JPS5832073A - 焼結体 - Google Patents
焼結体Info
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- JPS5832073A JPS5832073A JP56130291A JP13029181A JPS5832073A JP S5832073 A JPS5832073 A JP S5832073A JP 56130291 A JP56130291 A JP 56130291A JP 13029181 A JP13029181 A JP 13029181A JP S5832073 A JPS5832073 A JP S5832073A
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- Japan
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- sintered body
- aluminum nitride
- boron nitride
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- powder
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高熱伝導率と電気絶縁性を併せ有する焼結体に
関する。
関する。
近年、半導体工業の進歩ば「１ざ捷しく、大規模集積回
路等に使用される絶縁基板は回路構成要素が高密度に形
成されるようになってきた。さらに最近では小型化に対
する要請も大きく、単位面積当りの発！＄量が大幅に増
加してきた。一方では大型のシリコンチップが接着可能
な熱膨張係数がシリコンのそれに近い絶縁基板材料の開
発が望１れでいる。従来、絶縁基板材料としてアルミナ
の焼結体が使用された。しかし、アルミナ基板は熱放散
性が悪く、熱膨張係数が大きいため、はぼ限界に達した
。このため、熱放散性が良好で、しかも熱膨張係数がシ
リコンの値に近い新規な絶縁基板材料の開発が要請され
るようになってきた。
路等に使用される絶縁基板は回路構成要素が高密度に形
成されるようになってきた。さらに最近では小型化に対
する要請も大きく、単位面積当りの発！＄量が大幅に増
加してきた。一方では大型のシリコンチップが接着可能
な熱膨張係数がシリコンのそれに近い絶縁基板材料の開
発が望１れでいる。従来、絶縁基板材料としてアルミナ
の焼結体が使用された。しかし、アルミナ基板は熱放散
性が悪く、熱膨張係数が大きいため、はぼ限界に達した
。このため、熱放散性が良好で、しかも熱膨張係数がシ
リコンの値に近い新規な絶縁基板材料の開発が要請され
るようになってきた。
絶縁基板材料が具備すべき条件としては（１）電気絶縁
性が大きいこと。
性が大きいこと。
（２）熱伝導率が大きいこと。
（３）熱膨張係数がシリコンに近いこと。
（４）機械的強度が大きいこと。
等が挙げられる。
ところで、窒化アルミニウムはその熱膨張係数が約５Ｘ
１０−’／℃でアルミナ焼結体のそれの約７ Ｘ １
ｏ＝ ７℃に比べて小さく、シリコンの熱膨張係数組３
．３ ｘ ｉ ０−６７ ℃に近い。寸だ、機械的強度
も曲げ強さで約５０ｋｇ／ｃｍ２を有し、アルミナ焼結
体の約２０ｋｇ／Ｃｍ２に比べ高強度であることが知ら
れている。さらに都゛気絶縁性にも優れた材料である。
１０−’／℃でアルミナ焼結体のそれの約７ Ｘ １
ｏ＝ ７℃に比べて小さく、シリコンの熱膨張係数組３
．３ ｘ ｉ ０−６７ ℃に近い。寸だ、機械的強度
も曲げ強さで約５０ｋｇ／ｃｍ２を有し、アルミナ焼結
体の約２０ｋｇ／Ｃｍ２に比べ高強度であることが知ら
れている。さらに都゛気絶縁性にも優れた材料である。
従来公知である窒化アルミニウム焼結体の製造方法には
反応焼結法、常圧焼結法、ホットプレス焼結法がある。
反応焼結法、常圧焼結法、ホットプレス焼結法がある。
このうち、反応焼結法は金属アルミニウムの成形体を窒
