JPS59228342A - 多空胴クライストロン - Google Patents
多空胴クライストロンInfo
- Publication number
- JPS59228342A JPS59228342A JP10190883A JP10190883A JPS59228342A JP S59228342 A JPS59228342 A JP S59228342A JP 10190883 A JP10190883 A JP 10190883A JP 10190883 A JP10190883 A JP 10190883A JP S59228342 A JPS59228342 A JP S59228342A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- section
- cavity
- electron beam
- input
- high frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 2
- BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 abstract 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 235000013351 cheese Nutrition 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J25/00—Transit-time tubes, e.g. klystrons, travelling-wave tubes, magnetrons
- H01J25/02—Tubes with electron stream modulated in velocity or density in a modulator zone and thereafter giving up energy in an inducing zone, the zones being associated with one or more resonators
- H01J25/10—Klystrons, i.e. tubes having two or more resonators, without reflection of the electron stream, and in which the stream is modulated mainly by velocity in the zone of the input resonator
Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、多空胴クライストロンの改良に関する０
周知の様に、多空胴タライストロンは電子ビームを射出
する電子銃部と、この電子銃部から射出された電子ビー
ムと高周波電力との相互作用を行なわせしめる高周波回
路部と、高周波回路部において高周波電力との相互作用
を終えた電子ビームを捕促し、熱エネルギーに変換する
コレクタ部と電子銃部から射出された電子ビームを集束
し、高周波回路部中を電子ビームを通過させるための磁
界を発生する集束装置などからなる。これらのうち、高
周波回路部は、通常４〜６個の共振空胴と共振空胴の共
振周波数可変のためのチー−す機構と入出力回路との結
合部などからなシ、入力回路との結合は最も電子銃部側
の共振空胴である入力空胴においてなされ、出力回路と
の結合は最もコレクタ側に位置する共振空胴である出力
空胴においてなされる。また、集束装置は、電磁石ある
いは永久磁石と、高周波回路中へ磁界を漏えいさせるた
めの高周波回路部の両端に置かれた入力部及び出力部の
磁極片などからなる。
する電子銃部と、この電子銃部から射出された電子ビー
ムと高周波電力との相互作用を行なわせしめる高周波回
路部と、高周波回路部において高周波電力との相互作用
を終えた電子ビームを捕促し、熱エネルギーに変換する
コレクタ部と電子銃部から射出された電子ビームを集束
し、高周波回路部中を電子ビームを通過させるための磁
界を発生する集束装置などからなる。これらのうち、高
周波回路部は、通常４〜６個の共振空胴と共振空胴の共
振周波数可変のためのチー−す機構と入出力回路との結
合部などからなシ、入力回路との結合は最も電子銃部側
の共振空胴である入力空胴においてなされ、出力回路と
の結合は最もコレクタ側に位置する共振空胴である出力
空胴においてなされる。また、集束装置は、電磁石ある
いは永久磁石と、高周波回路中へ磁界を漏えいさせるた
めの高周波回路部の両端に置かれた入力部及び出力部の
磁極片などからなる。
出力が３ ｋＷ程度以下の比較的出力の小さな多空胴タ
