭＯ８容量電極と画
素電極をそれぞれ接続するコンタクトホールである。Ｔ
ＦＴを分離する場合には１５４．１５５の部分を、保持
容量を分離する場合には１５１．１５２．１５３の部分
をそれぞれレーザ・トリミング等を用いて分離する。
第１２図は第１１図中のＡＢにおける断面図の例である
。スタガ型のＴＦＴでは、この図に示すようにゲート１
４２をマスクとしてイオン注入することにより、不純物
濃度の大きいソース１４３、ドレイン１４４の領域と不
純物温度の小さいチャネル１４７の領域をセルファライ
ンで形成できる。
不純物温度の違う２層の半導体膜を用いてノンセルファ
ラインで形成することも可能である。共通電極１６０は
ゲート１４２と同じ膜で、ＭＯ３容量電極１７０はＴＦ
Ｔのソース・ドレイン部及びチャネル部と同じ半導体膜
である。信号線１５９及び画素電極１４１はコンタクト
ホールを介してソース・ドレイン部やＭＯ８容量電極と
接続されている。層間絶縁膜１４８は走査線と信号線を
絶縁している。絶縁基板に石英、半導体材料に多結晶シ
リコンを使うとゲート絶縁膜１４９に熱酸化膜を用いる
こともできる。
以上述べたことは、ＴＦＴと電気光学材料を組み合わせ
た全ての表示装置に応用できる。また、前述の各式の条
件が完全には満たされなくても、それに近づけるだけで
かなりの画素欠陥を救済することが可能である。
［発明の効果］ 以上述べたように本発明の表示装置は、各画素に設けら
れた複数の能動素子のうち不良素子を切断すると共に、
保持容量の一部を切断することで画素に印加される電圧
の調整を行い、不良画素を完全に救済できる。この方法
では能動素子が不良であるときのみならず、保持容量の
形成部に不良があったときにも救済できる。従って、歩
留まりが飛躍的に向上し、無欠陥の表示装置が低コスト
で作製できる。また、画面の均一性も大幅に改善し、画
面の大型化や高密度化が容易となる。中間調を含むデー
タ表示等においても厳密な階調表示が可能となり、表示
装置の応用範囲が広がる。
【図面の簡単な説明】
第１図、第３図、第４図、第５図、第６図は表示装置の
回路図。第２図は従来の表示装置の回路図。第７図、第
９図、第１１図は表示装置の平面図。第８図、第１０図
、第１２図は表示装置の断面図。 １．２．、、ＴＦＴ ３．４００．ゲート・ドレイン間容量 ５．６６０．保持容量 １０　　０．液晶容量 以上 出願人　セイコーエプソン株式会社 ×鼠 ノ・λ　・・・ ３、ダ、−・・ 訓ｌ・−・ ／θ　・− ＴＦＴ ｙ！トドレインテ配袖関摩４Ｌ 侵にネｒオに量 汲晶硅 第１図 Ｘ機 ２／、２２ ２、？、２４ 父、潟、ン７ ３θ ＋＋＋＋　ＴＦＴ −−−−ｒ＝）−ドレ４ｖ　Ｎ１ａζに＆’！１４％う
呆持末（ン 鑵晶容ｉ 第３図 Ｘ八 第２図 ×Ｍ Ｊ／、　３２．お−一一一丁ＦＴ ３ｑ、汀、ｊ６　−−−−　デート・Ｙ゛レイ′Ａｌ不
セ月／１．ン（］１ａ７．　ａｊ　−−−−４米神寥量 ４　−一漁ｉｌａネｌ 第４図 ×夙 Ｘｘ４１ 第７図 ×臥 第８図 Ｘ２ｍ−１ ハ Ｘｚｗ＜ Ｘｚ（ｎｅｔ）−１ Ｙａ−４，Ｙ、、・・−・Ｌ１本 ツムｌ、ノｂ石ノ４ｄ、／孟乞ノロｒ　　−０・　コン
タクトが・−ル第１１図 １＞１−ｆｂ＆’Ｅ種 ノ古′デ’、　４１１４（Ｘ２ｍ−＋）第１２図

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）１画素あたり複数の能動素子を備えたアクティブ
    マトリクス基板と対向基板との間に電気光学材料を挟持
    して成る表示装置において、前記各画素に保持容量を備
    え、前記各画素の保持容量の一部を必要に応じて分離で
    きることを特徴とする表示装置。
  2. （２）前記能動素子に薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと
    略記）を用いたことを特徴とする第１項記載の表示装置
    。
  3. （３）１画素あたりＮ個のＴＦＴとＭ個の保持容量を備
    え、必要に応じて前記ＴＦＴ及び保持容量を個別に分離
    できることを特徴とする第１項または第２項記載の表示
    装置。
  4. （４）１画素あたりＮ個のＴＦＴを備え、１画素あたり
    の電気光学材料の容量をＣＯ、保持容量をＣｓ、ｉ番目
    のＴＦＴのゲート・ドレイン間容量をＣｉ、残りＮ−１
    個のＴＦＴのゲート・ドレイン間容量をＣｎ−１とする
    と、（ＣＯ＋Ｃｓ）×Ｃｉ／（Ｃｉ＋Ｃｎ−１）に相当
    する前記保持容量を必要に応じて分離できることを特徴
    とする第１項または第２項または第３項記載の表示装置
    。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05119344A (ja) * 1991-10-25 1993-05-18 Nec Corp 液晶表示デバイス
JP2001159872A (ja) * 1999-09-24 2001-06-12 Toshiba Corp 平面表示装置およびその製造方法
US6610997B2 (en) 2000-03-17 2003-08-26 Seiko Epson Corporation Electro-optical device
JP2006337453A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Sharp Corp 薄膜トランジスタマトリクス基板及びその欠陥修復方法
JP2007148446A (ja) * 1996-09-26 2007-06-14 Seiko Epson Corp 表示装置
JP2008083718A (ja) * 2004-01-28 2008-04-10 Sharp Corp アクティブマトリクス基板及び表示装置
JP2010061025A (ja) * 2008-09-05 2010-03-18 Ips Alpha Technology Ltd 液晶表示装置
JP2015138197A (ja) * 2014-01-23 2015-07-30 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタアレイ、その製造方法及び画像表示装置
JPWO2014208013A1 (ja) * 2013-06-27 2017-02-23 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタアレイ、その製造方法、画像表示装置及び表示方法
