JPH0697647B2 - フエライト薄膜の製造方法 - Google Patents
フエライト薄膜の製造方法Info
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- JPH0697647B2 JPH0697647B2 JP9378586A JP9378586A JPH0697647B2 JP H0697647 B2 JPH0697647 B2 JP H0697647B2 JP 9378586 A JP9378586 A JP 9378586A JP 9378586 A JP9378586 A JP 9378586A JP H0697647 B2 JPH0697647 B2 JP H0697647B2
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- JP
- Japan
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- film
- torr
- recording
- ferrite
- cobalt
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、高密度の記録再生を可能とするフェライト薄
膜の製造方法に関するものである。
膜の製造方法に関するものである。
従来の技術 近年、磁気記録および光磁熱気記録は、高密度化の方向
へ進みつつある。これらのうち磁気記録については、従
来は、面内に磁化の容易軸を持っているいわゆる面内磁
化による磁気記録方式が主流であった。しかしながらこ
の方式では、記録密度を上げれば上げるほど磁気記録媒
体内の磁化方向が互いに反発し合うように並ぶため高密
度化を計るのが困難になってきている。そこで近年磁気
記録の新しい方式として、磁気記録媒体の面内に対して
垂直方向に磁化容易軸を持っているいわゆる垂直磁化に
よる磁気記録方式が開発され〔例えば、岩崎“垂直磁化
を用いた高密度磁気記録”日経エレクトロニクス（8.
7）No.192,P.100,1978〕記録密度が飛躍的に増大するこ
とが可能となった。
へ進みつつある。これらのうち磁気記録については、従
来は、面内に磁化の容易軸を持っているいわゆる面内磁
化による磁気記録方式が主流であった。しかしながらこ
の方式では、記録密度を上げれば上げるほど磁気記録媒
体内の磁化方向が互いに反発し合うように並ぶため高密
度化を計るのが困難になってきている。そこで近年磁気
記録の新しい方式として、磁気記録媒体の面内に対して
垂直方向に磁化容易軸を持っているいわゆる垂直磁化に
よる磁気記録方式が開発され〔例えば、岩崎“垂直磁化
を用いた高密度磁気記録”日経エレクトロニクス（8.
7）No.192,P.100,1978〕記録密度が飛躍的に増大するこ
とが可能となった。
光磁熱気記録においても垂直磁気と同様に高密度記録を
達成するのには、垂直磁化であることが必要である。
達成するのには、垂直磁化であることが必要である。
しかし光磁熱気記録の場合垂直磁化膜である以外に、記
録時には、熱による磁性の変化を、再生には、磁気に付
随する光学効果を利用する点で磁気記録方式とは異って
いる。すなわち記録においては、レーザ光の熱を利用
し、再生には、光磁気記録媒体のカー効果あるいは、フ
ァラデー効果を利用している。〔例えば、今村修武 テ
レビジョン学会誌第39巻４号 1985年 ページ365〜36
8〕又この媒体を例えば光磁気ディスクにした場合この
ディスクのCN比（信号とノイズの比）を向上させるため
には、大きなカー効果（大きなカー回転角）が必要であ
る。〔例えば、阿倍正紀 日本応用磁気学会誌第８巻５
号 1984年 ページ366〜372〕 そこで近年、マンガンビスマス（MnBi），ガドリニウム
コバルト（GdCo），ガドリニウムテルビニウム鉄（GdTb
Fe）等のカー回転角の大きい光磁気記録媒体が、真空蒸
着法やスパッタリング法によって開発されてきている。
〔例えば、今村修武 テレビジョン学会誌第39巻４号
1985年 ページ365〜368〕 しかしながらこれらの記録媒体は、いずれも金属の薄膜
を利用しており、特にGd,Tb,Fe等の金属は酸化されやす
く、信頼性の必要なコンピュータ用の外部記憶装置等に
は、適応しにくいと考えられる。