素ガス雰囲気中で窒化反応させながら焼結する方法であ
る。反応焼結法では窒化反応が窒素ガスの拡散律速であ
ることから肉厚の製品の場合、中心部に未反応金属が残
ることと、多孔質であるため、電気絶縁材としては使用
できない。常圧焼結法では窒化アルミニウム粉末に酸化
イツトリウムと希土類酸化物、酸化イットリウノ・と二
酸化ケイ素、ニッケル、酸化カルンウノ、などの粉末を
添加して混合したのち成形体としプレス焼結法では窒化
アルミニウノ、粉本に酸化アルミニウム、酸化イノトリ
ウノ、と二酸化ケイ素などの粉末を添加して混合し７／
このち成形体とし、加圧下で加熱して焼結体を得る。従
来公知である常圧焼結法及びホットプレス焼結法によノ
′１ば緻密化した窒化アルミニウノ、焼結体をイ（Ｉる
ことかでき、焼結体は高強度で、電気絶縁＋１及び低→
）（膨張係数を有する。しかし、上記の方法で製造した
焼結体の熱伝導率は小さく、通常００７ｃン１ ｌ／Ｃ
１’ｌ！ ＠ Ｓ・℃（室温）であり、大きいものでも
０．１ ｃ、 ；ｌ １！−７（゛（口・Ｓ・℃である
。これらの点から、窒化アルミニウム焼結体は」：り高
熱伝導路を・有するものが開発されると、大規模集積回
路などの絶縁基板イ」別として極めて有用である。
素ガス雰囲気中で窒化反応させながら焼結する方法であ
る。反応焼結法では窒化反応が窒素ガスの拡散律速であ
ることから肉厚の製品の場合、中心部に未反応金属が残
ることと、多孔質であるため、電気絶縁材としては使用
できない。常圧焼結法では窒化アルミニウム粉末に酸化
イツトリウムと希土類酸化物、酸化イットリウノ・と二
酸化ケイ素、ニッケル、酸化カルンウノ、などの粉末を
添加して混合したのち成形体としプレス焼結法では窒化
アルミニウノ、粉本に酸化アルミニウム、酸化イノトリ
ウノ、と二酸化ケイ素などの粉末を添加して混合し７／
このち成形体とし、加圧下で加熱して焼結体を得る。従
来公知である常圧焼結法及びホットプレス焼結法によノ
′１ば緻密化した窒化アルミニウノ、焼結体をイ（Ｉる
ことかでき、焼結体は高強度で、電気絶縁＋１及び低→
）（膨張係数を有する。しかし、上記の方法で製造した
焼結体の熱伝導率は小さく、通常００７ｃン１ ｌ／Ｃ
１’ｌ！ ＠ Ｓ・℃（室温）であり、大きいものでも
０．１ ｃ、 ；ｌ １！−７（゛（口・Ｓ・℃である
。これらの点から、窒化アルミニウム焼結体は」：り高
熱伝導路を・有するものが開発されると、大規模集積回
路などの絶縁基板イ」別として極めて有用である。
本発明の］］的は熱伝導率が大きく、電気絶縁用基板何
科として好適な性能を有する材＄□１及びその製造方法
を提供するにある。
科として好適な性能を有する材＄□１及びその製造方法
を提供するにある。
本発明は窒化ホウ素を０．０５〜３０重Ｉｄ係添加して
成る窒化アルミニウノ、の焼結体にある。該焼結体にＪ
、室温に；ｊ、・ける熱伝導率が０．３ ｃｈｚ、７ｃ
ｍ−ｓ −’ＣＩ７． ｌ−で、室温における電気抵抗
率が１０′２ΩＣ１ｎ以上で、室部から３００℃におけ
る平均熱膨張係数が６Ｘ１０−’／℃以下で、窒化アル
ミニウムの理論密度の９０チ以十の密度を有する。
成る窒化アルミニウノ、の焼結体にある。該焼結体にＪ
、室温に；ｊ、・ける熱伝導率が０．３ ｃｈｚ、７ｃ
ｍ−ｓ −’ＣＩ７． ｌ−で、室温における電気抵抗
率が１０′２ΩＣ１ｎ以上で、室部から３００℃におけ
る平均熱膨張係数が６Ｘ１０−’／℃以下で、窒化アル
ミニウムの理論密度の９０チ以十の密度を有する。
また、本発明は・（ｌ ｊり粒径が２ Ｑ ／（ｎｌ以
下である窒化アルミニウム粉末に、平均粒径が５ Ｑ
ｌｔ ｍ以下である窒化ホウ素粉末を０．０５〜３ｏ＠
量係添加して混合（７た粉末を成形体となし、非酸化性
雰囲気中で１６００〜２０００℃の温度で常圧焼結する
か、１． （ｉ ００〜２０００℃の温度と１． ＯＯ
ｋｇ／ ｃｍ２以上の加圧下でホットプレスして窒化ア
ルミニウノ・の理論密度の９０係以上の密度を得るに七