JP2020167326A (ja) * 2019-03-29 2020-10-08 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2023537988A (ja) * 2020-11-03 2023-09-06 成都辰顯光電有限公司 駆動バックプレーン、表示パネル及びその製造方法

Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69108062T2 (de) * 1990-01-17 1995-07-20 Toshiba Kawasaki Kk Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix.
JPH06100757B2 (ja) * 1990-07-09 1994-12-12 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン 液晶表示装置
JP2711015B2 (ja) * 1990-07-25 1998-02-10 三菱電機株式会社 マトリクス形表示装置
US5287206A (en) * 1990-11-30 1994-02-15 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix display device
JP2650780B2 (ja) * 1990-11-30 1997-09-03 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板
JP2999271B2 (ja) * 1990-12-10 2000-01-17 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US6713783B1 (en) * 1991-03-15 2004-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Compensating electro-optical device including thin film transistors
JPH07119919B2 (ja) * 1991-05-15 1995-12-20 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 液晶表示装置
US5414278A (en) * 1991-07-04 1995-05-09 Mitsushibi Denki Kabushiki Kaisha Active matrix liquid crystal display device
GB9219836D0 (en) * 1992-09-18 1992-10-28 Philips Electronics Uk Ltd Electronic drive circuits for active matrix devices,and a method of self-tasting and programming such circuits
KR100268007B1 (ko) * 1992-12-22 2000-10-16 구본준 액정표시소자 제조방법
US5555001A (en) * 1994-03-08 1996-09-10 Prime View Hk Limited Redundant scheme for LCD display with integrated data driving circuit
JP3402400B2 (ja) 1994-04-22 2003-05-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体集積回路の作製方法
US6943764B1 (en) 1994-04-22 2005-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit for an active matrix display device
CN1161646C (zh) * 1994-06-02 2004-08-11 株式会社半导体能源研究所 有源矩阵显示器和电光元件
JP3897826B2 (ja) * 1994-08-19 2007-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型の表示装置
US5956008A (en) * 1994-09-06 1999-09-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Driver circuit for active matrix display and method of operating same
US5929464A (en) * 1995-01-20 1999-07-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix electro-optical device
JP3418653B2 (ja) 1995-09-28 2003-06-23 シャープ株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP3256110B2 (ja) * 1995-09-28 2002-02-12 シャープ株式会社 液晶表示装置
GB9705417D0 (en) * 1997-03-15 1997-04-30 Sharp Kk Fault tolerant circuit arrangements
KR100430773B1 (ko) * 1998-07-14 2004-05-10 가부시끼가이샤 도시바 액티브 매트릭스형 액정표시장치
US6512504B1 (en) * 1999-04-27 2003-01-28 Semiconductor Energy Laborayory Co., Ltd. Electronic device and electronic apparatus
JP3645184B2 (ja) * 2000-05-31 2005-05-11 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその欠陥修正方法
JP4925528B2 (ja) * 2000-09-29 2012-04-25 三洋電機株式会社 表示装置
JP4632522B2 (ja) * 2000-11-30 2011-02-16 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 反射型液晶表示装置の製造方法
TW466673B (en) * 2000-12-11 2001-12-01 Unipac Optoelectronics Corp Cst on common structure