録時には、熱による磁性の変化を、再生には、磁気に付
随する光学効果を利用する点で磁気記録方式とは異って
いる。すなわち記録においては、レーザ光の熱を利用
し、再生には、光磁気記録媒体のカー効果あるいは、フ
ァラデー効果を利用している。〔例えば、今村修武 テ
レビジョン学会誌第39巻４号 1985年 ページ365〜36
8〕又この媒体を例えば光磁気ディスクにした場合この
ディスクのCN比（信号とノイズの比）を向上させるため
には、大きなカー効果（大きなカー回転角）が必要であ
る。〔例えば、阿倍正紀 日本応用磁気学会誌第８巻５
号 1984年 ページ366〜372〕 そこで近年、マンガンビスマス（MnBi），ガドリニウム
コバルト（GdCo），ガドリニウムテルビニウム鉄（GdTb
Fe）等のカー回転角の大きい光磁気記録媒体が、真空蒸
着法やスパッタリング法によって開発されてきている。
〔例えば、今村修武 テレビジョン学会誌第39巻４号
1985年 ページ365〜368〕 しかしながらこれらの記録媒体は、いずれも金属の薄膜
を利用しており、特にGd,Tb,Fe等の金属は酸化されやす
く、信頼性の必要なコンピュータ用の外部記憶装置等に
は、適応しにくいと考えられる。
また一方、化学的に極めて安定な酸化物強磁性体を光磁
気記録に使用しようとする試みがあり、〔例えば、阿倍
日本応用磁気学会誌第７巻２号 1983年，ページ123〜1
26〕スパッタ法や気相熱分解法にて主にコバルトフェラ
イト膜が700℃〜800℃の熱処理によって作成されてい
る。
気記録に使用しようとする試みがあり、〔例えば、阿倍
日本応用磁気学会誌第７巻２号 1983年，ページ123〜1
26〕スパッタ法や気相熱分解法にて主にコバルトフェラ
イト膜が700℃〜800℃の熱処理によって作成されてい
る。
発明が解決しようとする問題点 これらの光熱磁気記録媒体において、MnBi,GdCo,Gd,TbF
e合金は、垂直磁化膜でしかも低温で合成できるが、膜
の酸化による信頼性の低下の問題があり、特に安価なポ
リカーボネートやポリイミド等の基板を使用する場合こ
れらの基板が水分を吸着しやすいため、この吸着した水
分によって上記の合金が酸化されるという問題がある。
e合金は、垂直磁化膜でしかも低温で合成できるが、膜
の酸化による信頼性の低下の問題があり、特に安価なポ
リカーボネートやポリイミド等の基板を使用する場合こ
れらの基板が水分を吸着しやすいため、この吸着した水
分によって上記の合金が酸化されるという問題がある。
また一方、コバルトフェライトは、酸化物であるため膜
の酸化の問題がなく安定で、しかも安価であるが、この
膜をスパッタ法や気相熱分解法で作成し、カー効果の大
きい膜を得るためには、700℃〜800℃の熱処理（結晶
化）が必要であり、低融点ガラス、アルミニウムポリカ
ーボネート、ポリイミド等の基板を使用することは、困
難である。しかもコバルトフェライトは、スピネル系の
等方的結晶構造を持っているため、バリウムフェライト
やCo-Crのように結晶磁気異方性による垂直磁化膜とは
ならないため高密度記録を達成するのが困難という問題
点がある。
の酸化の問題がなく安定で、しかも安価であるが、この
膜をスパッタ法や気相熱分解法で作成し、カー効果の大
きい膜を得るためには、700℃〜800℃の熱処理（結晶
化）が必要であり、低融点ガラス、アルミニウムポリカ
ーボネート、ポリイミド等の基板を使用することは、困
難である。しかもコバルトフェライトは、スピネル系の
等方的結晶構造を持っているため、バリウムフェライト
やCo-Crのように結晶磁気異方性による垂直磁化膜とは
ならないため高密度記録を達成するのが困難という問題
点がある。
さらにスパッタ法や気相熱分解法に変るフェライト製膜
法として、プラズマCVD法が考えられる。この方法は通
常10Torr〜0.1Torrの減圧下で製膜されるため比較的低
温（350℃〜200℃）でフェライト膜を合成できるが、ア
クリルやポリエチレンテレフタレート等の耐熱温度が70
℃以下の基板上には、フェライト膜を作成できないとい
う問題点がある。
法として、プラズマCVD法が考えられる。この方法は通
常10Torr〜0.1Torrの減圧下で製膜されるため比較的低
温（350℃〜200℃）でフェライト膜を合成できるが、ア
