JPH0216561B2 - - Google Patents
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- JPH0216561B2 JPH0216561B2 JP57000873A JP87382A JPH0216561B2 JP H0216561 B2 JPH0216561 B2 JP H0216561B2 JP 57000873 A JP57000873 A JP 57000873A JP 87382 A JP87382 A JP 87382A JP H0216561 B2 JPH0216561 B2 JP H0216561B2
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は抵抗膜用ターゲツトの製造方法に関す
る。
る。
フアクシミリの受信記録方式は各種あるが、将
来性を考えた場合、静電記録、感熱記録、インク
ジエツト記録等が有望視されている。中でも固定
走査の多素子感熱記録方式はプリンタ技術として
開発されたもので、現像、定着などの工程を必要
とせず、また放電破壊記録のように臭いガスが発
生しないなど新しい記録方式として注目を集めて
いる。
来性を考えた場合、静電記録、感熱記録、インク
ジエツト記録等が有望視されている。中でも固定
走査の多素子感熱記録方式はプリンタ技術として
開発されたもので、現像、定着などの工程を必要
とせず、また放電破壊記録のように臭いガスが発
生しないなど新しい記録方式として注目を集めて
いる。
ところで、この感熱記録ヘツドには薄膜型、厚
膜型、半導体型があり特に薄膜型は熱応答性もよ
く、膜の耐熱性が高い等の長所があり、この薄膜
型の感熱記録ヘツドは第１図に断面的に示すよう
に構成されている。しかして、この感熱記録ヘツ
ドはセラミツク基板１上に保温層２を介して発熱
抵抗体３を真空蒸着形成した後フオトエツチング
法により所要の形状に形成する。次いでリード線
４を設け、さらに抵抗保護膜５および耐磨耗層６
を順次設けることにより薄膜型サーマルヘツドを
製造している。
膜型、半導体型があり特に薄膜型は熱応答性もよ
く、膜の耐熱性が高い等の長所があり、この薄膜
型の感熱記録ヘツドは第１図に断面的に示すよう
に構成されている。しかして、この感熱記録ヘツ
ドはセラミツク基板１上に保温層２を介して発熱
抵抗体３を真空蒸着形成した後フオトエツチング
法により所要の形状に形成する。次いでリード線
４を設け、さらに抵抗保護膜５および耐磨耗層６
を順次設けることにより薄膜型サーマルヘツドを
製造している。
ここで発熱抵抗体３はセラミツク基板１の保温
層２上にスパツターリング法により作られる。こ
のスパツタリングに使用されるターゲツトは、
SiO2板の上に細いTaの薄板を配したものである
が、このスパツタリングによるTa板の消耗が大
きく、また形成された発熱抵抗体膜３の抵抗値分
布を悪い。この欠点を解消するためTaとSiO2の
粉末を適当な比率で混合した粉末をホツトプレス
により焼結したターゲツトが開発されている。
層２上にスパツターリング法により作られる。こ
のスパツタリングに使用されるターゲツトは、
SiO2板の上に細いTaの薄板を配したものである
が、このスパツタリングによるTa板の消耗が大
きく、また形成された発熱抵抗体膜３の抵抗値分
布を悪い。この欠点を解消するためTaとSiO2の
粉末を適当な比率で混合した粉末をホツトプレス
により焼結したターゲツトが開発されている。
第２図にその構成を示す。
第２図において、３１がTa−SiO2系ターゲツ
トであり、３２は冷却用治具、３３はパツキン
グ、３４は支持台である。この焼結型ターゲツト
によれば、スパツターにより形成される発熱抵抗
体膜３の抵抗値も一定でバラツキも少ないと言う
利点がある。しかし、この焼結型ターゲツトは前
述のようにTa−SiO2系混合粉末のホツトプレス
焼結法により製造される。Ta−SiO2は1000℃以
上（非酸化性雰囲気）で相反応が生じはじめ、そ
の生成相もケイ化タンタル（Si3Ta5、TaSi2）、
酸化タンタル（α型及びβ型Ta2O5）等ホツトプ
レス焼結条件により多種、多様な物質が確認され
る。このような状態ではターゲツト本来の機能、
即ち所望の抵抗膜の形成が非常に困難となる。こ
れは出発物質のタンタルと二酸化ケイ素が反応し
てしまうことによるためで、可能な限り両者が元
の状態で存在することが最も好ましい。