JP3520417B2 (ja) * 2000-12-14 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学パネルおよび電子機器
US7280090B2 (en) 2000-12-22 2007-10-09 Electronics For Imaging, Inc. Methods and apparatus for repairing inoperative pixels in a display
GB2372620A (en) 2001-02-27 2002-08-28 Sharp Kk Active Matrix Device
GB0112561D0 (en) * 2001-05-23 2001-07-18 Koninl Philips Electronics Nv Active plate
KR100469342B1 (ko) * 2001-07-11 2005-02-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자
US7112517B2 (en) 2001-09-10 2006-09-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser treatment device, laser treatment method, and semiconductor device fabrication method
JP2003091245A (ja) 2001-09-18 2003-03-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US6862052B2 (en) * 2001-12-14 2005-03-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display, thin film transistor array panel for liquid crystal display and manufacturing method thereof
US20040108504A1 (en) * 2002-11-20 2004-06-10 Charles Forbes Active matrix thin film transistor array backplane
TWI224234B (en) * 2003-08-12 2004-11-21 Quanta Display Inc Pixel structure and fabricating method thereof
KR20050041010A (ko) * 2003-10-29 2005-05-04 삼성전자주식회사 박막 다이오드 표시판 및 그 제조 방법
TWI277935B (en) * 2004-01-06 2007-04-01 Hannstar Display Corp Pixel structure and exposure method thereof
JP4088619B2 (ja) * 2004-01-28 2008-05-21 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板及び表示装置
JP2005252228A (ja) * 2004-02-05 2005-09-15 Sharp Corp 表示装置及びその製造方法
TWI282969B (en) * 2004-04-29 2007-06-21 Au Optronics Corp Thin film transistor array and fabricating method thereof
US20050275352A1 (en) * 2004-06-14 2005-12-15 Au Optronics Corporation. Redundant storage capacitor and method for repairing OLED pixels and driving circuits
US7838881B2 (en) * 2005-09-22 2010-11-23 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, display device, television apparatus, manufacturing method of an active matrix substrate, and manufacturing method of a display device
US8947297B2 (en) * 2006-01-30 2015-02-03 The Invention Science Fund I, Llc Positional display elements
KR101232157B1 (ko) * 2006-06-09 2013-02-12 엘지디스플레이 주식회사 Ｌｃｄ 검사 장비
EP2343593A4 (en) * 2008-11-05 2012-09-12 Sharp Kk ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, LIQUID CRYSTAL PANEL, METHOD FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL PANEL, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY UNIT, AND TELEVISION RECEIVER
BRPI0922157A2 (pt) * 2008-12-10 2015-12-29 Sharp Kk substrato de matriz ativa, método de fabricação de substrato de matriz ativa, painel de cristal líquido, método de fabricação de painel de cristal líquido, dispositivo de exibição de cristal líquido, unidade de exibição de cristal líquido, e receptor de televisão
EP2256544A1 (en) * 2009-05-27 2010-12-01 Polymer Vision Limited A method for manufacturing a display panel and a display panel provided with repairable elements.
