JPH02167491A - センサ装置 - Google Patents
センサ装置Info
- Publication number
- JPH02167491A JPH02167491A JP63322725A JP32272588A JPH02167491A JP H02167491 A JPH02167491 A JP H02167491A JP 63322725 A JP63322725 A JP 63322725A JP 32272588 A JP32272588 A JP 32272588A JP H02167491 A JPH02167491 A JP H02167491A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor
- voltage
- phototransistor
- collector
- photosensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は、現像処理液のような電解液を使用する場所
に取り付けて好適なセンサ装置に関する。
に取り付けて好適なセンサ装置に関する。
半導体ウェーハの現像処理をなす場合、搬送されてきた
半導体ウェー八をフォトセンサで検知し、半導体ウェー
ハを検知したら半導体ウェーハをチャックに真空吸着し
て、現像処理を開始する。 第５図は、この場合に使用されるフォトセンサ１０の一
例の外観の形状を示すものである。１１は発光ダイオー
ド、１２はフォトトランジスタで、これら発光ダイオー
ド１１及びフォトトランジスタ１２は、モールドされて
いる。そして、外部に導出するリード線の端子と、これ
ら発光ダイオード１１及びフォトトランジスタ１２のア
ルミニウム配線の端子とは、例えは金線などによりボン
ディングされている。 従来、フォトトランジスタ１２の部分は、発光ダイオー
ド１１からの光を受けるため、表面はコーティングされ
ていない。 従来、このフォトセンサ１０を用いた半導体ウェーへの
検知回路は、第６図に示す回路が一般的に用いられてい
る。 この場合、発光ダイオード１１とフォトトランジスタ１
２とは、半導体ウェーハを検知するときには半導体ウェ
ーハを挾むように配置される。この例では、発光ダイオ
ード１１には一定の電流が供給され、これか一定の光量
で発光する。フォトトランジスタ１２のエミッタは接地
され、コレクタは可変抵抗器１３を介して例えば＋５■
の電源端子１４に接続される。そして、フォトトランジ
スタ１２のコレクタと可変抵抗器１３との接続点に得ら
れる電圧Ｖｌは、比較器を構成するオペアンプ１５の一
方の入力端子に供給される。 また、電源端子１４が抵抗１６及び１７を介して接地さ
れ、この抵抗１６及び１７の接続点に電源電圧＋Ｖｃｃ
の分圧電圧ｖｔｈか得られる。この分圧電圧ｖｔｈは、
オペアンプ１５の他方の入力端子に比較用スレッショー
ルド値として供給される。なお、抵抗１８及び１９は、
帰還回路を構成しており、この比較回路１５はヒステリ
シス特性を有するが、以下の説明においては、簡単のた
め、このヒステリシスはないものとして説明する。 以上の回路において、半導体ウェーハが発光ダイオード
１１とフォトトランジスタ１２との間にあるときは、発
光ダイオード１１からフォトトランジスタ１２に入射す
る光量は、遮られる分たけ少なくなるのでフォトトラン
ジスタ１２は非導通方向となり、電圧Ｖｌは高く、スレ
ッショールド値ｖｔｈを越えるので、オペアンプ１５の
出力ＳＤは「１」となる。 一方、半導体ウェーハがないときは、発光タイオード１
１からフォトトランジスタ１２に入射する光量は多くな
る。このため、フォトトランジスタ１２は導通方向とな
るので電圧Ｖｌは低くなり、スレッショールド値ｖｔｈ
よりも小さくなるので、オペアンプ１５の出力ＳＤはｒ
□、となる。
半導体ウェー八をフォトセンサで検知し、半導体ウェー
ハを検知したら半導体ウェーハをチャックに真空吸着し
て、現像処理を開始する。 第５図は、この場合に使用されるフォトセンサ１０の一
例の外観の形状を示すものである。１１は発光ダイオー
ド、１２はフォトトランジスタで、これら発光ダイオー
ド１１及びフォトトランジスタ１２は、モールドされて
いる。そして、外部に導出するリード線の端子と、これ
ら発光ダイオード１１及びフォトトランジスタ１２のア
ルミニウム配線の端子とは、例えは金線などによりボン