分な時間焼結して成る高熱伝導で電気絶縁性の優れた窒
化アルミニウム焼結体の製造方法にある。
下である窒化アルミニウム粉末に、平均粒径が５ Ｑ
ｌｔ ｍ以下である窒化ホウ素粉末を０．０５〜３ｏ＠
量係添加して混合（７た粉末を成形体となし、非酸化性
雰囲気中で１６００〜２０００℃の温度で常圧焼結する
か、１． （ｉ ００〜２０００℃の温度と１． ＯＯ
ｋｇ／ ｃｍ２以上の加圧下でホットプレスして窒化ア
ルミニウノ・の理論密度の９０係以上の密度を得るに七
分な時間焼結して成る高熱伝導で電気絶縁性の優れた窒
化アルミニウム焼結体の製造方法にある。
本発明において窒化ホウ素の添加量を０．０５〜３０重
用係としたのは、０．０５重＠係より少ないと緻密な焼
結体が得られないためである。寸だ、３０重′１ｆｔ％
よりも多いと焼結体は熱膨張係数が大きくなり、特にシ
リコン−゛１′導体素子用の絶縁基板として使用する場
合に間：ｔαになるためで２らる。
用係としたのは、０．０５重＠係より少ないと緻密な焼
結体が得られないためである。寸だ、３０重′１ｆｔ％
よりも多いと焼結体は熱膨張係数が大きくなり、特にシ
リコン−゛１′導体素子用の絶縁基板として使用する場
合に間：ｔαになるためで２らる。
捷だ、本発明において壁化アルミニウム粉末ｄ：平均粒
径が２０μｍ以下、９１寸しく何１． Ｏｔｒ…以下の
粒径を有する粉末を使用する。
径が２０μｍ以下、９１寸しく何１． Ｏｔｒ…以下の
粒径を有する粉末を使用する。
窒化ホウ素を添加混合した窒化アルミニウム粉末成形体
の焼成条件も重要である。焼成は非酸化性の雰囲気中で
行う。酸化性の’ｒ？囲気中で焼成すると窒化アルミニ
ウムが酸化してし甘い所望の焼結体をイｎることかでき
ない。
の焼成条件も重要である。焼成は非酸化性の雰囲気中で
行う。酸化性の’ｒ？囲気中で焼成すると窒化アルミニ
ウムが酸化してし甘い所望の焼結体をイｎることかでき
ない。
焼成時の温度は１６００〜２０００℃、好斗しく１は１
７００〜１９００℃が有効である。温度が１ｒｉ００℃
より低い場合は緻密な焼結体が（４Ｊられす、２０００
℃より高い場合は過焼成になってしＪ−うほか、！１４
別な効果は得られない。寸だ、焼成は常圧焼結法でも良
いし、ホットプレス法に、１：っても良い。もし、−軸
加圧式のホットプレス法で焼結体を製造する場合、収縮
は加圧軸方向にしか起らず、寸法精度が高く、高強度を
有する焼結体を１４ｊることかでき、この場合、１．０
０ ｋ ｇ／ ｃｍ２以上の荷重を加えることが必要で
ある。丑だ、焼成時間に関して（１使用する原料粉末の
粒径、窒化ホウ素の添加ｆｆｌ、１７１７１度、焼成時
に加える荷重の有無及びその大きさにより最適植が決る
。一般的には原料粉末の粒径が小さく、湯度が高く、焼
成＋１７ｉ ｉ／（：荷重を加えた場合、特に加える荷
重が大きいほど短ｉ寺間で緻密なへ１１：結体を子！す
ることができる。
７００〜１９００℃が有効である。温度が１ｒｉ００℃
より低い場合は緻密な焼結体が（４Ｊられす、２０００
℃より高い場合は過焼成になってしＪ−うほか、！１４
別な効果は得られない。寸だ、焼成は常圧焼結法でも良
いし、ホットプレス法に、１：っても良い。もし、−軸
加圧式のホットプレス法で焼結体を製造する場合、収縮
は加圧軸方向にしか起らず、寸法精度が高く、高強度を
有する焼結体を１４ｊることかでき、この場合、１．０
０ ｋ ｇ／ ｃｍ２以上の荷重を加えることが必要で
ある。丑だ、焼成時間に関して（１使用する原料粉末の
粒径、窒化ホウ素の添加ｆｆｌ、１７１７１度、焼成時
に加える荷重の有無及びその大きさにより最適植が決る
。一般的には原料粉末の粒径が小さく、湯度が高く、焼
成＋１７ｉ ｉ／（：荷重を加えた場合、特に加える荷
重が大きいほど短ｉ寺間で緻密なへ１１：結体を子！す
ることができる。
次に実施例を示しＪＬ体的に、ｆｌ２明する。
実施例１
平均粒径が２μｍ１１の窒化アルミニウム粉末に平均粒
径が１７＋ｍの大方品系の結晶形を有する窒化ホウ素粉
末を０．０３〜５０市吊係添加し混合した。
