JPH02166647A - 光磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体およびその製造方法Info
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- JPH02166647A JPH02166647A JP63321213A JP32121388A JPH02166647A JP H02166647 A JPH02166647 A JP H02166647A JP 63321213 A JP63321213 A JP 63321213A JP 32121388 A JP32121388 A JP 32121388A JP H02166647 A JPH02166647 A JP H02166647A
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- Japan
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- recording medium
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高密度の記録再生を可能とする光熱磁気記録
媒体の一種であるコバルトフェライト薄膜媒体およびそ
の製造方法に関するものである。
媒体の一種であるコバルトフェライト薄膜媒体およびそ
の製造方法に関するものである。
従来の技術
近年、磁気記録および光熱磁気記録は、高密度化の方向
へ進みつつある。これらのうち磁気記録については、従
来は、面内に磁化の容易軸を持っているいわゆる面内磁
化による磁気記録方式が主流であった。しかしながらこ
の方式では、記録密度を上げれば上げるほど磁気記録媒
体内の磁化方向が互いに反発し合うように並ぶため高密
度化を計るのが困難になってきている。そこで近年磁気
記録の新しい方式として、磁気記録媒体の面内に対して
垂直方向に磁化容易軸を持っているいわゆる垂直磁化に
よる磁気記録方式が開発され〔例えば、岩崎、“垂直磁
化を用いた高密度磁気記録゛日経エレクトロニクス（８
・７）Ｎα１９２．Ｐ、１００゜１９７８）記録密度が
飛躍的に増大することが可能となった。
へ進みつつある。これらのうち磁気記録については、従
来は、面内に磁化の容易軸を持っているいわゆる面内磁
化による磁気記録方式が主流であった。しかしながらこ
の方式では、記録密度を上げれば上げるほど磁気記録媒
体内の磁化方向が互いに反発し合うように並ぶため高密
度化を計るのが困難になってきている。そこで近年磁気
記録の新しい方式として、磁気記録媒体の面内に対して
垂直方向に磁化容易軸を持っているいわゆる垂直磁化に
よる磁気記録方式が開発され〔例えば、岩崎、“垂直磁
化を用いた高密度磁気記録゛日経エレクトロニクス（８
・７）Ｎα１９２．Ｐ、１００゜１９７８）記録密度が
飛躍的に増大することが可能となった。
光熱磁気記録においても垂直磁気と同様に高密度記録を
達成するのには、垂直磁化であることが必要である。
達成するのには、垂直磁化であることが必要である。
しかし光熱磁気記録の場合垂直磁化膜である以外に、記
録時には、熱による磁性の変化を、再生には、磁気に付
随する光学効果を利用する点で磁気記録方式とは異って
いる。すなわち記録においては、レーザ光の熱を利用し
、再生には、光磁気記録媒体のカー効果あるいは、ファ
ラデー効果を利用している。〔例えば、今村修武、テレ
ビジョン学会誌第３９巻、４号、１９８５年 ページ３
６５〜３６８〕又この媒体を例えば光磁気ディスクにし
た場合このディスクのＣＮ比（信号とノイズの比）を向
上させるためには、大きなカー効果（大きなカー回転角
）あるいはファラデー効果（大きなファラデー回転角）
が必要である。
録時には、熱による磁性の変化を、再生には、磁気に付
随する光学効果を利用する点で磁気記録方式とは異って
いる。すなわち記録においては、レーザ光の熱を利用し
、再生には、光磁気記録媒体のカー効果あるいは、ファ
ラデー効果を利用している。〔例えば、今村修武、テレ
ビジョン学会誌第３９巻、４号、１９８５年 ページ３
６５〜３６８〕又この媒体を例えば光磁気ディスクにし
た場合このディスクのＣＮ比（信号とノイズの比）を向
上させるためには、大きなカー効果（大きなカー回転角
）あるいはファラデー効果（大きなファラデー回転角）