ディングされている。 従来、フォトトランジスタ１２の部分は、発光ダイオー
ド１１からの光を受けるため、表面はコーティングされ
ていない。 従来、このフォトセンサ１０を用いた半導体ウェーへの
検知回路は、第６図に示す回路が一般的に用いられてい
る。 この場合、発光ダイオード１１とフォトトランジスタ１
２とは、半導体ウェーハを検知するときには半導体ウェ
ーハを挾むように配置される。この例では、発光ダイオ
ード１１には一定の電流が供給され、これか一定の光量
で発光する。フォトトランジスタ１２のエミッタは接地
され、コレクタは可変抵抗器１３を介して例えば＋５■
の電源端子１４に接続される。そして、フォトトランジ
スタ１２のコレクタと可変抵抗器１３との接続点に得ら
れる電圧Ｖｌは、比較器を構成するオペアンプ１５の一
方の入力端子に供給される。 また、電源端子１４が抵抗１６及び１７を介して接地さ
れ、この抵抗１６及び１７の接続点に電源電圧＋Ｖｃｃ
の分圧電圧ｖｔｈか得られる。この分圧電圧ｖｔｈは、
オペアンプ１５の他方の入力端子に比較用スレッショー
ルド値として供給される。なお、抵抗１８及び１９は、
帰還回路を構成しており、この比較回路１５はヒステリ
シス特性を有するが、以下の説明においては、簡単のた
め、このヒステリシスはないものとして説明する。 以上の回路において、半導体ウェーハが発光ダイオード
１１とフォトトランジスタ１２との間にあるときは、発
光ダイオード１１からフォトトランジスタ１２に入射す
る光量は、遮られる分たけ少なくなるのでフォトトラン
ジスタ１２は非導通方向となり、電圧Ｖｌは高く、スレ
ッショールド値ｖｔｈを越えるので、オペアンプ１５の
出力ＳＤは「１」となる。 一方、半導体ウェーハがないときは、発光タイオード１
１からフォトトランジスタ１２に入射する光量は多くな
る。このため、フォトトランジスタ１２は導通方向とな
るので電圧Ｖｌは低くなり、スレッショールド値ｖｔｈ
よりも小さくなるので、オペアンプ１５の出力ＳＤはｒ
□、となる。
ところで、従来、この現像処理装置に用いる半導体ウェ
ーハの有無検知のためのフォトセンサか故障することが
多々あった。 出願人は、この故障の原因を調査し、次のような事実を
発見するに至った。 すなわち、従来、フォトセンサの特にフォトトランジス
タ１２の表面にはコーティングが施されていないため、
現像液がこのフォトトランジスタ１２にも付着すること
かあった。現像液は、界面活性剤であって、フォトセン
サ１０のフォトトランジスタ１２とモールドとの隙間に
侵入する。現像液は揮発性の低い液であるので、侵入し
た液はこの隙間に蓄積する。そして、現像液は電解液で
もあるので、蓄積した液が電解反応を起こしてセンサ内
部の導線が彫版する。第６図に示したように、従来の判
別回路では、フォトトランジスタがオフであるときには
、電源電圧の５ｖが、そのままフォトトランジスタ１２
に印加され、電解反応は比較的活発に行われる。電解反
応により端子部が腐蝕され、断線あるいはショートして
しまうことも故障の原因となっている。 この発明は、以上のような点に鑑み、電解液による故障
を減少させることのできるセンサ装置を提供しようとす
るものである。
ーハの有無検知のためのフォトセンサか故障することが
多々あった。 出願人は、この故障の原因を調査し、次のような事実を
発見するに至った。 すなわち、従来、フォトセンサの特にフォトトランジス
タ１２の表面にはコーティングが施されていないため、
現像液がこのフォトトランジスタ１２にも付着すること
かあった。現像液は、界面活性剤であって、フォトセン
サ１０のフォトトランジスタ１２とモールドとの隙間に
侵入する。現像液は揮発性の低い液であるので、侵入し
た液はこの隙間に蓄積する。そして、現像液は電解液で
もあるので、蓄積した液が電解反応を起こしてセンサ内
部の導線が彫版する。第６図に示したように、従来の判
別回路では、フォトトランジスタがオフであるときには
、電源電圧の５ｖが、そのままフォトトランジスタ１２
に印加され、電解反応は比較的活発に行われる。電解反
応により端子部が腐蝕され、断線あるいはショートして
しまうことも故障の原因となっている。 この発明は、以上のような点に鑑み、電解液による故障
を減少させることのできるセンサ装置を提供しようとす
るものである。
この発明においては、光源と、この光源からの光を受光
する如く設けられた光電変換素子からなるセンサ装置に