トであり、３２は冷却用治具、３３はパツキン
グ、３４は支持台である。この焼結型ターゲツト
によれば、スパツターにより形成される発熱抵抗
体膜３の抵抗値も一定でバラツキも少ないと言う
利点がある。しかし、この焼結型ターゲツトは前
述のようにTa−SiO2系混合粉末のホツトプレス
焼結法により製造される。Ta−SiO2は1000℃以
上（非酸化性雰囲気）で相反応が生じはじめ、そ
の生成相もケイ化タンタル（Si3Ta5、TaSi2）、
酸化タンタル（α型及びβ型Ta2O5）等ホツトプ
レス焼結条件により多種、多様な物質が確認され
る。このような状態ではターゲツト本来の機能、
即ち所望の抵抗膜の形成が非常に困難となる。こ
れは出発物質のタンタルと二酸化ケイ素が反応し
てしまうことによるためで、可能な限り両者が元
の状態で存在することが最も好ましい。
本発明はこのような点について改良を加えたも
ので、常に所要の発熱抵抗膜３を形成しうるTa
−SiO2混合系ターゲツトを容易に製造しうる方
法を提供するものである。
ので、常に所要の発熱抵抗膜３を形成しうるTa
−SiO2混合系ターゲツトを容易に製造しうる方
法を提供するものである。
即ち、金属タンタル（Ta）−二酸化ケイ素
（SiO2）混合粉末層と、第２図の３２に示す冷却
用治具を一体で冷間加圧成形することによりTa
−SiO2ターゲツト本来の機能を発揮させること
に特徴がある。
（SiO2）混合粉末層と、第２図の３２に示す冷却
用治具を一体で冷間加圧成形することによりTa
−SiO2ターゲツト本来の機能を発揮させること
に特徴がある。
金属タンタル（Ta）は一般に非常に展延性に
富み、冷間時、Ta粉末に圧力を加えて行くと、
圧粉体の気孔率は低下し、10％以下にすることも
容易に可能である。これに二酸化ケイ素（SiO2）
粉末を配合しても、気孔率の減少度合いは若干に
ぶくなるものの冷間成形のみで十分緻密化するこ
とがわかつた。第３図に成形圧力と圧粉体の気孔
率の関係を示す。本発明はこの原理に基いて考え
られたものである。かくして得られた冷間成形体
を冷却用治具に装着する場合、従来の如く、高温
でハンダペースト（たとえばAgペースト）で接
合すると、成形体内部に浸透して、実用上好まし
くない。これを防止するために、本発明者らは、
冷間成形体を作成する際に同時に該冷却治具上に
圧接する方式を見出した。
富み、冷間時、Ta粉末に圧力を加えて行くと、
圧粉体の気孔率は低下し、10％以下にすることも
容易に可能である。これに二酸化ケイ素（SiO2）
粉末を配合しても、気孔率の減少度合いは若干に
ぶくなるものの冷間成形のみで十分緻密化するこ
とがわかつた。第３図に成形圧力と圧粉体の気孔
率の関係を示す。本発明はこの原理に基いて考え
られたものである。かくして得られた冷間成形体
を冷却用治具に装着する場合、従来の如く、高温
でハンダペースト（たとえばAgペースト）で接
合すると、成形体内部に浸透して、実用上好まし
くない。これを防止するために、本発明者らは、
冷間成形体を作成する際に同時に該冷却治具上に
圧接する方式を見出した。
すなわち、Ta−SiO2混合粉と冷却用治具とを
積層させ、一体で冷間加圧成形してなるもので、
成形圧力は後のハンドリング等を考えると気孔率
30％以下になる条件が好ましい。またこの場合、
冷却用治具のTa−SiO2混合粉と接する面は適度
な凸凹を設けることにより、両者の接触面積が大
きくなり、圧着強度も増加し、さらにターゲツト
の冷却効率を増加できる利点もある。
積層させ、一体で冷間加圧成形してなるもので、
成形圧力は後のハンドリング等を考えると気孔率
30％以下になる条件が好ましい。またこの場合、
冷却用治具のTa−SiO2混合粉と接する面は適度
な凸凹を設けることにより、両者の接触面積が大
きくなり、圧着強度も増加し、さらにターゲツト
の冷却効率を増加できる利点もある。
このようにして製造されたターゲツトは本体が
加熱、加圧、焼結されていないため、所望のTa
とSiO2の比率を有した各々の物質が全く均一に
そのまま存在し理想的な状態が作り出される。ま
た成形体の機械的性質は幾分劣るが、冷却治具と
一体化しているため、取扱い上も容易である。ま
たもう１つの利点として、このターゲツトは焼結
処理を必要としないため、製造に要するコストも
非常に安価なことである。
加熱、加圧、焼結されていないため、所望のTa
とSiO2の比率を有した各々の物質が全く均一に
そのまま存在し理想的な状態が作り出される。ま
