JPH0216533B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0216533B2 JPH0216533B2 JP10190883A JP10190883A JPH0216533B2 JP H0216533 B2 JPH0216533 B2 JP H0216533B2 JP 10190883 A JP10190883 A JP 10190883A JP 10190883 A JP10190883 A JP 10190883A JP H0216533 B2 JPH0216533 B2 JP H0216533B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cavity
- section
- electron beam
- frequency circuit
- high frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J25/00—Transit-time tubes, e.g. klystrons, travelling-wave tubes, magnetrons
- H01J25/02—Tubes with electron stream modulated in velocity or density in a modulator zone and thereafter giving up energy in an inducing zone, the zones being associated with one or more resonators
- H01J25/10—Klystrons, i.e. tubes having two or more resonators, without reflection of the electron stream, and in which the stream is modulated mainly by velocity in the zone of the input resonator
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、多空胴クライストロンの改良に関す
る。
る。
周知の様に、多空胴クライストロンは電子ビー
ムを射出する電子銃部と、この電子銃部から射出
された電子ビームと高周波電力との相互作用を行
なわせしめる高周波回路部と、高周波回路部にお
いて高周波電力との相互作用を終えた電子ビーム
を捕促し、熱エネルギーに変換するコレクタ部と
電子銃部から射出された電子ビームを集束し、高
周波回路部中を電子ビームを通過させるための磁
界を発生する集束装置などからなる。これらのう
ち、高周波回路部は、通常４〜６個の共振空胴と
共振空胴の共振周波数可変のためのチユーナ機構
と入出力回路との結合部などからなり、入力回路
との結合は最も電子銃部側の共振空胴である入力
空胴においてなされ、出力回路との結合は最もコ
レクタ側に位置する共振空胴である出力空胴にお
いてなされる。また、集束装置は、電磁石あるい
は永久磁石と、高周波回路中へ磁界を漏えいさせ
るための高周波回路部の両端に置かれた入力部及
び出力部の磁極片などからなる。
ムを射出する電子銃部と、この電子銃部から射出
された電子ビームと高周波電力との相互作用を行
なわせしめる高周波回路部と、高周波回路部にお
いて高周波電力との相互作用を終えた電子ビーム
を捕促し、熱エネルギーに変換するコレクタ部と
電子銃部から射出された電子ビームを集束し、高
周波回路部中を電子ビームを通過させるための磁
界を発生する集束装置などからなる。これらのう
ち、高周波回路部は、通常４〜６個の共振空胴と
共振空胴の共振周波数可変のためのチユーナ機構
と入出力回路との結合部などからなり、入力回路
との結合は最も電子銃部側の共振空胴である入力
空胴においてなされ、出力回路との結合は最もコ
レクタ側に位置する共振空胴である出力空胴にお
いてなされる。また、集束装置は、電磁石あるい
は永久磁石と、高周波回路中へ磁界を漏えいさせ
るための高周波回路部の両端に置かれた入力部及
び出力部の磁極片などからなる。
出力が3kW程度以下の比較的出力の小さな多
空胴クライストロンではクライストロン全体の小
型化及び操作の容易さ等の理由で電子ビームの集
束は、比較的弱い磁界で可能であるので、永久磁
石を使用した集束装置が用いられている。
空胴クライストロンではクライストロン全体の小
型化及び操作の容易さ等の理由で電子ビームの集
束は、比較的弱い磁界で可能であるので、永久磁
石を使用した集束装置が用いられている。
第１図に従来の永久磁石集束装置を使用した多
空胴クライストロンの一例を示す。第１図におい
て、１は電子ビームを発生させる電子銃部、２は
高周波回路部、３は電子ビームを捕促し、熱エネ
ルギに変換するコレクタ部、４は永久磁石、５は
ヨーク、６は入力部磁極片、７は出力部磁極片、
８は入力回路、９は出力回路、１０は高周波回路
を構成する共振空胴、１１は電子ビーム通路のド
リフト管を示す。第１図のでは、入力回路８とし
て同軸線路、出力回路９として導波管の場合を示
している。
空胴クライストロンの一例を示す。第１図におい
て、１は電子ビームを発生させる電子銃部、２は
高周波回路部、３は電子ビームを捕促し、熱エネ
ルギに変換するコレクタ部、４は永久磁石、５は
ヨーク、６は入力部磁極片、７は出力部磁極片、