おいて、 上記光源及び光電変換素子の少なくとも一方に、その非
動作期間、動作電圧より低電圧を印加するようにする。 また、センサ装置の表面を透明のコーティング材で覆う
。
する如く設けられた光電変換素子からなるセンサ装置に
おいて、 上記光源及び光電変換素子の少なくとも一方に、その非
動作期間、動作電圧より低電圧を印加するようにする。 また、センサ装置の表面を透明のコーティング材で覆う
。
この発明は、光源、光電変換素子の少なくとも一方に、
その非動作期間、動作電圧より低電圧を印加するように
したので、電解処理部に用いても電解反応は従来のよう
に活発に行われることはない。また、センサ装置の表面
をコーティング材でコーティングしたので、電解液の侵
入を防止でき、故障が少なくなり、さらに寿命が長くな
る。
その非動作期間、動作電圧より低電圧を印加するように
したので、電解処理部に用いても電解反応は従来のよう
に活発に行われることはない。また、センサ装置の表面
をコーティング材でコーティングしたので、電解液の侵
入を防止でき、故障が少なくなり、さらに寿命が長くな
る。
以下、この発明の一実施例を、半導体ウェーハの現像処
理におけるウェーハの有無の検知装置に適応した場合を
例にとって、図を参照しながら説明する。 第３図において、２０は半導体ウェーハ、２１はフォト
センサ、２２は半導体ウェーハ２０を固定するためのチ
ャック、２３は半導体ウェーへの搬送方向の位置規制の
ためのピンである。半導体ウェーハ２０は、図中矢印の
ように搬送され、ピン２３にぶつかって止まる。この位
置で、フォトセンサ２１によりウェーハ２０か検知され
る６ウエーハ２０か検知されると、ウェーハ２０はチャ
ック２２上に載せられ、真空吸着される。第４図は、こ
の第３図の装置を、チャック２２の横から見た図である
。 この場合、フォトセンサ２１は、第２図に示すように、
第５図のフォトセンサと同様の構成を有すると共に、セ
ンサの表面全面に透明コーティング膜２４が形成されて
いる。 第１図は、この発明によるセンサ回路の一例の回路図で
ある。 フォトセンサ２１の光源例えば発光タイオード３１には
、５■の直流電圧が供給される電源端子３３から抵抗３
４を介して所定の電流が流れ、この発光タイオード３１
か発光する。光電変換素子例えはフォトセンサ２１のフ
ォトトランジスタ３２のコレクタは、動作電圧より低い
電圧の低電圧回路を構成するトランジスタ３５のベース
が接続され、このフォトトランジスタ３２のコレクタと
トランジスタ３５のベースとの接続点が抵抗３６を介し
て電源端子３３に接続される。フォトトランジスタ３２
のエミッタとトランジスタ３５のエミッタは、共通に接
続され、接地される６トランジスタ３５のコレクタより
フォトセンサ２１の受光出力に応じた出力が得られる。 他は第６図の例と同様に構成される。 この回路では、フォトトランジスタ３２のコレクタ側に
は発光タイオード３１よりの光の受光量に応じた出力が
得られ、トランジスタ３５のコレクタには、その反転出
力か得られる。 この場合、フォトトランジスタ３２のコレクターエミッ
タ間には、トランジスタ３５のベース−エミッタ間電圧
、例えば０．４Ｖが、フォトトランジスタ３２かオフで
あるときにも印加されることになる。したがって、フォ
トトランジスタ３２には、オフ時であっても、従来の＋
５ｖという電圧に比べて、低い電圧が印加される。この
ため、電解液がモールド部とフォトトランジスタとの間
の隙間に侵入していても、フォトトランジスタ３２の印
加型圧は低いから電解反応は活発ではなく、寿命が長く
なる。 なお、この発明は半導体ウェーハの現像処理に限らず、
電解液を使用する場所にフォトセンサを設置する場合の
全てに適用可能であることはいうまでもない。 以上説明したように、このフォトセンサは表面がコーテ
ィングされるので、電解液はこのフォトセンサに侵入し
難くなる。そして、侵入したとしても、フォｌ−トラン
ジスタにはオフ時であっても低電圧か印加されるので、
電解反応は弱い。このため、フォトセンサの寿命は長く
なる。
理におけるウェーハの有無の検知装置に適応した場合を
例にとって、図を参照しながら説明する。 第３図において、２０は半導体ウェーハ、２１はフォト
センサ、２２は半導体ウェーハ２０を固定するためのチ
ャック、２３は半導体ウェーへの搬送方向の位置規制の
ためのピンである。半導体ウェーハ２０は、図中矢印の
ように搬送され、ピン２３にぶつかって止まる。この位
