JPH02166731A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH02166731A JPH02166731A JP32506588A JP32506588A JPH02166731A JP H02166731 A JPH02166731 A JP H02166731A JP 32506588 A JP32506588 A JP 32506588A JP 32506588 A JP32506588 A JP 32506588A JP H02166731 A JPH02166731 A JP H02166731A
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- JP
- Japan
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- contact hole
- layer
- substrate
- metal layer
- tungsten layer
- Prior art date
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に係り、コンタクトホ
ール内の例えばエミツタ、コレクタ、ソース等の基板拡
散層と配線層とのコンタクト形成に適用することができ
、詳しくは特に、コンタクトホール内の基板拡散層と配
線層とのコンタクトを良好に行うことができる半導体装
置の製造方法に関するものである。
ール内の例えばエミツタ、コレクタ、ソース等の基板拡
散層と配線層とのコンタクト形成に適用することができ
、詳しくは特に、コンタクトホール内の基板拡散層と配
線層とのコンタクトを良好に行うことができる半導体装
置の製造方法に関するものである。
例えばバイポーラトランジスタ等の半導体装直において
、この半導体装置を構成するコンタクトホール内の基板
拡散層とコンタクトを採るために、コンタクトホール内
を金属からなる配線層で埋め込むという方法技術がある
。この配線層をコンタクトボール内に埋め込む方法とし
て知られているものには２通りあり、具体的には化学気
相成長（ＣＶＤ）法により配線層をコンタクトホール内
のみに選択的に埋め込むという方法と、ＣＶＤ法により
配線層をコンタクトホールを覆って全面に形成してから
エッチバックしてコンタクトホール内を埋め込むという
方法である。本発明は、この後者の方法に関するもので
ある。
、この半導体装置を構成するコンタクトホール内の基板
拡散層とコンタクトを採るために、コンタクトホール内
を金属からなる配線層で埋め込むという方法技術がある
。この配線層をコンタクトボール内に埋め込む方法とし
て知られているものには２通りあり、具体的には化学気
相成長（ＣＶＤ）法により配線層をコンタクトホール内
のみに選択的に埋め込むという方法と、ＣＶＤ法により
配線層をコンタクトホールを覆って全面に形成してから
エッチバックしてコンタクトホール内を埋め込むという
方法である。本発明は、この後者の方法に関するもので
ある。
以下、従来技術について説明する。
第３図（ａ）〜（ｅ）は従来の半導体装置の製造方法を
説明する図である。図示例の半導体装置の製造方法は例
えばバイポーラトランジスタ等の半導体装置の製造方法
に適用ず４ことができる。
説明する図である。図示例の半導体装置の製造方法は例
えばバイポーラトランジスタ等の半導体装置の製造方法
に適用ず４ことができる。
この図において、２１はＳｉからなる基板、２２は例え
ばＳｉＯ□からなる絶縁膜、２３はコンタクトホール、
２４は例えば（ＷＸＴｉＷや、ＴｉＮ５ＷＮ等の金属窒
化膜等でも良い）Ｔｉからなる金属層、２５は配線とし
て機能するタングステン（Ｗ）層、２６はＡ、 Ｎから
なる配線層である。
ばＳｉＯ□からなる絶縁膜、２３はコンタクトホール、
２４は例えば（ＷＸＴｉＷや、ＴｉＮ５ＷＮ等の金属窒
化膜等でも良い）Ｔｉからなる金属層、２５は配線とし
て機能するタングステン（Ｗ）層、２６はＡ、 Ｎから
なる配線層である。
次に、その製造工程について説明する。
まず、第３図（ａ）に示すように、例えばＣＶＤ法によ
り基板２１上にＳ ｉ Ｏｚを堆積して絶縁膜２２を形
成した後、例えばＲＩＥ法により絶縁膜２２を選択的に
エツチングしてコンタクトホール２３を形成する。
り基板２１上にＳ ｉ Ｏｚを堆積して絶縁膜２２を形
成した後、例えばＲＩＥ法により絶縁膜２２を選択的に
エツチングしてコンタクトホール２３を形成する。
次に、第３図（ｂ）に示すように、スパッタ法によりコ
ンタクトホール２３内及び絶縁膜２２を覆うようにＴｉ