径が１７＋ｍの大方品系の結晶形を有する窒化ホウ素粉
末を０．０３〜５０市吊係添加し混合した。
次いで、該混合粉末を室温で］、ＱＱＯｋｇ／ｃｍ２の
ＩＦ力を加えて成形体とした。該成形体Ｃ２次に焼成炉
中で減圧度ｌＸｌ０＝〜ＩＸ］、０−’！。ｒｌの真空
中で曽：成した。加熱は室温から１８００℃捷で約１１
１でｙ１温し、１８００℃で０．５１１保１．５シたの
ち放冷した。十記によって製箔した窒化アルミニウム焼
結体の特性を第１表に示す。
ＩＦ力を加えて成形体とした。該成形体Ｃ２次に焼成炉
中で減圧度ｌＸｌ０＝〜ＩＸ］、０−’！。ｒｌの真空
中で曽：成した。加熱は室温から１８００℃捷で約１１
１でｙ１温し、１８００℃で０．５１１保１．５シたの
ち放冷した。十記によって製箔した窒化アルミニウム焼
結体の特性を第１表に示す。
第１表
この結果より、窒化アルミ−ラムに添加する窒化ホウ素
の量が０．１〜３０重量係重量へ、焼結体は相対密度が
９０係以−］ム室温に′１３・ける熱伝導率がＱ、 ２
ｃａ、４／ｃｍ、 Ｓ 、 ’Ｃ以上、雷気Ｍ抗率が
１０１−２Ｑ Ｃ１ｎ以−に、熱膨張係数が６ Ｘ １
０−”７℃以下を有することがわかる。
の量が０．１〜３０重量係重量へ、焼結体は相対密度が
９０係以−］ム室温に′１３・ける熱伝導率がＱ、 ２
ｃａ、４／ｃｍ、 Ｓ 、 ’Ｃ以上、雷気Ｍ抗率が
１０１−２Ｑ Ｃ１ｎ以−に、熱膨張係数が６ Ｘ １
０−”７℃以下を有することがわかる。
実施例２
実施例１に記載したものと同じ窒化アルミニウム粉末と
窒化ホウ素粉末を用い、窒化ホウ素の添力［目ｉ−を３
重量係として混合し、成形体を得た。該成形体は真空中
で焼成条件を変えて焼結体とした。
窒化ホウ素粉末を用い、窒化ホウ素の添力［目ｉ−を３
重量係として混合し、成形体を得た。該成形体は真空中
で焼成条件を変えて焼結体とした。
第２表は焼結体の製造条件と得らｉ″Ｌだ焼結体の相７
Ｊ密度の関係を示す表である。
Ｊ密度の関係を示す表である。
第２表
焼結体は相対密度が９０％以上に緻密化した場合、室温
における熱伝導率が０．２ ｃ ｒ＋ ｌ−７ｃｍ ＊
ｓ・℃以上、電気抵抗率がｔｏ１２ΩＣＩｌｌ以１−
１熱膨張係数が６ｘｌＯ−６７℃以下を有した。
における熱伝導率が０．２ ｃ ｒ＋ ｌ−７ｃｍ ＊
ｓ・℃以上、電気抵抗率がｔｏ１２ΩＣＩｌｌ以１−
１熱膨張係数が６ｘｌＯ−６７℃以下を有した。
実施例３
実施例２に記載したものと同じ様にして窒化アルミニウ
ムの成形体をイ！また。該焼結体は実施例１に記載した
ものと同様にして焼結体をイ（Ｉた。実施例３に於ては
焼結体の製造１１７＃の雰囲気をアルゴンガス、ヘリウ
ムガス、窒素ガス、水素ガスとした。
ムの成形体をイ！また。該焼結体は実施例１に記載した
ものと同様にして焼結体をイ（Ｉた。実施例３に於ては
焼結体の製造１１７＃の雰囲気をアルゴンガス、ヘリウ
ムガス、窒素ガス、水素ガスとした。
得られた焼結体はいずれも実施例１に記載した焼結体の
うち窒化ホウ素の添加１仕が３重量係のものと同様の特
性を有した。
うち窒化ホウ素の添加１仕が３重量係のものと同様の特
性を有した。
実施例４
実施例１と同じ様にして窒化アルミニウムに対して平均
粒径が１１ｔｍである立方晶系の結晶形を有する窒化ホ
ウ素粉末を加え成形体をｆｌまた３、該成形体は実施例
１と同様にして焼結体をイｋＩだ。該焼結体は窒化ホウ
素の添加部が同一の場合、立方晶□ 系の窒化ホウ素粉
末を用いたときの方が熱伝導率（１０） の値が実施例１に記載したものより大きいほか、他の特
性は同様であった。
粒径が１１ｔｍである立方晶系の結晶形を有する窒化ホ
ウ素粉末を加え成形体をｆｌまた３、該成形体は実施例
１と同様にして焼結体をイｋＩだ。該焼結体は窒化ホウ
素の添加部が同一の場合、立方晶□ 系の窒化ホウ素粉
末を用いたときの方が熱伝導率（１０） の値が実施例１に記載したものより大きいほか、他の特
性は同様であった。
実施例５
平均粒径の異なる窒化アルミニウム粉末に大方晶系の窒