置で、フォトセンサ２１によりウェーハ２０か検知され
る６ウエーハ２０か検知されると、ウェーハ２０はチャ
ック２２上に載せられ、真空吸着される。第４図は、こ
の第３図の装置を、チャック２２の横から見た図である
。 この場合、フォトセンサ２１は、第２図に示すように、
第５図のフォトセンサと同様の構成を有すると共に、セ
ンサの表面全面に透明コーティング膜２４が形成されて
いる。 第１図は、この発明によるセンサ回路の一例の回路図で
ある。 フォトセンサ２１の光源例えば発光タイオード３１には
、５■の直流電圧が供給される電源端子３３から抵抗３
４を介して所定の電流が流れ、この発光タイオード３１
か発光する。光電変換素子例えはフォトセンサ２１のフ
ォトトランジスタ３２のコレクタは、動作電圧より低い
電圧の低電圧回路を構成するトランジスタ３５のベース
が接続され、このフォトトランジスタ３２のコレクタと
トランジスタ３５のベースとの接続点が抵抗３６を介し
て電源端子３３に接続される。フォトトランジスタ３２
のエミッタとトランジスタ３５のエミッタは、共通に接
続され、接地される６トランジスタ３５のコレクタより
フォトセンサ２１の受光出力に応じた出力が得られる。 他は第６図の例と同様に構成される。 この回路では、フォトトランジスタ３２のコレクタ側に
は発光タイオード３１よりの光の受光量に応じた出力が
得られ、トランジスタ３５のコレクタには、その反転出
力か得られる。 この場合、フォトトランジスタ３２のコレクターエミッ
タ間には、トランジスタ３５のベース−エミッタ間電圧
、例えば０．４Ｖが、フォトトランジスタ３２かオフで
あるときにも印加されることになる。したがって、フォ
トトランジスタ３２には、オフ時であっても、従来の＋
５ｖという電圧に比べて、低い電圧が印加される。この
ため、電解液がモールド部とフォトトランジスタとの間
の隙間に侵入していても、フォトトランジスタ３２の印
加型圧は低いから電解反応は活発ではなく、寿命が長く
なる。 なお、この発明は半導体ウェーハの現像処理に限らず、
電解液を使用する場所にフォトセンサを設置する場合の
全てに適用可能であることはいうまでもない。 以上説明したように、このフォトセンサは表面がコーテ
ィングされるので、電解液はこのフォトセンサに侵入し
難くなる。そして、侵入したとしても、フォｌ−トラン
ジスタにはオフ時であっても低電圧か印加されるので、
電解反応は弱い。このため、フォトセンサの寿命は長く
なる。
以上説明したように、この発明によれば、センサのオフ
期間、光源及び光電変換素子の一方に、動作電圧以下の
電圧を印加するようにしたので、電解反応を抑制するこ
とができる。 また、センサの表面全体にコーティング材をコーティン
グしたので、電解液がセンサに浸入しにくくなり、故障
が少なくなる。
期間、光源及び光電変換素子の一方に、動作電圧以下の
電圧を印加するようにしたので、電解反応を抑制するこ
とができる。 また、センサの表面全体にコーティング材をコーティン
グしたので、電解液がセンサに浸入しにくくなり、故障
が少なくなる。
第１図は、この発明によるセンサ装置のセンサ回路の一
例の回路図、第２図は、この発明装置に用いるフォトセ
ンサの一例の外観を示す図、第３図及び第４図は、この
発明が適応される装置の一例を示す図、第５図は、従来
装置に用いられるフォトセンサの例を示す図、第６図は
、従来のセンサ回路の一例の回路図である。 ２１；フォトセンサ ２４；透明コーティング膜 ３１：発光ダイオード ３２；フォトトランジスタ ３５；低電圧回路例としてのトランジスタ代理人 弁理
士 佐 藤 正 美 夜来例 第６図 −７９９＝
例の回路図、第２図は、この発明装置に用いるフォトセ
ンサの一例の外観を示す図、第３図及び第４図は、この
発明が適応される装置の一例を示す図、第５図は、従来
装置に用いられるフォトセンサの例を示す図、第６図は
、従来のセンサ回路の一例の回路図である。 ２１；フォトセンサ ２４；透明コーティング膜 ３１：発光ダイオード ３２；フォトトランジスタ ３５；低電圧回路例としてのトランジスタ代理人 弁理
士 佐 藤 正 美 夜来例 第６図 −７９９＝
Claims (2)
- （１）光源と、この光源からの光を受光する如く設けら
れた光電変換素子からなるセンサ装置において、 上記光源及び光電変換素子の少なくとも一方に、その非
動作期間、動作電圧より低電圧を印加するようにしたこ
とを特徴とするセンサ装置。 - （２）請求項（１）のセンサ装置において、全体を透明
のコーティング材によりコーティングしたことを特徴と
するセンサ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63322725A JPH02167491A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | センサ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63322725A JPH02167491A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | センサ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02167491A true JPH02167491A (ja) | 1990-06-27 |
Family
ID=18146924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63322725A Pending JPH02167491A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | センサ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02167491A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7385967B2 (en) | 1994-08-31 | 2008-06-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Network interconnection apparatus, network node apparatus, and packet transfer method for high speed, large capacity inter-network communication |
| USRE41772E1 (en) | 1995-05-18 | 2010-09-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Router device and datagram transfer method for data communication network system |
-
1988
- 1988-12-21 JP JP63322725A patent/JPH02167491A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7385967B2 (en) | 1994-08-31 | 2008-06-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Network interconnection apparatus, network node apparatus, and packet transfer method for high speed, large capacity inter-network communication |
| US7747753B2 (en) | 1994-08-31 | 2010-06-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Network interconnection apparatus, network node apparatus, and packet transfer method for high speed, large capacity inter-network communication |
| USRE41772E1 (en) | 1995-05-18 | 2010-09-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Router device and datagram transfer method for data communication network system |
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