を堆積して金属層２４を形成する。
ンタクトホール２３内及び絶縁膜２２を覆うようにＴｉ
を堆積して金属層２４を形成する。
ここで、金属層２４をＳｉＯ□からなる絶縁膜２２とタ
ングステン層２５の間に形成しているのは、５ｉ０２か
らなる絶縁膜２２と、ＣＶＤ法によって形成したタング
ステン層２５との密着性が悪いのを防いで密着性を良く
するためである。具体的には金属層２４を絶縁膜２２に
対してスパッタ法で形成しているため、絶縁膜２２と金
属層２４の密着性が良くなっており、金属層２４とタン
グステン層２５の密着性も良いので、金属層２４を介し
て絶縁膜２２とタングステン層の常着性が向上している
。したがって、こごでの金属層２４は絶縁膜２２及びタ
ングステン層２５に対して密、；り膜として機能してい
るのである。
ングステン層２５の間に形成しているのは、５ｉ０２か
らなる絶縁膜２２と、ＣＶＤ法によって形成したタング
ステン層２５との密着性が悪いのを防いで密着性を良く
するためである。具体的には金属層２４を絶縁膜２２に
対してスパッタ法で形成しているため、絶縁膜２２と金
属層２４の密着性が良くなっており、金属層２４とタン
グステン層２５の密着性も良いので、金属層２４を介し
て絶縁膜２２とタングステン層の常着性が向上している
。したがって、こごでの金属層２４は絶縁膜２２及びタ
ングステン層２５に対して密、；り膜として機能してい
るのである。
次に、第３図（Ｃ）に示すように、ＣＶＤ法により金属
層２４を覆うようにタングステン層２５を形成する。
層２４を覆うようにタングステン層２５を形成する。
次に、第３図（ｄ）に示すように、タングステン層２５
をエッチハックしてコンタクトホール２３内にタングス
テン層２５．を埋め込む。
をエッチハックしてコンタクトホール２３内にタングス
テン層２５．を埋め込む。
そして、第３図（ｅ）に示すように、スパッタ法により
タングステン層２５とコンタクトを採るよ・）ＱこＡ７
！を堆積して配線層２６を形成する。なお、コンタクト
ホール２３内の基板２１には通常、第３図（ａ）に示す
コンタクトホール２３形成後、イオン注入しアニール熱
処理することにより基板拡１１シ層（図示せず）が形成
される。
タングステン層２５とコンタクトを採るよ・）ＱこＡ７
！を堆積して配線層２６を形成する。なお、コンタクト
ホール２３内の基板２１には通常、第３図（ａ）に示す
コンタクトホール２３形成後、イオン注入しアニール熱
処理することにより基板拡１１シ層（図示せず）が形成
される。
しかしながら、このような従来の半導体装置の製造方法
にあっては、素子微細化に伴ってコンタクトポール２３
を小ざく（アスペクト比が１以上）形成しなければなら
ず、これに伴いコンタクトホール２３での段差が厳しく
なると（具体的にはコンタク１−ホール２３径が小さく
、かつコンタクトホール２３の高さが高くなること）、
第４図（ａ）に示すように、コンタクトホール２３を覆
ってタングステン層２５を形成する際、タングステン層
２５に中空（第４図（ａ）に示すＸ部、いわゆる″す″
）が入ってしまう。このため、第４図（ｂ）に示すよう
に、タングステン層２５をエッチバックしてコンタクト
ホール２３内にタングステン層２５を埋め込む際、コン
タクトホール２３内の基板２１が工・ノチングされ易い
という問題があった。これは微細化される程顕著になる
傾向がある。コンタクトホール２３内の基板２１がエツ
チングされ易いのは、タングステン層２５のエッチバッ
クがタングステン層２５の絶縁膜２２上の部分の厚み（
第４図（ａ）に示すＹ部）で決まるのであるが、タング
ステン層２５に生じる中空の部分下の厚み（第４図（ａ
）に示す２部）が中空が形成されることによって、上記
厚め（Ｙ部）に対して不充分になることにより生じるの
である。したがって、コンタクトホール２３内の基板２
１に形成された基板拡散層までエツチングされてしまい
コンタクト不良が生じてしまい素子特性が悪くなってし
まうのである。
にあっては、素子微細化に伴ってコンタクトポール２３
を小ざく（アスペクト比が１以上）形成しなければなら
ず、これに伴いコンタクトホール２３での段差が厳しく
なると（具体的にはコンタク１−ホール２３径が小さく
、かつコンタクトホール２３の高さが高くなること）、
第４図（ａ）に示すように、コンタクトホール２３を覆
ってタングステン層２５を形成する際、タングステン層
２５に中空（第４図（ａ）に示すＸ部、いわゆる″す″
）が入ってしまう。このため、第４図（ｂ）に示すよう
に、タングステン層２５をエッチバックしてコンタクト
ホール２３内にタングステン層２５を埋め込む際、コン
タクトホール２３内の基板２１が工・ノチングされ易い