クリルやポリエチレンテレフタレート等の耐熱温度が70
℃以下の基板上には、フェライト膜を作成できないとい
う問題点がある。
問題点を解決するための手段 本発明は、前記問題点を解決するため、従来のスパッタ
法や気相熱分解法あるいは、通常のプラズマCVD法では
なく、低圧力下（10-1〜10-4Torr）でのマグネトロン放
電により得られたプラズマあるいは、電子サイクロトロ
ン共鳴（ECR）により得られたプラズマ中に反応ガスを
流し、これらの低圧での高密度プラズマの活性さを利用
したプラズマCVD法によって基板加熱なしで、光熱磁気
記録に適したコバルトフェライト垂直磁化膜を製造する
方法を提供する。
法や気相熱分解法あるいは、通常のプラズマCVD法では
なく、低圧力下（10-1〜10-4Torr）でのマグネトロン放
電により得られたプラズマあるいは、電子サイクロトロ
ン共鳴（ECR）により得られたプラズマ中に反応ガスを
流し、これらの低圧での高密度プラズマの活性さを利用
したプラズマCVD法によって基板加熱なしで、光熱磁気
記録に適したコバルトフェライト垂直磁化膜を製造する
方法を提供する。
作用 発明者らは、マグネトロン放電あるいは、電子サイクロ
トロン共鳴（ECR）により得られたプラズマCVD法を用い
ることによって室温でコバルトフェライトが得られるこ
とを見いだした。すなわち、Co,FeおよびＭ（ただしＭ
は、Al,Cr,Fe,Gd,Mn,Inのうちのいずれか一種）を含有
する金属キレート、例えば、Co(C5H7O)3（コバルトアセ
チルアセトン）およびFe(C5H7O)3（鉄アセチルアセト
ン）の蒸気と反応ガスとしての酸素を10-1Torr〜10-4To
rrに減圧された反応容器（チャンバー）に導入して、高
周波あるいは、マイクロ波プラズマを発生させ、基板上
にコバルトフェライト結晶を析出させるものである。
トロン共鳴（ECR）により得られたプラズマCVD法を用い
ることによって室温でコバルトフェライトが得られるこ
とを見いだした。すなわち、Co,FeおよびＭ（ただしＭ
は、Al,Cr,Fe,Gd,Mn,Inのうちのいずれか一種）を含有
する金属キレート、例えば、Co(C5H7O)3（コバルトアセ
チルアセトン）およびFe(C5H7O)3（鉄アセチルアセト
ン）の蒸気と反応ガスとしての酸素を10-1Torr〜10-4To
rrに減圧された反応容器（チャンバー）に導入して、高
周波あるいは、マイクロ波プラズマを発生させ、基板上
にコバルトフェライト結晶を析出させるものである。
このように室温でコバルトフェライトの析出が可能とな
るのは、低圧下10-1〜10-4Torr）におけるマグネトロン
放電や、ECR放電を用いた高密度プラズマ中において
は、化学反応を低温で引きおこす活性なラジカルやイオ
ン等の化学種が多く存在し、通常のCVD（熱による分解
析出をおこすCVD）や通常のプラズマCVD（0.1〜数Torr
でマグネトロン放電やECR放電を用いないプラズマCVD）
では、エネルギー的におこり得ない反応が室温でおこる
ことが可能であるためである。〔例えば、日経マイクロ
デバイス 1985年春号 特別編集版 P.93〜100〕 また一般にマグネトロン放電やECR放電を用いたプラズ
マCVD法は、通常の熱CVD法にくらべて低温（室温付近）
で酸化物、炭化物、窒化物等の高融点物質が合成できる
ばかりでなく、熱分解反応を伴うために低温においても
高純度でしかも結晶性の良い柱状構造の膜が得られる。
そのためコバルトフェライトのような等方性結晶の磁化
膜（面内磁化膜）を低温で垂直磁化膜（コバルトフェラ
イトは、等方性結晶であるため膜の柱状構造による形状
異方性に起因する垂直異方性を利用して、垂直磁化膜と
する）にするのには、最適の方法である。
るのは、低圧下10-1〜10-4Torr）におけるマグネトロン
放電や、ECR放電を用いた高密度プラズマ中において
は、化学反応を低温で引きおこす活性なラジカルやイオ
ン等の化学種が多く存在し、通常のCVD（熱による分解
析出をおこすCVD）や通常のプラズマCVD（0.1〜数Torr
でマグネトロン放電やECR放電を用いないプラズマCVD）
では、エネルギー的におこり得ない反応が室温でおこる
ことが可能であるためである。〔例えば、日経マイクロ