化ホウ素を３重量％添加し、実施例１と同様にして焼結
体を得た。第３表は得られた焼結体の相対密度で窒化ア
ルミニウムの平均粒径が２０μｍ以下のとき相対密度が
９０％以上である焼結体が得られる。
化ホウ素を３重量％添加し、実施例１と同様にして焼結
体を得た。第３表は得られた焼結体の相対密度で窒化ア
ルミニウムの平均粒径が２０μｍ以下のとき相対密度が
９０％以上である焼結体が得られる。
第３表
この焼結体はいずれも実施例１に記載した窒化（１１）
ホウ素の添加量が３重年係の場合とほぼ同様の特性を有
した。
した。
実施例６
本発明になる電気絶縁基板の具体的な鏑／−１１例とし
て、実施例１で得た窒化ホウ素の添加量が３重量係の窒
化アルミナ基板、焼結体を絶縁基板として用いた半導体
パワーモジュールにより説明する。
て、実施例１で得た窒化ホウ素の添加量が３重量係の窒
化アルミナ基板、焼結体を絶縁基板として用いた半導体
パワーモジュールにより説明する。
第１図は従来構造の組立断面図である。導体４とヒート
シンク６及びヒートシンク６と金属支持板８の間を有機
絶縁物５及びアルミナ基板７で絶縁し、捷た、シリコン
素子１とヒートシンク６との熱膨張係数の差によるひず
みを緩和するためにモリブデンスペーザ−３を介在させ
である。第２図は本発明になる絶縁基板を用いたモジュ
ールの組立断面図である。絶縁基板１５はシリコン素子
１１と直接ろう付けされており、極めて簡単な構造にな
っている。
シンク６及びヒートシンク６と金属支持板８の間を有機
絶縁物５及びアルミナ基板７で絶縁し、捷た、シリコン
素子１とヒートシンク６との熱膨張係数の差によるひず
みを緩和するためにモリブデンスペーザ−３を介在させ
である。第２図は本発明になる絶縁基板を用いたモジュ
ールの組立断面図である。絶縁基板１５はシリコン素子
１１と直接ろう付けされており、極めて簡単な構造にな
っている。
上記半導体装置を一６０℃で３０分保持したのち室温で
５分保持し、さらに１２５℃に昇温して３０分保持する
ヒートサイクルを加えた。従来法（１２） になる半導体装置（第１図）は２０回のヒートサイクル
で半田付箇所にはがれが生じた。本発明になる半導体装
置（第２図）は１５０回のヒートサイクルの後でも異常
が認められなかった。
５分保持し、さらに１２５℃に昇温して３０分保持する
ヒートサイクルを加えた。従来法（１２） になる半導体装置（第１図）は２０回のヒートサイクル
で半田付箇所にはがれが生じた。本発明になる半導体装
置（第２図）は１５０回のヒートサイクルの後でも異常
が認められなかった。
比較例
平均粒径が’１１ｔｍの窒化アルミニウム粉末に酸化イ
ツトリウムを１０重重量部加して混合したのち成形体と
した。該成形体はＩ Ｘ １０−” ｏｒｒの真空中で
温度１８００℃、荷重３００ ｋｇ ７ｃｍ２ 、時間
０．５ ｈホットプレスして焼結体とした。該焼結体は
相対密度９９係に緻密化した。該焼結体のその他の特性
は熱伝導率が０１０７Ｃａｔ／Ｃｍ−５・℃（室温）、
電気抵抗率が１０”Ωｃｍ（室温）、熱膨張係数が５
ｘ １０−”７℃（室温〜３００℃）であった。
ツトリウムを１０重重量部加して混合したのち成形体と
した。該成形体はＩ Ｘ １０−” ｏｒｒの真空中で
温度１８００℃、荷重３００ ｋｇ ７ｃｍ２ 、時間
０．５ ｈホットプレスして焼結体とした。該焼結体は
相対密度９９係に緻密化した。該焼結体のその他の特性
は熱伝導率が０１０７Ｃａｔ／Ｃｍ−５・℃（室温）、
電気抵抗率が１０”Ωｃｍ（室温）、熱膨張係数が５
ｘ １０−”７℃（室温〜３００℃）であった。
本発明になる窒化アルミニウム焼結体は緻密化しており
、高熱伝導率、高電気抵抗弁、低熱膨張係数を併せ有す
るという特徴を有する。従って、前述した通り電気絶縁
用基板材料として有用であるばかりでなく、すｙに耐熱
、耐酸化性、耐薬品性 □（１３） が要求される部材、面ｊ熱＠撃性が要求される部材、高
温において高強度が要求される部材としても好適な材料
である。