という問題があった。これは微細化される程顕著になる
傾向がある。コンタクトホール２３内の基板２１がエツ
チングされ易いのは、タングステン層２５のエッチバッ
クがタングステン層２５の絶縁膜２２上の部分の厚み（
第４図（ａ）に示すＹ部）で決まるのであるが、タング
ステン層２５に生じる中空の部分下の厚み（第４図（ａ
）に示す２部）が中空が形成されることによって、上記
厚め（Ｙ部）に対して不充分になることにより生じるの
である。したがって、コンタクトホール２３内の基板２
１に形成された基板拡散層までエツチングされてしまい
コンタクト不良が生じてしまい素子特性が悪くなってし
まうのである。
そこで本発明は、コンタクトホールを覆ってタングステ
ン層を形成する際、タングステン層に中空を入り難くす
ることができ、タングステン層をエツチングしてコンタ
クトホール内に埋め込む際、コンタクトホール内の基板
をエツチングされ難くすることができ、コンタクトポー
ル内のコンタクトを良好に行って素子特性を良好にする
ことができる半導体装置の製造方法を提供することを目
的としている。
ン層を形成する際、タングステン層に中空を入り難くす
ることができ、タングステン層をエツチングしてコンタ
クトホール内に埋め込む際、コンタクトホール内の基板
をエツチングされ難くすることができ、コンタクトポー
ル内のコンタクトを良好に行って素子特性を良好にする
ことができる半導体装置の製造方法を提供することを目
的としている。
本発明による半導体装置の製造方法は上記目的達成のた
め、基板上にコンタクトホールを有するように絶縁膜を
形成する工程と、スパッタ法により前記コンタクトホー
ル内及び前記絶縁膜を覆うように金属層を形成する工程
と、異方性エツチングにより前記金属層を選択的にエツ
チングして前記コンタクトポール内に前記基板を露出さ
せるとともに、前記コンタクトホール内の前記絶縁膜側
壁に前記金属層を残す工程と、化学気相成長法により前
記コンタクｌ−ホール内、に露出された前記基板及び前
記金属層を覆うようにタングステン層を形成する工程と
、前記タングステン層をエツチングして前記コンタクト
ホール内に埋め込む工程と、埋め込まれた前記タングス
テン層とコンタクトを採るように配線層を形成する工程
とを含むものである。
め、基板上にコンタクトホールを有するように絶縁膜を
形成する工程と、スパッタ法により前記コンタクトホー
ル内及び前記絶縁膜を覆うように金属層を形成する工程
と、異方性エツチングにより前記金属層を選択的にエツ
チングして前記コンタクトポール内に前記基板を露出さ
せるとともに、前記コンタクトホール内の前記絶縁膜側
壁に前記金属層を残す工程と、化学気相成長法により前
記コンタクｌ−ホール内、に露出された前記基板及び前
記金属層を覆うようにタングステン層を形成する工程と
、前記タングステン層をエツチングして前記コンタクト
ホール内に埋め込む工程と、埋め込まれた前記タングス
テン層とコンタクトを採るように配線層を形成する工程
とを含むものである。
（作用）
本発明は、基板上にコンタクトホールを有するように絶
縁膜が形成され、スパッタ法によりコンタクトホール内
及び絶縁１１々が覆われるように金属層が形成された後
、異方性エツチングにより金属層が選択的にエツチング
されてコンタクトホール内に基板が露出されるとともに
、コンタクトホール内の絶縁膜側壁に金属層が残される
。次いで、化学気相成長法により露出された基板及び金
属層が覆われるようにタングステン層が形成され、タン
グステン層がエツチングされてコンタクトボール内に埋
め込まれた後、埋め込まれたタングステン層とコンタク
トを採るように配線層が形成される。
縁膜が形成され、スパッタ法によりコンタクトホール内
及び絶縁１１々が覆われるように金属層が形成された後
、異方性エツチングにより金属層が選択的にエツチング
されてコンタクトホール内に基板が露出されるとともに
、コンタクトホール内の絶縁膜側壁に金属層が残される
。次いで、化学気相成長法により露出された基板及び金
属層が覆われるようにタングステン層が形成され、タン
グステン層がエツチングされてコンタクトボール内に埋
め込まれた後、埋め込まれたタングステン層とコンタク
トを採るように配線層が形成される。
したがって、第１図（ｄ）に示すように、ＣＶＤ法によ
りタングステン層２５がコンタク１−ホール２３を覆っ
て形成される際、第２図に示すように、タングステンは
Ｓｉからなる基板２１上を成長する成長速度（Ａ部）と
スパッタ法により形成した金属層２４上を成長する成長
速度（Ｂ部）とが異なっており、Ｓｉからなる基板２１
上を成長する成長速度の方が速くなっている。このため