デバイス 1985年春号 特別編集版 P.93〜100〕 また一般にマグネトロン放電やECR放電を用いたプラズ
マCVD法は、通常の熱CVD法にくらべて低温（室温付近）
で酸化物、炭化物、窒化物等の高融点物質が合成できる
ばかりでなく、熱分解反応を伴うために低温においても
高純度でしかも結晶性の良い柱状構造の膜が得られる。
そのためコバルトフェライトのような等方性結晶の磁化
膜（面内磁化膜）を低温で垂直磁化膜（コバルトフェラ
イトは、等方性結晶であるため膜の柱状構造による形状
異方性に起因する垂直異方性を利用して、垂直磁化膜と
する）にするのには、最適の方法である。
実施例 以下、本発明の一実施例について、図面にもとづいて説
明する。図は、本発明の一実施例におけるマグネトロン
放電プラズマCVD装置の概略図を示すものである。図に
おいて、11は反応チャンバー、12はマグネトロン放電を
行なうためのマグネットを内蔵した高周波電極、13は高
周波電源、14は基板ホルダー、15は基板、16はコバルト
を含有するキレートのバブラー、17は鉄を含有するキレ
ートのバブラー、18はＭ（ただし、ＭはAl,Cr,Gd,Mn,In
のうちのいずれか一種）を含有するキレートのバブラ
ー、19は窒素（N2）キャリアガスのボンベ、20はO2反応
ガスのボンベ、21はロータリーポンプである。
明する。図は、本発明の一実施例におけるマグネトロン
放電プラズマCVD装置の概略図を示すものである。図に
おいて、11は反応チャンバー、12はマグネトロン放電を
行なうためのマグネットを内蔵した高周波電極、13は高
周波電源、14は基板ホルダー、15は基板、16はコバルト
を含有するキレートのバブラー、17は鉄を含有するキレ
ートのバブラー、18はＭ（ただし、ＭはAl,Cr,Gd,Mn,In
のうちのいずれか一種）を含有するキレートのバブラ
ー、19は窒素（N2）キャリアガスのボンベ、20はO2反応
ガスのボンベ、21はロータリーポンプである。
まずコバルトアセチルアセトン〔Co(C5H7O)3〕，鉄アセ
チルアセトン〔Fe(C5H7O)3〕およびアルミニウムアセチ
ルアセトン〔Al(C5H7O)3〕を150℃に加熱されたバブラ
ー、16,17,18にそれぞれ入れ、バブル用のN2ガス19をそ
れぞれ80cc/分,120cc/分および4cc/分流し、これらの蒸
気をロータリーポンプ21によって減圧状態になった反応
チャンバー11内のアルミニウム基板15に導入する。次に
同じく反応ガスである、酸素（O2）20を200cc/分の流量
で同じくアルミニウム基板上に流し、約25分間反応させ
た。この時のガス圧は1.1×10-2Torrで基板の温度は40
℃、高周波電力（13.56MHz）は、500W（5W/cm2）であっ
た。またマグネットの磁力は、基板近傍で約400ガウス
であった。この時基板上に析出したコバルトフェライト
の膜厚は、2250Åであった。次にこの膜について、Ｘ線
による結晶構造の解析、およびカー回転角の測定（波長
780nmのレーザ光をフェライト膜上に入射させアルミ面
で反射し再びフェライト膜を通過してきたレーザ光を検
出して測定）を行なった。その時の結果を表の試料番号
１に示す。以下同様にして、基板温度、キレートの種
類、バブラーの量（N2の流量）、反応チャンバーの圧力
（ロータリーポンプのバルブ操作により変化させる）マ
グネットの強さ、プラズマ発生の方法等を変化させたと
きの、Ｘ線解析、カー効果（カー回転角の大きさ）を表
の試料番号２〜24に示す。また試料番号25〜26は、本発
明外の比較例である。
チルアセトン〔Fe(C5H7O)3〕およびアルミニウムアセチ
ルアセトン〔Al(C5H7O)3〕を150℃に加熱されたバブラ
ー、16,17,18にそれぞれ入れ、バブル用のN2ガス19をそ
れぞれ80cc/分,120cc/分および4cc/分流し、これらの蒸
気をロータリーポンプ21によって減圧状態になった反応
チャンバー11内のアルミニウム基板15に導入する。次に
同じく反応ガスである、酸素（O2）20を200cc/分の流量
で同じくアルミニウム基板上に流し、約25分間反応させ
た。この時のガス圧は1.1×10-2Torrで基板の温度は40
℃、高周波電力（13.56MHz）は、500W（5W/cm2）であっ
た。またマグネットの磁力は、基板近傍で約400ガウス