が必要である。
［例えば、阿倍正紀９日本応用磁気学会誌、第８巻、５
号、１９８４年、ページ３６６〜３７２〕そこで近年、
マンガンビスマス（ＭｎＢｉ）。
号、１９８４年、ページ３６６〜３７２〕そこで近年、
マンガンビスマス（ＭｎＢｉ）。
ガドリニウムコバルト（ＧｄＣｏ）、ガドリニウム。
テルビニウム、鉄（ＧｄＴｂＦｅ）等のカー回転角の大
きい光磁気記録媒体が、真空蒸着法やスパッタリング法
によって開発されてきている。〔例えば、今村修武、テ
レビジョン学会誌第３９巻。
きい光磁気記録媒体が、真空蒸着法やスパッタリング法
によって開発されてきている。〔例えば、今村修武、テ
レビジョン学会誌第３９巻。
４号、１９８５年、ページ３６５〜３６８〕しかしなが
らこれらの記録媒体は、いずれも金属の薄膜を利用して
おり、特にＧｄ、Ｔｂ、Ｆｅ等の金属は酸化されやすく
、信頼性の必要なコンピュータ用の外部記憶装置等には
、適応しにくいと考えられる。
らこれらの記録媒体は、いずれも金属の薄膜を利用して
おり、特にＧｄ、Ｔｂ、Ｆｅ等の金属は酸化されやすく
、信頼性の必要なコンピュータ用の外部記憶装置等には
、適応しにくいと考えられる。
また−力比学的に極めて安定な酸化物強磁性体を光磁気
記録に使用しようとする試みがあり、〔例えば、阿倍正
紀１日本応用磁気学会誌、第７巻、２号、１９８３年、
ページ１２３〜１２６〕スパツタ法や気相熱分解法にて
主にコバルトフェライト膜が７００°Ｃ〜８００°Ｃの
熱処理によって作成されている。
記録に使用しようとする試みがあり、〔例えば、阿倍正
紀１日本応用磁気学会誌、第７巻、２号、１９８３年、
ページ１２３〜１２６〕スパツタ法や気相熱分解法にて
主にコバルトフェライト膜が７００°Ｃ〜８００°Ｃの
熱処理によって作成されている。
また、プラズマＣＶＤ法等を用いより低温でコバルトフ
ェライト系薄膜を作成しようという試みもなされている
。〔例えば、特願昭６０−１６５１２３号〕発明が解決
しようとする課題 これらの光熱磁気記録媒体において、ＭｎＢ１゜ＧｄＣ
ｏ、、ＧｄＴｂＦｅ合金は、垂直磁化膜でしかも低温で
合成できるが、膜の酸化による信頼性の低下の問題があ
り、特に安価なアクリルやポリカーボネート、ポリイミ
ド等の基板を使用する場合これらの基板が水分を吸着し
やすいためこの吸着した水分によって上記の合金が酸化
されるという問題がある。
ェライト系薄膜を作成しようという試みもなされている
。〔例えば、特願昭６０−１６５１２３号〕発明が解決
しようとする課題 これらの光熱磁気記録媒体において、ＭｎＢ１゜ＧｄＣ
ｏ、、ＧｄＴｂＦｅ合金は、垂直磁化膜でしかも低温で
合成できるが、膜の酸化による信頼性の低下の問題があ
り、特に安価なアクリルやポリカーボネート、ポリイミ
ド等の基板を使用する場合これらの基板が水分を吸着し
やすいためこの吸着した水分によって上記の合金が酸化
されるという問題がある。
また一方、コバルトフェライトは、酸化物であるため膜
の酸化の問題がなく安定で、しかも安価であるが、この
膜をスパッタ法や気相熱分解法で作成し、ファラデー効
果あるいはカー効果の大きい膜を得るためには、７００
°Ｃ〜８００℃の熱処理（結晶化）が必要であり、低融
点ガラス、アルミニウム、アクリル、ポリカーボネート
、ポリイミド等の基板を使用することは、困難である。
の酸化の問題がなく安定で、しかも安価であるが、この
膜をスパッタ法や気相熱分解法で作成し、ファラデー効
果あるいはカー効果の大きい膜を得るためには、７００
°Ｃ〜８００℃の熱処理（結晶化）が必要であり、低融
点ガラス、アルミニウム、アクリル、ポリカーボネート
、ポリイミド等の基板を使用することは、困難である。
しかもコバルトフェライトは、スピネル系の等方的結晶
構造を持っているため、バリウムフェライトやＣｏ−Ｃ
ｒのように結晶磁気異方性による垂直磁化膜とはならな
いという問題点がある。
構造を持っているため、バリウムフェライトやＣｏ−Ｃ
ｒのように結晶磁気異方性による垂直磁化膜とはならな
いという問題点がある。
しかも通常のプラズマＣＶＤ法を用いれば、成膜温度を
２５０°Ｃ程度に下げることは可能であるがこの程度の
温度では耐熱性の低いアクリル樹脂やポリカーボネート
樹脂基体上に磁気光学効果の大きいコバルトフェライト
系の光磁気媒体を成膜することは、不可能である。
２５０°Ｃ程度に下げることは可能であるがこの程度の
温度では耐熱性の低いアクリル樹脂やポリカーボネート