、コンタクトホール２３を覆ってタングステン層２５を
形成する際、コンタク１−ホール２３内の露出された基
板２１上の方（第２図に示すＡ部）がコンタクトホール
２３内の金属層２４横方向（Ｂ部）よりも成長速度が大
きく厚く形成することができるため、タングステン層２
５に中空を入り難くすることができ、第１図（ｅ）に示
すように、タングステン層２５をエッチバンクしてコン
タクトホール２３内に埋め込む際、露出された基板２１
上にタングステン層２５を厚く形成することができるた
め、コンタクトホール２３内の基板２１をエツチングさ
れ難くすることができる。そして、コンタクトホール２
３内に形成される基板拡散層をエツチングされ難くする
ことができ、コンタクトホール２３内のコンタクトを良
好に行って素子特性を良好にすることができる。
りタングステン層２５がコンタク１−ホール２３を覆っ
て形成される際、第２図に示すように、タングステンは
Ｓｉからなる基板２１上を成長する成長速度（Ａ部）と
スパッタ法により形成した金属層２４上を成長する成長
速度（Ｂ部）とが異なっており、Ｓｉからなる基板２１
上を成長する成長速度の方が速くなっている。このため
、コンタクトホール２３を覆ってタングステン層２５を
形成する際、コンタク１−ホール２３内の露出された基
板２１上の方（第２図に示すＡ部）がコンタクトホール
２３内の金属層２４横方向（Ｂ部）よりも成長速度が大
きく厚く形成することができるため、タングステン層２
５に中空を入り難くすることができ、第１図（ｅ）に示
すように、タングステン層２５をエッチバンクしてコン
タクトホール２３内に埋め込む際、露出された基板２１
上にタングステン層２５を厚く形成することができるた
め、コンタクトホール２３内の基板２１をエツチングさ
れ難くすることができる。そして、コンタクトホール２
３内に形成される基板拡散層をエツチングされ難くする
ことができ、コンタクトホール２３内のコンタクトを良
好に行って素子特性を良好にすることができる。
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第１図及び第２図は本発明に係る半導体装置の製造方法
の一実施例を説明する図であり、第１図（ａ）〜（ｆ）
は一実施例の製造工程を説明する図、第２図は一実施例
の効果を説明する図である。
の一実施例を説明する図であり、第１図（ａ）〜（ｆ）
は一実施例の製造工程を説明する図、第２図は一実施例
の効果を説明する図である。
これらの図において、第３図（ａ）〜（Ｃ）と同一符号
は同一または相当部分を示し、１はレジスＩ−膜である
。
は同一または相当部分を示し、１はレジスＩ−膜である
。
なお、金属層２４は絶縁膜２２とタングステン層２５に
対して密着膜として機能しうるものである。
対して密着膜として機能しうるものである。
次に、その製造工程について説明する。
まず、第１図（ａ）に示すように、例えばＣＶＤ法によ
り基板２１上にＳｉＯ□を堆積して膜厚が例えば１μｍ
の絶縁膜２２を形成した後、例えばＲＩＥ法により絶縁
膜２２を選択的にエツチングして直径が例えば０．５φ
のコンタクトホール２３を形成する。これが本発明の、
基板上にコンタクトホールを有するように絶縁膜を形成
する工程に該当する。
り基板２１上にＳｉＯ□を堆積して膜厚が例えば１μｍ
の絶縁膜２２を形成した後、例えばＲＩＥ法により絶縁
膜２２を選択的にエツチングして直径が例えば０．５φ
のコンタクトホール２３を形成する。これが本発明の、
基板上にコンタクトホールを有するように絶縁膜を形成
する工程に該当する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、スパッタ法によりコ
ンタクトホール２３内及び絶縁膜２２を覆うようにＴｉ
を堆積して膜厚が例えば５００人の金属層２４を形成す
る。これが本発明の、スパッタ法によりコンタク１−ホ
ール内及び絶縁膜を覆うように金属層を形成する工程に
該当する。
ンタクトホール２３内及び絶縁膜２２を覆うようにＴｉ
を堆積して膜厚が例えば５００人の金属層２４を形成す
る。これが本発明の、スパッタ法によりコンタク１−ホ
ール内及び絶縁膜を覆うように金属層を形成する工程に
該当する。
次に、第１図（ｃ）に示すように、金属層２４上にレジ
ス［・膜１を選択的に形成し、このレジスト膜１をマス
クとして異方性エツチングにより金属層２４を選択的に
エツチングしてコンタクトホール２３因に基十反２１を
露出させるとともに、コンタクトホール２３内の絶縁膜
２２側壁に金属層２４を残す。これが本発明の、異方性
エツチングにより金属層を選択的にエツチングしてコン
タクトボール内に基（反を露出させるとともに、コンタ