であった。この時基板上に析出したコバルトフェライト
の膜厚は、2250Åであった。次にこの膜について、Ｘ線
による結晶構造の解析、およびカー回転角の測定（波長
780nmのレーザ光をフェライト膜上に入射させアルミ面
で反射し再びフェライト膜を通過してきたレーザ光を検
出して測定）を行なった。その時の結果を表の試料番号
１に示す。以下同様にして、基板温度、キレートの種
類、バブラーの量（N2の流量）、反応チャンバーの圧力
（ロータリーポンプのバルブ操作により変化させる）マ
グネットの強さ、プラズマ発生の方法等を変化させたと
きの、Ｘ線解析、カー効果（カー回転角の大きさ）を表
の試料番号２〜24に示す。また試料番号25〜26は、本発
明外の比較例である。
ここでＸ線解析は、コバルトフェライトの結晶構造と膜
の配向性、および添加物Ｍ（ただしＭはAl,Cr,Fe,Gd,M
n,Inのうちのいずれか一種）の固溶状態を調べた。また
カー効果（カー回転角の大きさ）は、偏光面変調法〔例
えば、今村テレビジョン学会誌39巻４号 1985年 366
ページ〕により調べた。またコバルトフェライト膜が垂
直磁化膜かどうかは、VSM（振動試料型磁力計）による
膜の磁気特性（B-Hカーブ）から調べた。
の配向性、および添加物Ｍ（ただしＭはAl,Cr,Fe,Gd,M
n,Inのうちのいずれか一種）の固溶状態を調べた。また
カー効果（カー回転角の大きさ）は、偏光面変調法〔例
えば、今村テレビジョン学会誌39巻４号 1985年 366
ページ〕により調べた。またコバルトフェライト膜が垂
直磁化膜かどうかは、VSM（振動試料型磁力計）による
膜の磁気特性（B-Hカーブ）から調べた。
なお、チャンバー内の減圧を10-1Torr〜10-4Torrとした
のは、10-1Torrより気圧が高いとチャンバー内の各種粒
子（中性、ラジカル、イオン等）の平均自由行程が短か
くなり各種粒子がある程度の運動エネルギーを持って反
応に寄与することが困難になる。そのため低温でコバル
トフェライトを合成するのがむずかしくなるためであ
る。また10-4Torr以下になるとマグネトロン放電を維持
することが困難であり、またフェライト膜の成長速度が
低くなってしまうからである。
のは、10-1Torrより気圧が高いとチャンバー内の各種粒
子（中性、ラジカル、イオン等）の平均自由行程が短か
くなり各種粒子がある程度の運動エネルギーを持って反
応に寄与することが困難になる。そのため低温でコバル
トフェライトを合成するのがむずかしくなるためであ
る。また10-4Torr以下になるとマグネトロン放電を維持
することが困難であり、またフェライト膜の成長速度が
低くなってしまうからである。
発明の効果 以上述べてきたように、本発明によれば、低圧プラズマ
の活性さを巧みに利用して、50℃以下の低温で光磁気効
果の大きいコバルトフェライトの垂直膜が作成できる方
法であって、高密度の光熱磁気記録を達成するのにきわ
めて有益な発明である。
の活性さを巧みに利用して、50℃以下の低温で光磁気効
果の大きいコバルトフェライトの垂直膜が作成できる方
法であって、高密度の光熱磁気記録を達成するのにきわ
めて有益な発明である。
【図面の簡単な説明】 図は、本発明の一実施例におけるプラズマCVD装置の概
略図である。 11……反応チャンバー、12……マグネトロン放電を行な
うためのマグネットを内蔵した高周波電極、13……高周
波電源、14……基板ホルダー、15……基板、16……コバ
ルトを含有するキレートのバブラー、17……鉄を含有す
るキレートのバブラー、18……Ｍ（ただし、ＭはAl,Cr,
Gd,Mn,Inのうちのいずれか一種）を含有するキレートの
バブラー、19……窒素（N2）キャリアガスのボンベ、20
……O2反応ガスのボンベ、21……ロータリーポンプ。
略図である。 11……反応チャンバー、12……マグネトロン放電を行な
うためのマグネットを内蔵した高周波電極、13……高周
波電源、14……基板ホルダー、15……基板、16……コバ
ルトを含有するキレートのバブラー、17……鉄を含有す
るキレートのバブラー、18……Ｍ（ただし、ＭはAl,Cr,
Gd,Mn,Inのうちのいずれか一種）を含有するキレートの
バブラー、19……窒素（N2）キャリアガスのボンベ、20