ライストロンではクライストロン全体の小型化及び操作
の容易さ等の理由で電子ビームの集束は、比較的弱い磁
界で可能であるので、永久磁石を使用した集束装置が用
いられている。
ライストロンではクライストロン全体の小型化及び操作
の容易さ等の理由で電子ビームの集束は、比較的弱い磁
界で可能であるので、永久磁石を使用した集束装置が用
いられている。
第１図に従来の永久磁石集束装置を使用した多空胴タラ
イストロンの一例を示す。第１図において、１は電子ビ
ームを発生させる電子銃部、２は高周波回路部、３は電
子ビームを捕促し、熱エネルギに変換するコレクタ部、
４は永久磁石、５はヨーク、６は入力部磁極片、７は出
力部磁極片、８は入力回路、９は出力回路、１０は高周
波回路を構成する共振空胴、１１は電子ビーム通路のド
リフト管を示す。第１図のでは、入力回路８として同軸
線路、出力回路９として導波管の場合を示している。
イストロンの一例を示す。第１図において、１は電子ビ
ームを発生させる電子銃部、２は高周波回路部、３は電
子ビームを捕促し、熱エネルギに変換するコレクタ部、
４は永久磁石、５はヨーク、６は入力部磁極片、７は出
力部磁極片、８は入力回路、９は出力回路、１０は高周
波回路を構成する共振空胴、１１は電子ビーム通路のド
リフト管を示す。第１図のでは、入力回路８として同軸
線路、出力回路９として導波管の場合を示している。
さて第１図において、永久磁石４が作る磁界の強さは、
高周波回路中を通過する電子ビーム電流の大きさ、ドリ
フト管１１中を通過する際の電子ビーム径、入力部磁極
片６と出力部磁極片７間の長さｔｇ 、入力部磁極片６
と出力部磁極片７の対向面積Ｓｇ等によって決定される
。電子ビーム電流が大きい程、また電子ビーム径が小さ
い程磁界の強さは強いことが必要であり、それだけ永久
磁石４としては大きなものあるいは強磁界が得られる磁
性材料を使用したものが必要となる０磁極片６・７間の
距離ｔｇが長くなれば、高周波回路中を電子ビームを通
過させるに必要な磁界を得るためには、永久磁石４の長
さｔｍは通常Ａｇに比例して長いものが必要となる。と
ころが、入出力磁極片６゜７間の距離ｔｇは、多空胴ク
ライストロンに要求されｆｃ最高出力や得られる帯域幅
、また電子ビーム電圧・電流によって高周波回路部の長
さが決定されてしまうために必要以上に短くすることは
できない。
高周波回路中を通過する電子ビーム電流の大きさ、ドリ
フト管１１中を通過する際の電子ビーム径、入力部磁極
片６と出力部磁極片７間の長さｔｇ 、入力部磁極片６
と出力部磁極片７の対向面積Ｓｇ等によって決定される
。電子ビーム電流が大きい程、また電子ビーム径が小さ
い程磁界の強さは強いことが必要であり、それだけ永久
磁石４としては大きなものあるいは強磁界が得られる磁
性材料を使用したものが必要となる０磁極片６・７間の
距離ｔｇが長くなれば、高周波回路中を電子ビームを通
過させるに必要な磁界を得るためには、永久磁石４の長
さｔｍは通常Ａｇに比例して長いものが必要となる。と
ころが、入出力磁極片６゜７間の距離ｔｇは、多空胴ク
ライストロンに要求されｆｃ最高出力や得られる帯域幅
、また電子ビーム電圧・電流によって高周波回路部の長
さが決定されてしまうために必要以上に短くすることは
できない。
また、磁石断面積Ｓｍは、磁石４が発生する磁束を飽和
させずに通すだけの面積が必要である。
させずに通すだけの面積が必要である。
かつ、入出力磁極片６．７間に有効に磁界分布を得るた
めには、ある程度の磁極片対向面積８ｇが必要であり、
通常ｓｇが大きな程、磁石断面積Ｓｍも大きなものが必
要と１９、磁石断面積も必要以上に小さくすることはで
きない。
めには、ある程度の磁極片対向面積８ｇが必要であり、
通常ｓｇが大きな程、磁石断面積Ｓｍも大きなものが必
要と１９、磁石断面積も必要以上に小さくすることはで
きない。
この様に、多空胴クライストロンの永久磁石４の大きさ
は、電子ビーム集束に必要な磁界の強さと、高周波回路
部の長さと、永久磁石４の材料によつてほとんど決定さ
れてしまう。また上下の永久磁石を結ぶヨーク部５も永
久磁石４が大きくなればそれだけ犬き゛な磁束を通すこ
とが必要となるので大きな断面積のものが必要となる。
は、電子ビーム集束に必要な磁界の強さと、高周波回路
部の長さと、永久磁石４の材料によつてほとんど決定さ
れてしまう。また上下の永久磁石を結ぶヨーク部５も永
久磁石４が大きくなればそれだけ犬き゛な磁束を通すこ
とが必要となるので大きな断面積のものが必要となる。
このことから入出力部の磁極片６，７間の距離を高周波
回路部の形状を変更することなく、短くすることができ
れば永久磁石小屋化の鳴動な手段の一つとすることがで
きる。
回路部の形状を変更することなく、短くすることができ
れば永久磁石小屋化の鳴動な手段の一つとすることがで