クトホール内の絶縁膜側壁に金属層を残す工程に該当す
る。
ス［・膜１を選択的に形成し、このレジスト膜１をマス
クとして異方性エツチングにより金属層２４を選択的に
エツチングしてコンタクトホール２３因に基十反２１を
露出させるとともに、コンタクトホール２３内の絶縁膜
２２側壁に金属層２４を残す。これが本発明の、異方性
エツチングにより金属層を選択的にエツチングしてコン
タクトボール内に基（反を露出させるとともに、コンタ
クトホール内の絶縁膜側壁に金属層を残す工程に該当す
る。
次に、第１図（ｄ）に示すように、レジスト膜１を除去
した後、ＣＶＤ法によりコンタクトホール内に露出され
た基板２１及び金属層２４を覆うようにタングステン層
２５を形成する。これが本発明の、化学気相成長法によ
りコンタクトホール内に露出された基板及び金属層を覆
うようにタングステン層を形成する工程に該当する。こ
こでのＣＶＤ法に用いられる還元ガスとしては■■２ガ
スまたは５ｉｔ１．ガスが挙げられるが、Ｈ２ガスを用
いると基板２１を侵食し易いので基板２１を侵食し難い
ＳｉＨ，ガスを用いるのが好ましい。
した後、ＣＶＤ法によりコンタクトホール内に露出され
た基板２１及び金属層２４を覆うようにタングステン層
２５を形成する。これが本発明の、化学気相成長法によ
りコンタクトホール内に露出された基板及び金属層を覆
うようにタングステン層を形成する工程に該当する。こ
こでのＣＶＤ法に用いられる還元ガスとしては■■２ガ
スまたは５ｉｔ１．ガスが挙げられるが、Ｈ２ガスを用
いると基板２１を侵食し易いので基板２１を侵食し難い
ＳｉＨ，ガスを用いるのが好ましい。
次に、第１図（ｅ）に示すように、タングステン層２５
をエッチバックしてコンタクトホール２３内に埋め込む
。これが本発明の、タングステン層をエツチングし“ご
コンタクトボール内に埋め込む工程に該当する。
をエッチバックしてコンタクトホール２３内に埋め込む
。これが本発明の、タングステン層をエツチングし“ご
コンタクトボール内に埋め込む工程に該当する。
そして、第１図（「）に示すように、スパッタ法により
埋め込まれたタングステン層２５とコトタクトを採るよ
うにＡｆを堆積して配線層２６を形成する。これが本発
明の、埋め込まれたタングステン層とコンタクトを採る
ように配線層を形成する工程に該当する。なお、コンタ
クトホール２３内の基板２１には通常、第１図（ａ）に
示すコンタクトホール２３形成後、イオン注入しアニー
ル熱処理することにより基板拡散層が形成される。
埋め込まれたタングステン層２５とコトタクトを採るよ
うにＡｆを堆積して配線層２６を形成する。これが本発
明の、埋め込まれたタングステン層とコンタクトを採る
ように配線層を形成する工程に該当する。なお、コンタ
クトホール２３内の基板２１には通常、第１図（ａ）に
示すコンタクトホール２３形成後、イオン注入しアニー
ル熱処理することにより基板拡散層が形成される。
すなわち、上記実施例では、第１図（Ｃ）に示すように
、コンタクトホール２３内に基板２１を露出させるとと
もに、コンタクトホール２３内の絶縁膜２２側壁に金属
層２４を残るようにした後、第１図（ｄ）に示すように
、ＣＶＤ法により、コンタクドアに−ル２３内に露出さ
れた基板２１及び金属層２４を覆うようにタングステン
層２５を形成している。ここで、ＣＶＤ法によりタング
ステン層２５がコンタクトホール２３を覆って形成され
る際、第２図に示すように、タングステンはＳｉからな
る基板２１上を成長する成長速度（Ａ部）とスパッタ法
により形成した金属層２４上を成長する成長速度（Ｂ部
）とが異なっており、Ｓｉからなる基板２１上を成長す
る成長速度の方が速くなっている。このため、コンタク
トホール２３を覆ってタングステン層２５を形成する際
、コンタク［・ホール２３内の露出された基板２１上（
第２図に示すＡ部）の方がコンタクトボール２３内の金
属層２４横方向（Ｂ部）よりも成長速度が大きく厚く形
成することができるため、タングステン層２５に中空を
入り難くすることができる。ぞして、タングステン層２
５をエッチバックしてコンタク１−ホール２３内に埋め
込む際、露出された基板２１上にタングステン層２５を
厚く形成することができるため、コンタクトホール２３
＋内の基（反２１を１７チングされ難くすることができ
る。したがって、コンタク１ホール２３内に形成される
基板拡散層をエツチングされ難くすることができ、コン
タクトホール２３内のコンタクトを良好に行って素子特
性を良好にすることができる。
、コンタクトホール２３内に基板２１を露出させるとと
もに、コンタクトホール２３内の絶縁膜２２側壁に金属