樹脂基体上に磁気光学効果の大きいコバルトフェライト
系の光磁気媒体を成膜することは、不可能である。
課題を解決するための手段
本発明は、前記課題を解決するため、従来のスバッタ法
、気相熱分解法、プラズマＣＶＤ法ではなく、電子サイ
クロトロン放電（ＥＣＲ放電）により生成したプラズマ
の活性さを利用した、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によって
樹脂基板上に光磁気記録に適した磁気光学効果の大きい
コバルトフェライト系の光磁気記録媒体およびその製造
方法を徒供する。
、気相熱分解法、プラズマＣＶＤ法ではなく、電子サイ
クロトロン放電（ＥＣＲ放電）により生成したプラズマ
の活性さを利用した、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によって
樹脂基板上に光磁気記録に適した磁気光学効果の大きい
コバルトフェライト系の光磁気記録媒体およびその製造
方法を徒供する。
作用
発明者らは、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法を用いることによ
って耐熱性のない樹脂基板上にコバルトフェライトが得
られることを見いだした。すなわちＣｏ Ｆｅ、およ
びＭ［ただしＭは、Ｃｅ、Ｐｒ。
って耐熱性のない樹脂基板上にコバルトフェライトが得
られることを見いだした。すなわちＣｏ Ｆｅ、およ
びＭ［ただしＭは、Ｃｅ、Ｐｒ。
Ｎｄ Ｓｍ、Ｅｕ、Ｌａ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈａ、Ｅｒ。
Ｙｂ、 Ｌｕ、のうちのいずれか一種の元素でＸは０
．１〜１．０の数１を含有する金属キレート、例えばコ
バルトアセチルアセトン［Ｃｏ（Ｃ５Ｈ７０） ８）お
よび鉄アセチルアセトン［Ｆｅ（Ｃ５Ｈ，Ｏ） ３）セ
リウムアセチルアセトン〔Ｃｅ（Ｃ５Ｈ７０□）〕の蒸
気と反応ガスとしての酸素を減圧された反応容器（チャ
ンバー）に導入して、ＥＣＲプラズマ（周波数２．４５
ＧＨｚ、 ＴＬ力０．５Ｗ／ｃｎ１以上）を発生させ
樹脂基板上に加熱なしにコバルト系フェライト結晶を析
出させるものである。
．１〜１．０の数１を含有する金属キレート、例えばコ
バルトアセチルアセトン［Ｃｏ（Ｃ５Ｈ７０） ８）お
よび鉄アセチルアセトン［Ｆｅ（Ｃ５Ｈ，Ｏ） ３）セ
リウムアセチルアセトン〔Ｃｅ（Ｃ５Ｈ７０□）〕の蒸
気と反応ガスとしての酸素を減圧された反応容器（チャ
ンバー）に導入して、ＥＣＲプラズマ（周波数２．４５
ＧＨｚ、 ＴＬ力０．５Ｗ／ｃｎ１以上）を発生させ
樹脂基板上に加熱なしにコバルト系フェライト結晶を析
出させるものである。
このように低温でコバルトフェライトの析出が可能とな
るのは、電子サイクロｌ−ロン共鳴吸収によるプラズマ
は、通常の熱ＣＶＤや、プラズマＣＶＤと比較して、低
学反応を低温で引きおこす活性なラジカルやイオン等の
化学種が非常に多いためである。
るのは、電子サイクロｌ−ロン共鳴吸収によるプラズマ
は、通常の熱ＣＶＤや、プラズマＣＶＤと比較して、低
学反応を低温で引きおこす活性なラジカルやイオン等の
化学種が非常に多いためである。
またＥＣＲプラズマＣＶＤ法は、通常のプラズマＣＶＤ
法や、熱ＣＶＤ法にくらべて、低温で酸化物、炭化物、
窒化物等の高融点物質が合成できるばかりでなく、熱分
解析出反応を伴うために低得においても高純度でしかも
結晶性の良い柱状構造の膜が得られる。そのためコバル
トフェライトのような等方性結晶の磁化膜（水平磁化膜
）を低温で垂直磁化膜（コバルトフェライトは等方性結
晶であるため膜の柱状構造による形状異方性に起因する
垂直異方性を利用して垂直磁化膜とする）にするのには
、最適の方法であり、又コバルトフェライトのＦｅイオ
ンの位置にＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ。
法や、熱ＣＶＤ法にくらべて、低温で酸化物、炭化物、
窒化物等の高融点物質が合成できるばかりでなく、熱分
解析出反応を伴うために低得においても高純度でしかも
結晶性の良い柱状構造の膜が得られる。そのためコバル
トフェライトのような等方性結晶の磁化膜（水平磁化膜
）を低温で垂直磁化膜（コバルトフェライトは等方性結
晶であるため膜の柱状構造による形状異方性に起因する
垂直異方性を利用して垂直磁化膜とする）にするのには