た成形体の機械的性質は幾分劣るが、冷却治具と
一体化しているため、取扱い上も容易である。ま
たもう１つの利点として、このターゲツトは焼結
処理を必要としないため、製造に要するコストも
非常に安価なことである。
以下実施例に従い本発明を説明する。
実施例 １
一面が平滑面、他面に約１mmの凹凸を一面に有
する銅板（Cu、40mm□×約５mm厚）を冷間成形
用金型（口径40mm□）に凹凸を上に向けてSetす
る。次にTa55mol％、SiO245mol％から成る混合
粉を銅板上に40ｇ採取し充テンした。混合粉上面
を平らにならした後、金型のバツチで15ton／cm2
の圧力で冷間成形した。圧粉体の気孔率は28％
で、ターゲツトとして試用した所所望の抵抗を有
する膜が形成された。
する銅板（Cu、40mm□×約５mm厚）を冷間成形
用金型（口径40mm□）に凹凸を上に向けてSetす
る。次にTa55mol％、SiO245mol％から成る混合
粉を銅板上に40ｇ採取し充テンした。混合粉上面
を平らにならした後、金型のバツチで15ton／cm2
の圧力で冷間成形した。圧粉体の気孔率は28％
で、ターゲツトとして試用した所所望の抵抗を有
する膜が形成された。
第１図は薄膜サーマルヘツドの構成例を示す断
面図、第２図は本発明の方法で用いられるスパツ
タターゲツトの構造例を示す斜視図、第３図は
Ta−SiO2系混合粉の冷間成形圧力と圧粉体気孔
率の関係を示す曲線図。 １……セラミツク基板、２……保温層、３……
発熱抵抗体、４……リード線、５……抵抗体保護
膜、６……耐磨耗層、３１……Ta−SiO2焼結体。
面図、第２図は本発明の方法で用いられるスパツ
タターゲツトの構造例を示す斜視図、第３図は
Ta−SiO2系混合粉の冷間成形圧力と圧粉体気孔
率の関係を示す曲線図。 １……セラミツク基板、２……保温層、３……
発熱抵抗体、４……リード線、５……抵抗体保護
膜、６……耐磨耗層、３１……Ta−SiO2焼結体。
Claims (1)
- １ 金属タンタル（Ta）−二酸化ケイ素（SiO2）
混合粉層と冷却用治具とを一体で冷間加圧成形す
ることを特徴とする抵抗膜用ターゲツトの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57000873A JPS58119605A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | 抵抗膜用タ−ゲツトの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57000873A JPS58119605A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | 抵抗膜用タ−ゲツトの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58119605A JPS58119605A (ja) | 1983-07-16 |
| JPH0216561B2 true JPH0216561B2 (ja) | 1990-04-17 |
Family
ID=11485783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57000873A Granted JPS58119605A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | 抵抗膜用タ−ゲツトの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58119605A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7033873B2 (ja) * | 2017-09-20 | 2022-03-11 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット組立品及びその製造方法 |
-
1982
- 1982-01-08 JP JP57000873A patent/JPS58119605A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58119605A (ja) | 1983-07-16 |
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