TWI409894B (zh) * 2010-07-09 2013-09-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd 薄膜電晶體之對位檢測方法
CN103018987B (zh) * 2012-12-06 2015-05-13 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
KR20140120167A (ko) * 2013-04-02 2014-10-13 삼성디스플레이 주식회사 수리된 화소를 갖는 유기전계발광 표시장치 및 그의 화소 수리방법
KR102296945B1 (ko) * 2014-07-04 2021-09-01 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN109270756B (zh) 2018-09-30 2020-12-25 惠科股份有限公司 一种显示面板和显示装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3532813A (en) * 1967-09-25 1970-10-06 Rca Corp Display circuit including charging circuit and fast reset circuit
JPS55120175A (en) * 1979-03-12 1980-09-16 Clarion Co Ltd Variable capacitance diode with plural super-capacitance variable electrode structures
US4431271A (en) * 1979-09-06 1984-02-14 Canon Kabushiki Kaisha Display device with a thin film transistor and storage condenser
JPS59119390A (ja) * 1982-12-25 1984-07-10 株式会社東芝 薄膜トランジスタ回路
US4748445A (en) * 1983-07-13 1988-05-31 Citizen Watch Co., Ltd. Matrix display panel having a diode ring structure as a resistive element
US4639087A (en) * 1984-08-08 1987-01-27 Energy Conversion Devices, Inc. Displays having pixels with two portions and capacitors
US4728172A (en) * 1984-08-08 1988-03-01 Energy Conversion Devices, Inc. Subassemblies for displays having pixels with two portions and capacitors
GB8508656D0 (en) * 1985-04-03 1985-05-09 Gen Electric Co Plc Liquid crystal displays
US4728175A (en) * 1986-10-09 1988-03-01 Ovonic Imaging Systems, Inc. Liquid crystal display having pixels with auxiliary capacitance
US4820222A (en) * 1986-12-31 1989-04-11 Alphasil, Inc. Method of manufacturing flat panel backplanes including improved testing and yields thereof and displays made thereby
US4762398A (en) * 1987-01-26 1988-08-09 Hosiden Electronics Co., Ltd. Pixel transistor free of parasitic capacitance fluctuations from misalignment
DE3851557T2 (de) * 1987-03-18 1995-01-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Videoprojektor.
GB2206721A (en) * 1987-07-03 1989-01-11 Philips Electronic Associated Active matrix display device
JPS6437585A (en) * 1987-08-04 1989-02-08 Nippon Telegraph & Telephone Active matrix type display device
JPS6473324A (en) * 1987-09-14 1989-03-17 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Display device and its driving method
JPH0251129A (ja) * 1988-08-12 1990-02-21 Sanyo Electric Co Ltd アクテイブマトリクス液晶表示パネル
KR940005124B1 (ko) * 1989-10-04 1994-06-11 호시덴 가부시기가이샤 액정표시소자

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05119344A (ja) * 1991-10-25 1993-05-18 Nec Corp 液晶表示デバイス
JP2007148446A (ja) * 1996-09-26 2007-06-14 Seiko Epson Corp 表示装置
KR100498181B1 (ko) * 1999-09-24 2005-07-01 가부시끼가이샤 도시바 평면 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2001159872A (ja) * 1999-09-24 2001-06-12 Toshiba Corp 平面表示装置およびその製造方法
US6809338B2 (en) 2000-03-17 2004-10-26 Seiko Epson Corporation Electro-optical device
US6610997B2 (en) 2000-03-17 2003-08-26 Seiko Epson Corporation Electro-optical device
JP2008083718A (ja) * 2004-01-28 2008-04-10 Sharp Corp アクティブマトリクス基板及び表示装置
JP2006337453A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Sharp Corp 薄膜トランジスタマトリクス基板及びその欠陥修復方法
JP2010061025A (ja) * 2008-09-05 2010-03-18 Ips Alpha Technology Ltd 液晶表示装置
JPWO2014208013A1 (ja) * 2013-06-27 2017-02-23 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタアレイ、その製造方法、画像表示装置及び表示方法
JP2015138197A (ja) * 2014-01-23 2015-07-30 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタアレイ、その製造方法及び画像表示装置
JP2020167326A (ja) * 2019-03-29 2020-10-08 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
WO2020203189A1 (ja) * 2019-03-29 2020-10-08 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2023537988A (ja) * 2020-11-03 2023-09-06 成都辰顯光電有限公司 駆動バックプレーン、表示パネル及びその製造方法
US12610620B2 (en) 2020-11-03 2026-04-21 Chengdu Vistar Optoelectronics Co., Ltd. Driving back plate, display panel, and preparation method therefor

Also Published As

Publication number Publication date
DE68915413D1 (de) 1994-06-23
EP0375233A2 (en) 1990-06-27
DE68915413T2 (de) 1994-11-17
EP0375233B1 (en) 1994-05-18
EP0375233A3 (en) 1991-01-16
US5173792A (en) 1992-12-22

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