、最適の方法であり、又コバルトフェライトのＦｅイオ
ンの位置にＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ。
Ｓｍ、Ｅｕ、Ｌａ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ。
Ｙｂ、Ｌｕのうちのいずれか一種の元素で置き換えるこ
とにより磁気光学定数が従来のコバルトフェライトにく
らべて大巾に向上する。
とにより磁気光学定数が従来のコバルトフェライトにく
らべて大巾に向上する。
実施例
以下本発明の一実施例のＥＣＲプラズマＣＶＤ法による
、コバルトフェライト系膜の製造方法について図面を参
照しながら説明する。
、コバルトフェライト系膜の製造方法について図面を参
照しながら説明する。
図は、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置の概略図を示している
。図において２１はＥＣＲＯ高密度プラズマを発生させ
るためのプラズマ室、２２はＥＣＲに必要な磁場を供給
する電磁石であり、２３は反応室、２４はマイクロ波（
２，４５Ｇ１１ｚ）導入口、２５はプラズマ源となるガ
ス（酸素）の導入口、２６は下地基板、２７は基板ホル
ダーで冷却水により常に基板を一定に保てるようになっ
ている。２８，２９．３０は原料の入った気化器で、３
１はキャリアガス（Ｎ２）導入口である。
。図において２１はＥＣＲＯ高密度プラズマを発生させ
るためのプラズマ室、２２はＥＣＲに必要な磁場を供給
する電磁石であり、２３は反応室、２４はマイクロ波（
２，４５Ｇ１１ｚ）導入口、２５はプラズマ源となるガ
ス（酸素）の導入口、２６は下地基板、２７は基板ホル
ダーで冷却水により常に基板を一定に保てるようになっ
ている。２８，２９．３０は原料の入った気化器で、３
１はキャリアガス（Ｎ２）導入口である。
３２は反応室を強制排気するためのポンプ（油回転ポン
プおよび、ターボ分子ポンプ）につながっている排気口
である。
プおよび、ターボ分子ポンプ）につながっている排気口
である。
まずプラズマ室２１および反応室２３内を１×１０４Ｔ
ｏｒｒまで減圧して吸着ガス等を除去する。
ｏｒｒまで減圧して吸着ガス等を除去する。
次にプラズマ室２１に導入口２５からプラズマ源となる
酸素（流量２０ｃｃ／分）を導入し、導入口２４より、
２．４５ ＧＨｚのマイクロ波を５００Ｗ印加して、電
磁石により磁界強度を８７５ガウスとすることによりＥ
ＣＲプラズマを発生させる。その際、電磁石２２による
発散磁界により発生したプラズマは、プラズマ室２１よ
り反応室２３に引き出される。また、気化器２８．２９
．３０にそれぞれコバルトアセチルアセトン、鉄アセチ
ルアセトン セリウムアセチルアセトンをおき、それぞ
れ１２０”Ｃ１３０℃、１３０’Ｃに加熱し、その蒸気
を窒素キャリア（流量それぞれ０．５ｃｃ／分）ととも
に反応室２３内に導入する。導入された蒸気をプラズマ
室２１内より引き出された活性なプラズマに触れさせる
ことにより３０分間反応を行ない光学的案内溝のついた
（トランクピッチ１．６μｍ）アクリル基板２６上に成
膜した。
酸素（流量２０ｃｃ／分）を導入し、導入口２４より、
２．４５ ＧＨｚのマイクロ波を５００Ｗ印加して、電
磁石により磁界強度を８７５ガウスとすることによりＥ
ＣＲプラズマを発生させる。その際、電磁石２２による
発散磁界により発生したプラズマは、プラズマ室２１よ
り反応室２３に引き出される。また、気化器２８．２９
．３０にそれぞれコバルトアセチルアセトン、鉄アセチ
ルアセトン セリウムアセチルアセトンをおき、それぞ
れ１２０”Ｃ１３０℃、１３０’Ｃに加熱し、その蒸気
を窒素キャリア（流量それぞれ０．５ｃｃ／分）ととも
に反応室２３内に導入する。導入された蒸気をプラズマ
室２１内より引き出された活性なプラズマに触れさせる
ことにより３０分間反応を行ない光学的案内溝のついた
（トランクピッチ１．６μｍ）アクリル基板２６上に成
膜した。
なお成膜時の基板温度は、室温（約２２℃）で一定であ
った。また成膜時の真空度は２．０Ｘ１０４Ｔｏｒｒで
あった。
った。また成膜時の真空度は２．０Ｘ１０４Ｔｏｒｒで
あった。
得られた膜を解析した結果、組成はＣ０Ｆｅ、、。
Ｃｅｏ、＋０４でコバルトフェライト系のスピネル型結
晶構造であり、（１００）面に配向していた（膜厚０．
３５μｍ）さらに波長７８０ｎｍで（７）７アラデ一回