層２４を残るようにした後、第１図（ｄ）に示すように
、ＣＶＤ法により、コンタクドアに−ル２３内に露出さ
れた基板２１及び金属層２４を覆うようにタングステン
層２５を形成している。ここで、ＣＶＤ法によりタング
ステン層２５がコンタクトホール２３を覆って形成され
る際、第２図に示すように、タングステンはＳｉからな
る基板２１上を成長する成長速度（Ａ部）とスパッタ法
により形成した金属層２４上を成長する成長速度（Ｂ部
）とが異なっており、Ｓｉからなる基板２１上を成長す
る成長速度の方が速くなっている。このため、コンタク
トホール２３を覆ってタングステン層２５を形成する際
、コンタク［・ホール２３内の露出された基板２１上（
第２図に示すＡ部）の方がコンタクトボール２３内の金
属層２４横方向（Ｂ部）よりも成長速度が大きく厚く形
成することができるため、タングステン層２５に中空を
入り難くすることができる。ぞして、タングステン層２
５をエッチバックしてコンタク１−ホール２３内に埋め
込む際、露出された基板２１上にタングステン層２５を
厚く形成することができるため、コンタクトホール２３
＋内の基（反２１を１７チングされ難くすることができ
る。したがって、コンタク１ホール２３内に形成される
基板拡散層をエツチングされ難くすることができ、コン
タクトホール２３内のコンタクトを良好に行って素子特
性を良好にすることができる。
なお、上記実施例では、第１図（ｃ’）に示すようにコ
ンタクトホール２３内に基板２１を露出させるとともに
、コンタクトボール２３内の絶縁膜２２側壁に金属層２
４を残した後、直ちにタングステン層２５を形成すると
いう場合について説明したが、本発明はこれに限定され
るものではな（、コンタクＦ・ボール２３内に、２！−
仮２工を露出さ・Ｃ−乙とともに、コンタクトボール２
３内の絶縁膜２２側壁に金属層２＝１を残した後、フン
酸（ＩＩＦ）ヘイパーによりトライ処理（フン酸溶液に
よるウェット処理でもよい）してからタングステン層２
５を形成する場合であってもよく、この場合、上記実施
例よりもタングステン層２５に中空を入り難くすること
ができる。これは、３ｉからなる基板２１上の自然酸化
膜をフッ故ヘイパーにより除去することができるが、金
属層２４上の金属酸化膜は７７ Ｍヘイバーにより除去
てきないことにより、基板２１上及び金属層２４上へタ
ングステンが成長する成長速度の差が上記実施例よりも
大きくなるごとによるものと考えられる。
ンタクトホール２３内に基板２１を露出させるとともに
、コンタクトボール２３内の絶縁膜２２側壁に金属層２
４を残した後、直ちにタングステン層２５を形成すると
いう場合について説明したが、本発明はこれに限定され
るものではな（、コンタクＦ・ボール２３内に、２！−
仮２工を露出さ・Ｃ−乙とともに、コンタクトボール２
３内の絶縁膜２２側壁に金属層２＝１を残した後、フン
酸（ＩＩＦ）ヘイパーによりトライ処理（フン酸溶液に
よるウェット処理でもよい）してからタングステン層２
５を形成する場合であってもよく、この場合、上記実施
例よりもタングステン層２５に中空を入り難くすること
ができる。これは、３ｉからなる基板２１上の自然酸化
膜をフッ故ヘイパーにより除去することができるが、金
属層２４上の金属酸化膜は７７ Ｍヘイバーにより除去
てきないことにより、基板２１上及び金属層２４上へタ
ングステンが成長する成長速度の差が上記実施例よりも
大きくなるごとによるものと考えられる。
本発明によれば、コンタクトホールを覆ってタングステ
ン層を形成する際、タングステン層に中空を入り難くす
ることができ、タングステン層をエツチングしてコンタ
クトホール内に埋め込む際、コンタクトホール内の基板
をエツチングされ難くすることができ、コンタクトホー
ル内のコンタクトを良好に行って素子特性を良好にする
ことができるという効果がある。
ン層を形成する際、タングステン層に中空を入り難くす
ることができ、タングステン層をエツチングしてコンタ
クトホール内に埋め込む際、コンタクトホール内の基板
をエツチングされ難くすることができ、コンタクトホー
ル内のコンタクトを良好に行って素子特性を良好にする
ことができるという効果がある。
第４図は従来例の課題を説明する図である。
２１・・・・・・基板、
２２・・・・・・絶縁膜、
２３・・・・・・コンタクトホール、
２４・・・・・・金属層、
２５・・・・・・タングステン層、
２Ｇ・・・・・・配線層。
第１図及び第２図は本発明に係る半導体装置の製造方法
の一実施例を説明する図であり、第１図は一実施例の製
造工程を説明する図、第２図は一実施例の効果を説明す
る図、第３図は従来例の製造工程を説明する図、一実施
