JPH05119344A - 液晶表示デバイス - Google Patents

液晶表示デバイス

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JPH05119344A
JPH05119344A JP27939191A JP27939191A JPH05119344A JP H05119344 A JPH05119344 A JP H05119344A JP 27939191 A JP27939191 A JP 27939191A JP 27939191 A JP27939191 A JP 27939191A JP H05119344 A JPH05119344 A JP H05119344A
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JP
Japan
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pixel
liquid crystal
display device
crystal display
storage capacitor
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Pending
Application number
JP27939191A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiro Kurata
政洋 倉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH05119344A publication Critical patent/JPH05119344A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
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    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G—PHYSICS
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Abstract

(57)【要約】 【目的】液晶表示デバイスにおいて、一つの画素を４個
の画素に分割することで表示異常を軽減しつつ、高精細
な表示を可能とすることを目的とする。 【構成】一単位画素に配置した４個のＴＦＴは、独立し
て走査配線１に接続し、また、一単位画素に配置した４
個の蓄積容量８も独立して蓄積配線７に接続されてい
る。 【効果】画素単位の表示異常を軽減しながら、高精細な
表示が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示デバイスに関
し、特に同一画素内の画素電極と蓄積容量及び薄膜トラ
ンジスタの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、アクティブマトリクス形液晶表示
デバイスの画素単位の構造は、図２に示すように１個の
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と、それによって電圧を制
御される画素電極２６で一画素を構成し、信号電圧の供
給源として信号配線２２を設けていた。また、液晶に印
加される電圧保持のための１個の蓄積容量２８と、それ
に伴なう蓄積容量配線２７を設けていた。なお、Ｄは一
画素の幅を、Ｅは一画素の長さを表わしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の液晶表示デバイ
スの一画素において、１個の薄膜トランジスタの短絡又
は１個の蓄積容量の短絡などが生じた場合、一画素の面
積が大きいと表示の際点欠陥として認められ易いという
問題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示デバイ
スは、１個の薄膜トランジスタによって制御される画素
電極を一画素内に４個有しており、そして一画素内の４
個の薄膜トランジスタは、それぞれ独立して走査配線に
接続される構造である。この走査配線とゲート電極とな
る走査線上に堆積されるアモルファスシリコン膜上の薄
膜トランジスタとの間隔がレーザで修正可能な１０μｍ
以上あり、また、蓄積容量と蓄積容量配線との間隔もレ
ーザで修正可能な１０μｍ以上ある構造となっている。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は、本発明の液晶表示デバイスの一部分である
ＴＦＴ基板側の一画素を示している。本発明では、一画
素が４分割された構造を有している。基板上に蓄積容量
８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ及び蓄積容量配線７を設け、さ
らに走査配線１を設けゲート絶縁膜を堆積したのちに、
アモルファスシリコン膜３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄをゲー
ト電極となる走査配線１の一部分にパターニングしてあ
り、この上にソース電極５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄとドレ
イン電極４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄを設けてＴＦＴを形成
している。上述したＴＦＴ及び蓄積容量は、１画素を４
分割している画素電極６ａ，画素電極６ｂ，画素電極６
ｃ及び画素電極６ｄに各々１個ずつ配備してあり独立し
た機能を有している。
【０００６】なお、蓄積容量８と蓄積容量配線７との間
隔および走査配線１と各ＴＦＴのアモルファスシリコン
膜の端面までの間隔は、１０μｍ以上あけられている。
これは、ＴＦＴや蓄積容量で短絡等が生じ表示異常が生
じた時、レーザで配線を切断できるようにするためであ
る。このように本発明によれば、一つの単位画素を小さ
くでき高精細な表示が可能である。
【０００７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は高精細な
表示を得るために一つの画素電極を４個の画素電極に分
割し、それぞれの単位画素にＴＦＴ及び蓄積容量を配置
することで画素の微細化が可能になり、また１つの単位
画素は独立した機能をもち、４個の画素のうち１個又は
２個の画素について点欠陥が生じた場合でも、欠陥とし
て認められにくいという利点がある。
【０００８】さらに、表示異常を軽減するため、ＴＦＴ
または蓄積容量で短絡した箇所の電極に接続される配線
をレーザで切ることができ、明点，欠陥を減少させるこ
とができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例のＴＦＴ基板の単位画素
領域の平面図である。
【図２】従来技術のＴＦＴ基板の単位画素領域の平面図
である。
【符号の説明】
１，２１ 走査配線 ２，２２ 信号配線 ３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，２３ アモルファスシリコ
ン膜 ４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，２４ ドレイン電極 ５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，２５ ソース電極 ６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，２６ 画素電極 ７，２７ 蓄積容量配線 ８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ，２８ 蓄積容量

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一個の薄膜トランジスタによって制御さ
    れる画素電極を一画素内に４個有し、この一画素内の４
    個の薄膜トランジスタは、それぞれ独立して走査配線に
    接続されており、さらに一画素内に４個の蓄積容量を具
    備することを特徴とする液晶表示デバイス。
  2. 【請求項２】 同一画素内の薄膜トランジスタに接続さ
    れる走査配線とアモルファス・シリコン膜の端面との間
    隔および蓄積容量と蓄積容量配線との間隔は、１０μｍ
    以上あけられていることを特徴とする請求項１記載の液
    晶表示デバイス。
JP27939191A 1991-10-25 1991-10-25 液晶表示デバイス Pending JPH05119344A (ja)

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Date Code Title Description
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19980331