転角は、３．９ｄｅｇ／μｍであった。
晶構造であり、（１００）面に配向していた（膜厚０．
３５μｍ）さらに波長７８０ｎｍで（７）７アラデ一回
転角は、３．９ｄｅｇ／μｍであった。
次にコバルトフェライト系膜上にアルミニウムの反射膜
を作成し、アクリル基板側からの記録再生を行なった。
を作成し、アクリル基板側からの記録再生を行なった。
記録光源にレーザーダイオードを用い、記録パワーＬＯ
ｍＷ、再生パ’７−２ｍＷ、記録周波数１．５ ＭＨｚ
、線速度２．５ｍ／ｓｅｃにおいてＣ／Ｎ値は５３ｄＢ
であった。次にこの記録媒体を６０°Ｃ相対湿度９０％
の環境下で１０００時間放置後のＣ／Ｎの変化を測定し
た所、−１，２ｄＢであった。
ｍＷ、再生パ’７−２ｍＷ、記録周波数１．５ ＭＨｚ
、線速度２．５ｍ／ｓｅｃにおいてＣ／Ｎ値は５３ｄＢ
であった。次にこの記録媒体を６０°Ｃ相対湿度９０％
の環境下で１０００時間放置後のＣ／Ｎの変化を測定し
た所、−１，２ｄＢであった。
この結果を表の試料番号１に示す、以下同様にして気化
器の温度（原料の流量コントロールを行なう）基板の種
類、気化器に入れる原料の種類、等を変えた時の結果を
表の試料番号２〜４２に示す（なお試料番号４０〜４２
は、本願発明外の比較例である。）。
器の温度（原料の流量コントロールを行なう）基板の種
類、気化器に入れる原料の種類、等を変えた時の結果を
表の試料番号２〜４２に示す（なお試料番号４０〜４２
は、本願発明外の比較例である。）。
（以 下 余 白）
なお特許請求の範回において、添加物Ｍ（ＭはＣｅ、Ｐ
ｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｌａ、Ｔｂ、Ｄｙ。
ｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｌａ、Ｔｂ、Ｄｙ。
Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕのうちのいずれか一種の
元素）の添加ＩＸを０．１〜１．０に限定したのは、０
．１よりＸが少ないと、ファラデー回転角にを向上でき
ないためであり、Ｘが１．０より多くても同様にファラ
デー回転角を向上できないため、Ｃ／Ｎが向上しないた
めである。
元素）の添加ＩＸを０．１〜１．０に限定したのは、０
．１よりＸが少ないと、ファラデー回転角にを向上でき
ないためであり、Ｘが１．０より多くても同様にファラ
デー回転角を向上できないため、Ｃ／Ｎが向上しないた
めである。
表より、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法で樹脂基板上に作成し
た、コバルトフェライト系光磁気記録媒体は、きわめて
安定でしかも磁気光学特性およびＣ／Ｎのすぐれたもの
であることがわかる。
た、コバルトフェライト系光磁気記録媒体は、きわめて
安定でしかも磁気光学特性およびＣ／Ｎのすぐれたもの
であることがわかる。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明によれば、ＥＣＲプラズ
マの活性さを巧みに利用して、ポリカーボネートやアク
リル等の耐熱性の少ない樹脂基板上に、磁気光学特性お
よび信頼性のすぐれた光磁気記録媒体が作成できる有益
な発明である。
マの活性さを巧みに利用して、ポリカーボネートやアク
リル等の耐熱性の少ない樹脂基板上に、磁気光学特性お
よび信頼性のすぐれた光磁気記録媒体が作成できる有益
な発明である。
図は、本発明の一実施例におけるＥＣＲプラズマＣＶＤ
装置の概略図である。 ２１・・・・・・プラズマ室、２２・・・・・・電磁石
、２３・・・・・・反応室、２４・・・・・・マイクロ
波導入口、２５・・・・・・プラズマ源となるガスの導
入口、２６・・・・・・下地基手反、２７・・・・・・
基十反ホルダー、２８，２９．３０・・・・・・気化器
、３１・・・・・・キャリアガス導入口、３２・・・・
・・排気口。
装置の概略図である。 ２１・・・・・・プラズマ室、２２・・・・・・電磁石
、２３・・・・・・反応室、２４・・・・・・マイクロ
波導入口、２５・・・・・・プラズマ源となるガスの導
入口、２６・・・・・・下地基手反、２７・・・・・・
基十反ホルダー、２８，２９．３０・・・・・・気化器
、３１・・・・・・キャリアガス導入口、３２・・・・
・・排気口。
Claims (2)