きる。
本発明は、上記の問題点を解決した多空胴タライストロ
ンを提供することである。
ンを提供することである。
第２図及び第３図に本発明を採用した多空胴クライスト
ロンの実施例を示す。第１図と同様に、１は電子銃部、
２は高周波回路部、３はコレクタ部、４は永久磁石、５
はヨーク、６は入力部磁極片、７は出力部磁極片、８は
入力回路、９は出力回路、１０は共振空胴、１１はドリ
フト管を示す０第２図において第１図と異なる点は、入
力部磁極片６の出力部磁極片７との対向部が入力共振空
胴の空胴壁となっていることである。また第３図におい
ては、出力部磁極片７０対向部が出力共振空胴の空胴壁
を兼ねていることである。この結果第１図においては、
入力部磁極片６と出力部磁極片７間の間隙距離ｔｇで６
つ几のが、第２図あるいは第３図においては入力部ある
いは出力部の共振空胴を構成している導体板の厚さΔｔ
ｇだけ短くな多間隙距離はｔｇ−Δｔｇとなっている。
ロンの実施例を示す。第１図と同様に、１は電子銃部、
２は高周波回路部、３はコレクタ部、４は永久磁石、５
はヨーク、６は入力部磁極片、７は出力部磁極片、８は
入力回路、９は出力回路、１０は共振空胴、１１はドリ
フト管を示す０第２図において第１図と異なる点は、入
力部磁極片６の出力部磁極片７との対向部が入力共振空
胴の空胴壁となっていることである。また第３図におい
ては、出力部磁極片７０対向部が出力共振空胴の空胴壁
を兼ねていることである。この結果第１図においては、
入力部磁極片６と出力部磁極片７間の間隙距離ｔｇで６
つ几のが、第２図あるいは第３図においては入力部ある
いは出力部の共振空胴を構成している導体板の厚さΔｔ
ｇだけ短くな多間隙距離はｔｇ−Δｔｇとなっている。
５ ＧＨｚ帯の５空胴を有する多空胴クライストロンの
例をあげれば、磁極片６，７間の距離ｔｇは６５聞程度
、また共振空胴を隔てる板厚及び入出力空胴の各磁極片
６，７との間の空胴壁の板厚Δｔｇは２．５ｍ程度でお
り、本発明を採用すれば間隙、距離ｔｇ−Δｔｇ＝６２
．５ｍとなり、４％程度の間隙距離の減少と゛なる。こ
のことは直接に永久磁石４の長さ加を４チ短かくしても
間隙間の高周波回路部２に同等の磁界を作り出すことを
可能とする。さらにそれだけでなく磁極片６，７間の間
隙長を短くすれば、それだけ他の部分への不必要な磁界
の漏洩が少なくなるために磁石４の断面積の減少及び磁
石４の長さを１ｍ −１１ｍと短かくすることを可能に
する。
例をあげれば、磁極片６，７間の距離ｔｇは６５聞程度
、また共振空胴を隔てる板厚及び入出力空胴の各磁極片
６，７との間の空胴壁の板厚Δｔｇは２．５ｍ程度でお
り、本発明を採用すれば間隙、距離ｔｇ−Δｔｇ＝６２
．５ｍとなり、４％程度の間隙距離の減少と゛なる。こ
のことは直接に永久磁石４の長さ加を４チ短かくしても
間隙間の高周波回路部２に同等の磁界を作り出すことを
可能とする。さらにそれだけでなく磁極片６，７間の間
隙長を短くすれば、それだけ他の部分への不必要な磁界
の漏洩が少なくなるために磁石４の断面積の減少及び磁
石４の長さを１ｍ −１１ｍと短かくすることを可能に
する。
さらに磁石４の発生する全磁束の減少が可能となること
は、ヨーク部５の断面積を小さくすることも可能となシ
この結果、永久磁石４とヨーク部５を合わせた軽量化は
第２図あるいは第３図のクライス）ｏン構造では１０％
近い値が可能となる０また、さらに、第２図と第３図の
構造を合わせ入力共振壁用及び出力共振空胴の各々電子
銃１側及びコレクタ３側の空胴壁を入力部及び出力部の
磁極片で兼ねた形とすれば、磁極片間距離はｔｇ−２Δ
ｔｇとなり約８チの間隙長の減少となシこれは結果的に
永久磁石装置の２０％程度の軽量化を可能とする。５０
Ｈｚ帯５空胴クライストロンの場合の数値を例にあげ、
説明を行なったが、他の周波数帯の場合の多空胴クライ
ストロンでも当然同じ様な結果となることは言うまでも
ない０以上の様に、本発明を採用した多空胴クライスト
ロンでは永久磁石集束装置の大幅な軽量化力！可能とな
り１このことは、多空胴クライストロンの取り扱いの容
易さ、製造費用の低減をもたらすものでおる０ また、本発明を採用した多空胴クライストロンの範囲に
は、入力部あるいは出力部磁極片の表面にＯｕ等のメッ
キを施したものも含まれることは言うまでもない０
は、ヨーク部５の断面積を小さくすることも可能となシ
この結果、永久磁石４とヨーク部５を合わせた軽量化は
第２図あるいは第３図のクライス）ｏン構造では１０％
近い値が可能となる０また、さらに、第２図と第３図の
構造を合わせ入力共振壁用及び出力共振空胴の各々電子
銃１側及びコレクタ３側の空胴壁を入力部及び出力部の
磁極片で兼ねた形とすれば、磁極片間距離はｔｇ−２Δ
ｔｇとなり約８チの間隙長の減少となシこれは結果的に