……O2反応ガスのボンベ、21……ロータリーポンプ。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｂ 5/706 7215−5Ｄ 5/85 Ｚ 7303−5Ｄ (72)発明者 沖中 秀行 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭57−117225（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−124901（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−275761（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】コバルト（Co），鉄（Fe）およびＭ〔ただ
し、Ｍはアルミニウム（Al），クロム（Cr），鉄（F
e），ガドリニウム（Gd），マンガン（Mn），インジウ
ム（In）のうちのいずれか一種〕を含有する金属キレー
トの蒸気と、反応ガスとしての酸素ガス(O2)を10-1Torr
〜10-4Torrに減圧されたチャンバー内に導入し、マグネ
トロン放電を用いたプラズマあるいは、電子サイクロト
ロン共鳴により生じたプラズマ中でこれらの蒸気を分解
させ、基板上に、一般式CoFe2-XMXO4〔ただし、Ｍは、A
l,Cr,Fe,Gd,Mn,Inのうちのいずれか一種の元素で、Ｘ
は、０〜1.0の数〕で示されるフェライトを析出させる
ことを特徴とするフェライト薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9378586A JPH0697647B2 (ja) | 1986-04-23 | 1986-04-23 | フエライト薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9378586A JPH0697647B2 (ja) | 1986-04-23 | 1986-04-23 | フエライト薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62250625A JPS62250625A (ja) | 1987-10-31 |
| JPH0697647B2 true JPH0697647B2 (ja) | 1994-11-30 |
Family
ID=14092065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9378586A Expired - Lifetime JPH0697647B2 (ja) | 1986-04-23 | 1986-04-23 | フエライト薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0697647B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02165447A (ja) * | 1988-12-16 | 1990-06-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JPH02166647A (ja) * | 1988-12-20 | 1990-06-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JPH04182918A (ja) * | 1990-11-19 | 1992-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固定磁気ディスクおよびその製造方法 |
| CN113087532B (zh) * | 2021-03-04 | 2022-10-14 | 电子科技大学 | 一种高性能NiZn铁氧体薄膜的制备方法 |
-
1986
- 1986-04-23 JP JP9378586A patent/JPH0697647B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62250625A (ja) | 1987-10-31 |
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