例の製造工程を説明する図 第１図 第 図
の一実施例を説明する図であり、第１図は一実施例の製
造工程を説明する図、第２図は一実施例の効果を説明す
る図、第３図は従来例の製造工程を説明する図、一実施
例の製造工程を説明する図 第１図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上にコンタクトホールを有するように絶縁膜を形成
する工程と、 スパッタ法により前記コンタクトホール内及び前記絶縁
膜を覆うように金属層を形成する工程と、異方性エッチ
ングにより前記金属層を選択的にエッチングして前記コ
ンタクトホール内に前記基板を露出させるとともに、前
記コンタクトホール内の前記絶縁膜側壁に前記金属層を
残す工程と、化学気相成長法により前記コンタクトホー
ル内に露出された前記基板及び前記金属層を覆うように
タングステン層を形成する工程と、 前記タングステン層をエッチングして前記コンタクトホ
ール内に埋め込む工程と、 埋め込まれた前記タングステン層とコンタクトを採るよ
うに配線層を形成する工程とを含むことを特徴とする半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63325065A JP2692918B2 (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63325065A JP2692918B2 (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02166731A true JPH02166731A (ja) | 1990-06-27 |
| JP2692918B2 JP2692918B2 (ja) | 1997-12-17 |
Family
ID=18172761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63325065A Expired - Lifetime JP2692918B2 (ja) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2692918B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007287921A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Toyota Motor Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2013131653A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-07-04 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62204523A (ja) * | 1986-03-04 | 1987-09-09 | Nec Corp | コンタクト電極の形成方法 |
| JPS63213959A (ja) * | 1987-03-03 | 1988-09-06 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-12-20 JP JP63325065A patent/JP2692918B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62204523A (ja) * | 1986-03-04 | 1987-09-09 | Nec Corp | コンタクト電極の形成方法 |
| JPS63213959A (ja) * | 1987-03-03 | 1988-09-06 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007287921A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Toyota Motor Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2013131653A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-07-04 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2692918B2 (ja) | 1997-12-17 |
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