８は入力回路、９は出力回路、１０は高周波回路
を構成する共振空胴、１１は電子ビーム通路のド
リフト管を示す。第１図のでは、入力回路８とし
て同軸線路、出力回路９として導波管の場合を示
している。
さて第１図において、永久磁石４が作る磁界の
強さは、高周波回路中を通過する電子ビーム電流
の大きさ、ドリフト管１１中を通過する際の電子
ビーム径、入力部磁極片６と出力部磁極片７間の
長さlg、入力部磁極片６と出力部磁極片７の対向
面積Sg等によつて決定される。電子ビーム電流
が大きい程、また電子ビーム径が小さい程磁界の
強さは強いことが必要であり、それだけ永久磁石
４としては大きなものあるいは強磁界が得られる
磁性材料を使用したものが必要となる。磁極片
６，７間の距離lgが長くなれば、高周波回路中を
電子ビームを通過させるに必要な磁界を得るため
には、永久磁石４の長さlmは通常lgに比例して
長いものが必要となる。ところが、入出力磁極片
６，７間の距離lgは、多空胴クライストロンに要
求された最高出力や得られる帯域幅、また電子ビ
ーム電圧・電流によつて高周波回路部の長さが決
定されてしまうために必要以上に短くすることは
できない。
強さは、高周波回路中を通過する電子ビーム電流
の大きさ、ドリフト管１１中を通過する際の電子
ビーム径、入力部磁極片６と出力部磁極片７間の
長さlg、入力部磁極片６と出力部磁極片７の対向
面積Sg等によつて決定される。電子ビーム電流
が大きい程、また電子ビーム径が小さい程磁界の
強さは強いことが必要であり、それだけ永久磁石
４としては大きなものあるいは強磁界が得られる
磁性材料を使用したものが必要となる。磁極片
６，７間の距離lgが長くなれば、高周波回路中を
電子ビームを通過させるに必要な磁界を得るため
には、永久磁石４の長さlmは通常lgに比例して
長いものが必要となる。ところが、入出力磁極片
６，７間の距離lgは、多空胴クライストロンに要
求された最高出力や得られる帯域幅、また電子ビ
ーム電圧・電流によつて高周波回路部の長さが決
定されてしまうために必要以上に短くすることは
できない。
また、磁石断面積Smは、磁石４が発生する磁
束を飽和させずに通すだけの面積が必要である。
かつ、入出力磁極片６，７間に有効に磁界分布を
得るためには、ある程度の磁極片対向面積Sgが
必要であり、通常Sgが大きな程、磁石断面積Sm
も大きなものが必要となり、磁石断面積も必要以
上に小さくすることはできない。
束を飽和させずに通すだけの面積が必要である。
かつ、入出力磁極片６，７間に有効に磁界分布を
得るためには、ある程度の磁極片対向面積Sgが
必要であり、通常Sgが大きな程、磁石断面積Sm
も大きなものが必要となり、磁石断面積も必要以
上に小さくすることはできない。
この様に、多空胴クライストロンの永久磁石４
の大きさは、電子ビーム集束に必要な磁界の強さ
と、高周波回路部の長さと、永久磁石４の材料に
よつてほとんど決定されてしまう。また上下の永
久磁石を結ぶヨーク部５も永久磁石４が大きくな
ればそれだけ大きな磁束を通すことが必要となる
ので大きな断面積のものが必要となる。このこと
から入出力部の磁極片６，７間の距離を高周波回
路部の形状を変更することなく、短くすることが
できれば永久磁石小型化の有効な手段の一つとす
ることができる。
の大きさは、電子ビーム集束に必要な磁界の強さ
と、高周波回路部の長さと、永久磁石４の材料に
よつてほとんど決定されてしまう。また上下の永
久磁石を結ぶヨーク部５も永久磁石４が大きくな
ればそれだけ大きな磁束を通すことが必要となる
ので大きな断面積のものが必要となる。このこと
から入出力部の磁極片６，７間の距離を高周波回
路部の形状を変更することなく、短くすることが
できれば永久磁石小型化の有効な手段の一つとす
ることができる。
本発明は、上記の問題点を解決した多空胴クラ
イストロンを提供することである。
イストロンを提供することである。
第２図及び第３図に本発明を採用した多空胴ク
ライストロンの実施例を示す。第１図と同様に、
１は電子銃部、２は高周波回路部、３はコレクタ
部、４は永久磁石、５はヨーク、６は入力部磁極
片、７は出力部磁極片、８は入力回路、９は出力
回路、１０は共振空胴、１１はドリフト管を示
す。第２図において第１図と異なる点は、入力部
磁極片６の出力部磁極片７との対向部が入力共振
空胴の空胴壁となつていることである。また第３
図においては、出力部磁極片７の対向部が出力共
振空胴の空胴壁を兼ねていることである。この結
果第１図においては、入力部磁極片６と出力部磁
極片７間の間隙距離lgであつたのが、第２図ある
いは第３図においては入力部あるいは出力部の共
振空胴を構成している導体板の厚さΔlgだけ短く
なり間隙距離はlg−Δlgとなつている。6GHz帯の
５空胴を有する多空胴クライストロンの例をあげ
れば、磁極片６，７間の距離lgは65mm程度、また
共振空胴を隔てる板厚及び入出力空胴の各磁極片
６，７との間の空胴壁の板厚Δlgは2.5mm程度であ
り、本発明を採用すれば間隙、距離lg−Δlg＝
62.5mmとなり、４％程度の間隙距離の減少とな
る。このことは直接に永久磁石４の長さlmを４
％短かくしても間隙間の高周波回路部２に同等の
磁界を作り出すことを可能とする。さらにそれだ
けでなく磁極片６，７間の間隙長を短くすれば、
それだけ他の部分への不必要な磁界の漏洩が少な
くなるために磁石４の断面積の減少及び磁石４の
長さをlm−Δlmと短かくすることを可能にする。
さらに磁石４の発生する全磁束の減少が可能とな