、高熱伝導率、高電気抵抗弁、低熱膨張係数を併せ有す
るという特徴を有する。従って、前述した通り電気絶縁
用基板材料として有用であるばかりでなく、すｙに耐熱
、耐酸化性、耐薬品性 □（１３） が要求される部材、面ｊ熱＠撃性が要求される部材、高
温において高強度が要求される部材としても好適な材料
である。
第１図は従来法によるシリコン半導体装置の組立図、第
２図は本発明になる基板を用いたシリコン半導体装置の
組立図である。 １．１１・・・シリコン素子、２．１２・・・リード線
、３・・・モリブデンスベーザー、４・、−・１４・・
・導体、５・・・有機絶縁物、６・・・ヒート／／り、
７・・・アルミナ基板、８・・・支持板、９，１０．１
３・・・半田、１５（１４）
２図は本発明になる基板を用いたシリコン半導体装置の
組立図である。 １．１１・・・シリコン素子、２．１２・・・リード線
、３・・・モリブデンスベーザー、４・、−・１４・・
・導体、５・・・有機絶縁物、６・・・ヒート／／り、
７・・・アルミナ基板、８・・・支持板、９，１０．１
３・・・半田、１５（１４）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 窒化アルミニウムに対して窒化ホウ素を０．１〜
３０重ｆｆｒ％添加して成ることを特徴とする焼結体。 ２ 窒化アルミニウムの理論密度に対して９０％以」−
の密度を有することを特徴とする特許請求の範囲ｍ１項
記載の焼結体。 ３、室温における熱伝導率が０，２ Ｃａｔ／ＣｍａＳ
・℃以上であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の焼結体。 ４、室温における電気抵抗率が１０１３ΩＣｍ以」−で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の焼結
体。 ５、窒化ホウ素は立方晶窒化ホウ素または六万品窒化ホ
ウ素であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の焼結体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56130291A JPS5832073A (ja) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | 焼結体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56130291A JPS5832073A (ja) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | 焼結体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5832073A true JPS5832073A (ja) | 1983-02-24 |
Family
ID=15030797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56130291A Pending JPS5832073A (ja) | 1981-08-21 | 1981-08-21 | 焼結体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5832073A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59131583A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-28 | ヴエ−・ツエ−・ヘレウス・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクタ−・ハフツング | セラミツク担体 |
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