- （１）樹脂基板上に形成した、一般式ＣｏＦｅ＿２＿−
＿ＸＭｘＯ＿４〔ただしＭは、セリウム（Ｃｅ），プラ
セオジウム（Ｐｒ），ネオジウム（Ｎｄ），サマリウム
（Ｓｍ），ユウロピウム（Ｅｕ），ランタン（Ｌａ），
テルビウム（Ｔｂ），ジスプロシウム（Ｄｙ），ホルミ
ウム（Ｈｏ），エルビウム（Ｅｒ），ツリウム（Ｔｍ）
，イッテルビウム（Ｙｂ），ルテチウム（Ｌｕ）のうち
のいずれか一種の元素で、ｘは０．１〜１．０の数］で
あらわされることを特徴とする光磁気記録媒体。 - （２）コバルト（Ｃｏ），鉄（Ｆｅ）およびＭ〔ただし
Ｍは、Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｌａ，Ｔｂ，Ｄ
ｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕのうちのいずれか一
種の元素でｘは、０．１〜１．０の数〕を含有する金属
キレートの蒸気と、反応ガスとしての酸素ガス（Ｏ＿２
）を１０＾＋＾３−１０＾−＾５Ｔｏｒｒに減圧された
チャンバー内に導入し、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣ
Ｒ）により生じたプラズマ中でこれらの蒸気を分解させ
、基板上に一般式ＣｏＦｅ＿２＿−＿ＸＭｘＯ＿４〔た
だし、Ｍは、Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｌａ，Ｔ
ｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕのうちのいず
れか一種の元素でｘは、０．１〜１．０の数〕で示され
るフェライトを析出させることを特徴とする光磁気記録
媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63321213A JPH02166647A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63321213A JPH02166647A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02166647A true JPH02166647A (ja) | 1990-06-27 |
Family
ID=18130067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63321213A Pending JPH02166647A (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02166647A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60124901A (ja) * | 1983-12-12 | 1985-07-04 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS60150248A (ja) * | 1984-01-13 | 1985-08-07 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS62250625A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フエライト薄膜の製造方法 |
-
1988
- 1988-12-20 JP JP63321213A patent/JPH02166647A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60124901A (ja) * | 1983-12-12 | 1985-07-04 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS60150248A (ja) * | 1984-01-13 | 1985-08-07 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS62250625A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フエライト薄膜の製造方法 |
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