ることは、ヨーク部５の断面積を小さくすること
も可能となりこの結果、永久磁石４とヨーク部５
を合わせた軽量化は第２図あるいは第３図のクラ
イストロン構造では10％近い値が可能となる。
ライストロンの実施例を示す。第１図と同様に、
１は電子銃部、２は高周波回路部、３はコレクタ
部、４は永久磁石、５はヨーク、６は入力部磁極
片、７は出力部磁極片、８は入力回路、９は出力
回路、１０は共振空胴、１１はドリフト管を示
す。第２図において第１図と異なる点は、入力部
磁極片６の出力部磁極片７との対向部が入力共振
空胴の空胴壁となつていることである。また第３
図においては、出力部磁極片７の対向部が出力共
振空胴の空胴壁を兼ねていることである。この結
果第１図においては、入力部磁極片６と出力部磁
極片７間の間隙距離lgであつたのが、第２図ある
いは第３図においては入力部あるいは出力部の共
振空胴を構成している導体板の厚さΔlgだけ短く
なり間隙距離はlg−Δlgとなつている。6GHz帯の
５空胴を有する多空胴クライストロンの例をあげ
れば、磁極片６，７間の距離lgは65mm程度、また
共振空胴を隔てる板厚及び入出力空胴の各磁極片
６，７との間の空胴壁の板厚Δlgは2.5mm程度であ
り、本発明を採用すれば間隙、距離lg−Δlg＝
62.5mmとなり、４％程度の間隙距離の減少とな
る。このことは直接に永久磁石４の長さlmを４
％短かくしても間隙間の高周波回路部２に同等の
磁界を作り出すことを可能とする。さらにそれだ
けでなく磁極片６，７間の間隙長を短くすれば、
それだけ他の部分への不必要な磁界の漏洩が少な
くなるために磁石４の断面積の減少及び磁石４の
長さをlm−Δlmと短かくすることを可能にする。
さらに磁石４の発生する全磁束の減少が可能とな
ることは、ヨーク部５の断面積を小さくすること
も可能となりこの結果、永久磁石４とヨーク部５
を合わせた軽量化は第２図あるいは第３図のクラ
イストロン構造では10％近い値が可能となる。
また、さらに、第２図と第３図の構造を合わせ
入力共振空胴及び出力共振空胴の各々電子銃１側
及びコレクタ３側の空胴壁を入力部及び出力部の
磁極片で兼ねた形とすれば、磁極片間距離はlg−
2Δlgとなり約８％の間隙長の減少となりこれは
結果的に永久磁石装置の20％程度の軽量化を可能
とする。6GHz帯５空胴クライストロンの場合の
数値を例にあげ、説明を行なつたが、他の周波数
帯の場合の多空胴クライストロンでも当然同じ様
な結果となることは言うまでもない。
入力共振空胴及び出力共振空胴の各々電子銃１側
及びコレクタ３側の空胴壁を入力部及び出力部の
磁極片で兼ねた形とすれば、磁極片間距離はlg−
2Δlgとなり約８％の間隙長の減少となりこれは
結果的に永久磁石装置の20％程度の軽量化を可能
とする。6GHz帯５空胴クライストロンの場合の
数値を例にあげ、説明を行なつたが、他の周波数
帯の場合の多空胴クライストロンでも当然同じ様
な結果となることは言うまでもない。
以上の様に、本発明を採用した多空胴クライス
トロンでは永久磁石集束装置の大幅な軽量化が可
能となり、このことは、多空胴クライストロンの
取り扱いの容易さ、製造費用の低減をもたらすも
のである。
トロンでは永久磁石集束装置の大幅な軽量化が可
能となり、このことは、多空胴クライストロンの
取り扱いの容易さ、製造費用の低減をもたらすも
のである。
また、本発明を採用した多空胴クライストロン
の範囲には、入力部あるいは出力部磁極片の表面
にCu等のメツキを施したものも含まれることは
言うまでもない。
の範囲には、入力部あるいは出力部磁極片の表面
にCu等のメツキを施したものも含まれることは
言うまでもない。
第１図は従来の多空胴クライストロンの一例の
構造を示した断面図、第２図及び第３図は各々本
発明を採用した多空胴クライストロンの構造を示
す断面図である。 １……電子銃部、２……高周波回路部、３……
コレクタ、４……永久磁石、５……ヨーク、６…
…入力部磁極片、７……出力部磁極片、８……入
力回路、９……出力回路、１０……共振空胴、１
１……ドリフト管。
構造を示した断面図、第２図及び第３図は各々本
発明を採用した多空胴クライストロンの構造を示
す断面図である。 １……電子銃部、２……高周波回路部、３……
コレクタ、４……永久磁石、５……ヨーク、６…
…入力部磁極片、７……出力部磁極片、８……入
力回路、９……出力回路、１０……共振空胴、１
１……ドリフト管。
Claims (1)
- １ 電子ビームを発生させる電子銃部と該電子銃
部から発生した電子ビームと高周波電力との相互
作用を行わせしめる高周波回路部と、該高周波回
路部で高周波電力との相互作用を終えた電子ビー
ムを捕促し、熱エネルギーに変換するコレクタ部
と、電子ビームを集束させるための磁界をつくる
永久磁石等からなる多空胴クライストロンにおい
て、前記高周波回路部は、複数個の共振空胴より
なり、前記共振空胴のうち入力共振空胴および出
力共振空胴の少なくとも一方の共振空胴の空胴壁
の一部または全体が磁性体によつて作られている
ことを特徴とする多空胴クライストロン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10190883A JPS59228342A (ja) | 1983-06-08 | 1983-06-08 | 多空胴クライストロン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10190883A JPS59228342A (ja) | 1983-06-08 | 1983-06-08 | 多空胴クライストロン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59228342A JPS59228342A (ja) | 1984-12-21 |