永久磁石装置の２０％程度の軽量化を可能とする。５０
Ｈｚ帯５空胴クライストロンの場合の数値を例にあげ、
説明を行なったが、他の周波数帯の場合の多空胴クライ
ストロンでも当然同じ様な結果となることは言うまでも
ない０以上の様に、本発明を採用した多空胴クライスト
ロンでは永久磁石集束装置の大幅な軽量化力！可能とな
り１このことは、多空胴クライストロンの取り扱いの容
易さ、製造費用の低減をもたらすものでおる０ また、本発明を採用した多空胴クライストロンの範囲に
は、入力部あるいは出力部磁極片の表面にＯｕ等のメッ
キを施したものも含まれることは言うまでもない０
第１図は従来の多空胴タライストロンの一例の構造を示
した断面図、第２図及び第３図は各々本発明を採用した
多空胴クライストロ・ンの構造を示す断面図である０ １・・・・・・電子銃部、２・・・・・・高周波回路部
、３・・・・・・コレクタ、４・・・・・・永久磁石、
５・・・・・・ヨーク、６−・・・・・入力部磁極片、
７・・・・・・出力部磁極片、８・・・・・・入力回路
、９・・・・・・出力回路、１０・・・・・・共振窓８
同、１１・・・・・・ドリフト管。
した断面図、第２図及び第３図は各々本発明を採用した
多空胴クライストロ・ンの構造を示す断面図である０ １・・・・・・電子銃部、２・・・・・・高周波回路部
、３・・・・・・コレクタ、４・・・・・・永久磁石、
５・・・・・・ヨーク、６−・・・・・入力部磁極片、
７・・・・・・出力部磁極片、８・・・・・・入力回路
、９・・・・・・出力回路、１０・・・・・・共振窓８
同、１１・・・・・・ドリフト管。
Claims (1)
- 電子ビームを発生させる電子銃部と該電子銃部から発生
した電子ビームと高周波電力との相互作用を行わせしめ
る高周波回路部と、該高周波回路部で高周波電力との相
互作用を終えた電子ビームを捕促し、熱エネルギーに変
換するコレクタ部と、電子ビームを集束させるための磁
界をつくる永久磁石等からなる多空胴クライストロンに
おいて、前記高周波回路部は、複数個の共振空胴よりな
り、前記共振空胴のうち入力共振空胴および出力共振空
胴の少なくとも一方の共振空胴の空胴壁の一部または全
体が磁性体によりて作られていることを特徴とする多空
胴クライストロン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10190883A JPS59228342A (ja) | 1983-06-08 | 1983-06-08 | 多空胴クライストロン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10190883A JPS59228342A (ja) | 1983-06-08 | 1983-06-08 | 多空胴クライストロン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59228342A true JPS59228342A (ja) | 1984-12-21 |
| JPH0216533B2 JPH0216533B2 (ja) | 1990-04-17 |
Family
ID=14313003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10190883A Granted JPS59228342A (ja) | 1983-06-08 | 1983-06-08 | 多空胴クライストロン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59228342A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0724281A3 (en) * | 1995-01-28 | 1998-09-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Klystron |
-
1983
- 1983-06-08 JP JP10190883A patent/JPS59228342A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0724281A3 (en) * | 1995-01-28 | 1998-09-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Klystron |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0216533B2 (ja) | 1990-04-17 |
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