| JPH0216533B2 true JPH0216533B2 (ja) | 1990-04-17 |
Family
ID=14313003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10190883A Granted JPS59228342A (ja) | 1983-06-08 | 1983-06-08 | 多空胴クライストロン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59228342A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100197677B1 (ko) * | 1995-01-28 | 1999-06-15 | 윤종용 | 멀티빔 클라이스트론 |
-
1983
- 1983-06-08 JP JP10190883A patent/JPS59228342A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59228342A (ja) | 1984-12-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2725499A (en) | High frequency amplifying device | |
| US4395655A (en) | High power gyrotron (OSC) or gyrotron type amplifier using light weight focusing for millimeter wave tubes | |
| US2410054A (en) | Electron discharge apparatus | |
| US3324339A (en) | Periodic permanent magnet electron beam focusing arrangement for traveling-wave tubes having plural interaction cavities in bore of each annular magnet | |
| US4558258A (en) | Klystron unit | |
| US3958147A (en) | Traveling-wave tube with improved periodic permanent magnet focusing arrangement integrated with coupled cavity slow-wave structure | |
| US3450930A (en) | Permanent magnet focused linear beam tube employing a compensating magnet structure between the main magnet and the beam collector | |
| US3832596A (en) | Magnetic structure for focusing of linear beams | |
| US3886397A (en) | Hybrid slow wave circuit | |
| US6417622B2 (en) | Broadband, inverted slot mode, coupled cavity circuit | |
| US2966610A (en) | Electron beam tube | |
| JPH0216533B2 (ja) | ||
| US4333038A (en) | Traveling wave tube devices | |
| US3896329A (en) | Permanent magnet beam focus structure for linear beam tubes | |
| JPH027140B2 (ja) | ||
| JPH06310044A (ja) | 電子ビーム装置 | |
| RU78986U1 (ru) | Многолучевой пакетированный клистрон | |
| US3240983A (en) | High frequency apparatus | |
| EP0367155B1 (en) | Extremely high frequency oscillator | |
| JPH0222930Y2 (ja) | ||
| EP0701266B1 (en) | Cavity arrangements | |
| USRE31996E (en) | Traveling wave tube devices | |
| US3324337A (en) | High frequency electron discharge device and focusing means therefor | |
| JP2019186083A (ja) | クライストロン | |
| JPS59119649A (ja) | 電子ビ−ムジヤイロ装置 |